JPH07263484A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH07263484A JPH07263484A JP6079922A JP7992294A JPH07263484A JP H07263484 A JPH07263484 A JP H07263484A JP 6079922 A JP6079922 A JP 6079922A JP 7992294 A JP7992294 A JP 7992294A JP H07263484 A JPH07263484 A JP H07263484A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- bonding pad
- step forming
- forming film
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/934—Cross-sectional shape, i.e. in side view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/981—Auxiliary members, e.g. spacers
- H10W72/983—Reinforcing structures, e.g. collars
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ボンディングパッドとコネクトワイヤ等との
間のボンディング強度をボンディングパッドの占有面積
を広くすることなく強くし、ボンディングパッドにプロ
ーブをあててのテスティングを行ったときの接触抵抗を
小さくする。 【構成】 ボンディングパッド４の下地となる領域に凹
部を群成した段差形成膜７を形成し、この各段差形成膜
７上に層間膜２を介してこの段差形成膜７よりも面積の
小さな上層段差形成膜８を形成し、この上層段差形成膜
７上にボンディングパッドとなる金属膜８を形成する。
間のボンディング強度をボンディングパッドの占有面積
を広くすることなく強くし、ボンディングパッドにプロ
ーブをあててのテスティングを行ったときの接触抵抗を
小さくする。 【構成】 ボンディングパッド４の下地となる領域に凹
部を群成した段差形成膜７を形成し、この各段差形成膜
７上に層間膜２を介してこの段差形成膜７よりも面積の
小さな上層段差形成膜８を形成し、この上層段差形成膜
７上にボンディングパッドとなる金属膜８を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置、特にボン
ディングパッドとコネクトワイヤ等との間のボンディン
グ強度を強くすることができ、組立前のテスティングに
おけるプローブのボンディングパッドに対する接触抵抗
を小さくすることができる半導体装置に関する。
ディングパッドとコネクトワイヤ等との間のボンディン
グ強度を強くすることができ、組立前のテスティングに
おけるプローブのボンディングパッドに対する接触抵抗
を小さくすることができる半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】コネクトワイヤあるいはリードとの接続
端子となるボンディングパッドは、従来においては一般
に図３に示すような構造を有していた。図面において、
１はボンディングパッドの下地である半導体基板、２、
３は層間膜、４はアルミニウムからなるボンディングパ
ッド、５はオーバーコート膜、６は該オーバーコート膜
５のボンディングパッド４上に形成された窓開部であ
る。このように従来においてボンディングパッドは平坦
な層間膜２、３上に形成されていた。
端子となるボンディングパッドは、従来においては一般
に図３に示すような構造を有していた。図面において、
１はボンディングパッドの下地である半導体基板、２、
３は層間膜、４はアルミニウムからなるボンディングパ
ッド、５はオーバーコート膜、６は該オーバーコート膜
５のボンディングパッド４上に形成された窓開部であ
る。このように従来においてボンディングパッドは平坦
な層間膜２、３上に形成されていた。
【０００３】尚、ボンディングパッドには組立時に例え
ばコネクトワイヤあるいはリードフレームのリードのバ
ンプ等が接続されてリードが電気的端子として機能する
が、組立前のテスティング時にはプローブがあてられて
ボンディングパットが電気的端子として機能する。
ばコネクトワイヤあるいはリードフレームのリードのバ
ンプ等が接続されてリードが電気的端子として機能する
が、組立前のテスティング時にはプローブがあてられて
ボンディングパットが電気的端子として機能する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のボン
ディングパッドは、平坦な下地である層間膜２、３上に
形成されていたので表面が平坦であり、従って、コネク
トワイヤ等をボンディングした場合のボンディング強度
を強くすることに限界があった。勿論、各ボンディング
パッドの面積を広くすることによってコネクトワイヤの
ボンディングパッドと接する接触面積が広くなるように
することによってボンディング強度を強くすることがで
きるが、しかし、半導体チップの微細化あるいは多ピン
化に伴ってボンディングパッドの面積を狭くすることが
要求されているのでボンディングパッドの面積を狭くし
つつボンディング強度を強くする必要があった。
ディングパッドは、平坦な下地である層間膜２、３上に
形成されていたので表面が平坦であり、従って、コネク
トワイヤ等をボンディングした場合のボンディング強度
を強くすることに限界があった。勿論、各ボンディング
パッドの面積を広くすることによってコネクトワイヤの
ボンディングパッドと接する接触面積が広くなるように
することによってボンディング強度を強くすることがで
きるが、しかし、半導体チップの微細化あるいは多ピン
化に伴ってボンディングパッドの面積を狭くすることが
要求されているのでボンディングパッドの面積を狭くし
つつボンディング強度を強くする必要があった。
【０００５】特に、超音波ボンディングによりコネクト
ワイヤをボンディングすると、ツールにより強く圧潰さ
れるコネクトワイヤの周辺部においてはボンディングパ
ッドと接触するがコネクトワイヤの中央部においては凹
みが生じるので接触面積は意外に狭い。従って、ボンデ
ィング強度の向上は半導体装置の製造における技術的課
題の一つとなっている。また、ボンディングパッド表面
が平坦なので、ウェハ状態でのテスティングのときにプ
ローブとボンディングパッド一点でのみ接触し、接触抵
抗が大きくなり、精確なテストができない場合があると
いう問題もあった。
ワイヤをボンディングすると、ツールにより強く圧潰さ
れるコネクトワイヤの周辺部においてはボンディングパ
ッドと接触するがコネクトワイヤの中央部においては凹
みが生じるので接触面積は意外に狭い。従って、ボンデ
ィング強度の向上は半導体装置の製造における技術的課
題の一つとなっている。また、ボンディングパッド表面
が平坦なので、ウェハ状態でのテスティングのときにプ
ローブとボンディングパッド一点でのみ接触し、接触抵
抗が大きくなり、精確なテストができない場合があると
いう問題もあった。
【０００６】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、ボンディングパッドとコネクトワイ
ヤ等の間のボンディング強度をボンディングパッドの占
有面積を広くすることなく強くし、ボンディングパッド
にプローブをあててのテスティングを行ったときの接触
抵抗を小さくすることを目的とする。
されたものであり、ボンディングパッドとコネクトワイ
ヤ等の間のボンディング強度をボンディングパッドの占
有面積を広くすることなく強くし、ボンディングパッド
にプローブをあててのテスティングを行ったときの接触
抵抗を小さくすることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明半導体装置は、ボ
ンディングパッドの下地となる領域に凹部を群成した段
差形成膜を形成、あるいは島状の段差形成膜を群成し、
この各段差形成膜上に層間膜を介してこの段差形成膜よ
りも面積の小さな上層段差形成膜を形成し、この上層段
差形成膜上にボンディングパッドとなる金属膜を形成し
たことを特徴とする。
ンディングパッドの下地となる領域に凹部を群成した段
差形成膜を形成、あるいは島状の段差形成膜を群成し、
この各段差形成膜上に層間膜を介してこの段差形成膜よ
りも面積の小さな上層段差形成膜を形成し、この上層段
差形成膜上にボンディングパッドとなる金属膜を形成し
たことを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明半導体装置によれば、段差形成膜を層間
膜を介して複数層積層したものを下地としてボンディン
グパッドを形成したので、ボンディングパッドの表面を
凹凸のある面にすることができる。従って、コネクトワ
イヤ等をボンディングした場合のボンディング強度を強
くすることができる。そして、プローブをボンディング
パッドにあてた場合の接触抵抗は、プローブが凹凸のあ
る面にあたることになるので接触点を複数にでき、延い
てはボンディングパッド面積の増加を伴うことなく小さ
くすることができる。
膜を介して複数層積層したものを下地としてボンディン
グパッドを形成したので、ボンディングパッドの表面を
凹凸のある面にすることができる。従って、コネクトワ
イヤ等をボンディングした場合のボンディング強度を強
くすることができる。そして、プローブをボンディング
パッドにあてた場合の接触抵抗は、プローブが凹凸のあ
る面にあたることになるので接触点を複数にでき、延い
てはボンディングパッド面積の増加を伴うことなく小さ
くすることができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明半導体装置を図示実施例に従っ
て詳細に説明する。図１（Ａ）、（Ｂ）は本発明半導体
装置の一つの実施例を示すもので、（Ａ）は一つのボン
ディングパッドの平面図、（Ｂ）は断面図である。図面
において、１は半導体基板、７はボンディングパッドと
なる領域に形成された第１層目のポリシリコン層からな
る段差形成膜で、縦横に群成せしめられた凹部を有して
いる。２は層間膜、８は各段差形成膜７上に層間膜２を
介して形成されたところの第２層目のポリシリコン層か
らなり段差形成膜７の凹部より大きな凹部が群成せしめ
られている上層段差形成膜、３は該上層段差形成膜８上
に形成された層間膜、４は該層間膜３上に形成されたア
ルミニウムからなるボンディングパッド、５はオーバー
コート膜、６は該オーバーコート膜５に形成された窓開
部である。
て詳細に説明する。図１（Ａ）、（Ｂ）は本発明半導体
装置の一つの実施例を示すもので、（Ａ）は一つのボン
ディングパッドの平面図、（Ｂ）は断面図である。図面
において、１は半導体基板、７はボンディングパッドと
なる領域に形成された第１層目のポリシリコン層からな
る段差形成膜で、縦横に群成せしめられた凹部を有して
いる。２は層間膜、８は各段差形成膜７上に層間膜２を
介して形成されたところの第２層目のポリシリコン層か
らなり段差形成膜７の凹部より大きな凹部が群成せしめ
られている上層段差形成膜、３は該上層段差形成膜８上
に形成された層間膜、４は該層間膜３上に形成されたア
ルミニウムからなるボンディングパッド、５はオーバー
コート膜、６は該オーバーコート膜５に形成された窓開
部である。
【００１０】本半導体装置は、ボンディングパッド４が
凹凸のある面上に形成されて表面が凹凸を有している。
即ち、ボンディングパッド４の下地は、第１層目のポリ
シリコン膜からなり、凹部が縦横に群成せしめられた段
差形成膜７、７、…を形成し、該各段差形成膜７、７、
…上に層間膜２を介して第２層目のポリシリコン膜から
なり、段差形成膜７、７、…の凹部よりも大きい凹部を
縦横に群成した段差形成膜８を形成することにより内側
面が階段状の凹部９、９、…を群成せしめて凹凸が生ぜ
しめられている。従って、コネクトワイヤ等をボンディ
ングパッドした場合のボンディング強度を強くすること
ができる。そして、プローブをボンディングパッドにあ
てた場合の接触抵抗は、プローブを凹凸のある面に接触
させるために接触点を複数にできるのでボンディングパ
ッド面積の増加を伴うことなく小さくすることができ
る。
凹凸のある面上に形成されて表面が凹凸を有している。
即ち、ボンディングパッド４の下地は、第１層目のポリ
シリコン膜からなり、凹部が縦横に群成せしめられた段
差形成膜７、７、…を形成し、該各段差形成膜７、７、
…上に層間膜２を介して第２層目のポリシリコン膜から
なり、段差形成膜７、７、…の凹部よりも大きい凹部を
縦横に群成した段差形成膜８を形成することにより内側
面が階段状の凹部９、９、…を群成せしめて凹凸が生ぜ
しめられている。従って、コネクトワイヤ等をボンディ
ングパッドした場合のボンディング強度を強くすること
ができる。そして、プローブをボンディングパッドにあ
てた場合の接触抵抗は、プローブを凹凸のある面に接触
させるために接触点を複数にできるのでボンディングパ
ッド面積の増加を伴うことなく小さくすることができ
る。
【００１１】図２（Ａ）乃至（Ｃ）はボンディングパッ
ドの形成方法を工程順に示すものであり、（Ａ）は段差
形成膜７形成後の状態を示し、（Ｂ）は段差形成膜７、
層間膜１、段差形成膜８及び層間膜２形成後の状態を示
し、（Ｃ）はアルミニウムボンディングパッド４、オー
バーコート膜５及び窓開部形成後の状態を示す。尚、本
半導体装置においては、段差形成膜７を第１層目のポリ
シリコン膜により形成し、段差形成膜８を第２層目のポ
リシリコン膜により形成するので、工程数を増すことな
く本発明の効果、即ち、ボンディングパッドとコネクト
ワイヤ等の間のボンディング強度をボンディングパッド
の占有面積を広くすることなく強くし、ボンディングパ
ッドにプローブをあててのテスティングを行ったときの
接触抵抗を小さくすることができるという効果を奏す
る。尚、段差形成膜７を島状に群成し、その上に島状段
差形成膜８を層間膜２を介して形成することによりボン
ディングパッド４の下地に、更にはボンディングパッド
４表面に凹凸を形成するようにしても良い。
ドの形成方法を工程順に示すものであり、（Ａ）は段差
形成膜７形成後の状態を示し、（Ｂ）は段差形成膜７、
層間膜１、段差形成膜８及び層間膜２形成後の状態を示
し、（Ｃ）はアルミニウムボンディングパッド４、オー
バーコート膜５及び窓開部形成後の状態を示す。尚、本
半導体装置においては、段差形成膜７を第１層目のポリ
シリコン膜により形成し、段差形成膜８を第２層目のポ
リシリコン膜により形成するので、工程数を増すことな
く本発明の効果、即ち、ボンディングパッドとコネクト
ワイヤ等の間のボンディング強度をボンディングパッド
の占有面積を広くすることなく強くし、ボンディングパ
ッドにプローブをあててのテスティングを行ったときの
接触抵抗を小さくすることができるという効果を奏す
る。尚、段差形成膜７を島状に群成し、その上に島状段
差形成膜８を層間膜２を介して形成することによりボン
ディングパッド４の下地に、更にはボンディングパッド
４表面に凹凸を形成するようにしても良い。
【００１２】
【発明の効果】請求項１の半導体装置は、ボンディング
パッドの下地となる領域に凹部を群成した段差形成膜を
形成、あるいは島状の段差形成膜を群成し、各段差形成
膜上に層間膜を介してこの段差形成膜よりも面積の小さ
な上層段差形成膜を形成し、上記上層段差形成膜上にボ
ンディングパッドとなる金属膜を形成したことを特徴と
するものである。従って、本発明半導体装置によれば、
群成段差形成膜を複数層積層したものを下地としてボン
ディングパッドを形成したので、ボンディングパッドの
表面を凹凸のある面にすることができる。従って、コネ
クトワイヤ等をボンディングパッドした場合のボンディ
ング強度を強くすることができる。そして、プローブを
ボンディングパッドにあてた場合の接触抵抗は、接触点
を複数にできるのでボンディングパッド面積の増加を伴
うことなく小さくすることができる。
パッドの下地となる領域に凹部を群成した段差形成膜を
形成、あるいは島状の段差形成膜を群成し、各段差形成
膜上に層間膜を介してこの段差形成膜よりも面積の小さ
な上層段差形成膜を形成し、上記上層段差形成膜上にボ
ンディングパッドとなる金属膜を形成したことを特徴と
するものである。従って、本発明半導体装置によれば、
群成段差形成膜を複数層積層したものを下地としてボン
ディングパッドを形成したので、ボンディングパッドの
表面を凹凸のある面にすることができる。従って、コネ
クトワイヤ等をボンディングパッドした場合のボンディ
ング強度を強くすることができる。そして、プローブを
ボンディングパッドにあてた場合の接触抵抗は、接触点
を複数にできるのでボンディングパッド面積の増加を伴
うことなく小さくすることができる。
【図１】（Ａ）、（Ｂ）は本発明半導体装置の一つの実
施例の要部を示すもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は拡
大断面図である。
施例の要部を示すもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は拡
大断面図である。
【図２】（Ａ）乃至（Ｃ）は図１に示す半導体装置のボ
ンディングパッドの形成方法を工程順に示す図である。
ンディングパッドの形成方法を工程順に示す図である。
【図３】半導体装置のボンディングパッドの従来例を示
す断面図である。
す断面図である。
１ 半導体基板 ４ ボンディングパッド ７ 段差形成膜 ８ 上層段差形成膜
Claims (1)
- 【請求項１】 ボンディングパッドの下地となる領域に
凹部を群成した段差形成膜を形成し、あるいは島状の段
差形成膜を群成し、 上記各段差形成膜上に層間膜を介してこの段差形成膜よ
りも面積の小さな上層段差形成膜を形成し、 上記上層段差形成膜上にボンディングパッドとなる金属
膜を形成したことを特徴とする半導体装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6079922A JPH07263484A (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6079922A JPH07263484A (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263484A true JPH07263484A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=13703802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6079922A Pending JPH07263484A (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07263484A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12191266B2 (en) | 2021-09-21 | 2025-01-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
-
1994
- 1994-03-25 JP JP6079922A patent/JPH07263484A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12191266B2 (en) | 2021-09-21 | 2025-01-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
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