JPH0622980Y2 - Ｃｖｄ装置における基板支持装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置における基板支持装置Info
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- JPH0622980Y2 JPH0622980Y2 JP1988125645U JP12564588U JPH0622980Y2 JP H0622980 Y2 JPH0622980 Y2 JP H0622980Y2 JP 1988125645 U JP1988125645 U JP 1988125645U JP 12564588 U JP12564588 U JP 12564588U JP H0622980 Y2 JPH0622980 Y2 JP H0622980Y2
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Description
本考案は、半導体等の基板を支持する支持装置、および
これを利用して基板を平行に配置し、所定の薄膜を形成
するＣＶＤ装置に関するものである。
これを利用して基板を平行に配置し、所定の薄膜を形成
するＣＶＤ装置に関するものである。
【従来の技術】 近年、ＯＡ機器、テレビ、コンピューターなどに利用す
る電子部品の分野が、急速に発展、推進されてきてい
る。これらの電子部品のための半導体デバイスの製造工
程において、半導体基板にSi02、ポリシリコン等の薄膜
を形成するためにＣＶＤ（気相成長）装置が用いられて
いる。ＣＶＤ装置には、半導体基板を縦に積み重ねた縦
型ＣＶＤ装置や横型ＣＶＤ装置がある。これら装置は、
一度に多量の基板を処理できるというバッチ処理の特性
をつ。 従来の縦型のＣＶＤ装置の略示縦断面図を第４図に、横
型のＣＶＤ装置の略示断面図を第５図に示す。第４図に
おいて、石英から成るベルジャー型の石英管１の内側に
は４本の支持体２が挿入されている。その支持体２を構
成する石英ロッドのそれぞれには切欠部が等間隔に設け
られ、その切欠部に円形の基板３が直に嵌合、載置され
ている。 第５図の装置は、ホットウォール型のもので、複数の基
板３が支持体２に刻まれた平行な溝により平行に並べら
れている。
る電子部品の分野が、急速に発展、推進されてきてい
る。これらの電子部品のための半導体デバイスの製造工
程において、半導体基板にSi02、ポリシリコン等の薄膜
を形成するためにＣＶＤ（気相成長）装置が用いられて
いる。ＣＶＤ装置には、半導体基板を縦に積み重ねた縦
型ＣＶＤ装置や横型ＣＶＤ装置がある。これら装置は、
一度に多量の基板を処理できるというバッチ処理の特性
をつ。 従来の縦型のＣＶＤ装置の略示縦断面図を第４図に、横
型のＣＶＤ装置の略示断面図を第５図に示す。第４図に
おいて、石英から成るベルジャー型の石英管１の内側に
は４本の支持体２が挿入されている。その支持体２を構
成する石英ロッドのそれぞれには切欠部が等間隔に設け
られ、その切欠部に円形の基板３が直に嵌合、載置され
ている。 第５図の装置は、ホットウォール型のもので、複数の基
板３が支持体２に刻まれた平行な溝により平行に並べら
れている。
しかし、このようなＣＶＤ装置には以下の欠点がある。
すなわち、処理すべき基板上に均一な薄膜を形成するた
めには支持体に嵌合、載置される複数の基板間の間隔を
広くしなければならない。なぜならば、間隔を狭くする
と基板の中央部と周辺部とではガス流が変化し、そのた
めに薄膜が均等に形成されないからである。一方、生産
性を高めるためには、一度に処理すべき基板の数を増や
す必要があるが、そのためには基板と基板との間隔を狭
くせざるを得ない。そのため、複数の基板を直に支持体
に載置する従来の装置では、薄膜の均一性の要請と生産
性の要請とを同時に満足させることができなかった。 かかる欠点を解決するために、基板よりも大きな支持板
を支持体に設け、その上に基板を載置するという方法が
取られた。この方法は、基板を載置した支持板全体に対
し薄膜を形成し、支持板の基板に覆われなかった部分
（この部分は支持板の周囲であるため、その上に形成さ
れた薄膜は均一性がよくない）の薄膜を捨て去り、ほぼ
均一に薄膜が形成された基板を利用しようとするもので
ある。しかし、基板の表面は非常に平坦であり、その基
板を載置する支持板もまた非常に平坦であるため、それ
らは密着する。そのため薄膜形成後に基板を支持板から
取り外すことが非常に困難になる。また、大きな支持板
を支持体間に設けることは、たとえば、高価な石英から
成る石英管１を大径にしなければならなくなる。このこ
とは装置の製造コストを上げ、また装置の維持管理上も
不都合である。 そこで、本考案の目的は、ＣＶＤ装置において複数の半
導体等の基板を同時に処理し、その基板上に形成される
薄膜の均一性を改良し、および／または膜に導入される
不純物の濃度を適正化するための基板支持装置を提供す
ることである。 本考案の他の目的は、基板の着脱が容易な基板支持装置
を提供することである。
すなわち、処理すべき基板上に均一な薄膜を形成するた
めには支持体に嵌合、載置される複数の基板間の間隔を
広くしなければならない。なぜならば、間隔を狭くする
と基板の中央部と周辺部とではガス流が変化し、そのた
めに薄膜が均等に形成されないからである。一方、生産
性を高めるためには、一度に処理すべき基板の数を増や
す必要があるが、そのためには基板と基板との間隔を狭
くせざるを得ない。そのため、複数の基板を直に支持体
に載置する従来の装置では、薄膜の均一性の要請と生産
性の要請とを同時に満足させることができなかった。 かかる欠点を解決するために、基板よりも大きな支持板
を支持体に設け、その上に基板を載置するという方法が
取られた。この方法は、基板を載置した支持板全体に対
し薄膜を形成し、支持板の基板に覆われなかった部分
（この部分は支持板の周囲であるため、その上に形成さ
れた薄膜は均一性がよくない）の薄膜を捨て去り、ほぼ
均一に薄膜が形成された基板を利用しようとするもので
ある。しかし、基板の表面は非常に平坦であり、その基
板を載置する支持板もまた非常に平坦であるため、それ
らは密着する。そのため薄膜形成後に基板を支持板から
取り外すことが非常に困難になる。また、大きな支持板
を支持体間に設けることは、たとえば、高価な石英から
成る石英管１を大径にしなければならなくなる。このこ
とは装置の製造コストを上げ、また装置の維持管理上も
不都合である。 そこで、本考案の目的は、ＣＶＤ装置において複数の半
導体等の基板を同時に処理し、その基板上に形成される
薄膜の均一性を改良し、および／または膜に導入される
不純物の濃度を適正化するための基板支持装置を提供す
ることである。 本考案の他の目的は、基板の着脱が容易な基板支持装置
を提供することである。
上記目的を達成するため、本考案の支持板は、処理基板
よりも大きいもので、支持板の中央に、その基板とほぼ
同程度の開口を有するとともに、その開口の周囲に沿っ
て基板を支持するための複数のクリップを有して成るも
のである。ここで、基板、開口、支持板は円形でもよ
く、また多角形でもよい。また、処理基板は半導体に限
定されず、たとえばガラス基板、セラミック基板等の基
板でも良い。 本考案のＣＶＤ装置は、上記支持板を一定の間隔をあけ
て平行に配置する基板支持装置をその中に有するように
したものである。
よりも大きいもので、支持板の中央に、その基板とほぼ
同程度の開口を有するとともに、その開口の周囲に沿っ
て基板を支持するための複数のクリップを有して成るも
のである。ここで、基板、開口、支持板は円形でもよ
く、また多角形でもよい。また、処理基板は半導体に限
定されず、たとえばガラス基板、セラミック基板等の基
板でも良い。 本考案のＣＶＤ装置は、上記支持板を一定の間隔をあけ
て平行に配置する基板支持装置をその中に有するように
したものである。
本考案の支持板において、処理基板は支持板から容易に
着脱することができるように支持から離されて支持され
る。 また、本考案の複数の支持板が一定間隔を置いて平行に
配置されたＣＶＤ装置において、支持板の開口が基板と
体面するために、そこにより広い空間が画成される。し
たがって、ガスは、それら支持板の間だけでなく支持板
とその支持板が支持する基板との間から基板へと、複数
の基板を並置することによる影響を最小限として流れ
る。
着脱することができるように支持から離されて支持され
る。 また、本考案の複数の支持板が一定間隔を置いて平行に
配置されたＣＶＤ装置において、支持板の開口が基板と
体面するために、そこにより広い空間が画成される。し
たがって、ガスは、それら支持板の間だけでなく支持板
とその支持板が支持する基板との間から基板へと、複数
の基板を並置することによる影響を最小限として流れ
る。
次に、本考案の実施例を図面を参照して説明する。第１
図は半導体基板を支持した本考案の基板支持板の斜示図
を示し、第２図はその断面図を示す。この実施例におい
ては、処理基板は半導体であるが、これに限定されずガ
ラス基板、セラミック基板等の基板でもよい。支持板２
１は、処理されるべき基板２２を支持するためのもの
で、図では円形のものであるが、これに限定されず、多
角形のものでもよい。ただし、処理されるべき基板が円
形の場合には、支持板は円形が望ましい。 支持板２１の中央には、開口２３が設けられている。こ
の開口は円形の基板に合わせて円形となっている。図示
の開口の基板の大きさよりも小さいが、大きくしても良
い。開口を基板の大きさよりも小さくすると、支持板と
その支持板が支持する基板との間が狭くなり、そこを流
れるガス流は少なくなる。逆に、開口を大きくすると、
ガス流は多くなる。このように、開口の大きさを調節す
ることにより、ガス流も調節することができる。しか
し、開口を余りにも小さくしすぎると、以下で説明する
ように、複数の支持板をＣＶＤ装置内に並置したとき
に、基板上に画成される空間が小さくなり、均一な薄膜
の形成が困難になる。一方、開口を大きくしすぎると、
支持板がない場合と同じになり、支持板を設けた意味が
なくなる。 開口２３の周囲には、基板２２を支持板２１から離して
支持するための複数のクリップ２４が設けられている。
このクリップ２４により基板は支持板と密着することが
なくなる。クリップ２４の数は基板の確実な握持と着脱
の容易さの観点から決定されるべきで、好適には３個で
ある。このクリップより、基板２２は、第２図に示した
ように、支持板２１の開口２３の真上に支持される。上
述したように、開口を基板の大きさよりも大きくすると
きは、クリップは斜めにするか、あるいは逆Ｌ字型にす
る必要がある。 第３Ａ図は、ベルジャー型のＣＶＤ装置において、基板
２２をクリップ２４により支持し、縦方向に一定の間隔
を置いて配置された複数の支持板２１を示す。各支持板
２１は支持体２５により保持されている。この図から明
らかなように、支持された半導体基板２２の真上に支持
板の開口２３が位置し、このため上の基板と下の基板と
の間に、開口がなかった場合の空間よりの広い空間が形
成されることになる。したがって、薄膜の堆積に寄与す
るガスは、第３Ａ図の矢印のように流れることができ
る。すなわち、従来は、ガスは真横から基板の方向に流
れたが、本考案によれば、さらにその基板の上の支持板
とその支持板が支持する基板との間からも流れる。その
ため、基板上のより広くなった空間と相俟って、基板上
には比較的均一な薄膜の形成が可能となる。 ここで、ガス流は、基板の直径と開口の直径との差、す
なわちＡ、基板と支持板との距離、すなわちＢ、および
支持板の直径と開口の直径との差、すなわちＣによって
特定される（第３Ａ図）。したがって、基板上に堆積さ
れる薄膜の均一性は、基板の大きさ、基板の形状、薄膜
の所望の厚さ、処理時間などに応じて、上記Ａ、Ｂ、お
よびＣを便宜変化させることにより改良され得る。 薄膜に導入する不純物の濃度もまた、本考案の支持板を
利用することにより適性化を図ることができることは明
らかである。 第３Ｂ図は、本考案の他の実施例であって、ホットウォ
ール型のＣＶＤ装置において、基板２２をクリップ２４
により支持し、横方向に一定の間隔を置いて配置され複
数の支持板２１を示す。
図は半導体基板を支持した本考案の基板支持板の斜示図
を示し、第２図はその断面図を示す。この実施例におい
ては、処理基板は半導体であるが、これに限定されずガ
ラス基板、セラミック基板等の基板でもよい。支持板２
１は、処理されるべき基板２２を支持するためのもの
で、図では円形のものであるが、これに限定されず、多
角形のものでもよい。ただし、処理されるべき基板が円
形の場合には、支持板は円形が望ましい。 支持板２１の中央には、開口２３が設けられている。こ
の開口は円形の基板に合わせて円形となっている。図示
の開口の基板の大きさよりも小さいが、大きくしても良
い。開口を基板の大きさよりも小さくすると、支持板と
その支持板が支持する基板との間が狭くなり、そこを流
れるガス流は少なくなる。逆に、開口を大きくすると、
ガス流は多くなる。このように、開口の大きさを調節す
ることにより、ガス流も調節することができる。しか
し、開口を余りにも小さくしすぎると、以下で説明する
ように、複数の支持板をＣＶＤ装置内に並置したとき
に、基板上に画成される空間が小さくなり、均一な薄膜
の形成が困難になる。一方、開口を大きくしすぎると、
支持板がない場合と同じになり、支持板を設けた意味が
なくなる。 開口２３の周囲には、基板２２を支持板２１から離して
支持するための複数のクリップ２４が設けられている。
このクリップ２４により基板は支持板と密着することが
なくなる。クリップ２４の数は基板の確実な握持と着脱
の容易さの観点から決定されるべきで、好適には３個で
ある。このクリップより、基板２２は、第２図に示した
ように、支持板２１の開口２３の真上に支持される。上
述したように、開口を基板の大きさよりも大きくすると
きは、クリップは斜めにするか、あるいは逆Ｌ字型にす
る必要がある。 第３Ａ図は、ベルジャー型のＣＶＤ装置において、基板
２２をクリップ２４により支持し、縦方向に一定の間隔
を置いて配置された複数の支持板２１を示す。各支持板
２１は支持体２５により保持されている。この図から明
らかなように、支持された半導体基板２２の真上に支持
板の開口２３が位置し、このため上の基板と下の基板と
の間に、開口がなかった場合の空間よりの広い空間が形
成されることになる。したがって、薄膜の堆積に寄与す
るガスは、第３Ａ図の矢印のように流れることができ
る。すなわち、従来は、ガスは真横から基板の方向に流
れたが、本考案によれば、さらにその基板の上の支持板
とその支持板が支持する基板との間からも流れる。その
ため、基板上のより広くなった空間と相俟って、基板上
には比較的均一な薄膜の形成が可能となる。 ここで、ガス流は、基板の直径と開口の直径との差、す
なわちＡ、基板と支持板との距離、すなわちＢ、および
支持板の直径と開口の直径との差、すなわちＣによって
特定される（第３Ａ図）。したがって、基板上に堆積さ
れる薄膜の均一性は、基板の大きさ、基板の形状、薄膜
の所望の厚さ、処理時間などに応じて、上記Ａ、Ｂ、お
よびＣを便宜変化させることにより改良され得る。 薄膜に導入する不純物の濃度もまた、本考案の支持板を
利用することにより適性化を図ることができることは明
らかである。 第３Ｂ図は、本考案の他の実施例であって、ホットウォ
ール型のＣＶＤ装置において、基板２２をクリップ２４
により支持し、横方向に一定の間隔を置いて配置され複
数の支持板２１を示す。
以上のように本考案は、支持板に開口を設けることによ
り、基板上に適切な空間を画成することができ、かつガ
スを支持板とその支持板が支持する基板との間を流すこ
とができることから、基板上に形成される薄膜を均一に
することができる。同様に、薄膜に導入される不純物の
濃度を適性にすることができる。 また、基板は支持板に設けられたクリップにより支持さ
れるので、基板の着脱が容易になる。
り、基板上に適切な空間を画成することができ、かつガ
スを支持板とその支持板が支持する基板との間を流すこ
とができることから、基板上に形成される薄膜を均一に
することができる。同様に、薄膜に導入される不純物の
濃度を適性にすることができる。 また、基板は支持板に設けられたクリップにより支持さ
れるので、基板の着脱が容易になる。
第１図は、本考案に従った、基板を支持した支持板の斜
視図である。 第２図は、第１図の支持板の断面図である。 第３Ａ図は、ベルジャー型のＣＶＤ装置に縦方向に間隔
をおいて配置した複数の支持板の部分断面図である。 第３Ｂ図は、ホットウォール型のＣＶＤ装置に横方向に
間隔をおいて位置した複数の支持板の部分断面図であ
る。 第４図は、支持板を利用しないで複数の基板を保持する
ベルジャー型のＣＶＤ装置の略示断面図である。 第５図は、支持板を利用しないので複数の基板を保持す
るホットウォール型のＣＶＤ装置の略示断面図である。
視図である。 第２図は、第１図の支持板の断面図である。 第３Ａ図は、ベルジャー型のＣＶＤ装置に縦方向に間隔
をおいて配置した複数の支持板の部分断面図である。 第３Ｂ図は、ホットウォール型のＣＶＤ装置に横方向に
間隔をおいて位置した複数の支持板の部分断面図であ
る。 第４図は、支持板を利用しないで複数の基板を保持する
ベルジャー型のＣＶＤ装置の略示断面図である。 第５図は、支持板を利用しないので複数の基板を保持す
るホットウォール型のＣＶＤ装置の略示断面図である。
１……石英管、２……支持体 ３……基板、２１……支持板 ２２……基板、２３……開口 ２４……クリップ、２５……支持体
Claims (3)
- 【請求項１】処理すべき複数の基板を間隔をあけて平行
に配置される支持板であって、 前記基板とほぼ同程度の大きさの開口を中央に有し、 前記基板を前記支持板から離して、前記開口上に支持す
るための複数の基板支持用のクリップをその開口の周囲
にそって有し、 保持手段により平行に保持される、 ことを特徴とする支持板。 - 【請求項２】処理すべき複数の基板を間隔をあけて平行
に配置し、それら基板にＣＶＤにより薄膜を形成するＣ
ＶＤ装置において、 前記基板とほぼ同程度の大きさの開口を中央に有し、前
記基板を前記支持板から離して、前記開口上に支持する
ための複数の基板支持用のクリップをその開口の周囲に
そって有するところの複数の支持板、および 該複数の支持板を一定間隔を置いて保持する保持手段、 を含むことを特徴とするＣＶＤ装置。 - 【請求項３】請求項(2)に記載のＣＶＤ装置であって、 前記基板上の薄膜の性質が、前記開口の大きさと前記基
板の大きさとの差、前記基板からそのすぐ上の支持板ま
での距離、および前記支持板の大きさと前記開口の大き
さとの差によって調整される、 ところのＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988125645U JPH0622980Y2 (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | Ｃｖｄ装置における基板支持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988125645U JPH0622980Y2 (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | Ｃｖｄ装置における基板支持装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0247029U JPH0247029U (ja) | 1990-03-30 |
| JPH0622980Y2 true JPH0622980Y2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=31376432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988125645U Expired - Fee Related JPH0622980Y2 (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | Ｃｖｄ装置における基板支持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0622980Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006118215A1 (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
| KR20230085208A (ko) * | 2020-12-21 | 2023-06-13 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 기판 보지구, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52139766U (ja) * | 1976-04-16 | 1977-10-22 | ||
| JPS5376396A (en) * | 1976-12-18 | 1978-07-06 | Agency Of Ind Science & Technol | Base plate securing jig for liquid phase epitaxial growth |
| JPS57164524A (en) * | 1981-04-02 | 1982-10-09 | Toshiba Corp | Vapor reaction for semiconductor wafer |
| JPS58108735A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-06-28 | Fujitsu Ltd | 縦型反応管用バスケツト |
| JPS59117138U (ja) * | 1983-01-27 | 1984-08-07 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 半導体製造装置 |
| JPS611017A (ja) * | 1984-06-13 | 1986-01-07 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体基板の熱処理装置 |
| JPS6252929U (ja) * | 1985-09-21 | 1987-04-02 | ||
| JPS62142839U (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-09 | ||
| JPS633155Y2 (ja) * | 1987-03-12 | 1988-01-26 | ||
| JPH0727870B2 (ja) * | 1987-12-24 | 1995-03-29 | 東横化学株式会社 | 減圧気相成長方法 |
-
1988
- 1988-09-28 JP JP1988125645U patent/JPH0622980Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0247029U (ja) | 1990-03-30 |
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