JPH0760965B2 - 静磁波装置 - Google Patents
静磁波装置Info
- Publication number
- JPH0760965B2 JPH0760965B2 JP63281691A JP28169188A JPH0760965B2 JP H0760965 B2 JPH0760965 B2 JP H0760965B2 JP 63281691 A JP63281691 A JP 63281691A JP 28169188 A JP28169188 A JP 28169188A JP H0760965 B2 JPH0760965 B2 JP H0760965B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- yig thin
- magnetostatic wave
- wave device
- yig
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は静磁波装置に関し、特にたとえばMSWフィル
タなどとして用いられる静磁波装置に関する。
タなどとして用いられる静磁波装置に関する。
（従来技術） 第８図および第９図は、それぞれ、静磁波装置の従来例
を示す図解図である。
を示す図解図である。
第８図に示す静磁波装置１では、YIG（イットリウム，
アイアン，ガーネット）薄膜２がGGG（ガドリニウム，
ガリウム，ガーネット）基板３上に形成され、YIG薄膜
２上には、たとえば蒸着，エッチングなどの方法によっ
て、短冊状のアンテナ４および５が形成されている。
アイアン，ガーネット）薄膜２がGGG（ガドリニウム，
ガリウム，ガーネット）基板３上に形成され、YIG薄膜
２上には、たとえば蒸着，エッチングなどの方法によっ
て、短冊状のアンテナ４および５が形成されている。
また、第９図に示す静磁波装置１では、GGG基板３上のY
IG薄膜２上に、導線でアンテナ４および５が形成されて
いる。
IG薄膜２上に、導線でアンテナ４および５が形成されて
いる。
そして、これらの静磁波装置１では、それぞれ、GGG基
板３の下にたとえば金属からなる接地導体６が形成され
ている。
板３の下にたとえば金属からなる接地導体６が形成され
ている。
（発明が解決しようとする課題） ところが、このような従来の静磁波装置では、アンテナ
からその上方に放射される電磁波が損失となってしまう
ため、挿入損失が大きかった。
からその上方に放射される電磁波が損失となってしまう
ため、挿入損失が大きかった。
それゆえに、この発明の主たる目的は、挿入損失が小さ
い、静磁波装置を提供することである。
い、静磁波装置を提供することである。
（課題を解決するための手段） この発明は、YIG薄膜と、YIG薄膜の一方主面上に間隔を
隔てて形成される２つのアンテナと、２つのアンテナを
覆うようにYIG薄膜の一方主面上に形成される別のYIG薄
膜を含む、静磁波装置である。
隔てて形成される２つのアンテナと、２つのアンテナを
覆うようにYIG薄膜の一方主面上に形成される別のYIG薄
膜を含む、静磁波装置である。
（作用） ２つのアンテナの両側にYIG薄膜が存在するので、一方
のアンテナから他方のアンテナに放射される電磁波の損
失が小さくなる。
のアンテナから他方のアンテナに放射される電磁波の損
失が小さくなる。
（発明の効果） この発明によれば、一方のアンテナから他方のアンテナ
に放射される電磁波の損失が小さくなるので、挿入損失
を小さくすることができる。
に放射される電磁波の損失が小さくなるので、挿入損失
を小さくすることができる。
この発明の上述の目的，その他の目的，特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
（実施例） 第１図はこの発明の一実施例を示す図解図である。
この静磁波装置10は、薄い矩形状のYIG（イットリウ
ム，アイアン，ガーネット）薄膜12aを含み、このYIG薄
膜12aは、GGG（ガドリニウム，ガリウム，ガーネット）
基板14aを一方主面上に形成される。
ム，アイアン，ガーネット）薄膜12aを含み、このYIG薄
膜12aは、GGG（ガドリニウム，ガリウム，ガーネット）
基板14aを一方主面上に形成される。
さらに、YIG薄膜12a上には、たとえば蒸着，エッチング
などの方法によって、たとえば短冊状のアンテナ16aお
よび16bが間隔を隔てて形成される。
などの方法によって、たとえば短冊状のアンテナ16aお
よび16bが間隔を隔てて形成される。
また、YIG薄膜12a上には、それらのアンテナ16aおよび1
6bを覆うようにして、別のYIG薄膜12bが形成される。こ
の実施例では、別のYIG薄膜12bは、YIG薄膜12aと同じ飽
和磁化（４πMs）を有する材料で形成され、しかも、そ
れに励起される静磁波とYIG薄膜12に励起される静磁波
との位相が合うように形成されている。また、この別の
YIG薄膜12bは、別のGGG基板14bの一方主面上に形成され
ている。
6bを覆うようにして、別のYIG薄膜12bが形成される。こ
の実施例では、別のYIG薄膜12bは、YIG薄膜12aと同じ飽
和磁化（４πMs）を有する材料で形成され、しかも、そ
れに励起される静磁波とYIG薄膜12に励起される静磁波
との位相が合うように形成されている。また、この別の
YIG薄膜12bは、別のGGG基板14bの一方主面上に形成され
ている。
さらに、GGG基板14aおよび別のGGG基板14bの他方主面上
には、それぞれ、たとえば金属からなる接地電極18aお
よび18bが形成される。
には、それぞれ、たとえば金属からなる接地電極18aお
よび18bが形成される。
この静磁波装置10では、たとえば、YIG薄膜12aおよび12
bの主面に直交する方向に、直流磁界が印加されて使用
される。そして、たとえばアンテナ16aに信号を入力す
れば、アンテナ16aの両側に発生する電磁波などによっ
て体積前進静磁波（MSFVW）が励起される。また、この
体積前進静磁波は、２つのYIG薄膜12aおよび12b上にア
ンテナ16aからアンテナ16b側に伝搬される。それから、
伝搬された体積前進静磁波は、アンテナ16bで受信され
る。したがって、この静磁波装置10では、第８図および
第９図に示す従来例に比べて、アンテナの両側に発生す
る電磁波を有効的に用いることができるため、挿入損失
が小さくなるとともにＱ値が大きくなる。
bの主面に直交する方向に、直流磁界が印加されて使用
される。そして、たとえばアンテナ16aに信号を入力す
れば、アンテナ16aの両側に発生する電磁波などによっ
て体積前進静磁波（MSFVW）が励起される。また、この
体積前進静磁波は、２つのYIG薄膜12aおよび12b上にア
ンテナ16aからアンテナ16b側に伝搬される。それから、
伝搬された体積前進静磁波は、アンテナ16bで受信され
る。したがって、この静磁波装置10では、第８図および
第９図に示す従来例に比べて、アンテナの両側に発生す
る電磁波を有効的に用いることができるため、挿入損失
が小さくなるとともにＱ値が大きくなる。
さらに、この実施例の静磁波装置10は、その構造が対称
型であるため、入出力のインピーダンスマッチングがと
りやすく設計が容易であり、しかも、理論づけやすい構
造なので動作の解析が容易である。
型であるため、入出力のインピーダンスマッチングがと
りやすく設計が容易であり、しかも、理論づけやすい構
造なので動作の解析が容易である。
また、この静磁波装置10では、２つのYIG薄膜をそれぞ
れたとえば幅2mm,長さ5mmの寸法に形成すればYIG薄膜の
実効的な幅が約4mmとなるので、すなわち、YIG薄膜の実
効的な幅が１つのYIG薄膜の幅の約２倍となるので、従
来例に比べて小型になる。
れたとえば幅2mm,長さ5mmの寸法に形成すればYIG薄膜の
実効的な幅が約4mmとなるので、すなわち、YIG薄膜の実
効的な幅が１つのYIG薄膜の幅の約２倍となるので、従
来例に比べて小型になる。
なお、静磁波装置10には、YIG薄膜12aおよび12bに対し
て平行でかつ静磁波の伝搬方向に対して垂直な方向に磁
界を印加してもよい。この場合、２つのYIG薄膜12aおよ
び12b上には、表面静磁波（MSSW）が伝搬される。ある
いは、YIG薄膜12aおよび12bに対して平行でかつ静磁波
の伝搬方向に対して平行な方向に磁界を印加してもよ
い。この場合、YIG薄膜12aおよび12b上には、体積後退
静磁波（MSBVW）が伝搬される。このように、静磁波装
置10に印加する磁界の方向を任意に変更してもよい。
て平行でかつ静磁波の伝搬方向に対して垂直な方向に磁
界を印加してもよい。この場合、２つのYIG薄膜12aおよ
び12b上には、表面静磁波（MSSW）が伝搬される。ある
いは、YIG薄膜12aおよび12bに対して平行でかつ静磁波
の伝搬方向に対して平行な方向に磁界を印加してもよ
い。この場合、YIG薄膜12aおよび12b上には、体積後退
静磁波（MSBVW）が伝搬される。このように、静磁波装
置10に印加する磁界の方向を任意に変更してもよい。
第２図は第１図に示す実施例の変形例を示す要部平面図
である。この実施例では、、特に、YIG薄膜12a（12b）
が、GGG基板14a（14b）の幅方向の中央部分に形成され
ている。このように、YIG薄膜は、GGG基板の幅方向の中
央部分にのみ形成されてもよい。
である。この実施例では、、特に、YIG薄膜12a（12b）
が、GGG基板14a（14b）の幅方向の中央部分に形成され
ている。このように、YIG薄膜は、GGG基板の幅方向の中
央部分にのみ形成されてもよい。
第３図は第１図に示す実施例の他の変形例を示す要部平
面図である。この実施例では、特に、YIG薄膜12a（12
b）が、GGG基板14a（14b）の幅方向の中央部分でその長
手方向の中央部分に形成されている。さらに、アンテナ
16aおよび16bが、GGG基板14a（14b）の長手方向の端部
にまで延びて形成されている。
面図である。この実施例では、特に、YIG薄膜12a（12
b）が、GGG基板14a（14b）の幅方向の中央部分でその長
手方向の中央部分に形成されている。さらに、アンテナ
16aおよび16bが、GGG基板14a（14b）の長手方向の端部
にまで延びて形成されている。
第４図は第１図に示す実施例のさらに他の変形例を示す
図解図である。第１図に示す実施例ではアンテナ16aお
よび16bがそれぞれ１層の材料で形成されているが、こ
の実施例では、アンテナ16aおよび16bが、それぞれ、YI
G薄膜12a上に形成された１層の材料とYIG薄膜12b上に形
成された１層の材料との２層の材料で形成されている。
図解図である。第１図に示す実施例ではアンテナ16aお
よび16bがそれぞれ１層の材料で形成されているが、こ
の実施例では、アンテナ16aおよび16bが、それぞれ、YI
G薄膜12a上に形成された１層の材料とYIG薄膜12b上に形
成された１層の材料との２層の材料で形成されている。
第５図はこの発明の他の実施例を示す平面図である。こ
の実施例では、アンテナ16baおよび16bが、それぞれ、
金属からなる片で全体の幅方向の外側に突き出た形で形
成されている。
の実施例では、アンテナ16baおよび16bが、それぞれ、
金属からなる片で全体の幅方向の外側に突き出た形で形
成されている。
なお、上述の各実施例では、YIG薄膜12aと別のYIG薄膜1
2bとが同じ飽和磁化（４πMs）を有する材料で形成され
ているが、この発明では、YIG薄膜12aと別のYIG薄膜12b
とを飽和磁化（４πMs）の異なった材料で形成してもよ
い。このようにYIG薄膜12aと別のYIG薄膜12bとの飽和磁
化（４πMs）を異ならせれば、YIG薄膜12aによる周波数
特性および別のYIG薄膜12bによる周波数特性は、たとえ
ば第６図の実線および点線で示すように通過帯域の周波
数がずれた形となり、静磁波装置全体としては、第７図
に示すように広帯域となる。
2bとが同じ飽和磁化（４πMs）を有する材料で形成され
ているが、この発明では、YIG薄膜12aと別のYIG薄膜12b
とを飽和磁化（４πMs）の異なった材料で形成してもよ
い。このようにYIG薄膜12aと別のYIG薄膜12bとの飽和磁
化（４πMs）を異ならせれば、YIG薄膜12aによる周波数
特性および別のYIG薄膜12bによる周波数特性は、たとえ
ば第６図の実線および点線で示すように通過帯域の周波
数がずれた形となり、静磁波装置全体としては、第７図
に示すように広帯域となる。
第１図はこの発明の一実施例を示す図解図である。 第２図は第１図に示す実施例の変形例を示す要部平面図
である。 第３図は第１図に示す実施例の他の変形例を示す要部平
面図である。 第４図は第１図に示す実施例のさらに他の変形例を示す
図解図である。 第５図はこの発明の他の実施例を示す平面図である。 第６図は飽和磁化（４πMs）の異なったYIG薄膜および
別のYIG薄膜によるそれぞれの周波数特性を示すグラフ
である。 第７図は飽和磁化（４πMs）の異なったYIG薄膜および
別のYIG薄膜による周波数特性を示すグラフである。 第８図および第９図は、それぞれ、静磁波装置の従来例
を示す図解図である。 図において、10は静磁波装置、12aはYIG薄膜、12bは別
のYIG薄膜、16aおよび16bはアンテナを示す。
である。 第３図は第１図に示す実施例の他の変形例を示す要部平
面図である。 第４図は第１図に示す実施例のさらに他の変形例を示す
図解図である。 第５図はこの発明の他の実施例を示す平面図である。 第６図は飽和磁化（４πMs）の異なったYIG薄膜および
別のYIG薄膜によるそれぞれの周波数特性を示すグラフ
である。 第７図は飽和磁化（４πMs）の異なったYIG薄膜および
別のYIG薄膜による周波数特性を示すグラフである。 第８図および第９図は、それぞれ、静磁波装置の従来例
を示す図解図である。 図において、10は静磁波装置、12aはYIG薄膜、12bは別
のYIG薄膜、16aおよび16bはアンテナを示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−190001（ＪＰ，Ａ) 特開 昭47−12610（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−66025（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】YIG薄膜、 前記YIG薄膜の一方主面上に間隔を隔てて形成される２
つのアンテナ、および 前記２つのアンテナを覆うように前記YIG薄膜の一方主
面上に形成される別のYIG薄膜を含む、静磁波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63281691A JPH0760965B2 (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | 静磁波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63281691A JPH0760965B2 (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | 静磁波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02126714A JPH02126714A (ja) | 1990-05-15 |
| JPH0760965B2 true JPH0760965B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=17642639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63281691A Expired - Fee Related JPH0760965B2 (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | 静磁波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760965B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11340038A (ja) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Murata Mfg Co Ltd | 磁性ガーネット単結晶膜、磁性ガーネット単結晶膜の製造方法および静磁波デバイス |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1213266B (it) * | 1984-02-21 | 1989-12-14 | Selenia Ind Elettroniche | Metodo per la soppressione di onde magnetostatiche in film di granati magnetici per circuiti a microonde |
-
1988
- 1988-11-07 JP JP63281691A patent/JPH0760965B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02126714A (ja) | 1990-05-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3019008B2 (ja) | 静磁波装置 | |
| US4939488A (en) | Magnetostatic wave device | |
| JP2909363B2 (ja) | 静磁波マイクロ波装置 | |
| JPH0760965B2 (ja) | 静磁波装置 | |
| US4777462A (en) | Edge coupler magnetostatic wave structures | |
| EP0658978B1 (en) | Magnetostatic wave device | |
| JP2636580B2 (ja) | 静磁波装置 | |
| JPH0728724Y2 (ja) | 静磁波装置 | |
| JP2507524B2 (ja) | 静磁波共振器 | |
| US4774483A (en) | Diagonally coupled magnetostatic wave resonators | |
| US5371482A (en) | Magnetostatic wave device containing acoustic wave absorbing layer | |
| JP2660747B2 (ja) | 静磁波装置 | |
| JPH0727683Y2 (ja) | 静磁波装置 | |
| JP2501877Y2 (ja) | 静磁波装置 | |
| JPH03259601A (ja) | 静磁波装置 | |
| JP2786189B2 (ja) | 静磁波非線形デバイス | |
| JPH089925Y2 (ja) | 静磁波装置 | |
| JP3279159B2 (ja) | 静磁波装置 | |
| JPH0727682Y2 (ja) | Ｍｓｗフィルタ | |
| JP2630109B2 (ja) | 静磁波素子 | |
| JPH0756922B2 (ja) | 静磁波装置 | |
| JPH0722889Y2 (ja) | 静磁波共振子 | |
| JPH104301A (ja) | 静磁波装置 | |
| JPH02186801A (ja) | 静磁波装置 | |
| JPH02106999A (ja) | 静磁波デバイス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |