JPH0727871B2 - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH0727871B2 JPH0727871B2 JP63126767A JP12676788A JPH0727871B2 JP H0727871 B2 JPH0727871 B2 JP H0727871B2 JP 63126767 A JP63126767 A JP 63126767A JP 12676788 A JP12676788 A JP 12676788A JP H0727871 B2 JPH0727871 B2 JP H0727871B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- electrodes
- electrode
- flow rate
- semiconductor substrate
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 20
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体基板上に薄膜を形成するプラズマCVD
装置、特に、複数の対向する電極を備え、この電極の一
方に半導体基板を載せ電極間に高電圧を印加して放電を
発生させ、半導体基板上に成膜を行うプラズマCVD装置
に関する。
装置、特に、複数の対向する電極を備え、この電極の一
方に半導体基板を載せ電極間に高電圧を印加して放電を
発生させ、半導体基板上に成膜を行うプラズマCVD装置
に関する。
従来のプラズマCVD装置は、第２図に示すようにヒータ
ー１にて外周より加熱され、減圧にし得る円筒状の炉芯
管２内に複数の対向する電極3a,3bを備え、この電極3a,
3bの一方に半導体基板４を載せ、炉芯管２一端のガス導
入口５より反応ガス６を導入しながら放電用電源７によ
り電極3a,3b間に高電圧を印加して放電を発生させ、反
応ガス６を分解し半導体基板４上に成膜を行うという構
造が一般的であった。
ー１にて外周より加熱され、減圧にし得る円筒状の炉芯
管２内に複数の対向する電極3a,3bを備え、この電極3a,
3bの一方に半導体基板４を載せ、炉芯管２一端のガス導
入口５より反応ガス６を導入しながら放電用電源７によ
り電極3a,3b間に高電圧を印加して放電を発生させ、反
応ガス６を分解し半導体基板４上に成膜を行うという構
造が一般的であった。
上述した従来のプラズマCVD装置においては、炉芯管２
一端のガス導入口５より反応ガス６を導入するため、反
応ガス６はガス導入口５に近い半導体基板４より反応を
開始し排気口８へ流れる。そのため、ガス導入口５から
離れるに従って反応ガス６の濃度が薄くなり、ガス導入
口５からの距離によって半導体基板４に成長される膜厚
に差が生じるという欠点を有していた。
一端のガス導入口５より反応ガス６を導入するため、反
応ガス６はガス導入口５に近い半導体基板４より反応を
開始し排気口８へ流れる。そのため、ガス導入口５から
離れるに従って反応ガス６の濃度が薄くなり、ガス導入
口５からの距離によって半導体基板４に成長される膜厚
に差が生じるという欠点を有していた。
本発明の目的は前記課題を解決したプラズマCVD装置を
提供することにある。
提供することにある。
上述した従来のプラズマCVD装置に対して、本発明は半
導体基板を載置した電極と対向するおのおのの電極に反
応ガスを吹き付けるべく開口したガス吹き出し口と、前
記ガス吹き出し口に反応ガスを導入すべく接続させたガ
ス導入路を設け、かつ前記ガス吹き出し口から流れる反
応ガス流量を各電極で個々に調整可能とするという相違
点を有している。
導体基板を載置した電極と対向するおのおのの電極に反
応ガスを吹き付けるべく開口したガス吹き出し口と、前
記ガス吹き出し口に反応ガスを導入すべく接続させたガ
ス導入路を設け、かつ前記ガス吹き出し口から流れる反
応ガス流量を各電極で個々に調整可能とするという相違
点を有している。
前記目的を達成するため、本発明に係るプラズマCVD装
置は、炉芯管と、複数の対向する電極の組と、ガス導入
路と、ガス流量調整器とを有し、炉芯管内に反応ガスを
導入しながら電極間に高電圧を印加して放電を発生さ
せ、半導体基板上に成膜を行うプラズマCVD装置であっ
て、 炉芯管は、円筒状をなし、ヒーターにて外周より加熱さ
れ、減圧し得る容器であり、 複数の対向する電極の組は、前記炉芯管内に反応ガス流
入側から排出側に向けて順に向き合せて設けられ、各組
の一方の電極は、半導体基板が載置されるものであり、 ガス導入路は、前記電極の組に対応して複数備えられ、
前記各組の他方の電極に設置され、電極上の基板に反応
ガスを吹き付けるガス吹き出し口が設けられたものであ
り、 ガス流量調整器は、前記各ガス導入路に別個に独立に設
けられ、各ガス導入路のガス吹き出し口から基板に吹き
付けられるガス流量を各組の電極毎に個々に調整するも
のである。
置は、炉芯管と、複数の対向する電極の組と、ガス導入
路と、ガス流量調整器とを有し、炉芯管内に反応ガスを
導入しながら電極間に高電圧を印加して放電を発生さ
せ、半導体基板上に成膜を行うプラズマCVD装置であっ
て、 炉芯管は、円筒状をなし、ヒーターにて外周より加熱さ
れ、減圧し得る容器であり、 複数の対向する電極の組は、前記炉芯管内に反応ガス流
入側から排出側に向けて順に向き合せて設けられ、各組
の一方の電極は、半導体基板が載置されるものであり、 ガス導入路は、前記電極の組に対応して複数備えられ、
前記各組の他方の電極に設置され、電極上の基板に反応
ガスを吹き付けるガス吹き出し口が設けられたものであ
り、 ガス流量調整器は、前記各ガス導入路に別個に独立に設
けられ、各ガス導入路のガス吹き出し口から基板に吹き
付けられるガス流量を各組の電極毎に個々に調整するも
のである。
〔実施例〕 次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
図において、ヒーター１にて外周より加熱され、減圧に
し得る円筒状の炉芯管２内に複数の対向する電極3a,3b
を備え、一方の電極3aに半導体基板４を載置する。さら
に他方の電極3bの内部にガス導入路９を具備し、該ガス
導入路９に連なり電極3aの半導体基板４上に反応ガス６
を吹き付けるガス吹き出し口10を設け、各ガス導入路９
にガス流量調整器11をそれぞれ設ける。７は電極3aと3b
間に高電圧を印加して放電を生じさせる放電用電源であ
る。
し得る円筒状の炉芯管２内に複数の対向する電極3a,3b
を備え、一方の電極3aに半導体基板４を載置する。さら
に他方の電極3bの内部にガス導入路９を具備し、該ガス
導入路９に連なり電極3aの半導体基板４上に反応ガス６
を吹き付けるガス吹き出し口10を設け、各ガス導入路９
にガス流量調整器11をそれぞれ設ける。７は電極3aと3b
間に高電圧を印加して放電を生じさせる放電用電源であ
る。
本発明によれば、各電極3bのガス吹き出し口10より反応
ガス６を電極3a上の基板４に向けて吹き付ける。このと
き、ガス吹き出し口10から流れる反応ガス６はガス流量
調整器11によって各電極3bで個々に流量調整され半導体
基板４上に導入される。そして、放電用電源７により電
極3a,3b間に高電圧を印加して放電を発生させ、反応ガ
ス６を分解して半導体基板４上に成膜を行わせる。
ガス６を電極3a上の基板４に向けて吹き付ける。このと
き、ガス吹き出し口10から流れる反応ガス６はガス流量
調整器11によって各電極3bで個々に流量調整され半導体
基板４上に導入される。そして、放電用電源７により電
極3a,3b間に高電圧を印加して放電を発生させ、反応ガ
ス６を分解して半導体基板４上に成膜を行わせる。
以上説明したように本発明は、半導体基板と対向する各
々の電極にガス吹き出し口を設け、かつ前記ガス吹き出
し口から流れる反応ガス流量を調整するためのガス流量
調整機能を有することにより、各々の電極に載置された
半導体基板上へ導入するガス流量を調整することができ
るとともに、ガス濃度が均一になることにより半導体基
板上に成長される膜厚を一定にすることができる。さら
に各電極に向き合せに配置されたガス導入路のガス吹き
出し口からのガスの流量は、各電極毎に個々に調整され
ることになるが、本発明ではガス流量は、ガス導入路の
ガス吹き出し口の口径によって調整するのではなく、ガ
ス流量調整器により連続的に可変するため、無段階に調
整することができ、このことにより電極の位置によって
ガス流量を適正に調整して上流側と下流側との基板上で
のガス濃度をさらに均一にすることができるという効果
を有する。
々の電極にガス吹き出し口を設け、かつ前記ガス吹き出
し口から流れる反応ガス流量を調整するためのガス流量
調整機能を有することにより、各々の電極に載置された
半導体基板上へ導入するガス流量を調整することができ
るとともに、ガス濃度が均一になることにより半導体基
板上に成長される膜厚を一定にすることができる。さら
に各電極に向き合せに配置されたガス導入路のガス吹き
出し口からのガスの流量は、各電極毎に個々に調整され
ることになるが、本発明ではガス流量は、ガス導入路の
ガス吹き出し口の口径によって調整するのではなく、ガ
ス流量調整器により連続的に可変するため、無段階に調
整することができ、このことにより電極の位置によって
ガス流量を適正に調整して上流側と下流側との基板上で
のガス濃度をさらに均一にすることができるという効果
を有する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は従来
のプラズマCVD装置の断面図である。 １……ヒーター、２……炉芯管 3a,3b……電極、４……半導体基板 ５……ガス導入口、６……反応ガス ７……放電用電源、８……排気口 ９……ガス導入路、10……ガス吹き出し口 11……ガス流量調整器
のプラズマCVD装置の断面図である。 １……ヒーター、２……炉芯管 3a,3b……電極、４……半導体基板 ５……ガス導入口、６……反応ガス ７……放電用電源、８……排気口 ９……ガス導入路、10……ガス吹き出し口 11……ガス流量調整器
Claims (1)
- 【請求項１】炉芯管と、複数の対向する電極の組と、ガ
ス導入路と、ガス流量調整器とを有し、炉芯管内に反応
ガスを導入しながら電極間に高電圧を印加して放電を発
生させ、半導体基板上に成膜を行うプラズマCVD装置で
あって、 炉芯管は、円筒状をなし、ヒーターにて外周より加熱さ
れ、減圧し得る容器であり、 複数の対向する電極の組は、前記炉芯管内に反応ガス流
入側から排出側に向けて順に向き合せて設けられ、各組
の一方の電極は、半導体基板が載置されるものであり、 ガス導入路は、前記電極の組に対応して複数備えられ、
前記各組の他方の電極に設置され、電極上の基板に反応
ガスを吹き付けるガス吹き出し口が設けられたものであ
り、 ガス流量調整器は、前記各ガス導入路に別個に独立に設
けられ、各ガス導入路のガス吹き出し口から基板に吹き
付けられるガス流量を各組の電極毎に個々に調整するも
のであることを特徴とするプラズマCVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63126767A JPH0727871B2 (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63126767A JPH0727871B2 (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01295414A JPH01295414A (ja) | 1989-11-29 |
| JPH0727871B2 true JPH0727871B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=14943423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63126767A Expired - Lifetime JPH0727871B2 (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727871B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58127331A (ja) * | 1982-01-25 | 1983-07-29 | Kokusai Electric Co Ltd | プラズマ化学気相生成装置 |
| JPS6012727A (ja) * | 1983-07-01 | 1985-01-23 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
-
1988
- 1988-05-24 JP JP63126767A patent/JPH0727871B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01295414A (ja) | 1989-11-29 |
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