JPH07266331A - 単結晶の切断方法 - Google Patents
単結晶の切断方法Info
- Publication number
- JPH07266331A JPH07266331A JP5967494A JP5967494A JPH07266331A JP H07266331 A JPH07266331 A JP H07266331A JP 5967494 A JP5967494 A JP 5967494A JP 5967494 A JP5967494 A JP 5967494A JP H07266331 A JPH07266331 A JP H07266331A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- water
- cracking
- cut
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】割れ発生のない単結晶を得る方法を提供する。
【構成】ＧＳＯ単結晶を内周刃切断器で切断した。φ５
０×１８０ｍｍの結晶を内周刃切断器を用い切断した。
結晶切断中は回転刃を油で冷却した。 【効果】割れが発生しやすい透明な結晶について、割れ
の発生を防止することができる。
０×１８０ｍｍの結晶を内周刃切断器を用い切断した。
結晶切断中は回転刃を油で冷却した。 【効果】割れが発生しやすい透明な結晶について、割れ
の発生を防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子機器等に用いられ
る単結晶の切断方法に関する。
る単結晶の切断方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】セリウム付活珪酸ガドリニウム単結晶等
の単結晶の切断等の加工は従来、結晶と回転刃等の摩擦
によって温度が上昇しないように、水を主とする液体で
冷却されていた。
の単結晶の切断等の加工は従来、結晶と回転刃等の摩擦
によって温度が上昇しないように、水を主とする液体で
冷却されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法では
結晶が割れ易いという問題があった。本発明は、冷媒に
油を用い、単結晶を切断することによって割れの発生を
防止する方法を提供するものである。
結晶が割れ易いという問題があった。本発明は、冷媒に
油を用い、単結晶を切断することによって割れの発生を
防止する方法を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者らは、水を用いずに結晶を加工することに
よって、上記目的を達成できることを見いだすことによ
って、本発明はなされたものである。回転刃の冷却を行
う液体として、油を用いるのが好ましい。また単結晶の
加工として、内周刃を用いた切断方法に本発明は好まし
く適用される。
に、本発明者らは、水を用いずに結晶を加工することに
よって、上記目的を達成できることを見いだすことによ
って、本発明はなされたものである。回転刃の冷却を行
う液体として、油を用いるのが好ましい。また単結晶の
加工として、内周刃を用いた切断方法に本発明は好まし
く適用される。
【０００５】
【作用】結晶格子にＳｉ−Ｏの結合があると、水を用い
た切断方法では、結晶表面のＳｉ−Ｏの結合が水と水素
結合することによって、切れ易くなると考えられる。こ
のため、水を用いた加工では、結晶に割れが発生し易く
なると考えられる。従って、結晶の切断に水を用いなけ
れば割れ発生を防止することができる。非水液体とは水
を含まない液体で、例えば油、有機溶媒として広く用い
られている有機化合物等が使用できる。
た切断方法では、結晶表面のＳｉ−Ｏの結合が水と水素
結合することによって、切れ易くなると考えられる。こ
のため、水を用いた加工では、結晶に割れが発生し易く
なると考えられる。従って、結晶の切断に水を用いなけ
れば割れ発生を防止することができる。非水液体とは水
を含まない液体で、例えば油、有機溶媒として広く用い
られている有機化合物等が使用できる。
【０００６】
比較例 セリウム付活珪酸ガドリニウム単結晶（Ｃｅ：Ｇｄ2 Ｓ
ｉＯ5)の場合の例を説明する。先ず、φ５０×１８０ｍ
ｍの結晶をチョクラルスキー法で育成した。この結晶を
内周刃切断器を用い切断した。結晶切断中は回転刃を水
で冷却した。この方法により２本の単結晶を切断した。
ｉＯ5)の場合の例を説明する。先ず、φ５０×１８０ｍ
ｍの結晶をチョクラルスキー法で育成した。この結晶を
内周刃切断器を用い切断した。結晶切断中は回転刃を水
で冷却した。この方法により２本の単結晶を切断した。
【０００７】実施例 比較例と同様にＧＳＯ単結晶を内周刃切断器で切断し
た。φ５０×１８０ｍｍの結晶を内周刃切断器を用い切
断した。結晶切断中は回転刃を油で冷却した。この方法
により２本結晶を切断した。本発明の実施例で切断を行
うことによる割れ及び割れの発生率を、比較例の切断結
果と比較した。その結果を表１に示す。
た。φ５０×１８０ｍｍの結晶を内周刃切断器を用い切
断した。結晶切断中は回転刃を油で冷却した。この方法
により２本結晶を切断した。本発明の実施例で切断を行
うことによる割れ及び割れの発生率を、比較例の切断結
果と比較した。その結果を表１に示す。
【０００８】
【表１】 ＧＳＯの割れ及び割れの発生率 ───────────────────────────────── 比較例 実施例 ───────────────────────────────── 割れ発生率（本／本中） ２／２ ０／２ ─────────────────────────────────
【０００９】この表からわかるように、比較例の冷媒と
して水を用いる条件では、１００％割れが発生した。実
施例の冷媒として油を用いる条件では、割れの発生を完
全に防止することができ、割れの発生率を大幅に低減で
きたことがわかる。本発明の実施例は、切断方法につい
て述べたが、他の加工についても、水を用いる場合には
同様な効果が得られる。また、実施例では冷却液体とし
て、油を用いた場合を述べたが、水を含む液体以外であ
れば油でなくとも、同様な結果が期待できる。
して水を用いる条件では、１００％割れが発生した。実
施例の冷媒として油を用いる条件では、割れの発生を完
全に防止することができ、割れの発生率を大幅に低減で
きたことがわかる。本発明の実施例は、切断方法につい
て述べたが、他の加工についても、水を用いる場合には
同様な効果が得られる。また、実施例では冷却液体とし
て、油を用いた場合を述べたが、水を含む液体以外であ
れば油でなくとも、同様な結果が期待できる。
【００１０】
【発明の効果】本発明の切断方法により、結晶の割れを
大幅に低減することができる。
大幅に低減することができる。
Claims (1)
- 【請求項１】液体で冷却しながら珪酸化合物単結晶を加
工する場合、冷却に用いる液体が非水液体である単結晶
の加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5967494A JPH07266331A (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 単結晶の切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5967494A JPH07266331A (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 単結晶の切断方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07266331A true JPH07266331A (ja) | 1995-10-17 |
Family
ID=13119984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5967494A Pending JPH07266331A (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 単結晶の切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07266331A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012044105A3 (ko) * | 2010-09-30 | 2012-06-07 | 삼성전자 주식회사 | 평활화 보간 필터를 이용하여 영상을 보간하는 방법 및 그 장치 |
| CN103153564A (zh) * | 2010-10-12 | 2013-06-12 | Lg矽得荣株式会社 | 用于锯切单晶锭的设备和方法 |
-
1994
- 1994-03-30 JP JP5967494A patent/JPH07266331A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012044105A3 (ko) * | 2010-09-30 | 2012-06-07 | 삼성전자 주식회사 | 평활화 보간 필터를 이용하여 영상을 보간하는 방법 및 그 장치 |
| CN103153564A (zh) * | 2010-10-12 | 2013-06-12 | Lg矽得荣株式会社 | 用于锯切单晶锭的设备和方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6281729A (ja) | 半導体板ののこぎり引きに際して破断部を限定する方法 | |
| CN101528885A (zh) | 用于磨料浆料的含水液体组合物，及其制备方法和使用方法 | |
| AU2003222228A1 (en) | High silica chabazite, its synthesis and its use in the conversion of oxygenates to olefins | |
| DE60302446T2 (de) | Substrat aus spinel für das heteroepitaktische wachstum von iii-v materialen | |
| US5462584A (en) | Process for dehydrating natural gas | |
| US20150053642A1 (en) | Chemical mechanical polishing composition for polishing a sapphire surface and methods of using same | |
| WO2009071333A8 (de) | Textur- und reinigungsmedium zur oberflächenbehandlung von wafern und dessen verwendung | |
| JP3620683B2 (ja) | 半導体ウエーハの製造方法 | |
| JP2002184726A (ja) | 硬脆材料基板用研磨剤 | |
| CN117488308B (zh) | 一种双子咪唑啉季铵盐缓蚀剂及其制备方法 | |
| JPH04218594A (ja) | ワイヤソーによる切断法および加工液 | |
| JPH0857848A (ja) | 切削液、その製造方法およびインゴットの切断方法 | |
| EP1316628A2 (en) | Fluoride cleaning masking system | |
| JP5659999B2 (ja) | ビスマス置換希土類−鉄ガーネット膜の液相エピタキシャル成長方法 | |
| SU785335A1 (ru) | Шлифовально-полировальный состав | |
| JPH08295875A (ja) | スライシング用研磨液組成物 | |
| JP4348539B2 (ja) | 非磁性ガーネット基板の製造方法とその非磁性ガーネット基板およびこの基板を用いて得られるビスマス置換型磁性ガーネット膜 | |
| JP2009062426A (ja) | 遊離砥粒ワイヤソー用水溶性加工油剤、スラリー及び切断加工方法 | |
| JPH0562953A (ja) | 研磨液 | |
| JP2793224B2 (ja) | 潜熱蓄熱剤組成物 | |
| JPH0234956A (ja) | 半導体基板のブレーク方法 | |
| JP3894685B2 (ja) | 酸化物ガーネット単結晶膜の製造方法 | |
| JP3627749B2 (ja) | 希土類珪酸塩単結晶 | |
| JPH07267779A (ja) | 単結晶の育成方法 | |
| JPS5927316B2 (ja) | 結晶の無じよう乱鏡面研摩方法 |