JPH0727657B2 - 光ディスク装置の光源駆動装置 - Google Patents
光ディスク装置の光源駆動装置Info
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- JPH0727657B2 JPH0727657B2 JP57042760A JP4276082A JPH0727657B2 JP H0727657 B2 JPH0727657 B2 JP H0727657B2 JP 57042760 A JP57042760 A JP 57042760A JP 4276082 A JP4276082 A JP 4276082A JP H0727657 B2 JPH0727657 B2 JP H0727657B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- voltage
- current
- power source
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06825—Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は半導体レーザの駆動回路に係り、とくに光デイ
スク装置において光源として用いる半導体レーザをサー
ジから保護する回路の改良に関するものである。
スク装置において光源として用いる半導体レーザをサー
ジから保護する回路の改良に関するものである。
第１図はリード，ライト可能な光デイスク装置に於ける
半導体レーザの駆動回路を示す。
半導体レーザの駆動回路を示す。
半導体レーザ10は光学ヘツド１の一部に組込まれ、これ
にリード電流を供給する電流源３およびライト電流を供
給する電流源４の駆動回路が接続される。リード電流は
一定電流であるがライト電流はライト情報に対応したパ
ルス電流である。高速のパルス電流を供給するため、電
流源の代りに第２図に示すように、電圧源41と抵抗42の
直列回路に高速スイツチ素子43を用いライト情報に従つ
てスイツチ43をオン・オフする方法も実際上よく用いら
れる。第１図で11は半導体レーザ10の出力のモニタ用検
出器で、モニタ出力50から所定のリード，ライトパワに
なるようにリード，ライト電源3,4を制御する。53,54は
このための制御信号である。
にリード電流を供給する電流源３およびライト電流を供
給する電流源４の駆動回路が接続される。リード電流は
一定電流であるがライト電流はライト情報に対応したパ
ルス電流である。高速のパルス電流を供給するため、電
流源の代りに第２図に示すように、電圧源41と抵抗42の
直列回路に高速スイツチ素子43を用いライト情報に従つ
てスイツチ43をオン・オフする方法も実際上よく用いら
れる。第１図で11は半導体レーザ10の出力のモニタ用検
出器で、モニタ出力50から所定のリード，ライトパワに
なるようにリード，ライト電源3,4を制御する。53,54は
このための制御信号である。
半導体レーザはダイオードとしての順方向に電流を流す
ことによりレーザ光を発生するものであるが、何らかの
原因で逆方向である値を越える電圧が印加されると素子
が破壊される。通常のダイオード等でも逆方向破壊はあ
るが、半導体レーザに於ては、上記の逆方向電圧に対す
る耐圧が非常に低い。すなわち通常のダイオードでは数
10〜数100ボルトの逆耐圧は容易に得られるが、半導体
レーザではこれが数ボルトである。従つて第１図、第２
図等の駆動回路に於て、電源のオンオフ時、あるいは他
の装置等からの影響により、リード回路30,ライト回路4
0の端子にブラスの電圧（サージ電圧）が生じ、この値
が上記逆耐圧を越えると、半導体レーザが破壊されると
いう問題がある。リード電源3,ライト電源４等の電源
に、10数ボルトの電源を用いると、この電源のオンオフ
時等に数ボルトのサージ、あるいはノイズ電圧を発生す
ることは容易に起りうる。さらに駆動回路の近くに機械
的接点があり電流をオンオフするような場合には数100
あるいは1000ボルトを越えるサージ電圧が発生し、回路
の漂遊容量を通じても、上記破壊電圧の発生は十分起り
うるものである。とくに半導体レーザは極めて高速応答
素子であるから、高速なサージ電圧にも十分応答（破
壊）するし、通常のサージ吸収素子を半導体レーザに並
列に接続したのでは、高速性のため保護素子より速く破
壊する恐れもある。また保護素子のもつ容量により本来
の機能である順方向ライト電流波形が劣化するなどの問
題がある。なお、保護ダイオードと半導体レーザとを逆
極性並列接続することにより、逆電圧印加の際の素子破
壊を防止する技術は、例えば、特開昭54−105990号に提
案されている。
ことによりレーザ光を発生するものであるが、何らかの
原因で逆方向である値を越える電圧が印加されると素子
が破壊される。通常のダイオード等でも逆方向破壊はあ
るが、半導体レーザに於ては、上記の逆方向電圧に対す
る耐圧が非常に低い。すなわち通常のダイオードでは数
10〜数100ボルトの逆耐圧は容易に得られるが、半導体
レーザではこれが数ボルトである。従つて第１図、第２
図等の駆動回路に於て、電源のオンオフ時、あるいは他
の装置等からの影響により、リード回路30,ライト回路4
0の端子にブラスの電圧（サージ電圧）が生じ、この値
が上記逆耐圧を越えると、半導体レーザが破壊されると
いう問題がある。リード電源3,ライト電源４等の電源
に、10数ボルトの電源を用いると、この電源のオンオフ
時等に数ボルトのサージ、あるいはノイズ電圧を発生す
ることは容易に起りうる。さらに駆動回路の近くに機械
的接点があり電流をオンオフするような場合には数100
あるいは1000ボルトを越えるサージ電圧が発生し、回路
の漂遊容量を通じても、上記破壊電圧の発生は十分起り
うるものである。とくに半導体レーザは極めて高速応答
素子であるから、高速なサージ電圧にも十分応答（破
壊）するし、通常のサージ吸収素子を半導体レーザに並
列に接続したのでは、高速性のため保護素子より速く破
壊する恐れもある。また保護素子のもつ容量により本来
の機能である順方向ライト電流波形が劣化するなどの問
題がある。なお、保護ダイオードと半導体レーザとを逆
極性並列接続することにより、逆電圧印加の際の素子破
壊を防止する技術は、例えば、特開昭54−105990号に提
案されている。
本発明は駆動回路あるいは附近の機器等からの電源オン
オフ時などに発生するサージにより半導体レーザに逆電
圧が加わり、破壊することを防止するようにした半導体
レージの駆動回路を得ることにある。
オフ時などに発生するサージにより半導体レーザに逆電
圧が加わり、破壊することを防止するようにした半導体
レージの駆動回路を得ることにある。
以下実施例により本発明を詳細に説明する。第３図は第
２図に対応した実施例を示す駆動回路図である。リード
電流源３はトランジスタ33,抵抗32,制御電流源34,電源3
1から成る。リード電流源の構成に制約はなく他の方式
あるいは構成でもよい。ライト電流源４は、電圧源41,
抵抗42,スイツチトランジスタ43から成る。トランジス
タ43はライト信号源45からドライバ（増幅器）44を経て
駆動され、ライト情報に対応してスイツチ43を制御す
る。ライト信号源45は、ライトデータを記録フオーマツ
トに従つて変調した信号を発生する。電源31,41は、入
力端子36,46から供給される電圧を安定化した出力を発
生する。入力36,46等へは、第４図の如き電源から供給
される。第４図で入力７は交流電源、70は電源スイッ
チ、６はトランスおよび整流回路等から成る電源回路で
出力60,61,62等を出す。電源回路６と電圧源31,41等は
同一の電源回路とすることもできる。レーザ出力は、モ
ニタ用検出器11で電流に変換し、抵抗51,増幅器５によ
りモニタ出力として制御電流源34,ライト電圧源41へ入
力され、それぞれリードパワおよびライトパラが所定の
値になるよう制御される。
２図に対応した実施例を示す駆動回路図である。リード
電流源３はトランジスタ33,抵抗32,制御電流源34,電源3
1から成る。リード電流源の構成に制約はなく他の方式
あるいは構成でもよい。ライト電流源４は、電圧源41,
抵抗42,スイツチトランジスタ43から成る。トランジス
タ43はライト信号源45からドライバ（増幅器）44を経て
駆動され、ライト情報に対応してスイツチ43を制御す
る。ライト信号源45は、ライトデータを記録フオーマツ
トに従つて変調した信号を発生する。電源31,41は、入
力端子36,46から供給される電圧を安定化した出力を発
生する。入力36,46等へは、第４図の如き電源から供給
される。第４図で入力７は交流電源、70は電源スイッ
チ、６はトランスおよび整流回路等から成る電源回路で
出力60,61,62等を出す。電源回路６と電圧源31,41等は
同一の電源回路とすることもできる。レーザ出力は、モ
ニタ用検出器11で電流に変換し、抵抗51,増幅器５によ
りモニタ出力として制御電流源34,ライト電圧源41へ入
力され、それぞれリードパワおよびライトパラが所定の
値になるよう制御される。
このような半導体レーザ駆動回路に於て、リード電流路
30及びライト電流路40にそれぞれ高い逆方向耐圧を持つ
ダイオード300,400を順方向に入れ、かつ半導体レーザ1
0と並列に抵抗100を接続することが本発明の特徴であ
る。
30及びライト電流路40にそれぞれ高い逆方向耐圧を持つ
ダイオード300,400を順方向に入れ、かつ半導体レーザ1
0と並列に抵抗100を接続することが本発明の特徴であ
る。
このようにした本発明による駆動回路に於ては、装置の
電源をオンオフしたり、第４図の電源スイツチ70をオン
オフしたとき、電源31,41や、トランジスタ33,34の電極
等に、制御されないサージあるいはノイズ電圧が発生
し、電流路30,40の電位が半導体レーザ10に対して逆電
圧となるようになつたとしても、この電圧はダイオード
300,400の非常に大きな逆方向抵抗と、抵抗100で分割さ
れるから、レーザ10には破壊に至るようなサージは加わ
らない。抵抗100にはレーザ10に流れる電流をバイパス
する電流が流れるが、通常のレーザ電流に対し十分小さ
な値（0.1％程度）にしうるから、リート，ライト電流
への影響はない。一方ダイオード300,400には、100〜数
100ボルトの逆方向耐圧をもちかつ高速応答の素子は容
易に得られ、通常の動作時には悪影響を与えることはな
い。
電源をオンオフしたり、第４図の電源スイツチ70をオン
オフしたとき、電源31,41や、トランジスタ33,34の電極
等に、制御されないサージあるいはノイズ電圧が発生
し、電流路30,40の電位が半導体レーザ10に対して逆電
圧となるようになつたとしても、この電圧はダイオード
300,400の非常に大きな逆方向抵抗と、抵抗100で分割さ
れるから、レーザ10には破壊に至るようなサージは加わ
らない。抵抗100にはレーザ10に流れる電流をバイパス
する電流が流れるが、通常のレーザ電流に対し十分小さ
な値（0.1％程度）にしうるから、リート，ライト電流
への影響はない。一方ダイオード300,400には、100〜数
100ボルトの逆方向耐圧をもちかつ高速応答の素子は容
易に得られ、通常の動作時には悪影響を与えることはな
い。
以上説明した如く本発明によれば、電源のオンオフや他
の機器からの制御できないサージ電圧やノイズ電圧によ
り、半導体レーザに逆方向の電圧が加わることを防止
し、これらサージによる破壊をなくすことができる。と
くに装置で使われる種々の電源や、そのオンオフの順序
あるいはオンオフの速度等に対する条件は不要であり、
サージやノイズの他、瞬時の停電や電源異常等、制御で
きない原因に対しても十分保護の効果が得られ実用上極
めて有用である。
の機器からの制御できないサージ電圧やノイズ電圧によ
り、半導体レーザに逆方向の電圧が加わることを防止
し、これらサージによる破壊をなくすことができる。と
くに装置で使われる種々の電源や、そのオンオフの順序
あるいはオンオフの速度等に対する条件は不要であり、
サージやノイズの他、瞬時の停電や電源異常等、制御で
きない原因に対しても十分保護の効果が得られ実用上極
めて有用である。
第１図および第２図は光デイスクに於ける半導体レーザ
の駆動回路を示す図、第３図は本発明による半導体レー
ザ駆動回路の実施例を示す図、第４図は第３図における
電源の例を示す図である。
の駆動回路を示す図、第３図は本発明による半導体レー
ザ駆動回路の実施例を示す図、第４図は第３図における
電源の例を示す図である。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体レーザと、該半導体レーザを駆動
し、内部抵抗を有する記録用電源及び再生用電源と、上
記半導体レーザと並列に接続された抵抗と、上記記録用
電源からの電流を制御する機械的接点を有する半導体レ
ーザ駆動装置において、上記半導体レーザと上記抵抗と
の接続点と上記記録用電源との間、及び上記接続点と上
記再生用電源との間にそれぞれ配列された順方向のダイ
オードを有し、上記記録用電源又は上記再生用電源の電
位が上記半導体レーザに対して逆電圧となった場合に、
上記ダイオードの逆方向抵抗と上記抵抗と上記内部抵抗
とで上記逆電圧を分割することを特徴とする光ディスク
装置の光源駆動装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57042760A JPH0727657B2 (ja) | 1982-03-19 | 1982-03-19 | 光ディスク装置の光源駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57042760A JPH0727657B2 (ja) | 1982-03-19 | 1982-03-19 | 光ディスク装置の光源駆動装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58161157A JPS58161157A (ja) | 1983-09-24 |
| JPH0727657B2 true JPH0727657B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=12644934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57042760A Expired - Lifetime JPH0727657B2 (ja) | 1982-03-19 | 1982-03-19 | 光ディスク装置の光源駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727657B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61265883A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-25 | Olympus Optical Co Ltd | 半導体レ−ザ駆動装置 |
| EP3285383A1 (en) * | 2016-08-15 | 2018-02-21 | ABB Technology Oy | Current conductor structure with frequency-dependent resistance |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5381097A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-18 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
| JPS55143079A (en) * | 1979-04-26 | 1980-11-08 | Matsushita Electric Works Ltd | Luminous source device with light emitting element |
| JPS56112766A (en) * | 1980-02-08 | 1981-09-05 | Toshiba Corp | Semiconductor light emitting device |
-
1982
- 1982-03-19 JP JP57042760A patent/JPH0727657B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58161157A (ja) | 1983-09-24 |
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