JPH0727683Y2 - 静磁波装置 - Google Patents
静磁波装置Info
- Publication number
- JPH0727683Y2 JPH0727683Y2 JP1988168565U JP16856588U JPH0727683Y2 JP H0727683 Y2 JPH0727683 Y2 JP H0727683Y2 JP 1988168565 U JP1988168565 U JP 1988168565U JP 16856588 U JP16856588 U JP 16856588U JP H0727683 Y2 JPH0727683 Y2 JP H0727683Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- band
- magnetostatic wave
- thin film
- filter
- yig thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この考案は静磁波装置に関し、特にたとえばバンドパス
フィルタとして用いられる静磁波装置に関する。
フィルタとして用いられる静磁波装置に関する。
（従来技術） 第３図は従来の静磁波装置の一例を示す斜視図である。
この静磁波装置１では、GGG（ガドリニウム，ガリウ
ム，ガーネット）基板２の上に、YIG（イットリウム，
アイアン，ガーネット）薄膜３が形成され、このYIG薄
膜３上には、線状の入力アンテナ４と出力アンテナ５と
が間隔を隔てて設けられている。入力アンテナ４は、そ
の一方端が入力端子（図示せず）に接続され、その他方
端が接地される。また、出力アンテナ５は、その一方端
が出力端子（図示せず）に接続され、その他方端が接地
される。
この静磁波装置１では、GGG（ガドリニウム，ガリウ
ム，ガーネット）基板２の上に、YIG（イットリウム，
アイアン，ガーネット）薄膜３が形成され、このYIG薄
膜３上には、線状の入力アンテナ４と出力アンテナ５と
が間隔を隔てて設けられている。入力アンテナ４は、そ
の一方端が入力端子（図示せず）に接続され、その他方
端が接地される。また、出力アンテナ５は、その一方端
が出力端子（図示せず）に接続され、その他方端が接地
される。
この静磁波装置１には、第３図の矢印H0で示す方向に磁
界が印加される。そして、この静磁波装置１では、入力
アンテナ４に入力された信号が静磁波として励起され、
その静磁波が、YIG薄膜３上に矢印ｋで示す方向に伝搬
され出力アンテナ５で受信される。この場合、所定の帯
域の信号が静磁波として励起される。そのため、この静
磁波装置１では、第４図に示すように、帯域通過特性を
有する。
界が印加される。そして、この静磁波装置１では、入力
アンテナ４に入力された信号が静磁波として励起され、
その静磁波が、YIG薄膜３上に矢印ｋで示す方向に伝搬
され出力アンテナ５で受信される。この場合、所定の帯
域の信号が静磁波として励起される。そのため、この静
磁波装置１では、第４図に示すように、帯域通過特性を
有する。
（考案が解決しようとする課題） ところが、このような従来の静磁波装置では、通常、減
衰域で40〜60dBあるいはそれ以上の減衰量を得ることが
困難であった。
衰域で40〜60dBあるいはそれ以上の減衰量を得ることが
困難であった。
それゆえに、この考案の主たる目的は、所望の帯域での
減衰量が大きい静磁波装置を提供することである。
減衰量が大きい静磁波装置を提供することである。
（課題を解決するための手段） この考案は、静磁波を用いたバンドパスフィルタと、こ
のバンドパスフィルタと一体的に形成されかつこのバン
ドパスフィルタに接続され所望の帯域に減衰域を有する
静磁波を用いたバンドエリミネーションフィルタを含
み、そのバンドパスフィルタは、YIG薄膜と、YIG薄膜上
に間隔を隔てて対向するように配置されるアンテナを含
み、そのバンドエリミネーションフィルタは、YIG薄膜
上に前記アンテナから間隔を隔てて形成されその一端が
１つのアンテナの一端に接続されるストリップラインを
含む、静磁波装置である。
のバンドパスフィルタと一体的に形成されかつこのバン
ドパスフィルタに接続され所望の帯域に減衰域を有する
静磁波を用いたバンドエリミネーションフィルタを含
み、そのバンドパスフィルタは、YIG薄膜と、YIG薄膜上
に間隔を隔てて対向するように配置されるアンテナを含
み、そのバンドエリミネーションフィルタは、YIG薄膜
上に前記アンテナから間隔を隔てて形成されその一端が
１つのアンテナの一端に接続されるストリップラインを
含む、静磁波装置である。
（作用） バンドエリミネーションフィルタによって、バンドパス
フィルタの周波数特性における所望の帯域が減衰され
る。
フィルタの周波数特性における所望の帯域が減衰され
る。
（考案の効果） この考案によれば、バンドエリミネーションフィルタに
よって所望の帯域が減衰されるので、所望の帯域での減
衰量が大きくなる。
よって所望の帯域が減衰されるので、所望の帯域での減
衰量が大きくなる。
この考案の上述の目的，その他の目的，特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
（実施例） 第1A図および第1B図は、それぞれ、この考案の一実施例
を示し、第1A図はその要部平面図解図であり、第1B図は
その側面図解図である。この静磁波装置10は、GGG（ガ
ドリニウム，ガリウム，ガーネット）基板12を含む。
を示し、第1A図はその要部平面図解図であり、第1B図は
その側面図解図である。この静磁波装置10は、GGG（ガ
ドリニウム，ガリウム，ガーネット）基板12を含む。
GGG基板12の一方主面には、YIG（イットリウム，アイア
ン，ガーネット）薄膜14が形成される。
ン，ガーネット）薄膜14が形成される。
YIG薄膜14の幅方向の両端部の上には、その長手方向の
一端から中央にわたって、入力アンテナ16aおよび出力
アンテナ16bがそれぞれ設けられる。したがって、入力
アンテナ16aおよび出力アンテナ16bは、YIG薄膜14上で
間隔を隔てて対向するように配置されることになる。入
力アンテナ16aは、その一方端が入力端子（図示せず）
に接続され、その他方端が接地される。また、出力アン
テナ16bの一方端は接地されている。
一端から中央にわたって、入力アンテナ16aおよび出力
アンテナ16bがそれぞれ設けられる。したがって、入力
アンテナ16aおよび出力アンテナ16bは、YIG薄膜14上で
間隔を隔てて対向するように配置されることになる。入
力アンテナ16aは、その一方端が入力端子（図示せず）
に接続され、その他方端が接地される。また、出力アン
テナ16bの一方端は接地されている。
さらに、YIG薄膜14の長手方向の中央から他端にわたる
部分の上には、略Ｊ字形のマイクロストリップライン18
が形成される。このマイクロストリップライン18は、そ
の一端が出力アンテナ16bの他方端に接続され、その他
端が出力端子（図示せず）に接続される。
部分の上には、略Ｊ字形のマイクロストリップライン18
が形成される。このマイクロストリップライン18は、そ
の一端が出力アンテナ16bの他方端に接続され、その他
端が出力端子（図示せず）に接続される。
したがって、入力アンテナ16aおよび出力アンテナ16bと
それらの間の下のYIG薄膜14とでバンドパスフィルタ20
が構成される。また、マイクロストリップライン18とそ
の下のYIG薄膜14とでバンドエリミネーションフィルタ2
2が構成される。
それらの間の下のYIG薄膜14とでバンドパスフィルタ20
が構成される。また、マイクロストリップライン18とそ
の下のYIG薄膜14とでバンドエリミネーションフィルタ2
2が構成される。
一方、YIG薄膜14の上方には、特に第1B図に示すよう
に、電磁石24が配置される。この電磁石24は、バンドパ
スフィルタ20およびバンドエリミネーションフィルタ22
に、磁界を印加するためのものである。また、この電磁
石24には、YIG薄膜14に対向する端面に、段差部24aが形
成される。この場合、段差部24aは、電磁石24の端面が
バンドパスフィルタ20よりバンドエリミネーションフィ
ルタ22に近づくように形成される。そのため、この電磁
石24によって、バンドエリミネーションフィルタ22に
は、バンドパスフィルタ20に比べて、大きい磁界が印加
される。
に、電磁石24が配置される。この電磁石24は、バンドパ
スフィルタ20およびバンドエリミネーションフィルタ22
に、磁界を印加するためのものである。また、この電磁
石24には、YIG薄膜14に対向する端面に、段差部24aが形
成される。この場合、段差部24aは、電磁石24の端面が
バンドパスフィルタ20よりバンドエリミネーションフィ
ルタ22に近づくように形成される。そのため、この電磁
石24によって、バンドエリミネーションフィルタ22に
は、バンドパスフィルタ20に比べて、大きい磁界が印加
される。
この実施例では、バンドパスフィルタ20よりバンドエリ
ミネーションフィルタ22に大きい磁界が印加されるの
で、バンドエリミネーションフィルタ22の減衰域は、バ
ンドパスフィルタ20の通過域より高い周波数になる。
ミネーションフィルタ22に大きい磁界が印加されるの
で、バンドエリミネーションフィルタ22の減衰域は、バ
ンドパスフィルタ20の通過域より高い周波数になる。
すなわち、バンドパスフィルタ20においては、入力アン
テナ16aから出力アンテナ16b側に体積前進静磁波（MSFV
W）が励起される。一方、バンドエリミネーションフィ
ルタ22においては、マイクロストリップライン18から外
側に体積前進静磁波（MSFVW）が発散される。また、体
積波モードの静磁波の角周波数ωは、YIG薄膜14の磁気
回転比をγとし内部磁界をＨとし飽和磁化を４πＭとし
た場合、次式（１）で表される。
テナ16aから出力アンテナ16b側に体積前進静磁波（MSFV
W）が励起される。一方、バンドエリミネーションフィ
ルタ22においては、マイクロストリップライン18から外
側に体積前進静磁波（MSFVW）が発散される。また、体
積波モードの静磁波の角周波数ωは、YIG薄膜14の磁気
回転比をγとし内部磁界をＨとし飽和磁化を４πＭとし
た場合、次式（１）で表される。
γＨ≦ω≦γ〔Ｈ（Ｈ＋４πＭ）〕1/2・・・（１） したがって、この実施例では、バンドパスフィルタ20の
通過域よりバンドエリミネーションフィルタ22の減衰域
が高い周波数になり、第２図に示す周波数特性が得られ
る。なお、YIG薄膜14上には、その長手方向の中央に、
静磁波を吸収するためのたとえば電気的なシールド材か
らなる静磁波吸収体26が設けられ、この静磁波吸収体26
によって、バンドパスフィルタ20およびバンドエリミネ
ーションフィルタ22間での静磁波による干渉が防止され
る。
通過域よりバンドエリミネーションフィルタ22の減衰域
が高い周波数になり、第２図に示す周波数特性が得られ
る。なお、YIG薄膜14上には、その長手方向の中央に、
静磁波を吸収するためのたとえば電気的なシールド材か
らなる静磁波吸収体26が設けられ、この静磁波吸収体26
によって、バンドパスフィルタ20およびバンドエリミネ
ーションフィルタ22間での静磁波による干渉が防止され
る。
そして、この実施例では、バンドエリミネーションフィ
ルタ22の減衰域を調整することによって、所望の帯域で
の減衰量を大きくすることができる。
ルタ22の減衰域を調整することによって、所望の帯域で
の減衰量を大きくすることができる。
また、この実施例では、バンドパスフィルタ20とバンド
エリミネーションフィルタ22とが一体的に形成されてい
るので、ディスクリートなバンドパスフィルタとバンド
エリミネーションフィルタとを用いた場合に比べて小型
化が可能である。
エリミネーションフィルタ22とが一体的に形成されてい
るので、ディスクリートなバンドパスフィルタとバンド
エリミネーションフィルタとを用いた場合に比べて小型
化が可能である。
なお、上述の実施例において、電磁石24をYIG薄膜14の
幅方向の一端の外側に配置して、YIG薄膜14に対して平
行でかつ静磁波の伝搬方向に対して平行な方向に磁界を
印加するようにしてもよい。
幅方向の一端の外側に配置して、YIG薄膜14に対して平
行でかつ静磁波の伝搬方向に対して平行な方向に磁界を
印加するようにしてもよい。
この場合、YIG薄膜14上には、体積後退静磁波（MSBVW）
が入力アンテナ16aから出力アンテナ16b側に伝搬され
る。また、マイクロストリップライン18から表面静磁波
（MSSW）が発散される。なお、表面波モードの静磁波の
角周波数ωは、YIG薄膜の磁気回転比，内部磁界，飽和
磁化をそれぞれγ,H,4πＭとした場合、次式（２）で表
される。
が入力アンテナ16aから出力アンテナ16b側に伝搬され
る。また、マイクロストリップライン18から表面静磁波
（MSSW）が発散される。なお、表面波モードの静磁波の
角周波数ωは、YIG薄膜の磁気回転比，内部磁界，飽和
磁化をそれぞれγ,H,4πＭとした場合、次式（２）で表
される。
γ〔Ｈ（Ｈ＋４πＭ）〕1/2≦ω≦γ（Ｈ＋２πＭ）・
・・（２） また、バンドパスフィルタ20の通過域とバンドエリミネ
ーションフィルタ22の減衰域との周波数を異ならせるた
めには、バンドパスフィルタ20およびバンドエリミネー
ションフィルタ22に印加する磁界の大きさを異ならせる
代わりに、バンドパスフィルタ20部分におけるYIG薄膜1
4の飽和磁化とバンドエリミネーションフィルタ22部分
におけるYIG薄膜14の飽和磁化とを異なるようにしても
よい。
・・（２） また、バンドパスフィルタ20の通過域とバンドエリミネ
ーションフィルタ22の減衰域との周波数を異ならせるた
めには、バンドパスフィルタ20およびバンドエリミネー
ションフィルタ22に印加する磁界の大きさを異ならせる
代わりに、バンドパスフィルタ20部分におけるYIG薄膜1
4の飽和磁化とバンドエリミネーションフィルタ22部分
におけるYIG薄膜14の飽和磁化とを異なるようにしても
よい。
第1A図および第1B図はこの考案の一実施例を示し、第1A
図はその要部平面図解図であり、第1B図はその側面図解
図である。 第２図は第1A図および第1B図に示す実施例の周波数特性
を示すグラフである。 第３図はこの考案の背景となる従来の静磁波装置の一例
を示す斜視図である。 第４図は第３図に示す静磁波装置の周波数特性を示すグ
ラフである。 図において、10は静磁波装置、12はGGG基板、14はYIG薄
膜、16aは入力アンテナ、16bは出力アンテナ、18はマイ
クロストリップライン、20はバンドパスフィルタ、22は
バンドエリミネーションフィルタを示す。
図はその要部平面図解図であり、第1B図はその側面図解
図である。 第２図は第1A図および第1B図に示す実施例の周波数特性
を示すグラフである。 第３図はこの考案の背景となる従来の静磁波装置の一例
を示す斜視図である。 第４図は第３図に示す静磁波装置の周波数特性を示すグ
ラフである。 図において、10は静磁波装置、12はGGG基板、14はYIG薄
膜、16aは入力アンテナ、16bは出力アンテナ、18はマイ
クロストリップライン、20はバンドパスフィルタ、22は
バンドエリミネーションフィルタを示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−190001（ＪＰ，Ａ) 特開 昭47−12610（ＪＰ，Ａ) 実開 昭54−141850（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】静磁波を用いたバンドパスフィルタ、およ
び 前記バンドパスフィルタと一体的に形成されかつ前記バ
ンドパスフィルタに接続され所望の帯域に減衰域を有す
る静磁波を用いたバンドエリミネーションフィルタを含
み、 前記バンドパスフィルタは、 YIG薄膜、および 前記YIG薄膜上に間隔を隔てて対向するように配置され
るアンテナを含み、 前記バンドエリミネーションフィルタは、前記YIG薄膜
上に前記アンテナから間隔を隔てて形成されその一端が
１つの前記アンテナの一端に接続されるストリップライ
ンを含む、静磁波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988168565U JPH0727683Y2 (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | 静磁波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988168565U JPH0727683Y2 (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | 静磁波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0288323U JPH0288323U (ja) | 1990-07-12 |
| JPH0727683Y2 true JPH0727683Y2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=31457854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988168565U Expired - Lifetime JPH0727683Y2 (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | 静磁波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727683Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54141850U (ja) * | 1978-03-24 | 1979-10-02 | ||
| IT1213266B (it) * | 1984-02-21 | 1989-12-14 | Selenia Ind Elettroniche | Metodo per la soppressione di onde magnetostatiche in film di granati magnetici per circuiti a microonde |
-
1988
- 1988-12-26 JP JP1988168565U patent/JPH0727683Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0288323U (ja) | 1990-07-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |