JPH08108623A

JPH08108623A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH08108623A
Application number: JP6243117A
Authority: JP
Inventors: Hideki Umehara; 英樹梅原; Masatoshi Yanagimachi; 昌俊柳町; Yoshiteru Taniguchi; 義輝谷口; Sumio Hirose; 純夫広瀬; Tsutayoshi Misawa; 伝美三沢; Hirosuke Takuma; 啓輔詫摩
Original assignee: Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Priority date: 1994-10-06
Filing date: 1994-10-06
Publication date: 1996-04-30

Abstract

(57)【要約】【構成】基板上に記録層、反射層及び保護層を有す
る光記録媒体において、該記録層中に波長４５０〜６３
０ｎｍに吸収極大を有する特定のアゾ化合物を含有する
光記録媒体。【効果】従来より使用されている７８０ｎｍの近赤
外レーザーで記録再生可能で、且つ、近年移行しつつあ
る、記録再生波長が６３５ｎｍや６８０ｎｍの赤色レー
ザーでも記録再生が可能な互換性のある光記録媒体が提
供される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光記録媒体、特に波長
６２０〜６９０ｎｍの赤色レーザーで記録及び又は再生
可能で、且つ、波長７７０〜８３０ｎｍの近赤外レーザ
ーで記録及び又は記録再生可能である光記録媒体に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】基板上に反射層を有する光記録媒体とし
てコンパクトディスク（以下、ＣＤと略す）規格に対応
した追記または記録可能なＣＤが提案されている［例え
ば、日経エレクトロニクス、Ｎｏ．４６５，Ｐ．１０
７，１９８９年１月２３日号］。この光記録媒体は図１
に示すように基板１上に記録層２、反射層３、保護層４
をこの順に形成されるものである。この光記録媒体の記
録層に半導体レーザー等のレーザー光を高パワーで照射
すると、記録層が物理的あるいは化学的変化を起こし、
ピットの形で情報を記録する。形成されたピットに低パ
ワーのレーザー光を照射し、反射光を検出することによ
りピットの情報を再生することができる。このような光
記録媒体の記録再生には一般に波長７７０〜８３０ｎｍ
の近赤外半導体レーザーが用いられており、レッドブッ
クやオレンジブック等のＣＤの規格に準拠しているた
め、ＣＤプレーヤーやＣＤーＲ０Ｍプレーヤーと互換性
を有するという特徴を有する。

【０００３】最近、７７０ｎｍよりも短波長の半導体レ
ーザーの開発が進み、波長６８０ｎｍ及び６３０ｎｍの
赤色半導体レーザーが実用化されている［例えば、日経
エレクトロニクス、Ｎｏ．５９２、Ｐ．６５、１９９３
年１０月１１日号］。記録再生用レーザーの短波長化に
よりビームスポットを小さくすることで、高密度な光記
録媒体が可能になる。半導体レーザーの短波長化とデー
タ圧縮技術などにより動画を記憶できる大容量の光記録
媒体が開発されてきている［例えば、日経エレクトロニ
クス、Ｎｏ．５８９、Ｐ．５５、１９９３年８月３０日
号］。このような高密度の光記録媒体は動画のような大
容量のデータを記録することができ、ビデオＣＤなどの
用途に期待されている［例えば、日経エレクトロニク
ス、Ｎｏ．５９４、Ｐ．１６９、１９９３年１１月８日
号］。また、特開平２−２７８５１９号公報では、６８
０ｎｍの短波長レーザーで高感度に記録して７８０ｎｍ
で再生する方法により高感度高速記録が提案されてい
る。

【０００４】一方、特開平６−４０１６２号公報には短
波長レーザーで記録再生が可能な光記録媒体が提案され
ている。この媒体は、記録層にインドカルボシアニン色
素を用いており、６３０ｎｍの半導体レーザーやＨｅ・
Ｎｅレーザーで記録可能である。６３０ｎｍよりさらに
短波長の４９０ｎｍの青／緑色半導体レーザーも研究さ
れているが、まだ実用化の段階まで至っていない［例え
ば、ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒ，
Ｐ．１２７２−１２７４，Ｖｏｌ．５９（１９９１）や
『日経エレクトロニクス』Ｎｏ．５５２，Ｐ．９０，１
９９２年４月２７日号］。こうした背景から光記録媒体
の記録再生波長が６３０ｎｍ付近まで短波長化されてい
く傾向にある。従って、これに対応した光記録媒体の開
発が必要となり、さらに従来からある７８０ｎｍにも対
応した互換性のある光記録媒体が望まれている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、我々の
検討によると、従来の光記録媒体では記録層に用いてい
る有機色素が、波長６２０〜６９０ｎｍで吸収が大きく
屈折率が小さいため反射率が低く、波長６８０ｎｍまた
は６３０ｎｍの赤色レーザーでの再生が不可能であるこ
とがわかった。本発明の目的は、波長６８０または６３
０ｎｍの赤色レーザーで記録及び又は再生可能で、且
つ、７８０ｎｍの近赤外レーザー（従来より市販のＣＤ
プレーヤーなど）でも再生または記録・再生可能な光記
録媒体を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を提案する
に至った。

【０００７】すなわち、本発明は、基板上に記録層、反
射層及び保護層を有する光記録媒体において、該記録層
中に式（１）〔化２〕で示される波長４５０〜６３０ｎ
ｍに吸収極大を有するアゾ化合物を含有する光記録媒体
であり、また、

【０００８】

【化２】［式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、及びＲ₅は各々独立
に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、置換
または未置換のアルキル基、アルコキシ基、アリル基を
表すが、この中の２つ又は３つはシアノ基であり、また
Ｒ₁はニトロ基とならない。Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈、Ｒ₉、
Ｒ₁₀及びＲ₁₁は各々独立に，水素原子、ハロゲン原子、
ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホン基、置換また
は未置換のアルキル基、アルコキシ基、アリル基、アシ
ル基、アルキルカルボキシル基、アラルキル基、アルキ
ルカルボニルアミノ基、アルキルスルホンアミノ基、ア
ルキルアミノ基、スルホンアミド基、アミノ基、アルキ
ルカルボニル基、アルキルスルホン基、フェニル基を表
し、Ｒ₇とＲ₁₀、Ｒ₉とＲ₁₁及びＲ₁₀とＲ₁₁は連結基を
介して環を形成してもよい。］記録層中に式（１）で示される化合物と波長６５０〜９
００ｎｍに吸収極大を有する光吸収化合物を含有する光
記録媒体であり、また、波長６５０〜９００ｎｍに吸収
極大を有する光吸収化合物の重量比が０．１〜５０％で
ある光記録媒体であり、また、波長６２０〜６９０ｎｍ
の赤色レーザーから選ばれた光に対する基板側から測定
した反射率が２０％以上であり、波長６２０〜６９０ｎ
ｍの赤色レーザーで少なくとも再生可能である光記録媒
体であり、また、波長６２０〜６９０ｎｍの赤色レーザ
ーから選ばれた光に対する基板側から測定した反射率が
２０％以上であり、波長６２０〜６９０ｎｍの赤色レー
ザーで記録及び／又は再生可能である光記録媒体であ
り、また、波長７７０〜８３０ｎｍの近赤外レーザーか
ら選ばれた光に対する基板側から測定した反射率が６５
％以上であり、７７０〜８３０ｎｍから選ばれた近赤外
レーザーで記録及び／又は再生可能である光記録媒体で
ある。

【０００９】本発明に従えば、上記したようなアゾ化合
物またはアゾ化合物と適当な光吸収を有する化合物の混
合物を記録層に用いることにより、波長６２０〜６９０
ｎｍの赤色レーザーで記録及び又は再生可能で、且つ、
７７０〜８３０ｎｍから選ばれたレーザーで再生または
記録・再生可能な光記録媒体が実現される。

【００１０】以下、本発明の各構成要件について詳細に
説明する。本発明の光記録媒体は基板上に記録層及び反
射層を有する。光記録媒体とは予め情報を記録されてい
る再生専用の光再生専用媒体及び情報を記録して再生す
ることのできる光記録媒体の両方を示すものである。但
し、ここでは適例として後者の情報を記録して再生ので
きる光記録媒体、特に基板上に記録層、反射層及び保護
層をこの順で形成した光記録媒体に関して説明する。こ
の光記録媒体は図１に示すような４層構造を有してい
る。即ち、基板１上に記録層２が形成されており、その
上に密着して反射層３が設けられており、さらにその上
に保護層４が反射層３を覆っている。

【００１１】基板の材質としては、基本的には記録光及
び再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカー
ボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メチ
ル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂
等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。こ
れらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に成
形される。必要に応じて、基板表面に溝を形成すること
もある。

【００１２】記録層に含有する式（１）（化３）で示さ
れるアゾ化合物は、λmaxが５００ｎｍ付近に存在し、
６２０〜６９０ｎｍでの屈折率が大きく、吸光度が小さ
いため、反射率が大きく取れる。又、７７０〜８３０ｎ
ｍでの屈折率も大きく吸収も小さいため、現在使用され
ている７７０〜８３０ｎｍの半導体レーザーを搭載した
ＣＤプレーヤーやＣＤーＲＯＭプレーヤーでも再生が可
能となる。

【００１３】

【化３】［式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、及びＲ₅は各々独立
に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、置換
または未置換のアルキル基、アルコキシ基、アリル基を
表すが、この中の２つ又は３つはシアノ基であり、また
Ｒ₁はニトロ基とならない。Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈、Ｒ₉、
Ｒ₁₀及びＲ₁₁は各々独立に，水素原子、ハロゲン原子、
ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホン基、置換また
は未置換のアルキル基、アルコキシ基、アリル基、アシ
ル基、アルキルカルボキシル基、アラルキル基、アルキ
ルカルボニルアミノ基、アルキルスルホンアミノ基、ア
ルキルアミノ基、スルホンアミド基、アミノ基、アルキ
ルカルボニル基、アルキルスルホン基、フェニル基を表
し、Ｒ₇とＲ₁₀、Ｒ₉とＲ₁₁及びＲ₁₀とＲ₁₁は連結基を
介して環を形成してもよい。］ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素で
あり好ましくは、フッ素、塩素、臭素である。

【００１４】置換または未置換のアルキル基としては、
直鎖または分岐のアルキル基、アルコキシアルキル基、
アルコキシアルコキシアルキル基、アルコキシアルコキ
シアルコキシアルキル基、アルコキシカルボニルアルキ
ル基、アルコキシカルボニルオキシアルキル基、アルコ
キシアルコキシカルボニルオキシアルキル基、ヒドロキ
シアルキル基、ヒドロキシアルコキシアルキル基、ヒド
ロキシアルコキシアルコキシアルキル基、シアノアルキ
ル基、アシルオキシアルキル基、アシルオキシアルコキ
シアルキル基およびハロゲン化アルキルの中から選択さ
れる。

【００１５】直鎖または分岐のアルキル基としては炭素
１〜２０の炭化水素基で、ポリカーボネート、アクリ
ル、エポキシ、ポリオレフィン基板等への塗布による加
工性を考慮すれば、メチル基、エチル基、プロピル基、
ｎーブチル基、ｎーヘキシル基、４ーエチルペンチル
基、２ーエチルヘキシル基、ｎーオクチル基、３、５、
５ートリメチルヘキシル基、２ーメチルー１ーisoープ
ロピルプロピル基、３ーメチルー１ーiso-プロピルブチ
ル基、３ーメチルー１ーiso-ブチルブチル基などが挙げ
られる。

【００１６】アルコキシアルキル基としては、メトキシ
メチル基、エトキシメチル基、プロポキシメトキシ基、
ブトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル
基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、ｎーヘキ
シルオキシエチル基、４ーメチルペントキシエチル基、
１、３ージメチルブトキシエチル基、２ーエチルヘキシ
ルオキエシエチル基、ｎーオクチルオキシエチル基、
３、５、５ートリメチルヘキシルオキシエチル基、２ー
メチルー１ーisoープロピルオキシエチル基、３ーメチ
ルー１ーisoープロピルブチルオキシエチル基、２ーエ
トキシー１ーメチルエチル基、３ーメトキシブチル基な
どの炭素数２〜２０のものが挙げられる。アルコキシア
ルコキシアルキル基の例としては、メトキシエトキシエ
チル基、エトキシエトキシエチル基、プロポキシエトキ
シエチル基、ブトキシエトキシエチル基、ヘキシルオキ
シエトキシエチル基、１、２ージメチルプロポキシエト
キシエチル基、３ーメチルー１ーiso-ブチルブトキシエ
トキシエチル基、２ーメトキシー１ーメチルエトキシエ
チル基、２ーブトキシー１ーメチルエトキシエチル基、
２ー（２’ーエトキシー１’ーメチルエトキシ）ー１ー
メチルエチル基などが挙げられる。

【００１７】アルコキシアルコキシアルコキシアルキル
の例としては、メトキシエトキシエトキシエチル基、エ
トキシエトキシエトキシエチル基、ブトキシエトキシエ
トキシエチル基などが挙げられる。アルコキシカルボニ
ルアルキル基の例としては、メトキシカルボニルメチル
基、エトキシカルボニルメチル基、ブトキシカルボニル
メチル基、メトキシカルボニルエチル基、エトキシカル
ボニルエチル基、ブトキシカルボニルエチル基などが挙
げられる。アルコキシカルボニルオキシアルキル基の例
としては、メトキシカルボニルオキシエチル基、エトキ
シカルボニルオキシエチル基、ブトキシカルボニルオキ
シエチル基などが挙げられる。アルコキシアルコキシカ
ルボニルオキシアルキル基の例としては、メトキシエト
キシカルボニルオキシエチル基、エトキシエトキシカル
ボニルオキシエチル基、ブトキシエトキシカルボニルオ
キシエチル基などが挙げられる。

【００１８】ヒドロキシアルキル基の例としては、２ー
ヒドロキシエチル基、４ーヒドロキシエチル基、２ーヒ
ドロキシー３ーメトキシプロピル基、２ーヒドロキシー
３ークロロプロピル基、２ーヒドロキシー３ーエトキシ
プロピル基、３ーブトキシー２ーヒドロキシプロピル
基、２ーヒドロキシー３ーフェノキシプロピル基、２ー
ヒドロキシプロピル基、２ーヒドロキシブチル基などが
挙げられる。ヒドロキシアルコキシアルキル基の例とし
ては、ヒドロキシエトキシエチル基、２ー（２’ーヒド
ロキシー１’ーメチルエトキシ）ー１ーメチルエチル基
などが挙げられ、ヒドロキシアルコキシアルコキシアル
キル基の例としては、ヒドロキシエトキシエトキシエチ
ル基、［２’ー（２”ーヒドロキシー１”ーメチルエト
キシ）ー１’ーメチルエトキシ］エトキシエチル基など
が挙げられる。

【００１９】シアノアルキル基の例としては、２ーシア
ノエチル基、４ーシアノエチル基、２ーシアノー３ーメ
トキシプロピル基、２ーシアノー３ークロロプロピル
基、２ーシアノー３ーエトキシプロピル基、３ーブトキ
シー２ーシアノプロピル基、２ーシアノー３ーフェノキ
シプロピル基、２ーシアノプロピル基、２ーシアノブチ
ル基などが挙げられる。

【００２０】アシルオキシアルキル基の例としては、ア
セトキシエチル基、プロピオニルオキシエチル基、ブチ
リルオキシエチル基、バレリルオキシエチル基、１ーエ
チルペンチルカルボニルオキシエチル基、２、４、４ー
トリメチルペンチルカルボニルオキシエチル基などが挙
げられ、アシルオキシアルコキシアルキル基の例として
は、アセトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキシ
エトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエチル基、
１ーエチルペンチルカルボニルオキシエトキシエチル
基、２、４、４ートリメチルペンチルカルボニルオキシ
エトキシエチル基などが挙げられ、アシルオキシアルコ
キシアルコキシアルキル基の例としては、アセトキシエ
トキシエトキシエチル基、プロピオニルオキシエトキシ
エトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエトキシエ
チル基、１ーエチルペンチルカルボニルオキシエトキシ
エチル基、２、４、４ートリメチルペンチルカルボニル
オキシエトキシエトキシエチル基などが挙げられる。

【００２１】ハロゲン化アルキル基の例としては、クロ
ルメチル基、クロルエチル基、２、２、２ートリフルオ
ロエチル基、トリフルオロメチル基、ブロムメチル基、
ヨウ化メチル基などが挙げられる。

【００２２】その他、アルコキシ基、アリル基、アシル
基、アルキルカルボキシル基、アラルキル基、カルボア
ルキルアミノ基、スルフォアルキルアミノ基、アルキル
アミノ基、スルホンアミド基、アミノ基、アルキルカル
ボニル基、フェニル基などにおいても上記に挙げたアル
キル基と同様な置換基を有することができる。

【００２３】Ｒ₇とＲ₁₀またはＲ₉とＲ₁₁が連結基を介
して環を形成した例としては、つぎのもの〔化４〕が挙
げられる。

【００２４】

【化４】Ｒ₁₀とＲ₁₁が連結基を介して環を形成した例としては、
つぎのもの〔化５〕が挙げられる。

【００２５】

【化５】

【００２６】本発明で用いるアゾ化合物の記録層中にお
ける含有率量に特に制限はないが、通常３０〜１００重
量％程度である。また、本発明のアゾ化合物は、A-NH₂
（A は置換または未置換の芳香族残基を示す。）で表さ
れる芳香族アミンを、常法によりジアゾ化し、B-N(R')-
R"（Bは置換または未置換の芳香族残基、R',R" は水素
原子、または置換または未置換のアルキル基を示す。）
で表される芳香族アミンとカップリングすることにより
容易に得ることができる。

【００２７】本発明においては、６２０〜６９０ｎｍと
７７０〜８３０ｎｍに対する記録感度向上のために、６
５０〜９００ｎｍに極大吸収波長のある光吸収化合物を
さらに使用することも好ましい態様である。この場合、
その使用量は、本発明で規定するアゾ化合物に対し、
０．１〜５０％の重量比率( 両者の合計量ベース。以下
同じ )で混合する。この光吸収化合物がこれよりあまり
多い場合は、６３０〜６９０ｎｍと７７０〜８３０ｎｍ
における色素膜の吸収係数が大きくなり再生特性の反射
率を低下させてしまう恐れがある。また、添加量がこれ
よりあまり少ない場合は、６２０〜６９０ｎｍと７７０
〜８３０ｎｍにおける色素膜の吸収係数が小さすぎて記
録感度向上の効果が充分ではない。ただし、６９０〜７
４０ｎｍにシャープな吸収極大を有する光吸収化合物に
おいては０．１〜１５０％の重量比率で混合することが
できる。

【００２８】本発明においてかかる目的で使用する光吸
収化合物としては、ペンタメチンシアニン系色素、ヘプ
タメチンシアニン系色素、スクアリリウム系色素、アゾ
系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、
インドフェノール系色素、フタロシアニン系色素、ナフ
タロシアニン系色素、ピリリウム系色素、チオピリリウ
ム系色素、アズレニウム系色素、トリフェニルメタン系
色素、キサンテン系色素、インダンスレン系色素、イン
ジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニン系色
素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オキサジン系
色素などがあるが、要するに、６５０ｎｍ〜９００ｎｍ
に吸収極大波長を有すればよいのである。特に、アゾ化
合物と混合できるものが好ましい。また、これらの色素
を複数混合して用いても良い。

【００２９】中でも、1,3,3,1',3',3'＝ヘキサメチル−
2,2'ー( 4,5,4',5'−ジベンゾ）インドジカルボシアニン
パークロレート、3,3'−ジエチル−2,2'ー( 6,7,6',7'−
ジベンゾ）−チアジカルボシアニンアイオダイド、3,3'
−ジエチル−2,2'−チアジカルボシアニンアイオダイ
ド、1、1'−ジエチル−2,2'−キノジカルボシアニンアイ
オダイド、3,3'−ジエチル−2,2'−セレナジカルボシア
ニンアイオダイド、1,3'−ジエチル−4,2'−キノオキサ
ジカルボシアニンアイオダイド、3,3',9−トリエチル−
2,2' −（4,5,4',5' −ジベンゾ）チアジカルボシアニ
ンブロマイド、1,1'−ジエチル−2,4'−キノジカルボシ
アニンアイオダイド、1,3'−ジエチル−4,2'−キノチア
ジカルボシアニンアイオダイド等のシアニン色素が好適
である。また、下記〔化６〕、〔化７〕等のフタロシア
ニン系色素や、ナフタロシアニン系色素、アゾ系色素な
ども好適に使用することができる。

【００３０】

【化６】

【００３１】

【化７】これらの化合物・色素に必要に応じて、消光剤や紫外線
吸収剤等の添加剤を混合あるいは置換基として導入する
ことも可能である。例えば、添加剤としては以下の式
（２）〜（８）〔化８〕〜〔化１４〕で示されるものが
挙げられる。

【００３２】

【化８】

【００３３】

【化９】

【００３４】

【化１０】

【００３５】

【化１１】

【００３６】

【化１２】

【００３７】

【化１３】

【００３８】

【化１４】（但し、上記式において、Ａ、Ａ’はベンゼン環あるい
は置換ベンゼン環を形成するか、またはナフタレン環あ
るいは置換ナフタレン環を形成する原子群であり、同種
であっても異種であっても良い。これらの置換基として
は、単数である場合も複数である場合もありうるが、例
えばアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、カルボ
キシル基、ハロゲン原子、アリル基、アルキルカルボキ
シル基、アルキルアルコキシル基、アラルキル基、アル
キルカルボニル基、金属イオンと結合したスルホネート
アルキル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、
フェニル基、フェニルエチレン基等が挙げられる。Ｒ₁₂
〜Ｒ₃₄は、置換または未置換のアルキル基、アルコキシ
基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ハロゲン原子、ア
リル基、アルキルカルボキシル基、アルキルアルコキシ
ル基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、金属イオ
ンと結合したスルホネートアルキル基、ニトロ基、アミ
ノ基、アルキルアミノ基、フェニル基、フェニルエチレ
ン基等が好ましいものとして挙げられる。Ｍは、Ｎｉ、
Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｐｄ及びＰｔなどの遷移金属を示し
ている。Ｍは電荷を持ち、カチオンと塩構造をとっても
良い。ａはイオン体の電価数を表し、０を含む正の整数
である。Ｚはカチオンを示し、ａ＝ｂ・ｃであり、ａ＝
０のときは、ｂ・ｃ＝０でＺは存在せず、化合物は中性
体となることは明らかであろう。）

【００３９】本発明においては、上記した化合物・色素
はスピンコート法やキャスト法等の塗布法やスパッタ法
や化学蒸着法、真空蒸着法等によって基板上に厚さ５０
〜５００ｎｍ、好ましくは１００〜１５０ｎｍの記録層
を形成する。特に塗布法においては色素を溶解あるいは
分散させた塗布溶媒を用いるが、この際溶媒は基板にダ
メージを与えないものを選ぶことが好ましい。例えば、
メタノール等のアルコール系溶媒、ヘキサンやオクタン
等の脂肪族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン等の環状炭
化水素系溶媒、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ク
ロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒、ジオキサン
等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ等のセロソルブ
系溶媒、アセトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル等のエ
ステル系溶媒などが１種あるいは複数混合して用いられ
る。なお、記録層は１層だけでなく複数の化合物を多層
形成させたり、化合物を高分子薄膜などに例えば好まし
くは５０％程度以上分散して用いたりすることもでき
る。アゾ系化合物の含有記録層と光吸収化合物を含有す
る記録層が異なる多層記録層であっても良い。また、基
板にダメージを与えない溶媒を選択できない場合はスパ
ッタ法、化学蒸着法や真空蒸着法などが有効である。

【００４０】本発明においては、次に、記録層の上に厚
さ５０〜３００ｎｍ、好ましくは１００〜１５０ｎｍの
反射層を形成する。反射層の材料としては、再生光の波
長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｃｒ及びＰ
ｄの金属を単独あるいは合金にして用いることが可能で
ある。このなかでもＡｕやＡｌは反射率が高く反射層の
材料として適している。これ以外でも下記のものを含ん
でいてもよい。例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃ
ｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐ
ｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属及び半金属を挙げるこ
とができる。また、Ａｕを主成分としているものは反射
率の高い反射層が容易に得られるため好適である。ここ
で主成分というのは含有率が５０％以上のものをいう。
金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に
積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも
可能である。反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる。
また、反射率を高めるためや密着性をよくするために記
録層と反射層の間にそれぞれ反射増幅層や接着層を設け
ることもできる。

【００４１】このようにして得られる本発明の光記録媒
体は、基板上に記録層及び反射層が形成された媒体で、
６２０〜６９０ｎｍの範囲から選ばれた波長の光に対す
る基板側からの反射率が好ましくは２０％以上、さらに
好ましくは３０％以上あるものであって、また、７７０
ｎｍ〜８３０ｎｍの範囲から選ばれた波長の光に対する
基板側からの反射率が好ましくは６５％以上、さらに好
ましくは７０％以上有するもので、レッドブック（Ｃ
Ｄ）規格及びオレンジブック（ＣＤ−Ｒ）規格の反射率
に満足するものである。これらの規格を満足すれば、従
来より市販されているＣＤプレーヤーでも良好に再生す
ることができる。

【００４２】本発明においては、さらに、反射層の上に
保護層を形成させることもできる。保護層の材料として
は反射層を外力から保護するものであれば有機物質であ
ろうと無機物質であろうと特に限定しない。有機物質と
しては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂
等を挙げることができる。なかでもＵＶ硬化性樹脂が好
ましい。又、無機物質としては、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ₄、
ＭｇＦ₂、ＳｎＯ₂等が挙げられる。

【００４３】これら熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂など
は、適当な溶剤に溶解して塗布液を塗布し、乾燥するこ
とによって形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂は、
そのまま、もしくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調製
した後にこの塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化さ
せることによって形成することができる。ＵＶ硬化性樹
脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシ
アクリレート、ポリエステルアクリレートなどのアクリ
レート樹脂を用いることができる。これらの材料は単独
であるいは混合して用いても良いし、１層だけでなく多
層膜にして用いてもいっこうに差し支えない。保護層の
形成の方法としては、記録層と同様にスピンコート法や
キャスト法などの塗布法やスパッタ法や化学蒸着法等の
方法が用いられるが、このなかでもスピンコート法が好
ましい。

【００４４】本発明における赤色レーザーは、６２０〜
６９０ｎｍの波長のレーザーであればいずれでも良い。
例えば、可視領域の広範囲で波長選択のできる色素レー
ザーや波長６３３ｎｍのヘリウムネオンレーザー、最近
開発されている波長６８０ｎｍの高出力半導体レーザー
などがあるが、装置に搭載することを考えると半導体レ
ーザーが好適である。また、近赤外レーザーは、７７０
〜８３０ｎｍの波長のレーザーであれば何でも良いが、
市販のＣＤプレーヤーやＣＤレコーダーに用いられてい
る半導体レーザーが適している。

【００４５】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れによりなんら限定されるものではない。〔実施例１〕式（１）及び表１に示されるアゾ化合物
（Ａ）０．２ｇと光吸収化合部としてトリメチンシアニ
ン色素ＮＫ２９２９（１，３，３，１’，３’，３’−
ヘキサメチル−２，２’−（４，５，４’，５’−ジベ
ンゾ）インドカルボシアニンパークロレート）〔日本感
光色素研究所製〕０．０２ｇをジアセトンアルコール
（東京化成品）１０ｍｌに溶解し、色素溶液を調製す
る。基板は、ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝
（トラックピッチ：１．６μｍ）を有する直径１２０ｍ
ｍφ、厚さ１．２ｍｍの円盤状のものを用いた。この基
板上に色素溶液を回転数１５００ｒｐｍでスピンコート
し、７０℃２時間乾燥して、記録層を形成した。この記
録層の上にバルザース社製スパッタ装置（ＣＤＩ−９０
０）を用いてＡｕをスパッタし、厚さ１００ｎｍの反射
層を形成した。スパッタガスには、アルゴンガスを用い
た。スパッタ条件は、スパッタパワー２．５ｋＷ、スパ
ッタガス圧１．０×１０^-2Ｔｏｒｒで行った。さらに反
射層の上に紫外線硬化樹脂ＳＤ−１７（大日本インキ化
学工業製）をスピンコートした後、紫外線照射して厚さ
６μｍの保護層を形成した。サンプルを６８０ｎｍ赤色
半導体レーザーヘッドを搭載したパルステック工業製光
ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ
製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度５．６ｍ／ｓ、
レーザーパワー１０ｍＷで記録した。記録後、６３５ｎ
ｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評価装置を用い
て信号を再生し、反射率を測定した。また、この記録し
たサンプルを再生波長が７８０ｎｍの市販ＣＤプレーヤ
ーで再生評価した結果、良好な記録特性を示した。

【００４６】〔実施例２〜９〕実施例１において、式
（１）及び〔表１〕に示すアゾ化合物（Ｂ）〜（Ｉ）を
各々用いること以外は同様にして光記録媒体を作製し
た。作製した媒体を実施例１と同様に６８０ｎｍ赤色レ
ーザーヘッドを搭載したパルステック工業製光ディスク
評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭ
エンコーダーを用いて、線速度５．６ｍ／ｓ、レーザー
パワー１０ｍＷで記録した。記録後、実施例１と同様の
測定を行った結果、いずれも良好な記録特性を示した。

【００４７】〔実施例１０〕実施例１において、式
（１）及び〔表１〕に示すアゾ化合物（Ｊ）と光吸収剤
としてヘプタメチンシアニン色素ＮＫ１２５（１，３，
３，１’，３’，３’−ヘキサメチル−２，２’−イン
ドトリカルボシアニンアイオダイド）〔日本感光色素研
究所製〕０．０２ｇを用いること以外は同様にして光記
録媒体を作製した。作製した媒体を７８０ｎｍ近赤外半
導体レーザーヘッドを搭載したパルステック工業製光デ
ィスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製
ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度２．８ｍ／ｓ、レ
ーザーパワー７ｍＷで記録した。記録後、実施例１と同
様の測定を行った結果、良好な記録特性を示した。

【００４８】〔実施例１１〕実施例１において、式
（１）及び〔表１〕に示すアゾ化合物（Ｋ）と光吸収化
合物としてペンタメチンシアニン色素ＮＫ２６２７
（３，３’−ジエチル−２，２’−（６，７，６’，
７’−ジベンゾ）チアジカルボシアニンアイオダイド）
〔日本感光色素研究所製〕を用いること以外は同様にし
て光記録媒体を作製した。作製した媒体を７８０ｎｍ近
赤外半導体レーザーヘッドを搭載したパルステック工業
製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯ
ＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度１．４ｍ／
ｓ、レーザーパワー７ｍＷで記録した。記録後、実施例
１と同様の測定を行った結果、良好な記録特性を示し
た。

【００４９】〔実施例１２〕実施例１において、式
（１）及び〔表１〕に示すアゾ化合物（Ｌ）を用いるこ
と以外は同様して光記録媒体を作製した。作製した媒体
を実施例１と同様に６８０ｎｍ赤色レーザーヘッドを搭
載したパルステック工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−
１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用
いて、線速度５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで
記録した。記録後、実施例１と同様の測定を行った結
果、良好な記録特性を示した。

【００５０】〔実施例１３〕実施例１において、式
（１）及び〔表１〕に示すアゾ化合物（Ｍ）と光吸収剤
としてヘプタメチンシアニン色素ＮＫ１２５（１，３，
３，１’，３’，３’−ヘキサメチル−２，２’−イン
ドトリカルボシアニンアイオダイド）〔日本感光色素研
究所製〕０．０２ｇを用いること以外は同様にして光記
録媒体を作製した。作製した媒体を実施例１１と同様に
７８０ｎｍ近赤外半導体レーザーヘッドを搭載したパル
ステック工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及
びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速
度２．８ｍ／ｓ、レーザーパワー８ｍＷで記録した。記
録後、実施例１と同様の測定を行った結果、良好な記録
特性を示した。

【００５１】〔実施例１４〕実施例１において、式
（１）及び〔表１〕に示すアゾ化合物（Ｎ）を用いるこ
と以外は同様して光記録媒体を作製した。作製した媒体
を実施例１と同様に６８０ｎｍ赤色レーザーヘッドを搭
載したパルステック工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−
１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用
いて、線速度５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで
記録した。記録後、実施例１と同様の測定を行った結
果、良好な記録特性を示した。

【００５２】〔実施例１５〕実施例１においてアゾ化合
物（Ｊ）で形成された色素層の上にさらに〔化７〕で示
されるフタロシアニン色素０．８ｇをジメチルシクロヘ
キサン（東京化成）４０ｍｌに溶解した溶液を用いてス
ピンコート法により同様の条件で色素膜を形成し、２層
の記録層からなる光記録媒体化を作製した。作製した媒
体を実施例１１と同様に７８０ｎｍ近赤外半導体レーザ
ーヘッドを搭載したパルステック工業製光ディスク評価
装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエン
コーダーを用いて、線速度２．８ｍ／ｓ、レーザーパワ
ー８ｍＷで記録した。記録後、記録後、実施例１と同様
の測定を行った結果、良好な記録特性を示した。さら
に、６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評
価装置を用いて信号を再生したところ、反射率は３０％
で良好な記録特性を示した。

【００５３】〔実施例１６〕実施例１において、アゾ化
合物（Ｇ）のみを用い光吸収化合物は混合しないこと以
外は同様して光記録媒体を作製した。作製した媒体を実
施例１と同様に６８０ｎｍ赤色レーザーヘッドを搭載し
たパルステック工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０
００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用い
て、線速度２．８ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記
録した。記録後、実施例１と同様の測定を行った結果、
良好な記録特性を示した。

【００５４】〔比較例１〕実施例１において色素をペン
タメチンシアニン色素ＮＫ２９２９（１，３，３，
１’，３’，３’−ヘキサメチル−２，２’−（４，
５，４’，５’−ジベンゾ）インドジカルボシアニンパ
ークロレート）〔日本感光色素研究所製〕を用いること
以外は同様にして光記録媒体を作製した。作製した媒体
を実施例１と同様に６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッ
ドを搭載したパルステック工業製光ディスク評価装置Ｄ
ＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダ
ーを用いて、線速度５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー１０
ｍＷで記録した。記録後、実施例１と同様の測定を行っ
た。

【００５５】〔比較例２〕実施例１において色素をペン
タメチンシアニン色素ＮＫ２６２７（３，３’−ジエチ
ル−２，２’−（６，７，６’，７’−ジベンゾ）チア
ジカルボシアニンアイオダイド）〔日本感光色素研究所
製〕を用いること以外は同様にして光記録媒体を作製し
た。作製した媒体を実施例１と同様に６８０ｎｍ赤色半
導体レーザーヘッドを搭載したパルステック工業製光デ
ィスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製
ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度５．６ｍ／ｓ、レ
ーザーパワー１０ｍＷで記録した。記録後、同評価装置
を用いて信号を再生した結果、反射率が８％と低く、波
形も歪んでいた。また、実施例１と同様の測定を行っ
た。

【００５６】〔比較例３〕実施例１において色素をペン
タメチンシアニン色素ＮＫ１４５６（１，１’−ジエチ
ル−２，２’−キノジカルボシアニンアイオダイド）
〔日本感光色素研究所製〕を用いること以外は同様にし
て光記録媒体を作製した。作製した媒体を実施例１１と
同様に７８０ｎｍ近赤外半導体レーザーヘッドを搭載し
たパルステック工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０
００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用い
て、線速度１．４ｍ／ｓ、レーザーパワー７ｍＷで記録
した。記録後、実施例１と同様の測定を行った。

【００５７】以上の６３５ｎｍ赤色半導体レーザーを用
いた場合の再生反射率および再生波長７８０ｎｍの市販
ＣＤプレーヤーでの再生反射率・エラー率の測定結果を
〔表２〕にまとめて示す。

【００５８】

【表１】

【００５９】

【表２】

【００６０】

【発明の効果】本発明によれば、４５０〜６３０ｎｍに
吸収極大を有するアゾ化合物を記録層に用いることによ
り、従来より使用されている７８０ｎｍの近赤外レーザ
ーで記録再生可能で、且つ、近年移行しつつある、記録
再生波長が６３５ｎｍや６８０ｎｍの赤色レーザーでも
記録再生が可能な互換性のある光記録媒体を提供するこ
とが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】光記録媒体の断面構造図

【符号の説明】

１基板２記録層３反射層４保護層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者広瀬純夫神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井東圧化学株式会社内 (72)発明者三沢伝美神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井東圧化学株式会社内 (72)発明者詫摩啓輔神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井東圧化学株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に記録層、反射層及び保護層を有
する光記録媒体において、該記録層中に式（１）〔化
１〕で示される波長４５０〜６３０ｎｍに吸収極大を有
するアゾ化合物を含有する光記録媒体。【化１】［式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、及びＲ₅は各々独立
に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、置換
または未置換のアルキル基、アルコキシ基、アリル基を
表すが、この中の２つ又は３つはシアノ基であり、また
Ｒ₁はニトロ基とならない。Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈、Ｒ₉、
Ｒ₁₀及びＲ₁₁は各々独立に，水素原子、ハロゲン原子、
ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホン基、置換また
は未置換のアルキル基、アルコキシ基、アリル基、アシ
ル基、アルキルカルボキシル基、アラルキル基、アルキ
ルカルボニルアミノ基、アルキルスルホンアミノ基、ア
ルキルアミノ基、スルホンアミド基、アミノ基、アルキ
ルカルボニル基、アルキルスルホン基、フェニル基を表
し、Ｒ₇とＲ₁₀、Ｒ₉とＲ₁₁及びＲ₁₀とＲ₁₁は連結基を
介して環を形成してもよい。］
【請求項２】記録層中に式（１）で示される化合物と
波長６５０〜９００ｎｍに吸収極大を有する光吸収化合
物を含有する請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】波長６５０〜９００ｎｍに吸収極大を有
する光吸収化合物の重量比が０．１〜５０％である請求
項２記載の光記録媒体。
【請求項４】波長６２０〜６９０ｎｍの赤色レーザー
から選ばれた光に対する基板側から測定した反射率が２
０％以上であり、波長６２０〜６９０ｎｍの赤色レーザ
ーで少なくとも再生可能である請求項１〜３の何れかに
記載の光記録媒体。
【請求項５】波長６２０〜６９０ｎｍの赤色レーザー
から選ばれた光に対する基板側から測定した反射率が２
０％以上であり、波長６２０〜６９０ｎｍの赤色レーザ
ーで記録及び／又は再生可能である請求項１〜３の何れ
かに記載の光記録媒体。
【請求項６】波長７７０〜８３０ｎｍの近赤外レーザ
ーから選ばれた光に対する基板側から測定した反射率が
６５％以上であり、７７０〜８３０ｎｍから選ばれた近
赤外レーザーで記録及び／又は再生可能である請求項１
〜５の何れかに記載の光記録媒体。