JPH0726264A - 強誘電性液晶組成物、これを用いた素子及びその駆動方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【構成】 一般式（Ｉ） を表し、Ｒ^１及びＲ^２は直鎖または分枝鎖で１〜１５の
炭素数を有するアルキル基を表し、Ｘ^１及びＸ^２はそれ
ぞれ独立に単結合又は−Ｏ−を表す。）の化合物を少な
くとも一種、一般式II或いはIII （Ｒ³ 〜Ｒ⁶ はアルキル基であり、Ｘ³ 及びＸ⁵ は単結
合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＯＣＯＯ−
を表し、Ｘ⁴ 及びＸ⁶ は−Ｏ−または−ＯＣＯ−を表
し、Ｙ¹ は−Ｏ−、−ＣＯＯ−または−ＣＨ₂Ｏ−を表
し、Ａ¹ 、Ｂ¹ 、Ａ² 及びＢ² は含六員環基を表し、Ｚ
¹ 及びＺ² は単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｃ≡
Ｃ−、−ＣＨ₂Ｏ−または−ＯＣＨ₂−を表し、ｎは０ま
たは１。）の光学活性化合物のどちらかを少なくとも一
種含有する強誘電性液晶組成物、それを用いた素子及び
その駆動方法。 【効果】 配向性がよく、高コントラストで、低駆動電
圧、高速応答の大容量の強誘電性液晶素子が提供され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は強誘電性液晶組成物、こ
れを用いた素子及びその駆動方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、キラルスメクティック相を利用し
た強誘電性液晶表示素子（N. A. Clark, et al., Appl.
Phys, Lett., 36, 899 (1980)）が有望視されている。
この表示方法は強誘電性液晶であるキラルスメクティッ
クＣ相、キラルスメクティックＩ相などを利用するもの
であり、メモリー性を利用する方式であることから、単
純マトリックス駆動によって大表示容量化が可能であ
り、また視野角が広いという長所も兼ね備えており、２
０００×２０００ライン等の大容量表示用の素子として
大いに有望視されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】強誘電性液晶ディスプ
レイの実用化のために解決しなければならない課題は種
々あるが、なかでも単純マトリクス駆動において高いコ
ントラストを実現する手法を見いだすことが非常に重要
である。この問題に関しては、Surguyらは負の誘電異方
性を有する液晶材料を利用する方法（P. W. H. Surguy
et al., Ferroelectrics, 122, 63 (1991).)を提案して
おり、この手法を用いた強誘電性液晶ディスプレイも試
作されている（P. W. Ross, Proc. SID, 217 (199
2).）。以下、この手法について詳しく述べる。

【０００４】誘電異方性が負でない通常の強誘電性液晶
材料の場合、図１（Ａ）に示すようなτ−Ｖ特性を示
す。すなわち、電圧が高くなるにつれてτ（メモリさせ
るために必要なパルス幅）が単調に低下する。これに対
して、負の誘電異方性を有する強誘電性液晶材料の場
合、図１（Ｂ）に示すような極小値（τ−Ｖmin)を示す
τ−Ｖ特性が得られる。Surguyら（P. W. H. Surguy et
al., Ferroelectrics, 122, 63 (1991).)は、この特性
を用いて駆動する駆動法として図２に示す駆動法を報告
している。この駆動法の原理を図３に簡単に示す。まず
｜Ｖｓ−Ｖｄ｜の電圧を印加したとき、強誘電性液晶素
子のメモリ状態をスイッチングさせ、この電圧より高い
電圧である｜Ｖｓ＋Ｖｄ｜を印加したとき、およびこの
電圧より低い｜Ｖｄ｜を印加したときにはスイッチング
させないという方法である。

【０００５】しかし、この方法の大きな問題点の一つ
は、駆動電圧が高いことである。Rossら（P. W. Ross,
Proc. SID, 217 (1992).）の報告によれば、試作強誘電
性液晶ディスプレイの駆動電圧は５５Ｖである。強誘電
性液晶ディスプレイを駆動するＩＣドライバの価格は高
電圧になるほど上がるので、高い駆動電圧はコストアッ
プの大きな要因となる。理にかなった価格で強誘電性液
晶ディスプレイを作製するためには、それほど高価でな
い汎用のＩＣドライバを用いて駆動することが必要であ
り、少なくとも駆動電圧を４０Ｖ以下にすることがぜひ
とも必要である。現時点で高い駆動電圧が必要な理由
は、τ−Ｖ特性における極小値を与える電圧値（Ｖmin)
が高いためであり、４０Ｖ以下で駆動するためにはＶmi
n を３０Ｖ前後に示す強誘電性液晶材料を開発すること
が必要となる。Surguyら（P. W. H. Surguy et al., Fe
rroelectrics, 122, 63 (1991).)によれば、Ｖmin は以
下の式で与えられる。

【０００６】

【数１】

【０００７】ここで、Ｅmin は電界強度の極小値、ｄは
セル厚、Ｐｓは自発分極、Δεは誘電率異方性、θはテ
ィルト角である。この式から分かるように低いＶmin の
値を得るためには大きな負の誘電率異方性と小さな自発
分極が必要である。一方、強誘電性液晶の応答速度は自
発分極に関係するため、自発分極を小さくすると高速応
答を得ることが困難となる。それゆえ、高速応答と低電
圧駆動を同時に満たすことは困難であった。この問題を
解決するためには液晶材料としては負の誘電率異方性を
有する低粘性材料が必要となる。もちろん、良好な強誘
電性液晶素子を得るためには、従来から言われている以
下の条件も満たさなければならない。

【０００８】（１）室温付近を中心に広い温度範囲でス
メクティックＣ相を呈すること。 （２）良好な配向性と双安定性とを得るために、IAC(Is
otropic - Smectic A- Smectic C)またはINAC(Isotropi
c - Nematic - Smectic A - Smectic C）という相系列
を液晶材料が呈すること。 （３）キラルネマティック相およびキラルスメクティッ
クＣ相の螺旋ピッチがセル厚に比べて充分長いこと。 （４）良好な化学的安定性、光安定性を有すること。ま
た、ティルト角、屈折率、比抵抗などの最適化を必要に
応じて行うこともある。

【０００９】本発明はこのような状況下でなされたもの
であり、低いＶmin の値を示す高速応答の強誘電性液晶
組成物、およびこれを用いた強誘電性液晶素子を提供す
るものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明によれ
ば、一般式（Ｉ）

【００１１】

【化６】 で表される化合物を少なくとも一種に、一般式（II）

【００１２】

【化７】 （ただし、Ｒ³ およびＲ⁴ は同一又は異なっていてもよ
い直鎖又は分枝鎖で１〜１５の炭素数を有するアルキル
基であることを表し、Ｘ³ は単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ
−、−ＯＣＯ−または−ＯＣＯＯ−を表し、Ｘ⁴ は−Ｏ
−または−ＯＣＯ−を表し、Ｙ¹ は−Ｏ−、−ＣＯＯ−
または−ＣＨ₂Ｏ−を表し、Ａ¹ およびＢ¹ はハロゲン、
シアノ基、含フッ素アルキル基で置換されてもよい含六
員環基を表し、Ｚ¹ は単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ
−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ₂Ｏ−または−ＯＣＨ₂−を表
し、ｎは０または１を表す。）で表される化合物或いは
一般式（III)

【００１３】

【化８】 （ただし、Ｒ⁵ およびＲ⁶ は同一又は異なっていてもよ
い直鎖又は分枝鎖で１〜１５の炭素数を有するアルキル
基であることを表し、Ｘ⁵ は単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ
−、−ＯＣＯ−または−ＯＣＯＯ−を表し、Ｘ⁶ は−Ｏ
−または−ＯＣＯ−を表し、Ｙ² は−Ｏ−、−ＣＯＯ−
または−ＣＨ₂Ｏ−を表し、Ａ² およびＢ² はハロゲン、
シアノ基、含フッ素アルキル基で置換されてもよい含六
員環基を表し、Ｚ² は単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ
−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ₂Ｏ−または−ＯＣＨ₂−を表
し、ｎは０または１を表す。）で表される化合物を含有
することを特徴とする強誘電性液晶組成物が提供され
る。

【００１４】一般式（Ｉ）で表される化合物は分子長軸
に垂直な方向に２つのフッ素基を有し、しかもその２つ
のフッ素基が同一のフェニル環に結合しているため、大
きな負の誘電率異方性が期待できる。また、エステル基
などの高粘性の結合基を有さず、２つのフェニル基がア
セチレン結合によって結合しているため、低粘性が期待
できる。加えて、Ｒ¹,Ｒ² を適切に選択することにより
安定にスメクティックＣ相を発現させることができる。

【００１５】Ｒ¹ およびＲ² に使用できる同一又は異な
っていてもよい炭素数１〜１５である直鎖又は分岐鎖で
あるアルキル基とは、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニ
ル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テト
ラデシル、ペンタデシル、１−メチルペンチル、１−メ
チルヘキシル、１−メチルヘプチル、１−メチルオクチ
ル、１−メチルノニル、１−メチルデシル、３−メチル
ペンチル、４−メチルヘキシル、５−メチルヘプチル、
６−メチルオクチル、７−メチルノニル、８−メチルデ
シル、３−エチルペンチル、４−エチルヘキシル、５−
エチルヘプチル、６−エチルオクチル、７−エチルノニ
ル、８−エチルデシル等が挙げられる。

【００１６】これらの基の水素原子は、フッ素原子、塩
素原子、−ＣＮ、−ＯＣＨ₃、−ＯＣＦ₃ または−ＯＣ
ＯＣ_nＨ_2n+1（但しｎは１〜１５好ましくは１〜１０）
などによって置換されてもよい。一般式（II）および
（III)で表される化合物には種々の立体異性体がある
が、いずれも本発明に用いることができ、立体異性体を
混合してもよい。Ｒ³ とＲ⁴、およびＲ⁵ とＲ⁶ の組み
合わせは、上記のＲ¹ とＲ² に使用される基と同様の組
み合わせを使用できる。

【００１７】上記一般式（Ｉ）〜（III)において、Ｒ³
〜Ｒ⁶ は炭素数３〜１０のアルキル基、Ｘ³ とＸ⁵ は単
結合又は−Ｏ−、Ｙ¹ とＹ² は−ＣＯＯ−又は−ＣＨ₂
−、Ｚ¹ とＺ² は単結合、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−又は
−ＣＨ₂ −が好ましい。一般式（Ｉ）で表される化合物
は種々の化合物と組み合わせて液晶組成物とすることが
できる。組み合わせるのに特に適した化合物として下記
の一般式（IV）で表される化合物が挙げられる。

【００１８】

【化９】 （ただし、Ｒ⁷ およびＲ⁸ は同一又は異なっていてもよ
い直鎖又は分枝鎖で１〜１５の炭素数を有するアルキル
基を表し、Ｘ⁷ およびＸ⁸ はそれぞれ独立に単結合、−
Ｏ−又は−ＣＯＯ−を表す。）

【００１９】上記一般式（IV）で表される化合物は、分
子長軸に垂直な方向に１つのフッ素基を有し負の誘電率
異方性が期待できる。負の誘電率異方性の大きさは一般
式（Ｉ）で表される化合物ほどは期待できないが、この
化合物もＲ⁷,Ｒ⁸ を適切に選択することにより安定にス
メクティックＣ相を発現させることができる。よって、
一般式（Ｉ）で表される化合物と組み合わせることによ
り、スメクティックＣ相の温度範囲、相系列、配向性な
どを改善することができる。Ｒ⁷ とＲ⁸ の組み合わせ
は、上記のＲ¹ とＲ² に使用される基と同様の組み合わ
せを使用できる。このうちＸ⁷ は−Ｏ−が好ましく、Ｘ
⁸ は−Ｏ−及び−ＣＯＯ−が好ましく、最も好ましくは
−ＣＯＯ−である。

【００２０】ここで、一般式（Ｉ）〜（IV）で表される
化合物の合成法の例を以下に示す。まず、一般式（Ｉ）
で表される化合物は、例えば以下のように合成される。

【００２１】

【化１０】 （式中、Ｒ¹,Ｒ²は上記と同じである。） すなわち、2,3-ジフルオロフェノールをハロゲン化した
後、ハロゲン化アルキルと反応させることにより、2,3-
ジフルオロ−4-ハロゲノ−アルコキシベンゼンを得るこ
とができる。

【００２２】2,3-ジフルオロ−4-ハロゲノ−アルコキシ
ベンゼンをＰｄ触媒存在下、3-メチル−1-ブチン−3-オ
ールと反応させ、次いでアルカリで処理することによ
り、4-アルコキシ−2,3-ジフルオロフェニルアセチレン
を得ることができる。4-アルコキシ−2,3-ジフルオロフ
ェニルアセチレンをＰｄ触媒存在下、4-アルコキシ−ハ
ロゲノベンゼンと反応させることにより、一般式（Ｉ
Ａ）の化合物を得ることができる。

【００２３】

【化１１】 （式中、Ｒ¹,Ｒ²は上記と同じである。）

【００２４】すなわち、2-ハロゲノ−5-ニトロピリジン
をＰｄ触媒存在下、1-アルキンと反応させた後、Ｐｄ／
Ｃを用いて水素添加することにより、2-アルキル−5-ア
ミノピリジンを得ることができる。2-アルキル−5-アミ
ノピリジンをジアゾ化した後、ヨウ素化し、Ｐｄ触媒存
在下、一般式（ＩＡ）の原料である4-アルコキシ−2,3-
ジフルオロフェニルアセチレンと反応させることによっ
て、一般式（ＩＢ）の化合物を得ることができる。

【００２５】

【化１２】 （式中、Ｒ¹,Ｒ²は上記と同じである。）

【００２６】すなわち、2-ブロモ−5-ニトロピリジンを
酸化白金を用いて水素添加し、ジアゾ化の後、ヨウ素化
することにより2-ブロモ−5-ヨードピリジンを得ること
ができる。2-ブロモ−5-ヨードピリジンをＰｄ触媒存在
下、1-アルキンと反応させた後、酸化白金を用いて水素
添加することにより、2-ブロモ−5-アルキルピリジンを
得ることができる。2-ブロモ−5-アルキルピリジンをＰ
ｄ触媒存在下、一般式（ＩＡ）の原料である4-アルコキ
シ−2,3-ジフルオロフェニルアセチレンと反応させるこ
とによって、一般式（ＩＣ）の化合物を得ることができ
る。

【００２７】次に、一般式（II）で表される化合物は、
例えば以下のように合成される。 （１）Ｙ¹＝−ＣＯＯ−、Ｘ⁴＝−ＯＣＯ−、ｎ＝０の場
合には、下記一般式（Ｄ−１） Ｒ³−Ｘ³−Ｂ¹−ＣＯＨａｌ （Ｄ−１） （式中、Ｒ³,Ｘ³,Ｂ¹ は上記と同じである。Ｈａｌは塩
素、臭素、ヨウ素等のハロゲンを示す。）で表される化
合物および下記一般式（Ｄ−２）

【００２８】

【化１３】 （式中、ＴＢＳはｔ−ブチルジメチルシリル基を示
す。）で表される化合物と反応させることにより下記一
般式（Ｄ−３）

【００２９】

【化１４】 （式中、Ｒ³,Ｘ³,Ｂ¹,ＴＢＳは前記と同じである。）で
表される化合物を得ることができる。この反応は、有機
塩基、例えば、ピリジン、トリエチルアミン等の存在下
に、トルエン、ベンゼン、塩化メチレン等の溶媒中で−
２０〜８０℃の温度で行うことができる。

【００３０】次に、得られた一般式（Ｄ−３）で表され
る化合物の脱シリル化を行い、一般式（Ｄ−４）

【００３１】

【化１５】 （式中、Ｒ³,Ｘ³,Ｂ¹ は前記と同じである。）で表され
る化合物を得る。この脱シリル化反応は、種々の方法で
行うことができるが、例えばテトラヒドロフラン溶媒
中、触媒としてテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムフルオ
ライドを用い、０〜５０℃で行うことができる。なお、
上記一般式（Ｄ−４）で表される化合物は、２種類のジ
アステレオマーの混合物であるが、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにより容易に分離することができる。

【００３２】この一般式（Ｄ−４）で表される化合物を
一般式（Ｄ−５） Ｒ⁴−ＣＯＨａｌ （Ｄ−５） （式中、Ｒ⁴,Ｈａｌは前記と同じである。）で表される
化合物と反応させることにより、目的とする前記一般式
（II）で表される化合物を得ることができる。この反応
は、有機塩基、例えばピリジン、トリエチルアミン等の
存在下に、トルエン、ベンゼン、塩化メチレン等の溶媒
中で−２０〜８０℃の温度で行うことができる。 （２）Ｙ¹＝−ＣＯＯ−、Ｘ⁴＝−Ｏ−、ｎ＝０の場合に
は、下記一般式（Ｄ−６） Ｒ¹¹−ＯＨ （Ｄ−６） （式中、Ｒ¹¹は炭素数１〜１５の直鎖または分岐鎖アル
キル基、炭素数２〜１５のアルケニル基または炭素数７
〜１０のアラルキル基を示す。）で表される化合物およ
び上記一般式（Ｄ−２）で表される化合物と反応させる
ことによって、下記一般式（Ｄ−７）

【００３３】

【化１６】 （式中、Ｒ¹¹，ＴＢＳは前記と同じである。）で表され
る化合物を得ることができる。この反応は、無溶媒また
はテトラヒドロフラン等の溶媒中、酸触媒として例えば
パラトルエンスルホン酸等を用いて０〜５０℃で行うこ
とができる。次に、得られた一般式（Ｄ−７）で表され
る化合物の脱シリル化を行い、一般式（Ｄ−８）

【００３４】

【化１７】 （式中、Ｒ¹¹は前記と同じである。）で表される化合物
を得る。この脱シリル化反応は、種々の方法で行うこと
ができるが、例えばテトラヒドロフラン溶媒中、触媒と
してテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムフルオライドを用
い、０〜５０℃で行うことができる。

【００３５】次いで、一般式（Ｄ−９） Ｒ⁴−Ｚ （Ｄ−９） （式中、Ｒ⁴ は前記と同じであり、Ｚは塩素、臭素、ヨ
ウ素またはトシル基を示す。）で表される化合物と上記
一般式（Ｄ−８）で表される化合物を反応させることに
より、一般式（Ｄ−１０）

【００３６】

【化１８】 （式中、Ｒ¹¹, Ｒ⁴ は前記と同じである。）で表される
化合物を得ることができる。この反応は一般式（Ｄ−
８）で表される化合物にアルカリ金属ヒドリド、水酸化
ナトリウムまたは水酸化カリウム等の塩基を作用させた
後、一般式（Ｄ−９）で表される化合物を加えることに
より行うことができる。

【００３７】さらに、得られた一般式（Ｄ−１０）で表
される化合物を酸触媒下で反応させることにより、一般
式（Ｄ−１１）

【００３８】

【化１９】 （式中、Ｒ⁴ は前記と同じである。）で表される化合物
を得ることができる。この反応は水の存在下で、テトラ
ヒドロフラン、エーテル、トルエン等の溶媒中、酸触媒
として例えばパラトルエンスルホン酸、塩酸、硫酸等を
用いて０〜１００℃で行うことができる。

【００３９】この一般式（Ｄ−１１）で表される化合物
と前記一般式（Ｄ−１）で表される化合物を反応させる
ことにより、目的とする前記一般式（II）で表される化
合物を得ることができる。この反応は、有機塩基、例え
ばピリジン、トリエチルアミン等の溶媒中で−２０〜８
０℃の温度で行うことができる。 （３）Ｙ¹＝−ＣＨ₂Ｏ−、Ｘ⁴＝−ＯＣＯ−、ｎ＝０の
場合には、下記一般式（Ｄ−１２） Ｒ³−Ｘ³−Ｂ¹−ＣＨ₂Ｚ （Ｄ−１２） （式中、Ｒ³,Ｘ³,Ｂ¹,Ｚは前記と同じである。）で表さ
れる化合物と前記一般式（Ｄ−２）で表される化合物を
反応させることにより下記一般式（Ｄ−１３）

【００４０】

【化２０】 （式中、Ｒ³,Ｘ³,Ｂ¹,ＴＢＳは前記と同じである。）で
表される化合物を得ることができる。この反応は、例え
ば酸触媒として、パラトルエンスルホン酸、塩酸、硫酸
等を用い、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、塩
化メチレン、トルエン等の溶媒中、０〜１００℃で行う
ことができる。

【００４１】次に、得られた一般式（Ｄ−１３）で表さ
れる化合物の脱シリル化を行い、一般式（Ｄ−１４）

【００４２】

【化２１】 （式中、Ｒ³,Ｘ³,Ｂ¹ は前記と同じである。）で表され
る化合物を得る。この脱シリル化反応は、種々の方法で
行うことができるが、例えばテトラヒドロフランの溶媒
中、触媒としてテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムフルオ
ライドを用い、０〜５０℃で行うことができる。なお、
上記一般式（Ｄ−１４）で表される化合物は、２種類の
ジアステレオマーの混合物であるが、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより容易に分離することができ
る。この一般式（Ｄ−１４）で表される化合物と前記一
般式（Ｄ−５）で表される化合物を反応させることによ
り、目的とする前記一般式（II）で表される化合物を得
ることができる。この反応は、有機塩基、例えばピリジ
ン、トリエチルアミン等の存在下に、トルエン、ベンゼ
ン、塩化メチレン等の溶媒中で−２０〜８０℃の温度で
行うことができる。

【００４３】（４）Ｙ¹＝−ＣＨ₂Ｏ−、Ｘ⁴＝−Ｏ−、
ｎ＝０の場合には、前記一般式（Ｄ−１４）で表される
化合物と前記一般式（Ｄ−９）で表される化合物を反応
させることにより、目的とする前記一般式（II）で表さ
れる化合物を得ることができる。この反応は、一般式
（Ｄ−１４）で表される化合物に、アルカリ金属ヒドリ
ド、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウム等の塩基を
作用させた後、一般式（Ｄ−９）で表される化合物を加
えることによって得ることができる。

【００４４】（５）Ｚ¹＝−ＣＯＯ−、Ｙ¹＝−ＣＯＯ
−、Ｘ⁴＝−Ｏ−、ｎ＝１の場合には、一般式（Ｄ−１
５） Ｂｚ−Ｏ−Ｂ¹−ＣＯ−Ｈａｌ （Ｄ−１５） （式中、Ｂｚはベンジル基を表し、Ｈａｌ，Ｂ¹ は前記
と同じである。）で表される化合物と前記一般式（Ｄ−
１１）で表される化合物を反応させることにより、一般
式（Ｄ−１６）

【００４５】

【化２２】 （式中、Ｂｚ，Ｂ¹,Ｒ⁴ は前記と同じである。）で表さ
れる化合物を得ることができる。この反応は、有機塩
基、例えばピリジントリエチルアミン等の存在下に、ト
ルエン、ベンゼン、塩化メチレン等の溶媒中で、−２０
〜８０℃の温度で行うことができる。

【００４６】次に、得られた一般式（Ｄ−１６）で表さ
れる化合物の脱ベンジル化を行い、一般式（Ｄ−１７）

【００４７】

【化２３】 （式中、Ｒ⁴,Ｂ¹ は前記と同じである。）で表される化
合物を得る。この脱ベンジル化反応は、種々の方法で行
うことができるが、例えば、パラジウム・カーボン（Ｐ
ｄ／Ｃ）触媒存在下、メタノール、エタノール、プロパ
ノール等のアルコール溶媒、または酢酸を用い、常圧で
水素化分解することにより行うことができる。

【００４８】この一般式（Ｄ−１７）で表される化合物
と一般式（Ｄ−１８） Ｒ³−Ｘ³−Ａ¹−ＣＯ−Ｈａｌ （Ｄ−１８） （式中、Ｒ³,Ｘ³,Ａ¹,Ｈａｌは前記と同じである。）で
表される化合物を反応させることにより、目的とする前
記一般式（II）で表される化合物を得ることができる。
この反応は、有機塩基、例えばピリジン、トリメチルア
ミン等の存在下に、トルエン、ベンゼン、塩化メチレン
等の溶媒中で−２０〜８０℃の温度で行うことができ
る。

【００４９】次に、一般式（III)で表される化合物は、
例えば以下のように合成される。 （１）Ｚ²＝単結合、Ｙ²＝−ＣＯＯ−、ｎ＝１の場合に
は、一般式（Ｅ−１） Ｒ⁵−Ｘ⁵−Ａ²−Ｂ²−ＣＯＨａｌ （Ｅ−１） （式中、Ｒ⁵,Ｘ⁵,Ａ²,Ｂ²,Ｈａｌは前記と同じであ
る。）で表される化合物と、一般式（Ｅ−２）

【００５０】

【化２４】 （式中、Ｒ⁶,Ｘ⁶ は前記と同じである。）で表される化
合物を反応させることにより上記一般式（III)の化合物
を得ることができる。この反応は、有機塩基、例えば、
ピリジン、トリメチルアミン等の存在下に、トルエン、
ベンゼン、塩化メチレン等の溶媒中で、−２０〜８０℃
の温度で行うことができる。

【００５１】（２）Ｚ²＝単結合、Ｙ²＝−ＣＨ₂Ｏ−、
ｎ＝１の場合には、一般式（Ｅ−３） Ｒ⁵−Ｘ⁵−Ａ²−Ｂ²−ＣＨ₂−Ｚ （Ｅ−３） （式中、Ｒ⁵,Ｘ⁵,Ａ²,Ｂ² は前記と同じであり、Ｚは塩
素、臭素、ヨウ素またはトシル基を表す。）で表される
化合物を上記の一般式（Ｅ−２）で表される化合物と反
応させることにより、上記一般式（III)の化合物を得る
ことができる。この反応は一般式（Ｅ−２）の化合物に
アルカリ金属ヒドリド、水酸化ナトリウムあるいは水酸
化カリウムで代表される塩基を作用させた後、一般式
（Ｅ−３）の化合物を加えることにより行うことができ
る。

【００５２】（３）Ｚ²＝−ＣＯＯ−、Ｙ²＝−ＣＯＯ
−、ｎ＝１の場合には、一般式（Ｅ−４） Ｂｚ−Ｏ−Ｂ² −ＣＯ−Ｈａｌ （Ｅ−４） （式中、Ｂ²,Ｂｚ，Ｈａｌは前記と同じである。）で表
される化合物を、前記一般式（Ｅ−２）で表される化合
物と反応させて、下記一般式（Ｅ−５）

【００５３】

【化２５】 （式中、Ｂ²,Ｘ⁶,Ｒ⁶,Ｂｚは前記と同じである。）で表
される化合物を得る。この反応は、有機塩基、例えば、
ピリジン、トリメチルアミン等の存在下に、トルエン、
ベンゼン、塩化メチレン等の溶媒中で−２０〜８０℃の
温度で行うことができる。

【００５４】次に、得られた一般式（Ｅ−５）の化合物
中のベンジル基を常法で脱離させれば、下記一般式（Ｅ
−６）

【００５５】

【化２６】 （式中、Ｂ²,Ｘ⁶,Ｒ⁶ は前記と同じである。）で表され
る化合物が生成する。この脱ベンジル化反応は、例え
ば、Ｐｄ／Ｃ触媒の存在下でメタノール、エタノール、
プロパノール等のアルコール溶媒、または酢酸を用いて
常圧で水素化分解することにより行うことができる。

【００５６】更に、得られた一般式（Ｅ−６）の化合物
を下記一般式（Ｅ−７） Ｒ⁵−Ｘ⁵−Ａ²−ＣＯ−Ｈａｌ （Ｅ−７） （式中、Ｒ⁵,Ｘ⁵,Ａ²,Ｈａｌは前記と同じである。）で
表される化合物と反応させることにより上記一般式（II
I)の化合物を得ることができる。この反応は、有機塩
基、例えばピリジン、トリメチルアミン等の存在下に、
トルエン、ベンゼン、塩化メチレン等の溶媒中で−２０
〜８０℃の温度で行うことができる。

【００５７】（４）Ｚ²＝−ＣＯＯ−、Ｙ²＝−ＣＨ₂Ｏ
−、ｎ＝１の場合には、一般式（Ｅ−８） ＴｈｐＯ−Ｂ²−ＣＨ₂−Ｚ （Ｅ−８） （式中、Ｔｈｐはテトラヒドロピラニル基を表し、Ｂ²,
Ｚは前記と同じである。）で表される化合物を、前記一
般式（Ｅ−２）で表される化合物と反応させて、下記一
般式（Ｅ−９）

【００５８】

【化２７】 （式中、Ｂ²,Ｘ⁶,Ｒ⁶,Ｔｈｐは前記と同じである。）で
表される化合物を得る。この反応は、一般式（Ｅ−２）
で表される化合物にアルカリ金属ヒドリド、水酸化ナト
リウムあるいは水酸化カリウムで代表される塩基を作用
させた後、一般式（Ｅ−８）の化合物を加えることによ
り行うことができる。

【００５９】次に、得られた一般式（Ｅ−９）の化合物
中のＴｈｐを常法で脱離させれば、下記一般式（Ｅ−１
０）

【００６０】

【化２８】 （式中、Ｂ²,Ｘ⁶,Ｒ⁶ は前記と同じである。）で表され
る化合物を得る。このテトラヒドロピラニル基の脱離
は、塩酸、硫酸およびパラトルエンスルホン酸等の酸触
媒存在下で、エーテル、テトラヒドロフラン、クロロホ
ルム等の溶媒を用いて行うことができる。

【００６１】次に、得られた一般式（Ｅ−１０）の化合
物を上記一般式（Ｅ−７）で表される化合物と反応させ
ることにより上記一般式（III)の化合物を得ることがで
きる。この反応は、有機塩基、例えばピリジン、トリメ
チルアミン等の存在下に、トルエン、ベンゼン、塩化メ
チレン等の溶媒中で−２０〜８０℃の温度で行うことが
できる。

【００６２】（５）Ｚ²＝−ＣＯＯ−、Ｙ²＝−Ｏ−、ｎ
＝１の場合には、一般式（Ｅ−１１） ＴｈｐＯ−Ｂ²−Ｈａｌ （Ｅ−１１） （式中、Ｂ²,Ｔｈｐ，Ｈａｌは前記と同じである。）で
表される化合物を上記一般式（Ｅ−２）で表される化合
物と反応させて、下記一般式（Ｅ−１２）

【００６３】

【化２９】 （式中、Ｂ²,Ｘ⁶,Ｒ⁶,Ｔｈｐは前記と同じである。）で
表される化合物を得る。この反応は、一般式（Ｅ−２）
の化合物にアルカリ金属ヒドリド、水酸化ナトリウムあ
るいは水酸化カリウムで代表される塩基を作用させた
後、ジメチルホルムアミド、ジエチルスルホキシド等の
還流条件下、触媒としてヨウ化第一銅を用い、一般式
（Ｅ−１１）で表される化合物を反応させることにより
行うことができる。

【００６４】次に得られた一般式（Ｅ−１２）で表され
る化合物中のテトラヒドロピラニル基を常法で脱離させ
れば、下記一般式（Ｅ−１３）

【００６５】

【化３０】 （式中、Ｂ²,Ｘ⁶,Ｒ⁶ は前記と同じである。）で表され
る化合物が得られる。このテトラヒドロピラニル基の脱
離は、塩酸、硫酸およびパラトルエンスルホン酸等の酸
触媒存在下で、エーテル、テトラヒドロフラン、クロロ
ホルム等の溶媒を用いて行うことができる。

【００６６】ここで得られた一般式（Ｅ−１３）の化合
物を上記一般式（Ｅ−７）で表される化合物と反応させ
ることにより上記一般式（III)の化合物を得ることがで
きる。この反応は、有機塩基、例えばピリジン、トリメ
チルアミン等の存在下に、トルエン、ベンゼン、塩化メ
チレン等の溶媒中で−２０〜８０℃の温度で行うことが
できる。

【００６７】（６）Ｚ²＝−ＣＨ₂Ｏ−、Ｙ²＝−ＣＯＯ
−、ｎ＝１の場合には、上記一般式（Ｅ−６）で表され
る化合物と下記一般式（Ｅ−１４） Ｒ⁵−Ｘ⁵−Ａ²−ＣＨ₂−Ｚ （Ｅ−１４） （式中、Ｒ⁵,Ｘ⁵,Ａ²,Ｚは前記と同じである。）で表さ
れる化合物を反応させることにより上記一般式（III)の
化合物を得ることができる。この反応は一般式（Ｅ−
６）の化合物にアルカリ金属ヒドリド、水酸化ナトリウ
ムあるいは水酸化カリウムで代表される塩基を作用させ
た後、一般式（Ｅ−１４）で表される化合物を反応させ
ることにより行うことができる。

【００６８】（７）Ｚ²＝−ＯＣＨ₂−、Ｙ²＝−ＣＯＯ
−、ｎ＝１の場合には、一般式（Ｅ−１５） ＺＣＨ₂−Ｂ²−ＣＯＨａｌ （Ｅ−１５） （式中、Ｂ²,Ｚ，Ｈａｌは前記と同じである。）で表さ
れる化合物を、上記一般式（Ｅ−２）で表される化合物
と反応させて、下記一般式（Ｅ−１６）

【００６９】

【化３１】 （式中、Ｂ²,Ｘ⁶,Ｒ⁶,Ｚは前記と同じである。）で表さ
れる化合物を得る。この反応は、有機塩基、例えばピリ
ジン、トリメチルアミン等の存在下に、トルエン、ベン
ゼン、塩化メチレン等の溶媒中で−２０〜８０℃の温度
で行うことができる。

【００７０】次いで、下記一般式（Ｅ−１７） Ｒ⁵−Ｘ⁵−Ａ²−ＯＨ （Ｅ−１７） （式中、Ｒ⁵,Ｘ⁵,Ａ² は前記と同じである。）で表され
る化合物に上記化合物（Ｅ−１６）を反応させることに
より、上記一般式（III)の化合物を得ることができる。
この反応は、一般式（Ｅ−１７）の化合物にアルカリ金
属ヒドリド、水酸化ナトリウムあるいは水酸化カリウム
で代表される塩基を作用させた後、一般式（Ｅ−１６）
で表される化合物を加えることにより行うことができ
る。

【００７１】更に、一般式（IV）で表される化合物は、
例えば特開平第3-223225号公報に記載の方法により得る
ことができる。また、実用的な強誘電性液晶組成物を作
製するに際して、一般式（Ｉ）〜（IV）で表される化合
物以外の化合物を適宜添加してよいのは言うまでもな
い。作製した強誘電性液晶組成物が低いＶmin を示すた
めには自発分極をある程度小さくする必要があり、この
観点から自発分極は１００μC/ｍ² 以下であることが好
ましい。

【００７２】本発明の強誘電性液晶組成物を構成する化
合物のそれぞれの添加量は、一般式（Ｉ）で表される化
合物は１０〜９９．９重量％、特に好ましくは５０〜８
０重量％であり、一般式（II）又は（III)で表される化
合物は０．１〜２０重量％、特に好ましくは０．５〜
２．０重量％である。ここで、一般式（II）または（II
I)で表される化合物が２０重量％より多い場合には添加
した化合物が強誘電性液晶組成物中で結晶化したり、ス
メクティックＣ相の上限温度が低下する等の実用上の問
題が生じることが多く、添加量が０．１重量％以下では
応答速度に対して充分な効果が得られない。

【００７３】一般式（IV）で表される化合物を組み合わ
せる場合、一般式（IV）の添加量は１〜８０重量％、特
に好ましくは５〜３０重量％である。８０重量％より多
い場合には添加した化合物が強誘電性液晶組成物中で結
晶化するなどの実用上の問題が生じる場合が多い。

【００７４】一般式（Ｉ）単独或いは一般式（Ｉ）と
（IV）を組み合わせでは、低電圧で駆動できてもτmin
が大きいため高速駆動ができない場合、逆に高速駆動で
きても低電圧で駆動できない場合があるが、上記のよう
に一般式（II）又は（III)の化合物を所定の量添加する
ことによって、このような問題は生じず、低電圧かつ高
速駆動が可能な液晶組成物を得ることができる。

【００７５】次に、本発明の強誘電性液晶素子を図４に
基づいて説明する。図４は本発明の強誘電性液晶組成物
を用いた透過型液晶素子の例を示す断面図である。図
中、１および２は絶縁性基板、３および４は導電性膜、
５は絶縁性膜、６は配向制御層、７はシール剤、８は強
誘電性液晶、９は偏光板を示す。

【００７６】１および２の絶縁性基板としては透光性の
基板が用いられ、通常ガラス基板が使われる。この絶縁
性基板上にはそれぞれＩｎＯ₃,ＳｎＯ₂,ＩＴＯ（Indium
-TinOxide）などの導電性薄膜からなる所定のパターン
の透明電極３，４が形成される。透明電極の膜厚は５０
〜２００nmが好ましい。なお、反射型の場合には、１ま
たは２いずれか一方に不透明な絶縁性基板を用いる。

【００７７】この透明電極上に絶縁性膜５が形成され
る。この絶縁性膜の膜厚は５０〜２００nmが好ましい。
絶縁性膜には例えば、ＳｉＯ₂,ＳｉＮ_x, Ａｌ₂Ｏ₃ など
の無機系薄膜、ポリイミド、フォトレジスト樹脂、高分
子液晶などの有機系薄膜などを使用することができる。
絶縁性膜が無機系薄膜の場合には蒸着法、スパッタ法、
ＣＶＤ（Chemical Vapar Deposition)法、あるいは溶液
塗布法などによって形成できる。また、有機系薄膜の場
合には、有機物質を溶かした溶液またはその前駆体溶液
を用いて、スピンナー塗布法、浸せき塗布法、スクリー
ン印刷法、ロール塗布法などで塗布し、所定の硬化条件
（加熱、光照射など）で硬化させ形成する方法で作製す
ることができ、あるいは蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法
などで形成したり、ＬＢ（Langmuir-Blodgett ）法など
で形成することもできる。しかし、この絶縁性膜は場合
によっては省略できる。

【００７８】絶縁性膜５上には膜厚１０〜１００nmで配
向制御層６が形成される。ただし、絶縁性膜５が省略さ
れた場合には導電性膜３および４の上に直接配向制御層
を形成する。この配向制御層には無機系あるいは有機系
の層を使用することができる。無機系の配向制御層に
は、酸化ケイ素が使用でき、その成膜方法には公知の方
法が適用できるが、例えば、斜め蒸着法、回転蒸着法等
を使用することができる。有機系の配向制御層には、ナ
イロン、ポリビニルアルコール、ポリイミド等が使用で
き、通常この上をラビングする。また、高分子液晶、Ｌ
Ｂ膜を用いて配向させたり、磁場による配向、スペーサ
エッジ法による配向なども可能である。また、ＳｉＯ₂,
ＳｉＮ_x などを蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などによ
って形成し、その上をラビングする方法も使用すること
が可能である。

【００７９】次に２枚の絶縁性基板を張り合わせ、液晶
を注入して強誘電性液晶素子とする。以上図４において
は画素数１のスイッチング素子として説明したが、本発
明の強誘電性液晶および液晶素子は大容量マトリクスの
表示装置に適用可能であり、この場合には図５の平面模
式図に示すように上下基板の配線をマトリクス型に組み
合わせて用いることができる。

【００８０】次に、本発明の好ましい配向方法について
述べる。強誘電性液晶素子の配向方法には種々の方法が
あるが、量産を考慮すると最も好ましいのはラビング法
である。ラビング法を用いる場合、主にパラレルラビン
グ、アンチパラレルラビング、片ラビングの３つの方法
がある。パラレルラビングは上下基板をラビングし、そ
のラビング方向が平行なラビング法である。アンチパラ
レルラビングは上下基板をラビングし、そのラビング方
向が反平行なラビング法である。片ラビングは上下基板
のうち片側の基板のみラビングする方法である。

【００８１】このうち、片ラビングは良好な均一配向を
作るのが難しいという欠点を有する。なぜなら、強誘電
性液晶材料は光学活性な液晶であり、その液晶材料が高
温側にネマティック相を有すれば、そのネマティック相
は必然的に螺旋構造を有し、その螺旋構造のために均一
配向が得られにくいからである。また、もし、強誘電性
液晶材料が高温側にネマティック相をもたないならこの
問題は生じないが、逆に等方性液体状態から直接スメク
ティック相が出現することになり、これも良好な均一配
向が得られにくい原因となる。

【００８２】次にアンチパラレルラビングであるが、こ
の方法の場合、ラビング方向に沿って、線状の欠陥が生
じ易く、やはり均一な配向が得られにくい。均一配向を
得るためのもっとも有力な方法はＩＮＡＣ相系列を有す
る強誘電性液晶材料をパラレルラビングのセルに組み合
わせる方法である。この場合、ネマティック相において
螺旋構造が存在するが、上下の基板の両側から分子の配
向方向を規制するため、ネマティック相において均一な
配向が得られ易く、その状態からスメクティックＡ相、
キラルスメクティックＣ相へと降温してゆけば層法線の
方向の揃った配向が容易に得られる。

【００８３】しかしながら、パラレルラビングの強誘電
性液晶素子においても、キラルスメクティックＣ相にお
いて生じる配向状態は決して１つではない。全面均一に
ならない原因は２つある。ひとつはスメクティック層の
折れ曲がりに関するものである。強誘電性液晶セルが折
れ曲がった層構造（シェブロン層構造）を示すことはよ
く知られており、図６に示すように、２つの領域が存在
しうる。神辺らはこれをプレティルトとの関係からＣ
１，Ｃ２と名付けている。もう一つはユニフォーム
（Ｕ）とツイスト（Ｔ）である。ユニフォームは消光位
を示す配向、ツイストは消光位を示さない配向である。
向殿ら（M. Koden et al., Jpn. J. Appl. phys., 30,
L1823 (1991).)は、ハイプレティルト配向膜を用いたパ
ラレルラビングの強誘電性液晶セルにおいて、Ｃ１Ｕ
（Ｃ１−ユニフォーム），Ｃ１Ｔ（Ｃ１−ツイスト），
Ｃ２の３つの配向が得られたことを報告している。本発
明者らは更に詳細に検討した結果、パラレルラビングの
強誘電性液晶セルにおいてはＣ１Ｕ，Ｃ１Ｔ，Ｃ２Ｕ，
Ｃ２Ｔの４つの配向状態が存在することを見いだした。
図７にこれらの配向状態の分子配向を示す。

【００８４】負の誘電率異方性を有する強誘電性液晶セ
ルにおいて得られる４つの配向状態について比較する
と、Ｃ１ＴとＣ２Ｔは消光位がなく黒状態が黒くないた
め良好なコントラストが得られない。またＣ１Ｕ配向は
スイッチングしにくく、またスイッチングしても駆動時
にＣ２状態が混在した配向へと変化してしまうという欠
点がある。これに対してＣ２Ｕ状態は良好なコントラス
トを与えることを本発明者らは見いだした。

【００８５】Ｃ１・Ｃ２配向の出現性はプレティルトと
関係があるが、プレティルト角が０〜１５°の範囲では
Ｃ２状態が発生しうる。プレティルト角が高いときには
向殿らが報告しているように、Ｃ２状態は消光位を示す
１つの状態しかなく、これはむしろ好ましい。ただ、プ
レティルト角の増加と共にＣ２よりＣ１の方が取り易く
なる傾向があるため、プレティルト角が１０°以下が好
ましい。ただ、プレティルト角が低いほうがＣ２が発生
し易いが、逆に低すぎるとＣ２Ｔが発生し易くなる欠点
もあり、そういう意味ではプレティルト角の特に好まし
い範囲は５〜１０°と言える。

【００８６】次に駆動方法について述べる。図２に示す
駆動波形（Ａ）を用いることができるのはもちろんであ
るが、図８に示すような駆動法が考えられる。これらの
駆動法は部分書き換えができる駆動法であり、この強誘
電性液晶素子を用いて２０００×２０００ラインなどの
大表示容量のディスプレイを作製するには好ましい駆動
法である。図８に示した駆動波形（Ｂ）は、書き換える
画素に結合した走査電極に波形（１）をその他の走査電
極に波形（２）を印加する。信号電極の波形としては、
書き換える画素には波形（３）を、書き換えない画素に
は波形（４）を印加する。画素にかかる電圧波形は
（５）〜（８）で表されるが、書き換えないときの波形
（６）〜（８）の電圧が印加されたときのτが等しく、
透過光量がほぼ等しいため、フリッカのない良好な表示
が得られる。また、図９（国際公開番号WO 92/02925参
照）に示した駆動波形（Ｃ）は、１タイムスロットの０
Ｖ部分と１タイムスロットの０Ｖでないメインパルス部
分を用いた駆動法（Ａ）に対して、メインパルス幅を任
意の長さに変えられるようにしたものであり、電圧を印
加するタイミングを電極間で重ねられ、ラインアドレス
タイムを小さくできるので好ましい駆動法の一つであ
る。

【００８７】なお、本発明の強誘電性液晶組成物の非常
に好ましい利用法の一例としてパラレルラビング、Ｃ２
−ユニフォーム配向、特定の駆動法などについて述べた
訳であるが、勿論、本発明はこれに限定されるものでは
なく、別のタイプの強誘電性液晶素子、駆動法にも適用
可能なのは言うまでもない。

【００８８】

【実施例】

合成例１ 一般式（Ｉ）で表される化合物を合成した。化合物の構
造と転移温度を表１、２に示した。

【００８９】

【表１】

【００９０】

【表２】

【００９１】（合成方法） （１）化合物４の合成。 （１−ａ）まず、2,3-ジフルオロフェノール45.00gをク
ロロホルム250ml に溶かしたものに、臭素55.40gをクロ
ロホルムに溶かしたものを氷冷下で滴下した。滴下終了
後、室温で暫く攪拌したのち、水洗し、クロロホルムを
除去した。その後、ヘキサンで４回再結晶することによ
り、2,3-ジフルオロ−4-ブロモフェノール１４．３０ｇ
を得た。

【００９２】（１−ｂ）次に、2,3-ジフルオロ−4-ブロ
モフェノール7.00g をジメチルスルホキシド50mlに溶か
し、水酸化ナトリウム1.47g とｎ−ノニルブロマイド6.
80gを加えて室温で７日間攪拌した。反応終了後、ヘキ
サンで抽出し、水洗した後、ヘキサンを除去することに
より、油状の2,3-ジフルオロ−4-ブロモ−ノニルオキシ
ベンゼン9.86g を得た。

【００９３】（１−ｃ）次に、2,3-ジフルオロ−4-ブロ
モ−ノニルオキシベンゼン1.98g と、3-メチル−1-ブチ
ン−3-オール0.60ｇをトリエチルアミン50ml中、触媒に
ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム（II）
30mg、ヨウ化銅（Ｉ）８mg、トリフェニルホスフィン60
mgを用いて窒素雰囲気下、12時間加熱還流した。反応終
了後、トリエチルアミンを除去した後、ヘキサンで抽出
した。ヘキサン層を１規定（Ｎ）の塩酸による洗浄、水
洗したのち、ヘキサンで減圧除去することにより油状の
下記化合物（ａ）1.87g を得た。

【００９４】

【化３２】

【００９５】（１−ｄ）次に、上記化合物（ａ）1.87ｇ
を無水トルエン100ml に溶かし、粉末の水酸化ナトリウ
ム0.47g を加え、１時間加熱還流した。反応終了後、ト
ルエンを除去し、エーテルで抽出した。水洗後、エーテ
ルを減圧除去することにより、油状の下記化合物（ｂ）
1.22g を得た。

【００９６】

【化３３】

【００９７】（１−ｅ）次に、2-ブロモ−5-ニトロピリ
ジン5.00g と1-ノニン3.95g をトリエチルアミン50ml
中、触媒にジクロロビストリフェニルホスフィンパラジ
ウム（II）204mg およびヨウ化銅（Ｉ）51mgを用いて窒
素雰囲気下、室温で一昼夜反応させた。反応終了後、ト
リエチルアミンを除去し、ヘキサンで抽出した。ヘキサ
ン層を塩酸水による洗浄、水洗を経てから、トルエンに
溶かしてシリカゲルカラム処理した後、メタノールで再
結晶することにより、下記化合物（ｃ）3.18g を得た。

【００９８】

【化３４】

【００９９】（１−ｆ）次に、上記化合物（ｃ）3.18g
を含むエタノール30mlの中へ触媒として５％のパラジウ
ムカーボン0.50g を加えて常圧の水素雰囲気下、室温で
攪拌して水素添加および還元を行った。水素の吸収が無
くなるのを確認した後、濾過により触媒を除き、次いで
エタノールを減圧で除去することにより、油状の2-n-ノ
ニル−5-アミノピリジン2.78g を得た。

【０１００】（１−ｇ）次に、36％の塩酸11.00gを含む
水100ml の中へ、2-n-ノニル−5-アミノピリジン2.78g
を加えて、５℃以下に冷却した。その中へ、別途調整し
た亜硝酸ナトリウム水溶液（亜硝酸ナトリウム0.72g 、
水５ml）を５℃以下で滴下した。滴下終了後、更に１時
間攪拌した後、ヨウ化カリウム水溶液（ヨウ化カリウム
8.60g 、水10ml）を加えて徐々に室温に戻し、窒素の発
生がなくなるまで攪拌した。反応終了後、溶液に水酸化
ナトリウムを加えてアルカリ性にし、ヘキサンで抽出し
た。ヘキサン層を水洗、亜硫酸水素ナトリウム水による
洗浄、水洗を経てからシリカゲルカラム処理することに
より、油状の2-n-ノニル−5-ヨードピリジン2.51g を得
た。

【０１０１】（１−ｈ）更に、2-n-ノニル−5-ヨードピ
リジン2.47g と（１−ｄ）で得た化合物（ｂ）2.09g を
トリエチルアミン50ml中、触媒にジクロロビスフェニル
ホスフィンパラジウム（II）26mgとヨウ化銅（Ｉ）７mg
を用いて、窒素雰囲気下、室温で４時間攪拌した。反応
終了後、トリエチルアミンを除去し、トルエンで抽出し
た。１規定（Ｎ）塩酸で洗浄後、水洗し、シリカゲルカ
ラムで精製した後、エタノールで４回再結晶することに
より化合物４を1.87g 得た。

【０１０２】上記化合物４の合成法と同様にして、化合
物１，化合物２，化合物３，化合物５，化合物６，化合
物７を合成した。得られた化合物の物理的性質を以下に
示した。 化合物１¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.83〜0.91(m,6H), 1.22〜1.50(m,20H), 1.65〜1.86
(m,4H) 2.77(t,2H), 4.03(t,2H),6.69(dt,1H),7.12(d,1H) 7.17(dt,1H),7.70(dd,1H),8.66(d,1H)¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） -57.64(dd,1F),-82.69(dd,1F) 化合物２¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.84〜0.92(m,6H), 1.22〜1.51(m,24H),1.65〜1.88(m,4
H) 2.79(t,2H), 4.06(t,2H),6.71(dt,1H),7.12 〜7.21(m,2
H) 7.71(dd,1H),8.68(d,1H)¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） -57.84(dd,1F),-82.69(dd,1F) 化合物３¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.83〜0.91(m,6H), 1.22〜1.49(m,26H),1.66〜1.86(m,4
H) 2.78(t,2H), 4.03(t,2H),6.70(dt,1H),7.12 (d,1H) 7.18(dt,1H),7.70(dd,1H),8.67(d,1H)¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） -57.85(dd,1F),-82.69(dd,1F) 化合物４¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.82〜0.90(m,6H), 1.22〜1.49(m,24H),1.65〜1.86(m,4
H) 2.78(t,2H), 4.03(t,2H),6.70(dt,1H),7.10 〜7.19(m,2
H) 7.70(dd,1H),8.65(d,1H)¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） -57.84(dd,1F),-82.68(dd,1F) 化合物５¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.82〜0.91(m,6H), 1.22〜1.50(m,26H),1.65〜1.85(m,4
H) 2.78(t,2H), 4.03(t,2H),6.69(dt,1H),7.10 〜7.20(m,2
H) 7.70(dd,1H),8.65(d,1H)¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） -57.84(dd,1F),-82.69(dd,1F) 化合物６¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.82〜0.91(m,6H), 1.22〜1.50(m,24H),1.66〜1.88(m,4
H) 2.78(t,2H), 4.03(t,2H),6.70(dt,1H),7.11 〜7.20(m,2
H) 7.70(dd,1H),8.67(d,1H)¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） -57.84(dd,1F),-82.68(dd,1F) 化合物７¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.82〜0.90(m,6H), 1.22〜1.50(m,28H),1.63〜1.86(m,4
H) 2.78(t,2H), 4.03(t,2H),6.70(dt,1H),7.11 〜7.20(m,2
H) 7.70(dd,1H),8.66(d,1H)¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） -57.84(dd,1F),-82.69(dd,1F) （２）化合物８の合成 （２−ａ）まず、上記（１−ａ）〜（１−ｄ）と同様に
して反応を行い、上記化合物（ｂ）を1.22g 合成した。

【０１０３】（２−ｂ）次に、2-ブロモ−5-ニトロピリ
ジン20.00gを含むエタノール200mlの中へ触媒として酸
化白金1.00g 加えて、常圧の水素雰囲気下、室温で攪拌
して還元を行った。水素の吸収がなくなるのを確認した
後、濾過により触媒を除き、ついでエタノールを減圧で
除去することにより、2-ブロモ−5-アミノピリジン19.3
4gを得た。

【０１０４】（２−ｃ）次に、36％の塩酸77.00gを含む
水500ml の中へ、2-ブロモ−5-アミノピリジン15.34gを
加えて、５℃以下に冷却した。その中へ、別途調整した
亜硝酸ナトリウム水溶液（亜硝酸ナトリウム5.04g 、水
35ml）を５℃以下で滴下した。滴下終了後、更に１時間
攪拌した後、ヨウ化カリウム水溶液（ヨウ化カリウム6
0.00g、水70ml）を加えて徐々に室温に戻し、窒素の発
生がなくなるまで攪拌した。反応終了後、溶液に水酸化
ナトリウムを加えてアルカリ性にし、ヘキサンで抽出し
た。ヘキサン層を水洗、亜硫酸水素ナトリウム水による
洗浄、水洗を経てからシリカゲルカラム処理することに
より、油状の2-ブロモ−5-ヨードピリジン18.45gを得
た。

【０１０５】（２−ｄ）次に、2-ブロモ−5-ヨードピリ
ジン11.20gと1-ノニン6.36g をトリエチルアミン100 ml
中、触媒にジクロロビストリフェニルホスフィンパラジ
ウム（II）137mg およびヨウ化銅（Ｉ）34mgを用いて窒
素雰囲気下、室温で７時間攪拌した。反応終了後、ヘキ
サンで抽出し、水洗して後、ヘキサンを減圧除去した。
その後、シリカゲルカラム処理することにより、下記化
合物（ｄ）9.98g を得た。

【０１０６】

【化３５】

【０１０７】（２−ｅ）2-ブロモピリジンの代わりに上
記化合物（ｄ）9.98g を用いて上記（２−ｂ）と同様の
操作を行って水素添加することにより、2-ブロモ−5-n-
ノニルピリジン8.23g を得た。 （２−ｆ）更に、2-ノニル−5-n-ノニルピリジン1.31g
と（２−ａ）で得た化合物（ｂ）1.29g をトリエチルア
ミン50ml中、触媒にジクロロビスフェニルホスフィンパ
ラジウム（II）16mg、ヨウ化銅（Ｉ）４mg、トリフェニ
ルホスフィン24mgを用いて、窒素雰囲気下、３時間加熱
還流した。反応終了後、トリエチルアミンを除去し、ト
ルエンで抽出した。１規定（Ｎ）塩酸で洗浄後、水洗
し、シリカゲルカラムで精製した後、エタノールで４回
再結晶することにより化合物８を1.15g 得た。

【０１０８】上記化合物８の合成法と同様にして、化合
物９を合成した。得られた化合物の物理的性質を以下に
示した。 化合物８¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.83〜0.92(m,6H), 1.22〜1.62(m,26H), 1.77〜1.87
(m,2H) 2.62(t,2H), 4.06(t,2H),6.72(dt,1H),7.22 〜7.27(m,1
H) 7.43〜7.51(m,2H),8.46(d,1H)¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） -57.22(dd,1F),-82.64(dd,1F) 化合物９¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.83〜0.92(m,6H), 1.22〜1.68(m,26H), 1.77〜1.88
(m,2H) 2.62(t,2H), 4.06(t,2H),6.72(dt,1H),7.22 〜7.29(m,1
H) 7.43〜7.50(m,2H),8.44(d,1H)¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） -57.22(dd,1F),-82.62(dd,1F) （３）化合物１４の合成。

【０１０９】（３−ａ）まず、2,3-ジフルオロフェノー
ル45.00gをクロロホルム250ml に溶かしたものに、臭素
55.40gをクロロホルムに溶かしたものを氷冷下で滴下し
た。滴下終了後、室温で暫く攪拌したのち、水洗し、ク
ロロホルムを除去した。その後、ヘキサンで４回再結晶
することにより、2,3-ジフルオロ−4-ブロモフェノール
14.30 ｇを得た。

【０１１０】（３−ｂ）次に、2,3-ジフルオロ−4-ブロ
モフェノール7.00g をジメチルスルホキシド50mlに溶か
し、水酸化ナトリウム1.47g とｎ−ノニルブロマイド6.
80gを加えて室温で７日間攪拌した。反応終了後、ヘキ
サンで抽出し、水洗した後、ヘキサンを除去することに
より、油状の2,3-ジフルオロ−4-ブロモ−ノニルオキシ
ベンゼン9.86g を得た。

【０１１１】（３−ｃ）次に、2,3-ジフルオロ−4-ブロ
モ−ノニルオキシベンゼン1.98g と、3-メチル−1-ブチ
ン−3-オール0.60ｇをトリエチルアミン50ml中、触媒に
ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム（II）
30mg、ヨウ化銅（Ｉ）８mg、トリフェニルホスフィン60
mgを用いて窒素雰囲気下、12時間加熱還流した。反応終
了後、トリエチルアミンを除去した後、ヘキサンで抽出
した。ヘキサン層を１規定（Ｎ）の塩酸による洗浄、水
洗したのち、ヘキサンで減圧除去することにより油状の
下記化合物（ａ）1.87g を得た。

【０１１２】

【化３６】

【０１１３】（３−ｄ）次に、上記化合物（ａ）1.87ｇ
を無水トルエン100ml に溶かし、粉末の水酸化ナトリウ
ム0.47g を加え、１時間加熱還流した。反応終了後、ト
ルエンを除去し、エーテルで抽出した。水洗後、エーテ
ルを減圧除去することにより、油状の下記化合物（ｂ）
1.22g を得た。

【０１１４】

【化３７】

【０１１５】（３−ｅ）更に、（３−ｄ）で得た化合物
（ｂ）2.31g と（３−ｂ）で得た2,3-ジフルオロ−4-ヨ
ード-n- ノニルオキシベンゼン2.89g をトリエチルアミ
ン50ml中、触媒にジクロロビスフェニルホスフィンパラ
ジウム（II）26mgとヨウ化銅（Ｉ）７mgを用いて、窒素
雰囲気下、室温で10時間攪拌した。反応終了後、トリエ
チルアミンを除去し、トルエンで抽出した。１規定
（Ｎ）塩酸で洗浄後、水洗し、シリカゲルカラムで精製
した後、エタノールで４回再結晶することにより化合物
１４を1.92g 得た。

【０１１６】上記化合物１４の合成法と同様にして、化
合物１０，化合物１１，化合物１２，化合物１３，化合
物１５，化合物１６，化合物１７を合成した。得られた
化合物の物理的性質を以下に示した。 化合物１０¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.83〜0.91(m,6H), 1.23〜1.50(m,20H),1.71〜1.85(m,4
H) 3.94(t,2H), 4.02(t,2H),6.67(dt,1H),6.84(d,2H) 7.13(dt,1H),7.44(d,2H)¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） -58.37(dd,1F),-83.02(dd,1F) 化合物１１¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.83〜0.91(m,6H), 1.23〜1.50(m,22H),1.70〜1.85(m,4
H) 3.95(t,2H), 4.03(t,2H),6.68(dt,1H),6.83(d,2H) 7.15(dt,1H),7.43(d,2H)¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） -58.36(dd,1F),-83.02(dd,1F) 化合物１２¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.83〜0.92(m,6H), 1.22〜1.51(m,24H),1.71〜1.85(m,4
H) 3.94(t,2H), 4.02(t,2H),6.68(dt,1H),6.85(d,2H) 7.14(dt,1H),7.43(d,2H)¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） -58.36(dd,1F),-83.01(dd,1F) 化合物１３¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.83〜0.92(m,6H), 1.22〜1.50(m,20H),1.71〜1.86(m,4
H) 3.93(t,2H), 4.02(t,2H),6.68(dt,1H),6.84(d,2H) 7.13(dt,1H),7.44(d,2H)¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） -58.37(dd,1F),-83.03(dd,1F) 化合物１４¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.83〜0.91(m,6H), 1.22〜1.50(m,24H),1.72〜1.85(m,4
H) 3.94(t,2H), 4.02(t,2H),6.68(dt,1H),6.86(d,2H) 7.14(dt,1H),7.44(d,2H)¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） -58.36(dd,1F),-83.01(dd,1F) 化合物１５¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.83〜0.92(m,6H), 1.22〜1.50(m,22H),1.72〜1.86(m,4
H) 3.95(t,2H), 4.02(t,2H),6.68(dt,1H),6.83(d,2H) 7.13(dt,1H),7.44(d,2H)¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） -58.36(dd,1F),-83.02(dd,1F) 化合物１６¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.83〜0.92(m,6H), 1.22〜1.51(m,24H),1.70〜1.85(m,4
H) 3.95(t,2H), 4.03(t,2H),6.68(dt,1H),6.84(d,2H) 7.13(dt,1H),7.45(d,2H)¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） -58.36(dd,1F),-83.01(dd,1F) 化合物１７¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.85〜0.92(m,6H), 1.22〜1.51(m,24H),1.71〜1.86(m,4
H) 3.93(t,2H), 4.03(t,2H),6.68(dt,1H),6.85(d,2H) 7.13(dt,1H),7.44(d,2H)¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） -58.37(dd,1F),-83.02(dd,1F)

【０１１７】合成例２ 一般式（II）および（III)で表される化合物を合成し
た。化合物の構造を表３に示した。

【０１１８】

【表３】

【０１１９】（合成方法） （１）（２Ｓ，５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−６−トリ
フルオロメチル−５−ヘキシルオキシ−２−（４”−ヘ
キシルオキシビフェニル−４’−カルボニルオキシ）ピ
ランの合成（化合物１８） （１−ａ）まず、（５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−５−
ｔ−ブチルジメチルシロキシ−６−トリフルオロメチル
−２−ヒドロキシピラン６．４ｇ（２１ミリモル）をヘ
キサノール４０ミリリットルに溶かし、パラトルエンス
ルホン酸０．１ｇを加え、室温で１８時間反応した。こ
の反応溶液をそのままシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーで精製し、アセタール化合物８．０ｇ（２１ミリモ
ル）を得た。

【０１２０】（１−ｂ）次に（１−ａ）で得られたアセ
タール化合物８．０ｇをテトラヒドロフラン２０ミリリ
ットルに溶かし、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムフル
オライドの１．０モル／リットルのテトラヒドロフラン
溶液１０ミリリットルを加え、０℃で１時間、室温で４
０時間反応させた。この反応溶液に蒸留水を加えて反応
を停止し、反応物をエーテルで抽出した。次いで、抽出
物を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥
した。エーテルを減圧留去した後、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーで分離精製して、（２Ｒ，５Ｓ，６
Ｓ）の不斉炭素を有するアルコール化合物３．０ｇ（１
１ミリモル）及び（２Ｓ，５Ｓ，６Ｓ）の不斉炭素を有
するアルコール化合物２．３ｇ（８．０ミリモル）を得
た。

【０１２１】（１−ｃ） 次に（１−ｂ）で得られた
（２Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）の不斉炭素を有するアルコール化
合物０．５６ｇ（２．１ミリモル）のテトラヒドロフラ
ン（５ミリリットル）溶液を、６０％水素化ナトリウム
０．１０ｇ（２．５ミリモル）のテトラヒドロフラン
（３ミリリットル）溶液に窒素雰囲気下０℃で滴下し３
０分間攪拌した。次いで、１−ブロモヘキサン０．３５
ミリリットル（２．５ミリリットル）およびジメチルス
ルホキシド（２ミリリットル）を加えて室温で１８時間
反応させた。この反応溶液に蒸留水を加えて反応を停止
し、反応物をエーテルで抽出した。次いで、抽出物を飽
和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。
エーテルを減圧留去した後、シリカゲルカラムクロマト
グラフィーで精製して、エーテル化合物０．７２ｇ
（２．０ミリモル）を得た。

【０１２２】（１−ｄ）次に（１−ｃ）で得られたエー
テル化合物０．５２ｇ（１．５ミリモル）をテトラヒド
ロフラン１０ミリリットルに溶かし、蒸留水１０ミリリ
ットルおよび濃硫酸２ミリリットルを加え、５０時間還
流した。１規定水酸化カリウム水溶液を加えて反応を停
止し、反応物をエーテルで抽出した。次いで、抽出物を
飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。エーテルを減圧留去した後、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィーで精製して、ヘミアセタール化合物０．
３７ｇ（１．４ミリモル）を得た。

【０１２３】（１−ｅ） 次に（１−ｄ）で得られたヘ
ミアセタール化合物０．２９ｇ（１．１ミリモル）と
４’−ヘキシルオキシ−４−ビフェニルカルボン酸クロ
リド０．４９ｇ（１．６ミリモル）のトルエン溶液中に
無水ピリジンを加え、室温で反応した。この反応溶液に
蒸留水を加えて反応を停止し、反応物をエーテルで抽出
した。次いで、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥した。エーテルを減圧留去した後、シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーで分離精製し、目的化合物
である（２Ｓ、５Ｓ、６Ｓ）−テトラヒドロ−６−トリ
フルオロメチル−５−ヘキシルオキシ−（４”−ヘキシ
ルオキシビフェニル−４’−カルボキシルオキシ）ピラ
ン０．３４ｇ（０．６ミリモル）を得た。

【０１２４】得られた化合物の物理的性質を以下に示
す。 分子式：Ｃ₃₁Ｈ₄₁Ｆ₃Ｏ₅ ¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン核磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.81〜0.99(m,6H), 1.19〜1.68(m,15H), 1.70〜1.93
(m,4H) 2.12〜2.25(m,1H), 2.29〜2.42(m,3H), 3.40〜3.65
(m,3H) 4.01(t, J=6.6Hz, 2H), 6.14(dd, J=2.7, 6.6Hz, 1H) 6.98(d, J=8.8Hz, 2H), 7.56(d, J=8.8Hz, 2H) 7.62(d, J=8.5Hz, 2H), 8.10(d, J=8.4Hz, 2H)¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣｌ₃)；δ（ｐｐｍ） -74.98(d,J=7.4Hz) ＩＲ（ｃｍ^-1） 1730, 1605, 1495, 1265, 1180, 1080 質量分析 ｍ／ｅ（Ｍ⁺） 計算値 550.2906 実測値 550.2914 ［α］²⁶ _D＝＋10.7°（Ｃ（濃度）＝1.03，溶媒：クロ
ロホルム）

【０１２５】（２）（２Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒド
ロ−６−トリフルオロメチル−２−ヘキシルオキシ−５
−（４”−ヘキシルオキシビフェニル−４’−カルボニ
ルオキシ）ピランの合成（化合物２１）

【０１２６】（２−ａ）まず、窒素雰囲気下、フラン１
３．６ｇ（２００ミリモル）をテトラヒドロフラン１５
０ミリリットルに加え、１．５モル／リットルのｎ−ブ
チルリチウムヘキサン溶液１３３ミリリットル（２００
ミリモル）を−２０℃で滴下し、１時間反応させた。次
に、トリメチルシリルクロリド２１．７ｇ（２００ミリ
モル）を滴下し、−２０℃で１時間攪拌した。１．５モ
ル／リットルのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液１３３
ミリリットル（２００ミリモル）を加え、−２０℃で１
時間反応させた後、−７８℃でトリフルオロ酢酸エチル
２８．４ｇ（２００ミリモル）を滴下し、−７８℃で１
時間、室温でさらに１時間反応させた。この反応溶液に
３規定の塩酸を加えて反応を停止させ、酢酸エチルで抽
出した。次いで、飽和炭酸水素ナトリウム溶液、飽和食
塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。
酢酸エチルを減圧留去し、フラン誘導体の粗生成物を得
た。

【０１２７】（２−ｂ）次に乾燥エタノール１００ミリ
リットルに水素化ホウ素ナトリウム２．３ｇ（６０ミリ
モル）を加え、上記反応で得たフラン誘導体の粗生成物
を０℃で３０分かけて滴下した。室温で２時間反応させ
た後、エタノールを減圧留去し、３規定の塩酸を加えて
反応を停止させ、酢酸エチルにより抽出した。次いで、
飽和炭酸水素ナトリウム溶液、飽和食塩水で順次洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。酢酸エチルを減
圧留去した後、減圧蒸留を行い、アルコール化合物４
０．５ｇ（１７０ミリモル）を得た。

【０１２８】（２−ｃ） 次に塩化メチレン２００ミリ
リットルと上記（２−ｂ）の反応で得たアルコール化合
物２３．８ｇ（１００ミリモル）とピリジン８．９ミリ
リットル（１１０ミリモル）を加え、０℃で塩化アセチ
ル８．６ｇ（１１０ミリモル）を滴下し、室温で１２時
間反応させた。次いで、３規定の塩酸を加えて反応を停
止させ、塩化メチレンで抽出した。その後、飽和炭酸水
素ナトリウム、蒸留水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥した。塩化メチレンを減圧留去した後、減圧
蒸留を行い、エステル化合物２７．５ｇ（９８ミリモ
ル）を得た。

【０１２９】（２−ｄ）次に蒸留水１０００ミリリット
ルに上記反応により得られたエステル化合物２８．０ｇ
（１００ミリモル）を加えて、ミニジャーファーメンタ
ー中で４０℃で攪拌した。リパーゼＰＳを２０ｇ加え、
２０時間反応させた。３規定の塩酸を加えて０℃にて冷
却して反応を停止し、セライトによりろ過した。ろ液を
酢酸エチルにより抽出し、飽和食塩水で洗浄後、無水硫
酸マグネシウムで乾燥し、酢酸エチルを減圧留去した。
次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより分
離精製して、光学活性アルコール化合物１１．７ｇ（４
９ミリモル）と光学活性エステル化合物１３．２ｇ（４
７ミリモル）を得た。なお、得られたアルコール化合物
の光学純度は９７．５％ｅ．ｅ．であった。

【０１３０】（２−ｅ）次に上記反応で得られた光学活
性アルコール化合物１１．７ｇ（４９ミリモル）を塩化
メチレン１００ミリリットルに溶かし、イミダゾール
４．０ｇ（５９ミリモル）とｔ−ブチルジメチルシリル
クロリド８．９ｇ（５９ミリモル）を０℃で加えて１５
分攪拌し、室温で１６時間反応させた。蒸留水を加えて
反応を停止させ、塩化メチレンにより抽出した。次い
で、蒸留水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。塩化メチレンを減圧留去した後、カラムクロマトグ
ラフィーにより分離精製してシリルエーテル化合物１
６．６ｇ（４７ミリモル）を得た。

【０１３１】（２−ｆ）次に窒素雰囲気下、酢酸１２０
ミリリットルに上記反応で得られたシリルエーテル化合
物１４．１ｇ（４０ミリモル）及びモノパーオキシフタ
ル酸マグネシウム２３．２ｇ（６０ミリモル）を加え、
８０℃で１２時間反応させた。酢酸を減圧留去した後、
飽和炭酸水素ナトリウム溶液を加え、酢酸エチルで抽出
した。次いで、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥した。酢酸エチルを減圧留去した後、カラム
クロマトグラフィーにより分離精製し、（４Ｓ，１’
Ｓ）ブテノリド化合物４．７ｇ（１６ミリモル）及び
（４Ｒ，１’Ｓ）ブテノリド化合物３．０ｇ（１０ミリ
モル）を得た。なお、４．２ｇ（１２ミリモル）の原料
も回収された。

【０１３２】（２−ｇ）次に上記反応で得られた（４
Ｓ，１’Ｓ）及び（４Ｒ，１’Ｓ）ブテノリド化合物１
３．７ｇ（４６ミリモル）を分離せずにエタノール４０
ミリリットルに溶かし、１０％Ｐｄ／Ｃ（Ｐｄ：１０重
量％含有）１．４ｇを加え、水素雰囲気下、室温で１５
時間反応させた。反応溶液をろ過し、溶媒を減圧留去し
た後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製
して、（４Ｓ，１’Ｓ）ブタノリド化合物８．２ｇ（２
９ミリモル）及び（４Ｒ，１’Ｓ）ブタノリド化合物
３．６ｇ（１２ミリモル）を得た。

【０１３３】（２−ｈ）次に窒素雰囲気下、ジエチルエ
ーテル４０ミリリットルに上記反応により得られた（４
Ｓ，１’Ｓ）ブタノリド化合物７．５ｇ（２５ミリモ
ル）を加え、−７８℃で水素化ジイソブチルアルミニウ
ムの０．９３モル／リットルのｎ−ヘキサン溶液３２ミ
リリットル（３０ミリモル）を滴下し、３時間反応し
た。蒸留水を加えて反応を停止し、１規定の塩酸を加え
中和した後、ジエチルエーテルで抽出した。飽和食塩水
で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ジエチルエ
ーテルを減圧留去した。次いで、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィーで精製して、ラクトール化合物７．３ｇ
（２４ミリモル）を得た。

【０１３４】（２−ｉ）次に窒素雰囲気下、テトラヒド
ロフラン５０ミリリットルに上記反応により得られたラ
クトール化合物７．３ｇ（２４ミリモル）を加え、−７
８℃でカリウム−ｔ−ブトキシド３．０ｇ（２７ミリモ
ル）のテトラヒドロフラン１０ミリリットル溶液を滴下
し、３時間反応させた。蒸留水を加えて反応を停止し、
１規定の塩酸を加えて中和した後、ジエチルエーテルで
抽出した。飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウム
で乾燥し、ジエチルエーテルを減圧留去した。次いで、
シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、ピラ
ノース化合物６．４ｇ（２１ミリモル）を得た。

【０１３５】（２−ｊ）次に、上記反応により得られた
ピラノース化合物６．４ｇ（２１ミリモル）をヘキサノ
ール４０ミリリットルに溶かし、パラトルエンスルホン
酸０．１ｇを加え、室温で１８時間反応させた。この反
応溶液をそのままシリカゲルカラムクロマトグラフィー
で精製して、アセタール化合物８．０ｇ（２１ミリモ
ル）を得た。また、得られた化合物はジアステレオマー
混合物であるが、分離せず次の反応に用いた。

【０１３６】（２−ｋ）次に上記反応より得られたアセ
タール化合物８．０ｇ（２１ミリモル）をテトラヒドロ
フラン２０ミリリットルに溶かし、テトラ−ｎ−ブチル
アンモニウムフルオライドの１．０モル／リットルテト
ラヒドロフラン溶液１０ミリリットルを加えて、０℃で
１時間、室温で４０時間反応した。蒸留水を加えて反応
を停止し、エーテルで抽出した。次に、飽和食塩水で洗
浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ジエチルエーテ
ルを減圧留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーで分離精製して（２Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒド
ロ−６−トリフルオロメチル−２−ヘキシルオキシ−５
−ヒドロキシピラン３．０ｇ（１１ミリモル）及び（２
Ｓ，５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメ
チル−２−ヘキシルオキシ−５−ヒドロキシピラン２．
３ｇ（８ミリモル）を得た。

【０１３７】得られた化合物の物理的性質を以下に示
す。 （２Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）体 分子式：Ｃ₁₂Ｈ₂₁Ｆ₃Ｏ₅ ¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン核磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.88(t, J=6.5Hz, 3H),1.20〜1.39(m,6H), 1.50〜1.71
(m,4H), 1.83〜2.04(m,2H),2.13〜2.22(m,1H)，3.46(d
t, J=9.4, 6.9Hz, 1H),3.66(dq, J=8.9, 6.3Hz, 1H)，
3.81〜3.93(m,2H),4.52(dd, J=2.0, 8.7Hz, 1H)¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣｌ₃)；δ（ｐｐｍ） -75.13(d,J=6.3Hz) ＩＲ（ｃｍ^-1） 3450, 1275, 1170, 1145, 1090, 940 質量分析 ｍ／ｅ（Ｍ⁺＋Ｈ） 計算値 271.1521 実測値 271.1512 ［α］²⁵ _D＝−36.0°（Ｃ（濃度）＝1.05，溶媒：メタ
ノール） （２Ｓ，５Ｓ，６Ｓ）体 分子式：Ｃ₁₂Ｈ₂₁Ｆ₃Ｏ₃ ¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン核磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.90(t, J=7.3Hz, 3H),1.23〜1.45(m,6H), 1.52〜1.67
(m,2H), 1.76〜2.00(m,5H) 3.42(dt, J=9.7, 6.4Hz, 1H), 3.68(dt, J=9.7, 6.8Hz,
1H) 3.79〜3.98(m,2H), 4.86(m,1H)¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣｌ₃)；δ（ｐｐｍ） -75.17(d,J=6.2Hz) ＩＲ（ｃｍ^-1） 3400, 1270, 1175, 1130, 1045, 945 質量分析 ｍ／ｅ（Ｍ⁺＋Ｈ） 計算値 271.1521 実測値 271.1493 ［α］²⁵ _D＝＋86.5°（Ｃ（濃度）＝1.08，溶媒：メタ
ノール）

【０１３８】（２−ｌ）更に上記反応より得られた（２
Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメ
チル−２−ヘキシルオキシ−５−ヒドロキシピラン０．
３５ｇ（１．３ミリモル）と４’−ヘキシルオキシ−４
−ビフェニルカルボン酸クロリド０．４９ｇ（１．６ミ
リモル）のトルエン溶液５ミリリットル中に無水ピリジ
ン１ミリリットルを加え、室温で２４時間反応させた。
この反応溶液に蒸留水を加えて反応を停止し、エーテル
により抽出した。次いで飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸
マグネシウムで乾燥した。エーテルを減圧留去した後、
シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的化
合物である（２Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−６−
トリフルオロメチル−２−ヘキシルオキシ−５−（４”
−ヘキシルオキシビフェニル−４’−カルボニルオキ
シ）ピラン０．４４ｇ（０．８ミリモル）を得た。

【０１３９】得られた化合物の物理的性質を以下に示
す。 分子式：Ｃ₃₁Ｈ₄₁Ｆ₃ Ｏ₅ ¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン核磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.86〜0.99(m,6H), 1.23〜2.07(m,19H), 2.39〜2.48
(m,1H),3.49(dt, J=9.4, 6.8Hz, 1H), 3.92(dt, J=9.5,
6.7Hz, 1H) 4.00(t, J=6.6Hz, 2H), 4.07(dq, J=8.8, 6.3Hz, 1H),
4.65(dd, J=2.1, 8.2Hz, 1H), 5.22(ddd, J=5.0, 9.0,
9.5Hz, 1H) 6.98(d, J=8.8Hz, 2H), 7.55(d, J=8.7Hz, 2H),7.62(d,
J=8.5Hz, 2H), 8.04(d, J=8.4Hz, 2H)¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣｌ₃)；δ（ｐｐｍ） -75.79(d,J=6.3Hz) ＩＲ（ｃｍ^-1） 1720, 1610, 1500, 1260, 1190, 1060 質量分析 ｍ／ｅ（Ｍ⁺） 計算値 550.2906 実測値 550.2899 ［α］²⁵ _D＝−13.0°（Ｃ（濃度）＝1.10，溶媒：クロ
ロホルム）

【０１４０】（３）（２Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒド
ロ−６−トリフルオロメチル−５−ヘキサノイルオキシ
−２−（４”−ヘプチルビフェニル−４’−カルボニル
オキシ）ピランの合成（化合物２０） （３−ａ）まず４’−ヘプチル−４−ビフェニルカルボ
ン酸クロリド１．４０ｇ（４．５ミリモル）と（５Ｓ，
６Ｓ）−テトラヒドロ−５−ｔ−ブチルジメチルシロキ
シ−６−トリフルオロメチル−２−ヒドロキシピラン
０．９０ｇ（３．０ミリモル）のトルエン溶液５ミリリ
ットル中に無水ピリジン２ミリリットルを加え、室温で
２０時間反応させた。この反応溶液に蒸留水を加えて反
応を停止し、エーテルにより抽出した。次いで飽和食塩
水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。エーテ
ルを減圧留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーで精製し、エステル化合物１．４７ｇ（２．５ミリ
モル）を得た。

【０１４１】（３−ｂ）次に（３−ａ）で得られたエス
テル化合物１．４７ｇをテトラヒドロフラン１０ミリリ
ットルに溶かし、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムフル
オライドの１．０モル／リットルのテトラヒドロフラン
溶液１．０ミリリットルを加え、０℃で１時間、室温で
６時間反応させた。この反応溶液に蒸留水を加えて反応
を停止し、反応物をエーテルで抽出した。次いで、抽出
物を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥
した。エーテルを減圧留去した後、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーで分離精製して、（２Ｓ，５Ｓ，６
Ｓ）の不斉炭素を有するアルコール化合物０．９２ｇ
（２．０ミリモル）及び（２Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）の不斉炭
素を有するアルコール化合物０．１０ｇ（０．２ミリモ
ル）を得た。

【０１４２】（３−ｃ）次に（３−ｂ）で得られた（２
Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）の不斉炭素を有するアルコール化合物
０．１０ｇをトルエン３ミリリットルに溶かし、ピリジ
ン０．５ミリリットル、ヘキサノイルクロライド０．０
５ミリリットル（０．３ミリモル）を順次加え、室温で
２０時間反応させた。この反応溶液に蒸留水を加えて反
応を停止し、反応物をエーテルで抽出した。次いで、抽
出物を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで分
離精製した。エーテルを減圧留去した後、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーで分離精製して、目的の化合物
である（２Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−６−トリ
フルオロメチル−５−ヘキサノイルオキシ−２−（４”
−ヘプチルビフェニル−４’−カルボニルオキシ）ピラ
ン０．１２ｇ（０．２ミリモル）を得た。

【０１４３】得られた化合物の物理的性質を以下に示
す。 分子式：Ｃ₃₂Ｈ₄₁Ｆ₃ Ｏ₅ ¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン核磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.82〜0.97(m,6H), 1.18〜1.45(m,11H),1.53〜1.76(m,5
H), 1.94〜2.29(m,4H) 2.33(t, J=7.6Hz, 2H), 2.67(t, J=7.7Hz, 2H),4.29(d
q, J=9.8, 5.9Hz, 1H), 5.10〜5.23(m,1H), 6.49(m,1H), 7.30(d, J=8.1Hz, 2H) 7.56(d, J=8.2Hz, 2H), 7.70(d, J=8.5Hz, 2H), 8.13
(d, J=8.5Hz, 2H)¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣｌ₃)；δ（ｐｐｍ） -76.07(d,J=5.9Hz) ＩＲ（ｃｍ^-1） 1735, 1610, 1490, 1265, 1170, 1070 質量分析 ｍ／ｅ（Ｍ⁺） 計算値 562.2906 実測値 562.2934 ［α］²⁵ _D＝＋51.5°（Ｃ（濃度）＝1.02，溶媒：クロ
ロホルム） 合成例３ 一般式（IV）で表される化合物を合成した。化合物の構
造と転移温度を表４に示した。

【０１４４】

【表４】 （合成方法） （１）化合物２３の合成。 （１−ａ）まず、p-ヨードフェノール34.0g をジメチル
スルホキシド350ml に溶かし、これに水酸化ナトリウム
水溶液(7.4g/50ml）およびn-デシルブロマイド32.4g を
加えて室温で３日間攪拌した。反応混合物をヘキサンで
抽出、３回洗浄した。ヘキサンを留去することにより油
状のp-n-デシルオキシヨードベンゼン46.6g を得た。

【０１４５】（１−ｂ）次に、p-n-デシルオキシヨード
ベンゼン30.0g と3-メチル−1-ブチン−3-オール8.4gを
トリエチルアミン200ml 中、触媒にジクロロビストリフ
ェニルホスフィンパラジウム（II）320mg 、ヨウ化銅
（Ｉ）80mgを用いて窒素雰囲気下室温で一昼夜反応させ
た。反応終了後、トリエチルアミンを留去しヘキサンで
抽出した。ヘキサン層を１規定（Ｎ）塩酸、水で順次洗
浄した後、ヘキサンを留去することにより固体の下記化
合物（ｅ）22.8g を得た。

【０１４６】

【化３８】

【０１４７】（１−ｃ）次に、（１−ｂ）で得た化合物
（ｅ）22.8g を乾燥トルエン800mlに溶かし、これに粉
末の水酸化ナトリウム9.9gを加えて１時間加熱還流し
た。冷却後、水洗を経てからトルエンを除去した。得ら
れた黒色のオイルをメタノール抽出した後、メタノール
を留去することにより油状のp-n-デシルオキシフェニル
アセチレン13.2g を得た。

【０１４８】（１−ｄ）次に、水1000ml、ピリジン1000
mlの混合溶媒にp-ヨード-o- フルオロトルエン109gを溶
かし、還流下で過マンガン酸カリウムの色が消失するま
で還流した。反応終了後、未反応のp-ヨード-o- フルオ
ロトルエンを蒸留により除いた後、室温まで冷却した。
減圧濾過により二酸化マンガンを除去した後、ろ液に濃
塩酸を加えて酸性にした。生じた白色沈殿を減圧濾過に
よる単離、水洗、乾燥を経てからトルエンで再結晶する
ことによりp-ヨード-o- フルオロ安息香酸42gを得た。

【０１４９】（１−ｅ）更に、（１−ｄ）で得たp-ヨー
ド-o- フルオロ安息香酸5.33g に塩化チオニル10mlを加
えて５時間還流し、過剰の塩化チオニルを留去してp-ヨ
ード-o- フルオロ安息香酸塩化物を得た。このものは特
に精製せず、乾燥トルエン20mlに溶かしそのまま次の反
応に使用した。一方1-ブタノール1.50g 、乾燥ピリジン
3.2gを乾燥トルエン30mlに溶かしたものを氷冷してお
き、そこへ上記酸塩化物のトルエン溶液を攪拌下に約30
分で滴下し、更に90℃の湯浴上で５時間攪拌した。冷却
後、１規定（Ｎ）塩酸水、水、炭酸水素ナトリウム水、
水で順次洗浄後、トルエンを減圧下留去した。ヘキサン
可溶部をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製す
ることにより油状のp-ヨード-o- フルオロ安息香酸ブチ
ルエステル6.09g を得た。

【０１５０】（１−ｆ）更に、（１−ｃ）で得たp-n-デ
シルオキシフェニルアセチレン1.3gと（１−ｅ）で得た
p-ヨード-o- フルオロ安息香酸ブチルエステル1.6gをト
リエチルアミン30ml中、触媒にジクロロビストリフェニ
ルホスフィンパラジウム(II)40mgおよびヨウ化銅（Ｉ）
10mgを用いて窒素雰囲気下、室温で５時間反応させた。
反応終了後、トリエチルアミンを留去しトルエンで抽出
した。トルエン層を１規定（Ｎ）塩酸、水で順次洗浄
後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。
得られた固体をエタノールで２回再結晶することにより
化合物２３を1.7g得た。

【０１５１】上記化合物２３の合成法と同様にして、化
合物２４，化合物２５を合成した。得られた化合物の物
理的性質を以下に示した。 化合物２３¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.87(m,3H),0.96(t,3H),1.23〜1.56(m,16H) 1.70〜1.83(m,4H), 3.96(t,2H),4.33(t,2H),6.87(d,2H) 7.22(dd,1H),7.29(dd,1H),7.45(d,2H),7.88(t,1H)¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） -33.97(dd,1F) 化合物２４¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.83〜0.92(m,6H), 1.22〜1.50(m,20H),1.70〜1.82(m,4
H) 3.96(t,2H), 4.31(t,2H),6.88(d,2H),7.22(dd,1H) 7.30(dd,1H),7.45(d,2H),7.89(t,1H)¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） -33.96(dd,1F) 化合物２５¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.83〜0.92(m,6H), 1.22〜1.50(m,24H),1.70〜1.81(m,4
H) 3.96(t,2H), 4.31(t,2H),6.88(d,2H),7.22(dd,1H) 7.30(dd,1H),7.45(d,2H),7.89(t,1H)¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） -33.94(dd,1F)

【０１５２】実施例１ 表１，２，４に示す化合物を用いて表５に示す組成のア
キラルホスト液晶組成物を作製した。作製した組成物の
転移温度を表６に示した。

【０１５３】

【表５】

【０１５４】

【表６】 この組成のアキラルホスト液晶組成物と表３に示す光学
活性化合物を用いて表７に示す組成の強誘電性液晶組成
物を作製した。この組成物はキラルスメクティックＣ
相，スメクティックＡ相，およびキラルネマティック相
を示し、かつキラルネマティック相のらせんピッチは２
０μｍ以上になるように作製した。相転移温度を表７に
示した。

【０１５５】

【表７】

【０１５６】実施例２ ２枚のガラス基板上にＰＳＩ−Ａ−２１０１（チッソ社
製）配向膜を塗布し、ラビングした。この２枚のガラス
基板をラビング方向が反平行になるようにセル厚５０μ
ｍで貼り合わせ、ネマティック液晶Ｅ−８（メルク社
製）を注入した。磁場容量法（K. Suzuki, K. Toriyama
and A. Fukuhara, Appl. Phys. Lett 33(1987)561.)に
よってＰＳＩ−Ａ−２１０１配向膜のプレティルト角を
測定したところ５°であった。

【０１５７】実施例３ ２枚のガラス基板上に膜厚１００nmのＩＴＯからなる透
明電極を形成し、この透明電極上にＳｉＯ₂ からなる膜
厚１２０nmの絶縁性膜を形成し、この絶縁性膜上にＰＳ
Ｉ−Ａ−２１０１（チッソ社製）配向膜を膜厚５０nmで
塗布し、ラビングした。次にこの２枚のガラス基板をラ
ビング方向が平行になるようにセル厚２μｍで貼り合わ
せ、セルを作製した。

【０１５８】このセルに表７に示す強誘電性液晶組成物
を注入した。注入後いったん液晶組成物が等方性液体に
変化する温度に液晶セルを加熱し、その後１℃/minで室
温まで冷却することにより良好なＣ２配向を有する強誘
電性液晶素子を得た。

【０１５９】この強誘電性液晶素子を２枚の直交する偏
光子の間に設置して電圧を印加し、特性を評価した。評
価条件および得られた特性を表８に示した。更にこの強
誘電性液晶素子のτ−Ｖmin 特性を評価した。結果を図
１０に示した。Ｖmin が３０Ｖ以下に、τmin が１６〜
６１μｓ付近に得られた。

【０１６０】

【表８】

【０１６１】実施例４ 実施例３で作製した強誘電性液晶素子を図８に示す駆動
波形（Ｂ）を用いて駆動した。駆動条件および駆動実験
結果を表９に示した。４０Ｖ以下の駆動電圧でスイッチ
ングさせることができ、良好なコントラスト、１００〜
３００μｓ／line程度のラインアドレスタイムが得られ
た。また、図２に示す駆動波形（Ａ）および図９に示す
駆動波形（Ｃ）を用いて駆動した場合の結果を表１０に
示す。４０Ｖ以下の電圧で駆動でき、ラインアドレスタ
イムは８０μｓ／line以下であった。

【０１６２】

【表９】

【０１６３】

【表１０】

【０１６４】実施例５ 実施例３で作製した強誘電性液晶素子に交流電界（±４
０Ｖ，１００Hz）を印加することにより、スメクティッ
ク層構造がシェブロン構造から疑似ブックシェルフ構造
になった。評価条件および評価結果を表１１に示す。電
界印加処理後の液晶素子は、加圧（１０kg/cm²）するこ
とによりジグザグ欠陥が発生し配向が乱れた。しかし、
再び電界印加することにより初めの電界印加処理後の配
向および特性が得られた。図８に示した駆動波形（Ｂ）
を用いて駆動させた結果を表１２に示す。電界印加で疑
似ブックシェルフ構造にすることにより、メモリ角が大
きくなり、明るい表示素子が実現できた。

【０１６５】

【表１１】

【０１６６】

【表１２】

【０１６７】比較例１ 実施例３で作製したセルに表１３に示す強誘電性液晶組
成物ＳＣＥ−８，ＺＬＩ−５０１４（メルク社製），Ｃ
Ｓ−１０１１（チッソ社製）をそれぞれを注入した。注
入後いったん液晶組成物が等方性液体に変化する温度に
液晶セルを加熱し、その後１℃/minで室温まで冷却する
ことにより良好な配向を有する強誘電性液晶素子を得
た。

【０１６８】この強誘電性液晶素子を２枚の直交する偏
光子の間に設置して電圧を印加し、特性を評価した。評
価条件および得られた特性を表１４に示した。更にこの
強誘電性液晶素子のτ−Ｖmin 特性を評価した。結果を
図１１−１に示した。τ−Ｖmin 特性が得られたが、Ｖ
min の値は３０Ｖ以上であり、τmin の値は実施例８の
値に比べ大きかった。

【０１６９】

【表１３】

【０１７０】

【表１４】

【０１７１】比較例２ 実施例１で作製したアキラルホスト液晶組成物に表１５
に示すキラル化合物を添加して強誘電性液晶組成物を作
製した。作製した組成物の組成比および相転移温度を表
１６に示した。この組成物を実施例３で作製したセルに
注入した。注入後いったん液晶組成物が等方性液体に変
化する温度に液晶セルを加熱し、その後１℃/minで室温
まで冷却することにより良好な配向を有する強誘電性液
晶素子を得た。この強誘電性液晶素子を２枚の直交する
偏光子の間に設置して電圧を印加し、特性を評価した。
評価条件および得られた特性を表１７に示した。更にこ
の強誘電性液晶素子のτ−Ｖmin 特性を評価した。結果
を図１１−２に示した。τ−Ｖmin 特性が得られたが、
Ｖmin の値は３０Ｖ以上であった。

【０１７２】

【表１５】

【０１７３】

【表１６】

【０１７４】

【表１７】

【０１７５】比較例３ 比較例１および２で作製した強誘電性液晶素子を図８に
示す駆動波形（Ｂ）を用いて駆動した。駆動条件および
駆動実験結果を表１８に示す。４０Ｖ以下では駆動でき
ない、または４０Ｖ以下で駆動できてもラインアドレス
タイムが５００μｓ／line以上と大きかった。

【０１７６】

【表１８】

【０１７７】

【発明の効果】以上の実施例から分かるように本発明の
強誘電性液晶組成物を用いた強誘電性液晶素子は配向性
がよく、高コントラストで、低駆動電圧、高速応答の大
容量の強誘電性液晶素子を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】強誘電性液晶材料のτ−Ｖ特性を示すグラフで
ある。

【図２】図１（Ｂ）のτ−Ｖ特性を用いて強誘電性液晶
素子を駆動する駆動波形の一例である。

【図３】図２の駆動法の原理を示すための概略図であ
る。

【図４】本発明の強誘電性液晶組成物を用いた強誘電性
液晶素子の概略断面図である。

【図５】本発明の強誘電性液晶素子を用いた大容量の強
誘電性液晶素子の模式図である。

【図６】強誘電性液晶素子のＣ１配向とＣ２配向を説明
するための図である。

【図７】強誘電性液晶素子の４つの配向状態の分子配向
モデルである。

【図８】図１（Ｂ）のτ−Ｖ特性を用いて強誘電性液晶
素子を駆動する駆動波形の一例である。

【図９】図１（Ｂ）のτ−Ｖ特性を用いて強誘電性液晶
素子を駆動する駆動波形の一例である。

【図１０】本発明の強誘電性液晶組成物を用いた強誘電
性液晶素子のτ−Ｖ特性である。

【図１１】比較例の強誘電性液晶組成物を用いた強誘電
性液晶素子のτ−Ｖ特性である。

【符号の説明】

１、２ 絶縁性基板 ３、４ 導電性膜 ５ 絶縁性膜 ６ 配向制御膜 ７ シール剤 ８ 強誘電性液晶 ９ 偏光板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｆ 1/133 ５６０ 9226−2Ｋ (72)発明者 金子 毅 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 向殿 充浩 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 渡辺 哲也 京都市東山区一橋野本町11番地の１ 三洋 化成工業株式会社内 (72)発明者 佐藤 正洋 滋賀県滋賀郡志賀町高城368番地の７ (72)発明者 吉尾 邦清 京都市東山区一橋野本町11番地の１ 三洋 化成工業株式会社内 (72)発明者 柳 達朗 京都市東山区一橋野本町11番地の１ 三洋 化成工業株式会社内 (72)発明者 伊藤 恵造 茨城県鹿島郡神栖町東和田４番地 鹿島石 油株式会社内 (72)発明者 竹田 充範 茨城県鹿島郡神栖町東和田４番地 鹿島石 油株式会社内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 で表される化合物を少なくとも一種、一般式（II） 【化２】 （ただし、Ｒ³ およびＲ⁴ は同一又は異なっていてもよ
   い直鎖又は分枝鎖で１〜１５の炭素数を有するアルキル
   基であることを表し、Ｘ³ は単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ
   −、−ＯＣＯ−または−ＯＣＯＯ−を表し、Ｘ⁴ は−Ｏ
   −または−ＯＣＯ−を表し、Ｙ¹ は−Ｏ−、−ＣＯＯ−
   または−ＣＨ₂Ｏ−を表し、Ａ¹ およびＢ¹ はハロゲン、
   シアノ基、含フッ素アルキル基で置換されてもよい含六
   員環基を表し、Ｚ¹ は単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ
   −、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ₂Ｏ−または−ＯＣＨ₂−を表
   し、ｎは０または１を表す。）で表される光学活性化合
   物を少なくとも一種含有することを特徴とする強誘電性
   液晶組成物。
2. 【請求項２】 一般式（Ｉ） 【化３】 で表される化合物を少なくとも一種、一般式（III) 【化４】 （ただし、Ｒ⁵ およびＲ⁶ は同一又は異なっていてもよ
   い直鎖又は分枝鎖で１〜１５の炭素数を有するアルキル
   基であることを表し、Ｘ⁵ は単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ
   −、−ＯＣＯ−または−ＯＣＯＯ−を表し、Ｘ⁶ は−Ｏ
   −または−ＯＣＯ−を表し、Ｙ² は−Ｏ−、−ＣＯＯ−
   または−ＣＨ₂Ｏ−を表し、Ａ² およびＢ² はハロゲン、
   シアノ基、含フッ素アルキル基で置換されてもよい含六
   員環基を表し、Ｚ² は単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ
   −、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ₂Ｏ−または−ＯＣＨ₂−を表
   し、ｎは０または１を表す。）で表される光学活性化合
   物を少なくとも一種含有することを特徴とする強誘電性
   液晶組成物。
3. 【請求項３】 さらに、一般式（IV） 【化５】 （ただし、Ｒ⁷ およびＲ⁸ は同一又は異なっていてもよ
   い直鎖又は分枝鎖で１〜１５の炭素数を有するアルキル
   基を表し、Ｘ⁷ およびＸ⁸ はそれぞれ独立に単結合、−
   Ｏ−又は−ＣＯＯ−を表す。）で表される化合物を少な
   くとも一種含有することを特徴とする請求項１または２
   記載の強誘電性液晶組成物。
4. 【請求項４】 液晶組成物がキラルネマティック相、ス
   メクティックＡ相、およびキラルスメクティックＣ相を
   示し、該キラルスメクティックＣ相における自発分極が
   １００μC/ｍ² 以下であることからなる請求項１〜３の
   いずれかに記載の強誘電性液晶組成物。
5. 【請求項５】 少なくとも電極膜、配向膜を有する一対
   の絶縁性基板間に強誘電性液晶を介在させ、前記電極に
   選択的に電圧を印加することによって液晶の光軸を切り
   換える駆動手段と光軸の切り換えを光学的に識別する手
   段を有する強誘電性液晶素子であって、該強誘電性液晶
   が請求項１〜４のいずれかに記載の液晶組成物からなる
   ことを特徴とする強誘電性液晶素子。
6. 【請求項６】 強誘電性液晶がシェブロン層構造を有し
   ており、その配向がＣ２配向であることからなる請求項
   ５記載の強誘電性液晶素子。
7. 【請求項７】 強誘電性液晶素子に交流電界処理を施す
   ことによって得られる疑似ブックシェルフ層構造を用い
   ることからなる請求項５記載の強誘電性液晶素子。
8. 【請求項８】 配向膜と液晶相との界面での液晶分子の
   プレティルト角度が１０°以下であることからなる請求
   項５〜７のいずれかに記載の強誘電性液晶素子。
9. 【請求項９】 請求項５〜８いずれかに記載の液晶素子
   において、電圧−メモリパルス幅特性において極小値を
   示し、電極を互いに交差する方向に配列し複数の走査電
   極と複数の信号電極とを形成し、走査電極と信号電極が
   交差する領域を画素とし、非選択電圧を印加する走査電
   極と書換え電圧を印加する信号電極から構成される画素
   へ、該極小値よりも低い値の正電圧と負電圧を印加し、
   選択電圧を印加する走査電極と保持電圧を印加する信号
   電極から構成される画素へ、該極小値よりも高い値の正
   電圧（または負電圧）と、該極小値よりも低い値の負電
   圧（または正電圧）を印加する駆動波形を用いることを
   特徴とする強誘電性液晶素子の駆動方法。