JPH07273053A - 処理装置及びアルミ系部材のコーティング方法 - Google Patents
処理装置及びアルミ系部材のコーティング方法Info
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- JPH07273053A JPH07273053A JP8557394A JP8557394A JPH07273053A JP H07273053 A JPH07273053 A JP H07273053A JP 8557394 A JP8557394 A JP 8557394A JP 8557394 A JP8557394 A JP 8557394A JP H07273053 A JPH07273053 A JP H07273053A
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- processing
- chamber
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハなどの被処理体を処理する処理
装置において、ＣｌＦ3、ＮＦ3などのハロゲン系のクリ
ーニングガスに曝されても、その表面が腐食しないよう
にする。 【構成】 ウエハＷに対して所定の処理を施す様に構成
された処理室２内の、載置台２１、静電チャック２７、
加熱装置２２の表面を、予めフッ素で置換したコーティ
ング処理を施し、表面にＡｌＦ3を形成させておく。 【効果】 ＡｌＦ3は極めて安定した物性を有し、Ｃｌ
Ｆ3、ＮＦ3などハロゲン系ガスに対して不動態となる。
その結果耐食性が向上し、腐食しない。
装置において、ＣｌＦ3、ＮＦ3などのハロゲン系のクリ
ーニングガスに曝されても、その表面が腐食しないよう
にする。 【構成】 ウエハＷに対して所定の処理を施す様に構成
された処理室２内の、載置台２１、静電チャック２７、
加熱装置２２の表面を、予めフッ素で置換したコーティ
ング処理を施し、表面にＡｌＦ3を形成させておく。 【効果】 ＡｌＦ3は極めて安定した物性を有し、Ｃｌ
Ｆ3、ＮＦ3などハロゲン系ガスに対して不動態となる。
その結果耐食性が向上し、腐食しない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、処理装置及び当該処理
装置に使用されるアルミ系部材のコーティング方法に関
するものである。
装置に使用されるアルミ系部材のコーティング方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体ウエハ（以下、「ウエハ」
という）表面に絶縁膜やシリコンの薄膜を形成するのに
用いられるＣＶＤ装置を例にとって説明すると、従来か
らこの種のＣＶＤ装置によれば、気密に構成された処理
室内にある載置台に、被処理体であるウエハを載置し、
さらにこの処理室内に所定の処理ガスを導入すると共
に、この処理室内を所定の減圧雰囲気、例えば１０-6Ｔ
ｏｒｒ程度まで真空引きして、前記ウエハに対して所定
の薄膜形成処理を行うように構成されている。
という）表面に絶縁膜やシリコンの薄膜を形成するのに
用いられるＣＶＤ装置を例にとって説明すると、従来か
らこの種のＣＶＤ装置によれば、気密に構成された処理
室内にある載置台に、被処理体であるウエハを載置し、
さらにこの処理室内に所定の処理ガスを導入すると共
に、この処理室内を所定の減圧雰囲気、例えば１０-6Ｔ
ｏｒｒ程度まで真空引きして、前記ウエハに対して所定
の薄膜形成処理を行うように構成されている。
【０００３】他方前記載置台の下面側には、例えば交流
電源からの電力の供給を受けて、前記載置台上のウエハ
を所定の温度にまで加熱するためのヒータなどの加熱装
置が設けられている場合もある。
電源からの電力の供給を受けて、前記載置台上のウエハ
を所定の温度にまで加熱するためのヒータなどの加熱装
置が設けられている場合もある。
【０００４】そして前記したＣＶＤ装置の処理室におけ
る前記載置台、処理室内壁等は、一般的にその表面がア
ルマイト処理されたアルミ系材料で構成されている。
る前記載置台、処理室内壁等は、一般的にその表面がア
ルマイト処理されたアルミ系材料で構成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで前記したよう
に、ＣＶＤ装置によって被処理体であるウエハに薄膜形
成処理を行っていると、前記した載置台、処理室内壁等
の表面にその都度反応生成物が付着していく。そして処
理室内は厳格な清浄雰囲気が必要であるから、一定回数
処理する毎に、処理室内にクリーニングガスを流入させ
てこれら反応生成物を除去することが行われているが、
この種のクリーニングガスについては、反応生成物の除
去に優れたＣｌＦ3、ＮＦ3ガスが注目されている。
に、ＣＶＤ装置によって被処理体であるウエハに薄膜形
成処理を行っていると、前記した載置台、処理室内壁等
の表面にその都度反応生成物が付着していく。そして処
理室内は厳格な清浄雰囲気が必要であるから、一定回数
処理する毎に、処理室内にクリーニングガスを流入させ
てこれら反応生成物を除去することが行われているが、
この種のクリーニングガスについては、反応生成物の除
去に優れたＣｌＦ3、ＮＦ3ガスが注目されている。
【０００６】しかしながら、これらＣｌＦ3、ＮＦ3ガス
は極めて反応性が強いため、処理室内壁や載置台自体を
もエッチングしてしまい、これらの耐用度を減殺させた
り、場合によっては処理に支障をきたすおそれがあっ
た。
は極めて反応性が強いため、処理室内壁や載置台自体を
もエッチングしてしまい、これらの耐用度を減殺させた
り、場合によっては処理に支障をきたすおそれがあっ
た。
【０００７】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、前記したＣｌＦ3、ＮＦ3ガスを流しても腐食しな
い、耐食性に優れた載置台、処理室内壁を有する処理装
置を提供して、前記問題の解決を図ることを目的とす
る。さらに本発明は、かかる処理装置に使用される部材
の耐食性を向上させる具体的な方法を提供することをも
その目的とするものである。
あり、前記したＣｌＦ3、ＮＦ3ガスを流しても腐食しな
い、耐食性に優れた載置台、処理室内壁を有する処理装
置を提供して、前記問題の解決を図ることを目的とす
る。さらに本発明は、かかる処理装置に使用される部材
の耐食性を向上させる具体的な方法を提供することをも
その目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、まず請求項１によれば、排気手段によって排気可能
な処理室を有し、前記処理室内に存する被処理体に対し
て所定の処理を施す如く構成された処理装置において、
前記処理室内の雰囲気と接するアルミ系部材の表面が、
予めフッ素で置換されてコーティングされていることを
特徴とする、処理装置が提供される。
め、まず請求項１によれば、排気手段によって排気可能
な処理室を有し、前記処理室内に存する被処理体に対し
て所定の処理を施す如く構成された処理装置において、
前記処理室内の雰囲気と接するアルミ系部材の表面が、
予めフッ素で置換されてコーティングされていることを
特徴とする、処理装置が提供される。
【０００９】請求項２によれば、排気手段によって排気
可能な処理室を有し、前記処理室内に存する被処理体に
対して所定の処理を施す如く構成された処理装置におい
て、部材表面の反応生成物を除去するためのクリーニン
グガスを供給した際に、当該クリーニングガスと接する
部位のアルミ系部材の表面が、予めフッ素で置換されて
コーティングされていることを特徴とする、処理装置が
提供される。
可能な処理室を有し、前記処理室内に存する被処理体に
対して所定の処理を施す如く構成された処理装置におい
て、部材表面の反応生成物を除去するためのクリーニン
グガスを供給した際に、当該クリーニングガスと接する
部位のアルミ系部材の表面が、予めフッ素で置換されて
コーティングされていることを特徴とする、処理装置が
提供される。
【００１０】請求項３によれば、前記処理室内に被処理
体を加熱する加熱手段を有し、当該加熱手段表面が、予
めフッ素で置換されてコーティングされていることを特
徴とする、処理装置が提供される。
体を加熱する加熱手段を有し、当該加熱手段表面が、予
めフッ素で置換されてコーティングされていることを特
徴とする、処理装置が提供される。
【００１１】請求項４では、前記処理室内に被処理体を
保持する被処理体保持機構を有し、当該被処理体保持機
構の表面が、予めフッ素で置換されてコーティングされ
ていることを特徴とする、処理装置が提供される。
保持する被処理体保持機構を有し、当該被処理体保持機
構の表面が、予めフッ素で置換されてコーティングされ
ていることを特徴とする、処理装置が提供される。
【００１２】また請求項５によれば、前記請求項１、
２、３又は４に記載される処理装置におけるアルミ系部
材を、予めコーティングするにあたり、その方法とし
て、対象とするアルミ系部材をチャンバ内に置き、さら
にこのチャンバ内を所定の温度に維持しつつ、さらにこ
のチャンバ内にフッ素系ガスを流入させることを特徴と
する、アルミ系部材のコーティング方法が提供される。
２、３又は４に記載される処理装置におけるアルミ系部
材を、予めコーティングするにあたり、その方法とし
て、対象とするアルミ系部材をチャンバ内に置き、さら
にこのチャンバ内を所定の温度に維持しつつ、さらにこ
のチャンバ内にフッ素系ガスを流入させることを特徴と
する、アルミ系部材のコーティング方法が提供される。
【００１３】かかるコーティング方法において、請求項
６に記載したように、前記チャンバを構成する壁体の内
側表面を、予めニッケルコーティングしてもよい。
６に記載したように、前記チャンバを構成する壁体の内
側表面を、予めニッケルコーティングしてもよい。
【００１４】
【作用】前記目的を達成するため、まず請求項１によれ
ば、アルミ系部材表面をフッ素で置換してコーティング
すると、その表面に例えばＣｌＦ3、ＮＦ3ガス等のハロ
ゲン系ガスに対する不動態である、ＡｌＦ3を形成する
ことが可能である。従って、処理ガスと同様にしてこれ
らハロゲン系のクリーニングガスを処理室内に流入させ
ても、処理室内雰囲気と接するアルミ系部材表面に、前
記不動態が形成されているから、これらアルミ系部材は
腐食することはない。なおかかる作用を鑑みると、処理
室内にある載置台や、処理室内壁のみならず、排気系の
流路を構成する管、その他排気系のポンプなどを構成す
るアルミ系部材表面も、同様にフッ素で置換してコーテ
ィングすればなお好ましい。
ば、アルミ系部材表面をフッ素で置換してコーティング
すると、その表面に例えばＣｌＦ3、ＮＦ3ガス等のハロ
ゲン系ガスに対する不動態である、ＡｌＦ3を形成する
ことが可能である。従って、処理ガスと同様にしてこれ
らハロゲン系のクリーニングガスを処理室内に流入させ
ても、処理室内雰囲気と接するアルミ系部材表面に、前
記不動態が形成されているから、これらアルミ系部材は
腐食することはない。なおかかる作用を鑑みると、処理
室内にある載置台や、処理室内壁のみならず、排気系の
流路を構成する管、その他排気系のポンプなどを構成す
るアルミ系部材表面も、同様にフッ素で置換してコーテ
ィングすればなお好ましい。
【００１５】請求項２によれば、処理装置における特定
部位、即ちクリーニングガスを供給した際に、当該クリ
ーニングガスと接する部位のアルミ系部材の表面が、前
記のように予めフッ素で置換されてコーティングされて
いるので、個別クリーニングの際に、当該被クリーニン
グ部位が腐食することはない。
部位、即ちクリーニングガスを供給した際に、当該クリ
ーニングガスと接する部位のアルミ系部材の表面が、前
記のように予めフッ素で置換されてコーティングされて
いるので、個別クリーニングの際に、当該被クリーニン
グ部位が腐食することはない。
【００１６】請求項３によれば、前記処理室内に使用さ
れる被処理体を加熱する加熱手段にもそのような耐食性
が備わる。この場合、前記したＡｌＦ3は、その融点が
１０４０゜Ｃであるから、かかるように加熱装置に使用
しても、溶融せず良好な状態を保ち、また処理室内を汚
染することはない。
れる被処理体を加熱する加熱手段にもそのような耐食性
が備わる。この場合、前記したＡｌＦ3は、その融点が
１０４０゜Ｃであるから、かかるように加熱装置に使用
しても、溶融せず良好な状態を保ち、また処理室内を汚
染することはない。
【００１７】請求項４によれば、前記処理室内に装備さ
れる静電チャックなどの被処理体保持機構についても、
前記したような耐食性が備わる。
れる静電チャックなどの被処理体保持機構についても、
前記したような耐食性が備わる。
【００１８】請求項５に記載したコーティング方法によ
れば、前記した処理装置におけるアルミ系部材のコーテ
ィングが好適になされる、またその際に使用するチャン
バの内側表面を、請求項６に記載したように、予めニッ
ケルコーティングしておくことにより、ハロゲン系ガ
ス、特にＨＦ、ＨＣｌガスに対する耐蝕性が得られるも
のである。
れば、前記した処理装置におけるアルミ系部材のコーテ
ィングが好適になされる、またその際に使用するチャン
バの内側表面を、請求項６に記載したように、予めニッ
ケルコーティングしておくことにより、ハロゲン系ガ
ス、特にＨＦ、ＨＣｌガスに対する耐蝕性が得られるも
のである。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例にかかるＣＶＤ装置に
基づいて説明すると、図１は本実施例にかかる枚葉式の
ＣＶＤ装置１の断面を模式的に示しており、このＣＶＤ
装置１は、所定の減圧雰囲気にまで真空引き自在な略円
筒状の処理室２を有している。
基づいて説明すると、図１は本実施例にかかる枚葉式の
ＣＶＤ装置１の断面を模式的に示しており、このＣＶＤ
装置１は、所定の減圧雰囲気にまで真空引き自在な略円
筒状の処理室２を有している。
【００２０】前記処理室２の上面には、略中空形状のシ
ャワーヘッド３が気密に設けられており、さらにこのシ
ャワーヘッド３の上部には、処理ガス導入管４が設けら
れている。そしてこのシャワーヘッド３の下面、即ち後
述の載置台２１との対向面には、吐出口５が多数設けら
れており、前記処理ガス導入管４から導入される処理ガ
ス、例えばＳｉＨ4（シラン）＋Ｈ2との混合ガスは、こ
のシャワーヘッド３の中空部から前記多数の吐出口５を
通じて、処理室２内の載置台２１に向けて均等に吐出さ
れるようになっている。
ャワーヘッド３が気密に設けられており、さらにこのシ
ャワーヘッド３の上部には、処理ガス導入管４が設けら
れている。そしてこのシャワーヘッド３の下面、即ち後
述の載置台２１との対向面には、吐出口５が多数設けら
れており、前記処理ガス導入管４から導入される処理ガ
ス、例えばＳｉＨ4（シラン）＋Ｈ2との混合ガスは、こ
のシャワーヘッド３の中空部から前記多数の吐出口５を
通じて、処理室２内の載置台２１に向けて均等に吐出さ
れるようになっている。
【００２１】他方前記処理室２の底部近傍には、真空ポ
ンプなどの排気手段６に通ずる排気管７が設けられ、当
該排気手段６の作動により、上記処理室２は、所定の減
圧雰囲気、例えば１０-6Ｔｏｒｒに設定、維持が可能な
ように構成されている。
ンプなどの排気手段６に通ずる排気管７が設けられ、当
該排気手段６の作動により、上記処理室２は、所定の減
圧雰囲気、例えば１０-6Ｔｏｒｒに設定、維持が可能な
ように構成されている。
【００２２】前記処理室２の底部は、略円筒状の支持体
８によって支持された底板９によって構成され、さらに
この底板９の内部には冷却水溜１０が設けられており、
冷却水パイプ１１によって供給される冷却水が、前記冷
却水溜１０内を循環するように構成されている。
８によって支持された底板９によって構成され、さらに
この底板９の内部には冷却水溜１０が設けられており、
冷却水パイプ１１によって供給される冷却水が、前記冷
却水溜１０内を循環するように構成されている。
【００２３】そして前出載置台２１は底板９の上面に加
熱装置２２を介して設けられ、さらにこれら加熱装置２
２及び載置台２１の周囲は、断熱壁１２によって囲まれ
ている。この断熱壁１２は、その表面が鏡面仕上げされ
て高い反射率を確保しており、後述の加熱装置２２及び
当該加熱装置２２によって加熱された載置台２１の側面
からの放射熱を反射し、周囲との断熱が図られるように
構成されている。
熱装置２２を介して設けられ、さらにこれら加熱装置２
２及び載置台２１の周囲は、断熱壁１２によって囲まれ
ている。この断熱壁１２は、その表面が鏡面仕上げされ
て高い反射率を確保しており、後述の加熱装置２２及び
当該加熱装置２２によって加熱された載置台２１の側面
からの放射熱を反射し、周囲との断熱が図られるように
構成されている。
【００２４】前記加熱装置２２は、図２に示したよう
に、絶縁体２２ａの中に略帯状の発熱体２２ｂを適宜の
間隔をもって略渦巻状に形成したり、あるいは所定のパ
ターンに形成するようにして構成されており、前出処理
室２外部に設置されている交流電源２３によって所定の
温度、例えば４００゜Ｃ〜２０００゜Ｃまで発熱させて
被処理体であるウエハＷを所定の温度、例えば８００゜
Ｃに維持することが可能である。
に、絶縁体２２ａの中に略帯状の発熱体２２ｂを適宜の
間隔をもって略渦巻状に形成したり、あるいは所定のパ
ターンに形成するようにして構成されており、前出処理
室２外部に設置されている交流電源２３によって所定の
温度、例えば４００゜Ｃ〜２０００゜Ｃまで発熱させて
被処理体であるウエハＷを所定の温度、例えば８００゜
Ｃに維持することが可能である。
【００２５】そして前記載置台２１の上面には、被処理
体であるウエハＷを吸着、保持するための静電チャック
２４が設けられている。この静電チャック２４は、図３
に示したように、半円形状の薄い電極板２５、２６の上
下を絶縁体２７で覆った構造を有し、図２に示したよう
に、前記処理室２外部に設置されている相互に極性の異
なった直流高圧電源２８、２９に各々独立して接続され
ており、いわゆる双極型の静電チャックの電極を構成し
ている。そして前記直流高圧電源２８、２９からこれら
電極板２５、２６に対して、例えば２ｋＶの直流電圧が
印加されると、その際に発生するクーロン力によって、
前記静電チャック２４の上面（載置面）に載置されたウ
エハＷを吸着、保持するように構成されている。
体であるウエハＷを吸着、保持するための静電チャック
２４が設けられている。この静電チャック２４は、図３
に示したように、半円形状の薄い電極板２５、２６の上
下を絶縁体２７で覆った構造を有し、図２に示したよう
に、前記処理室２外部に設置されている相互に極性の異
なった直流高圧電源２８、２９に各々独立して接続され
ており、いわゆる双極型の静電チャックの電極を構成し
ている。そして前記直流高圧電源２８、２９からこれら
電極板２５、２６に対して、例えば２ｋＶの直流電圧が
印加されると、その際に発生するクーロン力によって、
前記静電チャック２４の上面（載置面）に載置されたウ
エハＷを吸着、保持するように構成されている。
【００２６】以上のようにして構成された載置台２１に
は、さらに図１に示したように、その中心部に底板９、
上記断熱壁１２を貫通した伝熱媒体供給管３１、この伝
熱媒体供給管３１と通ずる流路３２が形成され、処理室
２外部から前記伝熱媒体供給管３１を通じて供給され
た、例えばＨｅガスなどの伝熱媒体が、静電チャック２
４の載置面に載置されたウエハＷの裏面に供給されるよ
うに構成されている。
は、さらに図１に示したように、その中心部に底板９、
上記断熱壁１２を貫通した伝熱媒体供給管３１、この伝
熱媒体供給管３１と通ずる流路３２が形成され、処理室
２外部から前記伝熱媒体供給管３１を通じて供給され
た、例えばＨｅガスなどの伝熱媒体が、静電チャック２
４の載置面に載置されたウエハＷの裏面に供給されるよ
うに構成されている。
【００２７】また前記載置台２１中には、温度センサ３
３の検知部３３ａが位置しており、載置台２１内部の温
度を逐次検出するように構成されている。そしてこの温
度センサ３３からの信号に基づいて、前出加熱装置２２
に給電する交流電源２３のパワー等が制御され、載置台
２１の載置面を所定温度に制御するように構成されてい
る。
３の検知部３３ａが位置しており、載置台２１内部の温
度を逐次検出するように構成されている。そしてこの温
度センサ３３からの信号に基づいて、前出加熱装置２２
に給電する交流電源２３のパワー等が制御され、載置台
２１の載置面を所定温度に制御するように構成されてい
る。
【００２８】前出断熱壁１２の側面外周と、底板９の側
面外周、及び前出支持体８の側面外周と、処理室２の側
壁２ａ内周とによって創出される略環状の空間内には、
前記載置台２１の載置面に載置されるウエハＷを、リフ
トアップ−リフトダウンさせるためのリフター４１が設
けられている。
面外周、及び前出支持体８の側面外周と、処理室２の側
壁２ａ内周とによって創出される略環状の空間内には、
前記載置台２１の載置面に載置されるウエハＷを、リフ
トアップ−リフトダウンさせるためのリフター４１が設
けられている。
【００２９】このリフター４１の上部は、前記ウエハＷ
の曲率に適合した一対の半環状の載置部材４２、４３及
び当該各載置部材４２、４３の下面に垂直に設けられて
いる支持柱４４、４５とによって構成され、ウエハＷ
は、これら各載置部材４２、４３の内周周縁部に設けら
れた適宜の係止部上に載置される。一方前記リフター４
１の下部構成は、図１に示したように、前記各支持柱４
４、４５の下端部が、前出断熱壁１２の側面外周等によ
って創出される前出略環状の空間内の底部を気密に閉塞
している環状の支持板４６を上下動自在に貫通して、モ
ータなどの昇降駆動機構（図示せず）に接続されてお
り、当該昇降駆動機構の作動によって、図１に示した往
復矢印のように上下動する如く構成されている。
の曲率に適合した一対の半環状の載置部材４２、４３及
び当該各載置部材４２、４３の下面に垂直に設けられて
いる支持柱４４、４５とによって構成され、ウエハＷ
は、これら各載置部材４２、４３の内周周縁部に設けら
れた適宜の係止部上に載置される。一方前記リフター４
１の下部構成は、図１に示したように、前記各支持柱４
４、４５の下端部が、前出断熱壁１２の側面外周等によ
って創出される前出略環状の空間内の底部を気密に閉塞
している環状の支持板４６を上下動自在に貫通して、モ
ータなどの昇降駆動機構（図示せず）に接続されてお
り、当該昇降駆動機構の作動によって、図１に示した往
復矢印のように上下動する如く構成されている。
【００３０】また処理室２内おける上記支持板４６と上
記支持柱４４、４５との貫通箇所には、夫々ベローズ４
７、４８が介在しており、これら各ベローズ４７、４８
によって、前記処理室２内の気密性は確保されている。
記支持柱４４、４５との貫通箇所には、夫々ベローズ４
７、４８が介在しており、これら各ベローズ４７、４８
によって、前記処理室２内の気密性は確保されている。
【００３１】以上のように構成されている処理室２の外
方には、ゲートバルブ５１を介して気密に構成されたロ
ードロック室５２が設けられており、その底部に設けら
れた排気管５３から真空引きされて、このこのロードロ
ック室５２内も、前記処理室２と同様、所定の減圧雰囲
気、例えば１０-6Ｔｏｒｒに設定、維持が可能なように
構成されている。
方には、ゲートバルブ５１を介して気密に構成されたロ
ードロック室５２が設けられており、その底部に設けら
れた排気管５３から真空引きされて、このこのロードロ
ック室５２内も、前記処理室２と同様、所定の減圧雰囲
気、例えば１０-6Ｔｏｒｒに設定、維持が可能なように
構成されている。
【００３２】そしてこのロードロック室５２の内部に
は、やはりゲートバルブを介して隣接しているカセット
収納室（図示せず）内のカセットと、前記処理室２内の
載置台２１との間でウエハＷを搬送させる搬送アーム５
４を備えた搬送装置５５が設けられている。
は、やはりゲートバルブを介して隣接しているカセット
収納室（図示せず）内のカセットと、前記処理室２内の
載置台２１との間でウエハＷを搬送させる搬送アーム５
４を備えた搬送装置５５が設けられている。
【００３３】本実施例にかかるＣＶＤ装置１の部材構成
は以上のように構成されており、次にその材料系につい
て説明すると、前記載置台２１及び加熱装置２２の絶縁
体２２ａ、静電チャック２４の絶縁体２７は、各々同一
の材料構成になっている。例えば載置台２１についてい
うと、この載置台の２１はＡｌ系セラミックスであるＡ
ｌ2Ｏ3の表面をフッ素置換することによって、その表面
にＡｌＦ3が形成されたものを用いてある。
は以上のように構成されており、次にその材料系につい
て説明すると、前記載置台２１及び加熱装置２２の絶縁
体２２ａ、静電チャック２４の絶縁体２７は、各々同一
の材料構成になっている。例えば載置台２１についてい
うと、この載置台の２１はＡｌ系セラミックスであるＡ
ｌ2Ｏ3の表面をフッ素置換することによって、その表面
にＡｌＦ3が形成されたものを用いてある。
【００３４】このようにＡｌ2Ｏ3の表面にＡｌＦ3を形
成させる方法としては、下記のような方法が挙げられ
る。即ち図４に示したように、その内面にニッケルコー
ティングされた熱伝導性の良好な材質、例えばステンレ
スで構成されたチャンバ６１の上部に給気管６２、下部
に排気管６３を設けるとともに、このチャンバ６１の内
部に処理台６４を形成する。そしてこの載置台６４の下
面に加熱装置６５を設置する。
成させる方法としては、下記のような方法が挙げられ
る。即ち図４に示したように、その内面にニッケルコー
ティングされた熱伝導性の良好な材質、例えばステンレ
スで構成されたチャンバ６１の上部に給気管６２、下部
に排気管６３を設けるとともに、このチャンバ６１の内
部に処理台６４を形成する。そしてこの載置台６４の下
面に加熱装置６５を設置する。
【００３５】そして前記処理台６４の上に前記ＣＶＤ装
置１で使用する載置台２１を載せて、加熱装置６５を作
動させて、載置台２１を所定の温度、例えば３００゜Ｃ
に維持させて、給気管６２からフッ素系ガス、例えばＨ
Ｆをチャンバ６１内に供給すると同時に排気管６３から
排気させる。そうすると、載置台２１の表面は、次のよ
うな反応が進行する。即ち、 ＡｌＮ＋３ＨＦ → ＡｌＦ3＋ＮＨ3 Ａｌ2Ｏ3＋６ＨＦ →２ＡｌＦ3＋３Ｈ2Ｏ となって、この載置台２１の表面にＡｌＦ3が形成され
るのである。
置１で使用する載置台２１を載せて、加熱装置６５を作
動させて、載置台２１を所定の温度、例えば３００゜Ｃ
に維持させて、給気管６２からフッ素系ガス、例えばＨ
Ｆをチャンバ６１内に供給すると同時に排気管６３から
排気させる。そうすると、載置台２１の表面は、次のよ
うな反応が進行する。即ち、 ＡｌＮ＋３ＨＦ → ＡｌＦ3＋ＮＨ3 Ａｌ2Ｏ3＋６ＨＦ →２ＡｌＦ3＋３Ｈ2Ｏ となって、この載置台２１の表面にＡｌＦ3が形成され
るのである。
【００３６】なおかかるコーティングプロセス中、チャ
ンバ６１の内面は、既述の如くニッケルでコーティング
されているから、ハロゲン系ガス、特にＨＦ、ＨＣｌガ
スに対する耐蝕性を有している。
ンバ６１の内面は、既述の如くニッケルでコーティング
されているから、ハロゲン系ガス、特にＨＦ、ＨＣｌガ
スに対する耐蝕性を有している。
【００３７】さらに前記ＣｌＦ3に代えて、ＮＦ3をチャ
ンバ６１内に流入させてもよい。この場合には、 ２Ａｌ2Ｏ3＋４ＮＦ3 → ４ＡｌＦ3＋３Ｏ2↑＋２Ｎ2
↑ となって、やはりＡｌ2Ｏ3の表面にＡｌＦ3が形成され
る。他の加熱装置２２の絶縁体２２ａ、静電チャック２
４の絶縁体２７についても全く同様な方法によってその
表面にＡｌＦ3が形成されている。
ンバ６１内に流入させてもよい。この場合には、 ２Ａｌ2Ｏ3＋４ＮＦ3 → ４ＡｌＦ3＋３Ｏ2↑＋２Ｎ2
↑ となって、やはりＡｌ2Ｏ3の表面にＡｌＦ3が形成され
る。他の加熱装置２２の絶縁体２２ａ、静電チャック２
４の絶縁体２７についても全く同様な方法によってその
表面にＡｌＦ3が形成されている。
【００３８】本発明の実施例にかかるＣＶＤ装置１は以
上のように構成されており、次にその動作を説明する
と、処理室２とロードロック室５２とが同一減圧雰囲気
になった時点で、ゲートバルブ５１が開放され、成膜処
理されるウエハＷは搬送装置５５の搬送アーム５４によ
って、処理室２内の載置台２１の上方にまで搬入され
る。
上のように構成されており、次にその動作を説明する
と、処理室２とロードロック室５２とが同一減圧雰囲気
になった時点で、ゲートバルブ５１が開放され、成膜処
理されるウエハＷは搬送装置５５の搬送アーム５４によ
って、処理室２内の載置台２１の上方にまで搬入され
る。
【００３９】このときリフター４１の各載置部材４２、
４３は上昇しており、ウエハＷは、これら各載置部材４
２、４３の内周周縁部の係止部上に載置される。そして
ウエハＷをそのようにして載置した後、搬送アーム５４
はロードロック室５２内に後退し、ゲートバルブ５１は
閉鎖される。
４３は上昇しており、ウエハＷは、これら各載置部材４
２、４３の内周周縁部の係止部上に載置される。そして
ウエハＷをそのようにして載置した後、搬送アーム５４
はロードロック室５２内に後退し、ゲートバルブ５１は
閉鎖される。
【００４０】その後リフター４１の各載置部材４２、４
３は下降して、ウエハＷは載置台２１の静電チャック２
４の載置面に載置され、既述の高圧直流電源２８、２９
からの直流電圧を電極板２５、２６に印加させることに
よって、ウエハＷは、上記電圧印加の際に発生するクー
ロン力によって当該載置面に吸着保持される。
３は下降して、ウエハＷは載置台２１の静電チャック２
４の載置面に載置され、既述の高圧直流電源２８、２９
からの直流電圧を電極板２５、２６に印加させることに
よって、ウエハＷは、上記電圧印加の際に発生するクー
ロン力によって当該載置面に吸着保持される。
【００４１】而してその後、交流電源２３からの電力を
加熱装置２２の発熱体２２ｂに供給して加熱装置２２を
作動させてウエハＷを所定温度、例えば８００゜Ｃにま
で加熱するとともに、処理ガス導入管４から処理ガス、
例えばＳｉＨ4（シラン）＋Ｈ2を処理室２内に導入する
と、ウエハＷの成膜処理が開始されるのである。
加熱装置２２の発熱体２２ｂに供給して加熱装置２２を
作動させてウエハＷを所定温度、例えば８００゜Ｃにま
で加熱するとともに、処理ガス導入管４から処理ガス、
例えばＳｉＨ4（シラン）＋Ｈ2を処理室２内に導入する
と、ウエハＷの成膜処理が開始されるのである。
【００４２】このようにして被処理体であるウエハＷの
表面に対して成膜処理が行われるのであるが、処理室２
内の部材、殊に被処理体であるウエハＷと同程度の温度
にまで達する載置台２１、静電チャック２４並びに加熱
装置２２の表面にも、反応生成物が付着する。これをそ
のまま放置すると処理室２内の汚染の原因となるので、
所定の処理回数毎に、処理室２内をクリーニングする必
要がある。
表面に対して成膜処理が行われるのであるが、処理室２
内の部材、殊に被処理体であるウエハＷと同程度の温度
にまで達する載置台２１、静電チャック２４並びに加熱
装置２２の表面にも、反応生成物が付着する。これをそ
のまま放置すると処理室２内の汚染の原因となるので、
所定の処理回数毎に、処理室２内をクリーニングする必
要がある。
【００４３】この場合、使用するクリーニングガスはＣ
ｌＦ3やＮＦ3が最近は用いられているが、従来のＣＶＤ
装置における載置台、静電チャック、さらには加熱装置
で用いられている材料では、既述の如くクリーニングガ
スであるＣｌＦ3やＮＦ3によってその表面が腐食されて
いた。
ｌＦ3やＮＦ3が最近は用いられているが、従来のＣＶＤ
装置における載置台、静電チャック、さらには加熱装置
で用いられている材料では、既述の如くクリーニングガ
スであるＣｌＦ3やＮＦ3によってその表面が腐食されて
いた。
【００４４】しかしながら、本実施例における載置台２
１、静電チャック２４表面の絶縁体２７、並びに加熱装
置２２表面の絶縁体２２ａの各表面には、これらＣｌＦ
3やＮＦ3に対して不動態であるＡｌＦ3が形成されてい
るので、そのような腐食は発生しないものである。
１、静電チャック２４表面の絶縁体２７、並びに加熱装
置２２表面の絶縁体２２ａの各表面には、これらＣｌＦ
3やＮＦ3に対して不動態であるＡｌＦ3が形成されてい
るので、そのような腐食は発生しないものである。
【００４５】即ちＡｌＦ3の結合解離エネルギーは６６
５［ｋＪ／ｍｏｌ］であり、安定体と言われているＡｌ
2Ｏ3の４９０［ｋＪ／ｍｏｌ］より大幅に大きくなって
おり、極めて安定した不動態となっている。しかもその
融点は１０４０゜Ｃであるから、前記したような成膜処
理における温度（８００゜Ｃ）においても極めて安定し
ている。従って載置台２１を始めとして静電チャック２
４表面の絶縁体２７、並びに加熱装置２２の各表面の耐
食性は大きく向上し、前記したクリーニングガスである
ＣｌＦ3やＮＦ3によってその表面が腐食するおそれはな
いものである。
５［ｋＪ／ｍｏｌ］であり、安定体と言われているＡｌ
2Ｏ3の４９０［ｋＪ／ｍｏｌ］より大幅に大きくなって
おり、極めて安定した不動態となっている。しかもその
融点は１０４０゜Ｃであるから、前記したような成膜処
理における温度（８００゜Ｃ）においても極めて安定し
ている。従って載置台２１を始めとして静電チャック２
４表面の絶縁体２７、並びに加熱装置２２の各表面の耐
食性は大きく向上し、前記したクリーニングガスである
ＣｌＦ3やＮＦ3によってその表面が腐食するおそれはな
いものである。
【００４６】なおそのようにアルミ系材料の表面に安定
した不動態であるＡｌＦ3を形成させるには、前記した
Ａｌ2Ｏ3表面のフッ素置換の他に、ＡｌＮ表面のフッ素
置換、Ａｌ表面のフッ素置換の方法がある。即ち、Ａｌ
Ｎの場合にも前記したＡｌ2Ｏ3の場合と同様、例えば図
４に示した対象物を所定温度に設定、維持したまま、チ
ャンバ６１内に、ＣｌＦ3やＮＦ3を流入させればよい。
前者の場合には、 ２ＡｌＮ＋２ＣｌＦ3 → ２ＡｌＦ3＋Ｎ2↑＋Ｃｌ2↑ 後者の場合には、 ＡｌＮ＋ＮＦ3 → ＡｌＦ3＋Ｎ2↑ となって、いずれの場合にも表面にＡｌＦ3が形成され
る。またＡｌの場合には、Ｆ2を供給させることによ
り、 ２Ａｌ＋３Ｆ2 →２ＡｌＦ3 となって、やはりその表面に不動態であるＡｌＦ3が形
成される。
した不動態であるＡｌＦ3を形成させるには、前記した
Ａｌ2Ｏ3表面のフッ素置換の他に、ＡｌＮ表面のフッ素
置換、Ａｌ表面のフッ素置換の方法がある。即ち、Ａｌ
Ｎの場合にも前記したＡｌ2Ｏ3の場合と同様、例えば図
４に示した対象物を所定温度に設定、維持したまま、チ
ャンバ６１内に、ＣｌＦ3やＮＦ3を流入させればよい。
前者の場合には、 ２ＡｌＮ＋２ＣｌＦ3 → ２ＡｌＦ3＋Ｎ2↑＋Ｃｌ2↑ 後者の場合には、 ＡｌＮ＋ＮＦ3 → ＡｌＦ3＋Ｎ2↑ となって、いずれの場合にも表面にＡｌＦ3が形成され
る。またＡｌの場合には、Ｆ2を供給させることによ
り、 ２Ａｌ＋３Ｆ2 →２ＡｌＦ3 となって、やはりその表面に不動態であるＡｌＦ3が形
成される。
【００４７】次に発明者らが実際にＡｌＦ3を形成した
場合の耐食性について検証した結果を示す。試料として
前記したＡｌ2Ｏ3表面にＡｌＦ3を形成させたものと、
従来のＣＶＤ装置における加熱装置の絶縁材に使用され
ているＰ−ＢＮ（パイロレテック−ボロンナイトライ
ド）とを、下記の同一条件の下でクリーニングガスであ
るＣｌＦ3に曝した結果を図５の図表に示す。 条件：１Ｔｏｒｒ、６２０゜Ｃ下で、ＣｌＦ3／Ｎ2＝７
００／２８００ｓｃｃｍを１２０分間流入させる。各試
料の面積はいずれも１５７ｃｍ2である。
場合の耐食性について検証した結果を示す。試料として
前記したＡｌ2Ｏ3表面にＡｌＦ3を形成させたものと、
従来のＣＶＤ装置における加熱装置の絶縁材に使用され
ているＰ−ＢＮ（パイロレテック−ボロンナイトライ
ド）とを、下記の同一条件の下でクリーニングガスであ
るＣｌＦ3に曝した結果を図５の図表に示す。 条件：１Ｔｏｒｒ、６２０゜Ｃ下で、ＣｌＦ3／Ｎ2＝７
００／２８００ｓｃｃｍを１２０分間流入させる。各試
料の面積はいずれも１５７ｃｍ2である。
【００４８】これによれば、Ｐ−ＢＮの場合には、実験
後１．５５ｇも重量が減少し、容積も０．７０ｃｍ3減
少し、ＣｌＦ3によって腐食されていることが確認され
るが、Ａｌ2Ｏ3表面にＡｌＦ3を形成させたものについ
ては、わずか０．０１ｇしか減少せず、容積については
測定不能な程僅かであった。従ってＡｌ2Ｏ3表面にＡｌ
Ｆ3を形成させたものについては殆ど腐食されておら
ず、極めて大きい耐食性が得られていることが確認でき
る。
後１．５５ｇも重量が減少し、容積も０．７０ｃｍ3減
少し、ＣｌＦ3によって腐食されていることが確認され
るが、Ａｌ2Ｏ3表面にＡｌＦ3を形成させたものについ
ては、わずか０．０１ｇしか減少せず、容積については
測定不能な程僅かであった。従ってＡｌ2Ｏ3表面にＡｌ
Ｆ3を形成させたものについては殆ど腐食されておら
ず、極めて大きい耐食性が得られていることが確認でき
る。
【００４９】なお前記実施例は、いわゆる熱ＣＶＤ装置
に本発明を適用した例であったが、これに限らず本発明
は、プラズマＣＶＤ装置を始めとして、その他の半導体
処理装置、例えばエッチング装置、アッシング装置、ス
パッタ装置に適用することが可能である。
に本発明を適用した例であったが、これに限らず本発明
は、プラズマＣＶＤ装置を始めとして、その他の半導体
処理装置、例えばエッチング装置、アッシング装置、ス
パッタ装置に適用することが可能である。
【００５０】
【発明の効果】請求項１によれば、処理ガスと同様にし
てハロゲン系のクリーニングガスを処理室内に流入させ
ても、処理室内雰囲気と接するアルミ系部材表面が腐食
することはない。従ってこれらアルミ系部材の耐久性が
向上し、また処理室内汚染も防止される。
てハロゲン系のクリーニングガスを処理室内に流入させ
ても、処理室内雰囲気と接するアルミ系部材表面が腐食
することはない。従ってこれらアルミ系部材の耐久性が
向上し、また処理室内汚染も防止される。
【００５１】請求項２によれば、処理装置における特定
部位に対して個別にクリーニングガスを流入させても、
当該特定部位が腐食することはない。
部位に対して個別にクリーニングガスを流入させても、
当該特定部位が腐食することはない。
【００５２】請求項３によれば、前記処理室内に使用さ
れる被処理体を加熱する加熱手段にもそのような耐食性
が備わるので、例えば熱処理装置に対しても適用可能で
ある。
れる被処理体を加熱する加熱手段にもそのような耐食性
が備わるので、例えば熱処理装置に対しても適用可能で
ある。
【００５３】請求項４によれば、前記処理室内に装備さ
れる静電チャックなどの被処理体保持機構についても、
前記したような耐食性が備わり、クリーニングに対する
耐久度が向上する。
れる静電チャックなどの被処理体保持機構についても、
前記したような耐食性が備わり、クリーニングに対する
耐久度が向上する。
【００５４】請求項５に記載したコーティング方法によ
れば、前記した処理装置におけるアルミ系部材のコーテ
ィングが好適になされる、請求項６に記載したように、
その際に使用するチャンバの内側表面を、予めニッケル
コーティングしておくことにより、ハロゲン系ガス、特
にＨＦ、ＨＣｌガスに対する耐蝕性が得られるものであ
る。
れば、前記した処理装置におけるアルミ系部材のコーテ
ィングが好適になされる、請求項６に記載したように、
その際に使用するチャンバの内側表面を、予めニッケル
コーティングしておくことにより、ハロゲン系ガス、特
にＨＦ、ＨＣｌガスに対する耐蝕性が得られるものであ
る。
【図１】本発明の実施例にかかるＣＶＤ装置の断面を模
式的に示した説明図である。
式的に示した説明図である。
【図２】本発明の実施例にかかるＣＶＤ装置の載置台の
断面を模式的に示した説明図である。
断面を模式的に示した説明図である。
【図３】本発明の実施例にかかるＣＶＤ装置の載置台の
概観を示す斜視図である。
概観を示す斜視図である。
【図４】図１のＣＶＤ装置における載置台の表面にＡｌ
Ｆ3を形成させる方法の説明図である。
Ｆ3を形成させる方法の説明図である。
【図５】実施例で採用された載置台の材料構成であるＡ
ｌＦ3表面にＡｌＦ3を形成させた試料と従来のＰ−ＢＮ
試料とをＣｌＦ3に曝した場合の各々の腐蝕の度合いを
示す図表である。
ｌＦ3表面にＡｌＦ3を形成させた試料と従来のＰ−ＢＮ
試料とをＣｌＦ3に曝した場合の各々の腐蝕の度合いを
示す図表である。
１ ＣＶＤ装置 ２ 処理室 ４ 処理ガス導入管 ６ 排気手段 ２１ 載置台 ２２ 加熱装置 ２４ 静電チャック Ｗ ウエハ
Claims (6)
- 【請求項１】 排気手段によって排気可能な処理室を有
し、前記処理室内に存する被処理体に対して所定の処理
を施す如く構成された処理装置において、 前記処理室内の雰囲気と接するアルミ系部材の表面が、
予めフッ素で置換されてコーティングされていることを
特徴とする、処理装置。 - 【請求項２】 排気手段によって排気可能な処理室を有
し、前記処理室内に存する被処理体に対して所定の処理
を施す如く構成された処理装置において、 部材表面の反応生成物を除去するためのクリーニングガ
スを供給した際に、当該クリーニングガスと接する部位
のアルミ系部材の表面が、予めフッ素で置換されてコー
ティングされていることを特徴とする、処理装置。 - 【請求項３】 前記処理室内に被処理体を加熱する加熱
手段を有し、当該加熱手段表面が、予めフッ素で置換さ
れてコーティングされていることを特徴とする、請求項
１又は２に記載の処理装置。 - 【請求項４】 前記処理室内に被処理体を保持する被処
理体保持機構を有し、当該被処理体保持機構の表面が、
予めフッ素で置換されてコーティングされていることを
特徴とする、請求項１、２又は３に記載の処理装置。 - 【請求項５】 請求項１、２、３又は４に記載される処
理装置におけるアルミ系部材を、コーティングする方法
であって、対象とするアルミ系部材をチャンバ内に置
き、さらにこのチャンバ内を所定の温度に維持しつつ、
さらにこのチャンバ内にフッ素系ガスを流入させること
を特徴とする、アルミ系部材のコーティング方法。 - 【請求項６】 前記チャンバを構成する壁体の内側表面
が、ニッケルコーティングされていることを特徴とす
る、請求項５に記載のアルミ系部材のコーティング方
法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8557394A JPH07273053A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 処理装置及びアルミ系部材のコーティング方法 |
| US08/410,736 US5581874A (en) | 1994-03-28 | 1995-03-27 | Method of forming a bonding portion |
| KR1019950006681A KR100277281B1 (ko) | 1994-03-28 | 1995-03-28 | 코팅된 알루미늄계 부재를 가지는 처리장치와 알루미늄계 부재의 코팅방법 및 접합부의 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8557394A JPH07273053A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 処理装置及びアルミ系部材のコーティング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07273053A true JPH07273053A (ja) | 1995-10-20 |
Family
ID=13862563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8557394A Pending JPH07273053A (ja) | 1994-03-28 | 1994-03-31 | 処理装置及びアルミ系部材のコーティング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07273053A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0891957A1 (en) | 1997-07-15 | 1999-01-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Corrosion-resistant member, wafer-supporting member, and method of manufacturing the same |
| US5942282A (en) * | 1997-05-20 | 1999-08-24 | Tokyo Electron Limited | Method for depositing a titanium film |
| US6051303A (en) * | 1997-08-06 | 2000-04-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Semiconductor supporting device |
| US6200516B1 (en) | 1998-02-25 | 2001-03-13 | Ngk Insulators, Ltd. | Production of corrosion-resistant ceramic members |
| US6239402B1 (en) | 1998-07-24 | 2001-05-29 | Ngk Insulators, Ltd. | Aluminum nitride-based sintered bodies, corrosion-resistant members, metal-buried articles and semiconductor-holding apparatuses |
| JP2002241971A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-28 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 耐プラズマ性部材 |
| US6464825B1 (en) | 1999-06-15 | 2002-10-15 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus including a magnetically levitated and rotated substrate holder |
| US6524731B1 (en) | 1999-09-30 | 2003-02-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Corrosion-resistant member and method of producing the same |
| US6632325B2 (en) * | 2002-02-07 | 2003-10-14 | Applied Materials, Inc. | Article for use in a semiconductor processing chamber and method of fabricating same |
| WO2007055381A1 (ja) * | 2005-11-14 | 2007-05-18 | Tokyo Electron Limited | 成膜装置および成膜装置用の載置台 |
| JP2009170850A (ja) * | 2008-01-21 | 2009-07-30 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ処理装置、プラズマ処理装置の製造方法 |
| DE102009004402A1 (de) | 2008-02-26 | 2009-09-03 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.), Kobe | Oberflächen-Behandlungsmaterial für Halbleiter-Herstellungssystem und Verfahren zur Herstellung desselben |
| JP2017002385A (ja) * | 2015-06-16 | 2017-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法および基板載置台 |
-
1994
- 1994-03-31 JP JP8557394A patent/JPH07273053A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2007141895A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-06-07 | Tokyo Electron Ltd | 載置台構造及び成膜装置 |
| JP2009170850A (ja) * | 2008-01-21 | 2009-07-30 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ処理装置、プラズマ処理装置の製造方法 |
| DE102009004402A1 (de) | 2008-02-26 | 2009-09-03 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.), Kobe | Oberflächen-Behandlungsmaterial für Halbleiter-Herstellungssystem und Verfahren zur Herstellung desselben |
| JP2017002385A (ja) * | 2015-06-16 | 2017-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法および基板載置台 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001017 |