JPH07270067A - 希ガスの精製方法 - Google Patents
希ガスの精製方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】空気の深冷分離装置の副生液化酸素からメタン
及び酸素を除去した後、Kr、Xeを精溜分離するに当
り、希ガス精製装置の分離精溜筒7で発生する従来捨て
ていた不純ガス30を再循環して収量を増やす。 【構成】希ガスよりも低沸点の不純ガス30を分離精溜
筒7から系外に抜き出して一旦貯蔵するタンク8と、不
純ガス流量を調整する調整弁9と、タンク8内の不純物
の水素と窒素を除去する装置10、11を設けて不純ガ
ス30を処理し、この処理したガス37をメタン除去装
置5の前に戻す。
及び酸素を除去した後、Kr、Xeを精溜分離するに当
り、希ガス精製装置の分離精溜筒7で発生する従来捨て
ていた不純ガス30を再循環して収量を増やす。 【構成】希ガスよりも低沸点の不純ガス30を分離精溜
筒7から系外に抜き出して一旦貯蔵するタンク8と、不
純ガス流量を調整する調整弁9と、タンク8内の不純物
の水素と窒素を除去する装置10、11を設けて不純ガ
ス30を処理し、この処理したガス37をメタン除去装
置5の前に戻す。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、空気を冷却、液化後に
沸点差を利用して各成分を分離精製する、空気深冷分離
方式によって、液化酸素からKr、Xeガスを分離精製
する方法に係わり、より特定的には、Kr、Xeを分離
精製する際に発生する不純ガスから、さらにKr、Xe
を効率よく回収する方法に関する。
沸点差を利用して各成分を分離精製する、空気深冷分離
方式によって、液化酸素からKr、Xeガスを分離精製
する方法に係わり、より特定的には、Kr、Xeを分離
精製する際に発生する不純ガスから、さらにKr、Xe
を効率よく回収する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】Kr、Xe等の希ガスは、大気中にKr
で1ppm、Xeで0.1ppmとごく僅かしか含まれ
ていない極めて貴重なガスであり、大気中から取り出す
製造方法しかない。このため、大型の酸素プラントに併
設された希ガス分離精製プラントを用いて、酸素プラン
トで副生する液化酸素から液化ガスの沸点差を利用して
取り出す方法によって製造されている。
で1ppm、Xeで0.1ppmとごく僅かしか含まれ
ていない極めて貴重なガスであり、大気中から取り出す
製造方法しかない。このため、大型の酸素プラントに併
設された希ガス分離精製プラントを用いて、酸素プラン
トで副生する液化酸素から液化ガスの沸点差を利用して
取り出す方法によって製造されている。
【0003】一般に、Kr、Xeを分離精製するプラン
トは次の装置を備えている。 (イ)原料空気を精溜筒で精溜を行って分離し、酸素、
窒素ガスを生産するとともに液化酸素を副生する深冷分
離方式の酸素プラント (ロ)酸素プラントから液化酸素を導出し、液化酸素中
に含まれるKr、Xeを濃縮する濃縮精溜筒 (ハ)Kr、Xeとともに濃縮してくるメタンを触媒燃
焼により除去する第1のメタン除去装置 (ニ)希ガス粗精製装置で粗精製された希ガスを一時貯
蔵する粗Kr貯槽 (ホ)粗Kr貯槽に残留するメタンをさらに除去する触
媒燃焼筒からなる第2のメタン除去装置 (ヘ)第2のメタン除去装置後に残る酸素を除去する酸
素除去装置 (ト)第2のメタン除去装置および酸素除去装置で精製
されたKrとXeの混合液を精溜筒で精溜し製品Kr、
Xeを分離する分離精溜筒 図3に上記希ガスプラントを示した。図中に表示しない
酸素プラントにおいて、空気21を原料空気圧縮機、不
純物精製器、主熱交換器を経由して圧縮、精製、冷却し
空気分離用精溜筒1へ導入する。この精溜筒1では精溜
原理を用いて筒頂部より最も沸点の低い窒素ガス(N
2 )を、筒中央部からアルゴンガス(Ar)を、筒下部
から酸素ガス(O2 )を製品として取出し、精溜筒1の
最下部である主凝縮器に高沸点不純物を含んだ液化酸素
22を貯蔵している。Kr、Xeは酸素よりも沸点が高
いので、メタンとともに、この部位に濃縮されている。
希ガスの濃度は酸素プラントの仕様によって変わるが1
00〜500ppmとなり、大気濃度の100〜500
倍に濃縮されている。
トは次の装置を備えている。 (イ)原料空気を精溜筒で精溜を行って分離し、酸素、
窒素ガスを生産するとともに液化酸素を副生する深冷分
離方式の酸素プラント (ロ)酸素プラントから液化酸素を導出し、液化酸素中
に含まれるKr、Xeを濃縮する濃縮精溜筒 (ハ)Kr、Xeとともに濃縮してくるメタンを触媒燃
焼により除去する第1のメタン除去装置 (ニ)希ガス粗精製装置で粗精製された希ガスを一時貯
蔵する粗Kr貯槽 (ホ)粗Kr貯槽に残留するメタンをさらに除去する触
媒燃焼筒からなる第2のメタン除去装置 (ヘ)第2のメタン除去装置後に残る酸素を除去する酸
素除去装置 (ト)第2のメタン除去装置および酸素除去装置で精製
されたKrとXeの混合液を精溜筒で精溜し製品Kr、
Xeを分離する分離精溜筒 図3に上記希ガスプラントを示した。図中に表示しない
酸素プラントにおいて、空気21を原料空気圧縮機、不
純物精製器、主熱交換器を経由して圧縮、精製、冷却し
空気分離用精溜筒1へ導入する。この精溜筒1では精溜
原理を用いて筒頂部より最も沸点の低い窒素ガス(N
2 )を、筒中央部からアルゴンガス(Ar)を、筒下部
から酸素ガス(O2 )を製品として取出し、精溜筒1の
最下部である主凝縮器に高沸点不純物を含んだ液化酸素
22を貯蔵している。Kr、Xeは酸素よりも沸点が高
いので、メタンとともに、この部位に濃縮されている。
希ガスの濃度は酸素プラントの仕様によって変わるが1
00〜500ppmとなり、大気濃度の100〜500
倍に濃縮されている。
【0004】希ガスの精製においては、この液化酸素2
2を原料として抜き出し、空気分離用精溜筒1とは別の
希ガス濃縮用精溜筒(濃縮精溜筒)2に導入し、液化酸
素22中に含まれるKr、Xeを2、000〜10、0
00倍に濃縮する。濃縮精溜筒2では原料のほとんどを
筒頂部から酸素ガス(O2 )として抜き出し、一部を精
溜筒上部に設けられた凝縮器で液化して精溜筒内を下降
する環流液とし、精溜筒最下部に少なくとも希ガス濃度
95%以上の粗精製液23(以後粗Krと称する)を得
る。
2を原料として抜き出し、空気分離用精溜筒1とは別の
希ガス濃縮用精溜筒(濃縮精溜筒)2に導入し、液化酸
素22中に含まれるKr、Xeを2、000〜10、0
00倍に濃縮する。濃縮精溜筒2では原料のほとんどを
筒頂部から酸素ガス(O2 )として抜き出し、一部を精
溜筒上部に設けられた凝縮器で液化して精溜筒内を下降
する環流液とし、精溜筒最下部に少なくとも希ガス濃度
95%以上の粗精製液23(以後粗Krと称する)を得
る。
【0005】大気中にKrと同様に1ppmの濃度で存
在するメタンは、沸点が酸素と希ガスの間にあり、濃縮
の過程で粗Kr中に濃縮してくる。そこでこの液化粗K
rを第1のメタン除去装置3を通過させてメタンを除去
し、図中に示さない熱交換器で液化した後に粗Kr貯槽
4に貯蔵していく。第1のメタン除去装置3は液化粗K
rを一旦気化した後に触媒下においてメタンを燃焼さ
せ、しかる後に発生するCO2 とH2 Oを吸着剤で除去
する。
在するメタンは、沸点が酸素と希ガスの間にあり、濃縮
の過程で粗Kr中に濃縮してくる。そこでこの液化粗K
rを第1のメタン除去装置3を通過させてメタンを除去
し、図中に示さない熱交換器で液化した後に粗Kr貯槽
4に貯蔵していく。第1のメタン除去装置3は液化粗K
rを一旦気化した後に触媒下においてメタンを燃焼さ
せ、しかる後に発生するCO2 とH2 Oを吸着剤で除去
する。
【0006】粗Kr貯槽4に貯蔵された粗Kr中には、
まだ不純物として酸素、メタン等が残留する。そこでま
ず第2のメタン除去装置5によってメタンを取り除く。
次に、酸素除去装置6によってさらに酸素を取り除く。
酸素除去装置6は、水素(H2 )28を添加して触媒下
においてO2 と反応させ、生成したH2 Oを吸着する触
媒燃焼方式、又は金属ゲッタ等の反応吸着原理を用い
る。
まだ不純物として酸素、メタン等が残留する。そこでま
ず第2のメタン除去装置5によってメタンを取り除く。
次に、酸素除去装置6によってさらに酸素を取り除く。
酸素除去装置6は、水素(H2 )28を添加して触媒下
においてO2 と反応させ、生成したH2 Oを吸着する触
媒燃焼方式、又は金属ゲッタ等の反応吸着原理を用い
る。
【0007】その後、粗Kr29を希ガス分離精溜筒7
に導入して精溜し、製品Kr、Xeガスを分離し、これ
までの工程でも除去できなかった低沸点の不純ガス30
を筒頂から系外に排出している。しかし、濃縮精溜筒2
で濃縮され、粗Kr貯槽4に貯蔵する粗Kr量は極めて
少ないため、図3に示す工程を常時運転する連続工程と
すると、第2のメタン除去装置5と酸素除去装置6のよ
うな触媒反応装置の反応効率、分離精溜筒7の精溜効率
が上がらず歩留りが低いので、一旦ガスを粗Kr貯槽4
に溜める必要がある。すなわち、図1中の第2のメタン
除去装置5以降のプロセスは、粗Kr貯槽4に粗Krが
溜るごとに運転されるバッチプロセスである。
に導入して精溜し、製品Kr、Xeガスを分離し、これ
までの工程でも除去できなかった低沸点の不純ガス30
を筒頂から系外に排出している。しかし、濃縮精溜筒2
で濃縮され、粗Kr貯槽4に貯蔵する粗Kr量は極めて
少ないため、図3に示す工程を常時運転する連続工程と
すると、第2のメタン除去装置5と酸素除去装置6のよ
うな触媒反応装置の反応効率、分離精溜筒7の精溜効率
が上がらず歩留りが低いので、一旦ガスを粗Kr貯槽4
に溜める必要がある。すなわち、図1中の第2のメタン
除去装置5以降のプロセスは、粗Kr貯槽4に粗Krが
溜るごとに運転されるバッチプロセスである。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上記希ガス分離精溜筒
7では、先ず酸素除去装置6までの精製工程を経由した
KrとXeの混合液(粗Kr)を1バッチ全量導入す
る。これを精溜すると、KrとXeではKrの方が沸点
が低いので、分離精溜筒7の筒頂部に今までの精製で除
去できなかった低沸点成分を含むKrガスが溜り、筒下
部にXeを含む液化Krが溜る。そこでまず筒頂部から
不純物を含むKrを不純ガス30として排出し、不純物
濃度が規定値以下に低下したら、排出をやめ、製品Kr
として抜き出す。
7では、先ず酸素除去装置6までの精製工程を経由した
KrとXeの混合液(粗Kr)を1バッチ全量導入す
る。これを精溜すると、KrとXeではKrの方が沸点
が低いので、分離精溜筒7の筒頂部に今までの精製で除
去できなかった低沸点成分を含むKrガスが溜り、筒下
部にXeを含む液化Krが溜る。そこでまず筒頂部から
不純物を含むKrを不純ガス30として排出し、不純物
濃度が規定値以下に低下したら、排出をやめ、製品Kr
として抜き出す。
【0009】Krを製品ガスとして抜き出していき、分
離精溜筒7の筒下部の液量が減ってくると、混合液のX
e組成比が徐々に上がり、液温が徐々に上昇してくる。
最終的に筒下部にXeのみが溜るようになると、筒頂部
の製品KrにXeが混じってくるので、製品Krへの充
填ラインを遮断し、再びこの混合ガスをKr濃度が充分
下がるまで系外に排出する。筒内のKr濃度が規定値以
下になったら、筒下部に残った残滓を製品Xeとして抜
き出す。
離精溜筒7の筒下部の液量が減ってくると、混合液のX
e組成比が徐々に上がり、液温が徐々に上昇してくる。
最終的に筒下部にXeのみが溜るようになると、筒頂部
の製品KrにXeが混じってくるので、製品Krへの充
填ラインを遮断し、再びこの混合ガスをKr濃度が充分
下がるまで系外に排出する。筒内のKr濃度が規定値以
下になったら、筒下部に残った残滓を製品Xeとして抜
き出す。
【0010】このとき、製品純度を保つために排出する
不純ガス30はそのままで製品とならないが、貴重な希
ガスを少なくとも90%含んだガスである。不純ガス3
0の成分は分離精溜筒の設計により異なるが例えば、水
素:1〜10%、メタン:10〜100ppm、窒素:
5〜200ppm、酸素:5〜500ppmなどの成分
構成となり、残りは希ガスである。この不純ガス30を
大気へ放出するのは希ガスの収率低下の原因となってい
る。その対応策としては、分離精溜筒7の精溜段数を増
加して精溜効果を上げ、不純ガス30の絶対量を減らす
ことが考えられるが、この手段では精溜筒7が大きくな
って設備コストが増大する等の問題点があった。また、
第2のメタン除去装置5及び酸素除去装置6の除去能力
を強化することにより不純物の通過を抑える設計をする
と、大きな除去装置を取り付けなくてはならなくなり、
同様に設備コストが増大する。
不純ガス30はそのままで製品とならないが、貴重な希
ガスを少なくとも90%含んだガスである。不純ガス3
0の成分は分離精溜筒の設計により異なるが例えば、水
素:1〜10%、メタン:10〜100ppm、窒素:
5〜200ppm、酸素:5〜500ppmなどの成分
構成となり、残りは希ガスである。この不純ガス30を
大気へ放出するのは希ガスの収率低下の原因となってい
る。その対応策としては、分離精溜筒7の精溜段数を増
加して精溜効果を上げ、不純ガス30の絶対量を減らす
ことが考えられるが、この手段では精溜筒7が大きくな
って設備コストが増大する等の問題点があった。また、
第2のメタン除去装置5及び酸素除去装置6の除去能力
を強化することにより不純物の通過を抑える設計をする
と、大きな除去装置を取り付けなくてはならなくなり、
同様に設備コストが増大する。
【0011】本発明は、前記の問題点を解決するため
に、従来、大気に放散していた不純ガスを回収処理する
方法を提供することを目的とする。
に、従来、大気に放散していた不純ガスを回収処理する
方法を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記問題点を
解決するために、提案されたもので次の技術手段から構
成される。すなわち、本発明の第1の発明は、空気の深
冷分離装置の副生液化酸素からメタン及び酸素を除去し
た後、Kr、Xeを精溜分離するに当り、KrとXe分
離精溜筒から系外に排出される低沸点成分を含む不純ガ
スをタンクに回収し、該回収不純ガスを、水素及び窒素
除去工程を経て前記メタン除去工程へ戻すことを特徴と
する希ガスの精製方法である。
解決するために、提案されたもので次の技術手段から構
成される。すなわち、本発明の第1の発明は、空気の深
冷分離装置の副生液化酸素からメタン及び酸素を除去し
た後、Kr、Xeを精溜分離するに当り、KrとXe分
離精溜筒から系外に排出される低沸点成分を含む不純ガ
スをタンクに回収し、該回収不純ガスを、水素及び窒素
除去工程を経て前記メタン除去工程へ戻すことを特徴と
する希ガスの精製方法である。
【0013】また本発明の第2の発明は、空気の深冷分
離装置の副生液化酸素からメタン及び酸素を除去した
後、Kr、Xeを精溜分離するに当り、KrとXe分離
精溜筒から系外に排出される低沸点成分を含む不純ガス
をタンクに回収し、希ガスプラントの次回運転時に、該
回収不純ガスを触媒燃焼し、窒素およびメタンを吸着除
去した後、酸素除去工程へ戻すことを特徴とする希ガス
の精製方法である。この場合、前記回収不純ガスを、触
媒燃焼に代り、常温精製して窒素およびメタンを除去し
た後、酸素除去工程へ戻すこととしてもよく、常温精製
は金属ゲッタによってもよい。
離装置の副生液化酸素からメタン及び酸素を除去した
後、Kr、Xeを精溜分離するに当り、KrとXe分離
精溜筒から系外に排出される低沸点成分を含む不純ガス
をタンクに回収し、希ガスプラントの次回運転時に、該
回収不純ガスを触媒燃焼し、窒素およびメタンを吸着除
去した後、酸素除去工程へ戻すことを特徴とする希ガス
の精製方法である。この場合、前記回収不純ガスを、触
媒燃焼に代り、常温精製して窒素およびメタンを除去し
た後、酸素除去工程へ戻すこととしてもよく、常温精製
は金属ゲッタによってもよい。
【0014】
【作用】本発明は、 (a)希ガス粗精製装置で粗精製された希ガスを一時貯
蔵する粗Kr貯槽 (b)粗Kr貯槽に残留するメタンを除去するメタン除
去装置 (c)第2のメタン除去装置後に残る酸素を除去する酸
素除去装置 (d)KrとXeの混合液を精溜筒で精溜し製品Kr、
Xeガスを分離する分離精溜筒 の構成をもつ希ガスプラントのバッチプロセスにおい
て、分離精溜筒より発生する不純ガスをタンクに一旦貯
蔵し、不純ガス流量を調整する調整弁で調整しながら不
純ガス中の水素と窒素を除去し、このガスをメタン除去
装置の前に戻すようにしたこと、又は、タンク内不純物
のうちメタンと窒素を除去する装置を設け、酸素除去装
置の前に戻すようにしたことによって、不純ガスを有効
に利用し、希ガスの回収歩留を向上させるものである。
蔵する粗Kr貯槽 (b)粗Kr貯槽に残留するメタンを除去するメタン除
去装置 (c)第2のメタン除去装置後に残る酸素を除去する酸
素除去装置 (d)KrとXeの混合液を精溜筒で精溜し製品Kr、
Xeガスを分離する分離精溜筒 の構成をもつ希ガスプラントのバッチプロセスにおい
て、分離精溜筒より発生する不純ガスをタンクに一旦貯
蔵し、不純ガス流量を調整する調整弁で調整しながら不
純ガス中の水素と窒素を除去し、このガスをメタン除去
装置の前に戻すようにしたこと、又は、タンク内不純物
のうちメタンと窒素を除去する装置を設け、酸素除去装
置の前に戻すようにしたことによって、不純ガスを有効
に利用し、希ガスの回収歩留を向上させるものである。
【0015】本発明の第1の発明では、図1に示すよう
に、分離精溜筒7内へ導入するガスに残留した水素、窒
素、メタンなどの、希ガスよりも低沸点の不純物を除去
するために、分離精溜筒7より系外に排出す不純ガス3
0を一旦貯蔵するタンク8を設け、この不純ガスの流量
を調整弁(流量調節機構)9によって調整し、これに流
量調節機構12を介して酸素を加え、この酸素を加えた
不純ガス35から水素を除去する水素除去装置10に送
入して水素を除去し、水素除去後のガス36を窒素除去
装置11に導入して窒素を除去する。そしてこれらの処
理を経たガス37を、メタン除去装置5の前に戻すよう
にした。
に、分離精溜筒7内へ導入するガスに残留した水素、窒
素、メタンなどの、希ガスよりも低沸点の不純物を除去
するために、分離精溜筒7より系外に排出す不純ガス3
0を一旦貯蔵するタンク8を設け、この不純ガスの流量
を調整弁(流量調節機構)9によって調整し、これに流
量調節機構12を介して酸素を加え、この酸素を加えた
不純ガス35から水素を除去する水素除去装置10に送
入して水素を除去し、水素除去後のガス36を窒素除去
装置11に導入して窒素を除去する。そしてこれらの処
理を経たガス37を、メタン除去装置5の前に戻すよう
にした。
【0016】また本発明の第2の発明では、図2に示す
ように、タンク8内の不純ガスの中のメタン除去装置1
4と窒素除去装置11とを設け、これらの処理を経たガ
ス39を酸素除去装置6の前に戻すようにした。タンク
8の後の位置に設定される上記水素除去装置11、窒素
除去装置12、メタン除去装置14は、水素、窒素、メ
タン等の不純物の濃縮を防ぐためのものであり、必ずし
も不純物全てを取り除くことが目的ではないので、除去
装置の能力を過大に設定しなくてもよい。また、除去手
段もメタン除去装置5及び酸素除去装置6と同じ原理の
触媒燃焼反応を用いたり、金属ゲッタなどによる吸着除
去手段を利用することができるほか、膜分離法、分離ガ
スの比重を利用するなどの物理的手段でもよい。
ように、タンク8内の不純ガスの中のメタン除去装置1
4と窒素除去装置11とを設け、これらの処理を経たガ
ス39を酸素除去装置6の前に戻すようにした。タンク
8の後の位置に設定される上記水素除去装置11、窒素
除去装置12、メタン除去装置14は、水素、窒素、メ
タン等の不純物の濃縮を防ぐためのものであり、必ずし
も不純物全てを取り除くことが目的ではないので、除去
装置の能力を過大に設定しなくてもよい。また、除去手
段もメタン除去装置5及び酸素除去装置6と同じ原理の
触媒燃焼反応を用いたり、金属ゲッタなどによる吸着除
去手段を利用することができるほか、膜分離法、分離ガ
スの比重を利用するなどの物理的手段でもよい。
【0017】以上の作用により、メタン除去装置5およ
び酸素除去装置6への悪影響を防ぐために従来捨ててい
た、製品純度にいたらないKrガスや、Krを抜き出し
た後Xe純度アップのために捨てていたKrとXeの混
合ガスを、有効に利用し希ガスの収率の低下を抑えるこ
とができる。また、メタン除去装置5、酸素除去装置6
及び分離精溜筒7の除去能力や分離能力を過大に設計し
なくてもよくなり、設備コストの増大を防ぐことができ
る。
び酸素除去装置6への悪影響を防ぐために従来捨ててい
た、製品純度にいたらないKrガスや、Krを抜き出し
た後Xe純度アップのために捨てていたKrとXeの混
合ガスを、有効に利用し希ガスの収率の低下を抑えるこ
とができる。また、メタン除去装置5、酸素除去装置6
及び分離精溜筒7の除去能力や分離能力を過大に設計し
なくてもよくなり、設備コストの増大を防ぐことができ
る。
【0018】
〔実施例1〕以下、本発明を図に示す実施例に基づいて
更に詳細に説明する。図1は、本発明を適用した希ガス
プラントのバッチプロセス部分の構成図で、本発明に関
係のない装置は省略している。希ガスプラントは、前述
したように原料空気を精溜筒で精溜を行って分離し、酸
素、窒素ガスを生産する空気処理量130、000Nm
3 /Hの酸素プラントに併設されており、酸素プラント
で副生する液化酸素を原料として使用する。
更に詳細に説明する。図1は、本発明を適用した希ガス
プラントのバッチプロセス部分の構成図で、本発明に関
係のない装置は省略している。希ガスプラントは、前述
したように原料空気を精溜筒で精溜を行って分離し、酸
素、窒素ガスを生産する空気処理量130、000Nm
3 /Hの酸素プラントに併設されており、酸素プラント
で副生する液化酸素を原料として使用する。
【0019】また、液化酸素中に含まれるKr、Xeを
精溜により濃縮するとともにメタンを触媒燃焼により除
去する希ガス粗精製プロセスを有しており、粗精製した
液化粗Krを粗Kr貯槽4に貯蔵していく。粗Kr貯槽
4以降の希ガスプラントのバッチプロセス部分の構成と
して以下の各項の装置が設けられている。 (イ)粗精製された希ガスを一時貯蔵する貯蔵容量60
Nm3 の粗Kr貯槽4 (ロ)粗Kr中に残留するメタンを触媒を用いて燃焼
し、生成したCO2 及びH2 Oを吸着除去する処理容量
10Nm3 /Hのメタン除去装置5 (ハ)O2 をH2 と反応させ、できたH2 Oを吸着する
触媒燃焼方式を用いて酸素を除去する処理容量10Nm
3 /Hの酸素除去装置6 (ニ)メタン除去装置5および酸素除去装置6で精製さ
れた純粋なKrとXeの混合液を分離精溜筒7で精溜
し、製品Kr、Xeガスとここまでの工程で除去できな
かった不純ガス30とに分離するための、処理容量60
Nm3 の分離精溜筒7 そして本実施例では、以下の(ホ)〜(ヌ)の各項の装
置を追加して、分離精溜筒7から排出した不純ガス30
から水素と窒素を除去し、メタン除去装置5の前に戻す
ようにしている。
精溜により濃縮するとともにメタンを触媒燃焼により除
去する希ガス粗精製プロセスを有しており、粗精製した
液化粗Krを粗Kr貯槽4に貯蔵していく。粗Kr貯槽
4以降の希ガスプラントのバッチプロセス部分の構成と
して以下の各項の装置が設けられている。 (イ)粗精製された希ガスを一時貯蔵する貯蔵容量60
Nm3 の粗Kr貯槽4 (ロ)粗Kr中に残留するメタンを触媒を用いて燃焼
し、生成したCO2 及びH2 Oを吸着除去する処理容量
10Nm3 /Hのメタン除去装置5 (ハ)O2 をH2 と反応させ、できたH2 Oを吸着する
触媒燃焼方式を用いて酸素を除去する処理容量10Nm
3 /Hの酸素除去装置6 (ニ)メタン除去装置5および酸素除去装置6で精製さ
れた純粋なKrとXeの混合液を分離精溜筒7で精溜
し、製品Kr、Xeガスとここまでの工程で除去できな
かった不純ガス30とに分離するための、処理容量60
Nm3 の分離精溜筒7 そして本実施例では、以下の(ホ)〜(ヌ)の各項の装
置を追加して、分離精溜筒7から排出した不純ガス30
から水素と窒素を除去し、メタン除去装置5の前に戻す
ようにしている。
【0020】(ホ)不純ガスを一旦貯蔵するための容量
6Nm3 のタンク8 (ヘ)不純ガス流量を調整する調整弁9 (ト)タンク8内の不純ガス中の水素を酸素過剰下で燃
焼させ、精製したH2Oを除去する処理容量1.5Nm3
/Hの水素除去装置10 (チ)不純ガスから窒素を吸着法により除去する処理容
量1.5Nm3 /Hの窒素除去装置11 (リ)タンク8内の酸素、水素濃度を計測し、製品プロ
セスの一部から酸素を含んだ粗Krガスを一部分岐させ
て供給する流量調節機構12 (ヌ)流量調節機構12を制御するプロセス調節計13 以上の装置において、図1中のタンク8の容量は、分離
精溜筒7から排出される不純ガス30の流量が多くとも
製品ガスの1/10以下であるから、これを貯蔵できる
だけの容量とする。また、製品純度汚染が生じたときな
どに使用する緊急用として、このタンクに他系からの配
管を接続できるようにしておくと、製品純度の汚染防止
用タンクに兼用することができ、有効利用することもで
きる。
6Nm3 のタンク8 (ヘ)不純ガス流量を調整する調整弁9 (ト)タンク8内の不純ガス中の水素を酸素過剰下で燃
焼させ、精製したH2Oを除去する処理容量1.5Nm3
/Hの水素除去装置10 (チ)不純ガスから窒素を吸着法により除去する処理容
量1.5Nm3 /Hの窒素除去装置11 (リ)タンク8内の酸素、水素濃度を計測し、製品プロ
セスの一部から酸素を含んだ粗Krガスを一部分岐させ
て供給する流量調節機構12 (ヌ)流量調節機構12を制御するプロセス調節計13 以上の装置において、図1中のタンク8の容量は、分離
精溜筒7から排出される不純ガス30の流量が多くとも
製品ガスの1/10以下であるから、これを貯蔵できる
だけの容量とする。また、製品純度汚染が生じたときな
どに使用する緊急用として、このタンクに他系からの配
管を接続できるようにしておくと、製品純度の汚染防止
用タンクに兼用することができ、有効利用することもで
きる。
【0021】タンク8に貯えられた不純ガス30は、次
バッチ時に処理されてメタン除去装置5へ戻されるが、
水素除去装置10、窒素除去装置11の処理能力は、タ
ンク8中のガスを粗Krガスの処理時間と同じ時間で処
理できればよいので、この流量に見合った大きさでよ
い。水素除去装置10、窒素除去装置11等の不純物除
去装置の運転方法としては、タンク8内の酸素、水素濃
度を計測し、水素を反応させるための酸素量が不足して
いるときは酸素を外部から供給する必要がある。本実施
例ではこの酸素を粗Krガスに求め、流量調整機構12
とプロセス調節計13によって調節することにした。こ
の供給ガスを上記粗Krガスに代り純酸素とすることも
もちろんできる。
バッチ時に処理されてメタン除去装置5へ戻されるが、
水素除去装置10、窒素除去装置11の処理能力は、タ
ンク8中のガスを粗Krガスの処理時間と同じ時間で処
理できればよいので、この流量に見合った大きさでよ
い。水素除去装置10、窒素除去装置11等の不純物除
去装置の運転方法としては、タンク8内の酸素、水素濃
度を計測し、水素を反応させるための酸素量が不足して
いるときは酸素を外部から供給する必要がある。本実施
例ではこの酸素を粗Krガスに求め、流量調整機構12
とプロセス調節計13によって調節することにした。こ
の供給ガスを上記粗Krガスに代り純酸素とすることも
もちろんできる。
【0022】図1中のC〜F点でガスをサンプルして分
析すると、表1に示すように、メタン除去装置5での処
理に支障のない良好なガス(F点)が得られる。これを
粗Kr貯槽4からのガス26に加算することにより、従
来に比べて製品収率は10%増加した。さらに、分離精
溜筒7の精溜段数を増加して精溜効果を上げ、不純ガス
30の絶対量を減らしたり、メタン除去装置5及び酸素
除去装置6の除去能力を強化することにより不純物の通
過を抑える方法に比べ、収率の低下、設備コストの増大
を抑止することができた。
析すると、表1に示すように、メタン除去装置5での処
理に支障のない良好なガス(F点)が得られる。これを
粗Kr貯槽4からのガス26に加算することにより、従
来に比べて製品収率は10%増加した。さらに、分離精
溜筒7の精溜段数を増加して精溜効果を上げ、不純ガス
30の絶対量を減らしたり、メタン除去装置5及び酸素
除去装置6の除去能力を強化することにより不純物の通
過を抑える方法に比べ、収率の低下、設備コストの増大
を抑止することができた。
【0023】また、水素除去装置10は、本実施例では
前述の酸素除去装置6と同じものを用いたが、水素と希
ガスの比重差を利用したり、膜分離方式を用いるなどの
物理的方法でも効果を上げることができる。また、この
ガスを図3に示す濃縮精溜筒2へ戻すこともできる。 〔実施例2〕本発明を適用した別の例として、以下の各
項の装置を追加して分離精溜筒7から排出した不純ガス
30からメタンと窒素を除去し、酸素除去装置6の前に
戻すようにした実施例を図2に示す。この実施例では、
希ガスプラントのバッチプロセス部分の分離精溜筒7以
降に次の(イ)〜(ヘ)の各項の装置が設けられてい
る。
前述の酸素除去装置6と同じものを用いたが、水素と希
ガスの比重差を利用したり、膜分離方式を用いるなどの
物理的方法でも効果を上げることができる。また、この
ガスを図3に示す濃縮精溜筒2へ戻すこともできる。 〔実施例2〕本発明を適用した別の例として、以下の各
項の装置を追加して分離精溜筒7から排出した不純ガス
30からメタンと窒素を除去し、酸素除去装置6の前に
戻すようにした実施例を図2に示す。この実施例では、
希ガスプラントのバッチプロセス部分の分離精溜筒7以
降に次の(イ)〜(ヘ)の各項の装置が設けられてい
る。
【0024】(イ)不純ガス30を分離精溜筒7から系
外に抜き出して一旦貯蔵するための容量6Nm3 のタン
ク8 (ロ)不純ガス流量を調整する調整弁9 (ハ)タンク8内の不純ガス中のメタンを酸素過剰下で
燃焼させ、生成したH 2 OとCO2 を除去する処理容量
0.5Nm3 /Hのメタン除去装置14 (ニ)不純ガスから窒素を吸着により除去する処理容量
0.5Nm3 /Hの窒素除去装置11 (ホ)タンク8内の酸素、メタン濃度を計測し、製品プ
ロセスの一部から酸素を含んだ粗Krガスを一部分岐さ
せて供給する流量調節機構12 (ヘ)流量調節機構12を制御するプロセス調節計13 この実施例の場合は、水素以外の不純物を除去、あるい
は薄めることができるので、図2示すように処理後のガ
ス39は、酸素除去装置6の前に戻すことができる。
外に抜き出して一旦貯蔵するための容量6Nm3 のタン
ク8 (ロ)不純ガス流量を調整する調整弁9 (ハ)タンク8内の不純ガス中のメタンを酸素過剰下で
燃焼させ、生成したH 2 OとCO2 を除去する処理容量
0.5Nm3 /Hのメタン除去装置14 (ニ)不純ガスから窒素を吸着により除去する処理容量
0.5Nm3 /Hの窒素除去装置11 (ホ)タンク8内の酸素、メタン濃度を計測し、製品プ
ロセスの一部から酸素を含んだ粗Krガスを一部分岐さ
せて供給する流量調節機構12 (ヘ)流量調節機構12を制御するプロセス調節計13 この実施例の場合は、水素以外の不純物を除去、あるい
は薄めることができるので、図2示すように処理後のガ
ス39は、酸素除去装置6の前に戻すことができる。
【0025】図2に示す実施例のシステムの図2中に示
すC〜E、G点でガスをサンプルして分析すると、表2
に示すように、酸素除去装置6での処理に支障のない良
好なガス39(G点)が得られる。これをメタン除去装
置5からのガス27に加算することにより、実施例1と
同様の効果を上げることができる。
すC〜E、G点でガスをサンプルして分析すると、表2
に示すように、酸素除去装置6での処理に支障のない良
好なガス39(G点)が得られる。これをメタン除去装
置5からのガス27に加算することにより、実施例1と
同様の効果を上げることができる。
【0026】
【表1】
【0027】
【表2】
【0028】
【発明の効果】本発明では、以上説明したように、希ガ
スよりも低沸点の不純ガスを系外に抜き出した後に、一
旦貯蔵するためのタンクと、不純ガス流量を調整する調
整弁と、タンク内不純物のうち水素と窒素を除去する装
置を設けて、従来からあるメタン除去装置の前に戻すよ
うにした。または、タンク内の不純物のうちメタンと窒
素を除去する装置を設け、酸素除去装置の前に戻すよう
にした。
スよりも低沸点の不純ガスを系外に抜き出した後に、一
旦貯蔵するためのタンクと、不純ガス流量を調整する調
整弁と、タンク内不純物のうち水素と窒素を除去する装
置を設けて、従来からあるメタン除去装置の前に戻すよ
うにした。または、タンク内の不純物のうちメタンと窒
素を除去する装置を設け、酸素除去装置の前に戻すよう
にした。
【0029】これにより、希ガス精製装置の分離精溜筒
で発生する従来捨てていた不純ガスを従来からあるメタ
ン除去装置及び酸素除去装置へ戻したときの製品純度の
低下、除去装置の劣化・能力低下を来すことなく、再循
環して希ガスの収量を増やすことができる。また、不純
ガス量を減らすために従来からあるメタン除去装置、酸
素除去装置及び分離精溜筒を過大に設計する必要がなく
なり、設備費の節減を図ることができる。
で発生する従来捨てていた不純ガスを従来からあるメタ
ン除去装置及び酸素除去装置へ戻したときの製品純度の
低下、除去装置の劣化・能力低下を来すことなく、再循
環して希ガスの収量を増やすことができる。また、不純
ガス量を減らすために従来からあるメタン除去装置、酸
素除去装置及び分離精溜筒を過大に設計する必要がなく
なり、設備費の節減を図ることができる。
【0030】さらに、本発明の不純ガスを再循環するプ
ロセスを設けることにより、操作ミス等による不純ガス
を貯蔵して別に処理することも可能となり、製品の純度
汚染などが生じた時にも対応することができ、より柔軟
な処理を行うことが可能になるという効果もある。
ロセスを設けることにより、操作ミス等による不純ガス
を貯蔵して別に処理することも可能となり、製品の純度
汚染などが生じた時にも対応することができ、より柔軟
な処理を行うことが可能になるという効果もある。
【図1】実施例の希ガス精製フロー図である。
【図2】実施例の希ガス精製フロー図である。
【図3】希ガスプラントの概略図である。
1 空気分離用精溜筒 2 濃縮精溜筒 3 メタン除去装置 4 粗Kr貯槽 5 メタン除去装置 6 酸素除去装置 7 分離精溜筒 8 タンク 9 流量調節機構(調整弁) 10 水素除去装置 11 窒素除去装置 12 流量調節機構 13 プロセス調節計 14 メタン除去装置
Claims (4)
- 【請求項1】 空気の深冷分離装置の副生液化酸素から
メタン及び酸素を除去した後、Kr、Xeを精溜分離す
るに当り、KrとXe分離精溜筒から系外に排出される
低沸点成分を含む不純ガスをタンクに回収し、該回収不
純ガスを、水素及び窒素除去工程を経て前記メタン除去
工程へ戻すことを特徴とする希ガスの精製方法。 - 【請求項2】 空気の深冷分離装置の副生液化酸素から
メタン及び酸素を除去した後、Kr、Xeを精溜分離す
るに当り、KrとXe分離精溜筒から系外に排出される
低沸点成分を含む不純ガスをタンクに回収し、希ガスプ
ラントの次回運転時に、該回収不純ガスを触媒燃焼し、
窒素およびメタンを吸着除去した後、酸素除去工程へ戻
すことを特徴とする希ガスの精製方法。 - 【請求項3】 前記回収不純ガスを、触媒燃焼に代り、
常温精製して窒素およびメタンを除去した後、酸素除去
工程へ戻すことを特徴とした請求項2記載の希ガスの精
製方法。 - 【請求項4】 常温精製は金属ゲッタによることを特徴
とした請求項3記載の希ガスの精製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6063359A JP2981396B2 (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 希ガスの精製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6063359A JP2981396B2 (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 希ガスの精製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07270067A true JPH07270067A (ja) | 1995-10-20 |
| JP2981396B2 JP2981396B2 (ja) | 1999-11-22 |
Family
ID=13226992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6063359A Expired - Fee Related JP2981396B2 (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 希ガスの精製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2981396B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6735980B2 (en) * | 2002-01-04 | 2004-05-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Recovery of krypton and xenon |
| JP2007045702A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Linde Ag | クリプトン及び/又はキセノンの製造方法及び装置 |
| CN112973165A (zh) * | 2019-12-02 | 2021-06-18 | 青岛海湾精细化工有限公司 | 一种乙酰乙酰芳胺醇法母液的精馏回收装置及方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5184316B2 (ja) * | 2008-11-27 | 2013-04-17 | 大陽日酸株式会社 | キセノン精留装置 |
-
1994
- 1994-03-31 JP JP6063359A patent/JP2981396B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6735980B2 (en) * | 2002-01-04 | 2004-05-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Recovery of krypton and xenon |
| JP2007045702A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Linde Ag | クリプトン及び/又はキセノンの製造方法及び装置 |
| CN112973165A (zh) * | 2019-12-02 | 2021-06-18 | 青岛海湾精细化工有限公司 | 一种乙酰乙酰芳胺醇法母液的精馏回收装置及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2981396B2 (ja) | 1999-11-22 |
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|---|---|---|---|
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