JPH104065A - 枚葉式減圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
枚葉式減圧ｃｖｄ装置Info
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- JPH104065A JPH104065A JP17709196A JP17709196A JPH104065A JP H104065 A JPH104065 A JP H104065A JP 17709196 A JP17709196 A JP 17709196A JP 17709196 A JP17709196 A JP 17709196A JP H104065 A JPH104065 A JP H104065A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 11
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- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 均一な厚さの薄膜を高い成長速度で形成可能
にする。 【解決手段】 所定の減圧状態に制御される反応室内に
セットされたウエハに、このウエハの側方かつ上方に配
置されたスリット状のガス噴出口を有するノズル１０か
ら、反応ガスをウエハの表面にほぼ沿うように噴出させ
てウエハ表面に薄膜を形成する枚葉式減圧ＣＶＤ装置に
おいて、ノズル１０のガス流路１０４の途中に抵抗部１
０５を設けると共にその先に整流部１０４Ａを設けるこ
とにより、ガス噴出口１０９から反応ガスを幅方向分布
が均一で、厚さ方向に分散しない層流で噴出させる。
にする。 【解決手段】 所定の減圧状態に制御される反応室内に
セットされたウエハに、このウエハの側方かつ上方に配
置されたスリット状のガス噴出口を有するノズル１０か
ら、反応ガスをウエハの表面にほぼ沿うように噴出させ
てウエハ表面に薄膜を形成する枚葉式減圧ＣＶＤ装置に
おいて、ノズル１０のガス流路１０４の途中に抵抗部１
０５を設けると共にその先に整流部１０４Ａを設けるこ
とにより、ガス噴出口１０９から反応ガスを幅方向分布
が均一で、厚さ方向に分散しない層流で噴出させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ表面に薄膜
を形成する枚葉式減圧ＣＶＤ装置に係り、特に反応ガス
を噴出させるノズルの改良に関する。
を形成する枚葉式減圧ＣＶＤ装置に係り、特に反応ガス
を噴出させるノズルの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、減圧状態に制御された反応室内に
ウエハをセットし、このウエハの側方に配置されたスリ
ット状のノズルから反応ガスをウエハの表面とほぼ平行
に噴出させてウエハ表面に薄膜を形成する枚葉式減圧Ｃ
ＶＤ装置がある。このようにウエハ表面に沿ってほぼ平
行にその一側から他側へ反応ガスを流して薄膜を形成す
る方式の枚葉式減圧ＣＶＤ装置は、比較的均一な厚さの
薄膜を形成することができる。
ウエハをセットし、このウエハの側方に配置されたスリ
ット状のノズルから反応ガスをウエハの表面とほぼ平行
に噴出させてウエハ表面に薄膜を形成する枚葉式減圧Ｃ
ＶＤ装置がある。このようにウエハ表面に沿ってほぼ平
行にその一側から他側へ反応ガスを流して薄膜を形成す
る方式の枚葉式減圧ＣＶＤ装置は、比較的均一な厚さの
薄膜を形成することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら年々、よ
り高い膜厚分布の均一性が求められ、さらに、生産性を
高めるため、薄膜の成長速度の向上が望まれている。膜
厚分布の均一化には、スリット状のノズルから噴出する
反応ガスの幅方向分布を均一化する必要があり、また、
反応ガスを有効に作用させて成長速度を向上させるため
には、スリット状のノズルから噴出する反応ガスを厚さ
方向に分散させずに、より薄い層に保つ必要がある。
り高い膜厚分布の均一性が求められ、さらに、生産性を
高めるため、薄膜の成長速度の向上が望まれている。膜
厚分布の均一化には、スリット状のノズルから噴出する
反応ガスの幅方向分布を均一化する必要があり、また、
反応ガスを有効に作用させて成長速度を向上させるため
には、スリット状のノズルから噴出する反応ガスを厚さ
方向に分散させずに、より薄い層に保つ必要がある。
【０００４】本発明は、スリット状のノズルから噴出す
る反応ガスの幅方向分布を均一化し、かつ厚さ方向に分
散させずに、薄い層に保つことにより、膜厚分布の均一
化と成長速度の向上を図ることのできる枚葉式減圧ＣＶ
Ｄ装置を提供することを目的としている。
る反応ガスの幅方向分布を均一化し、かつ厚さ方向に分
散させずに、薄い層に保つことにより、膜厚分布の均一
化と成長速度の向上を図ることのできる枚葉式減圧ＣＶ
Ｄ装置を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明による枚葉式減圧ＣＶＤ装置は、所定の減圧状
態に制御された反応室内にウエハをセットし、前記反応
室内であってかつウエハの側方かつ上方に配置されたス
リット状のノズルから反応ガスを前記ウエハの表面にほ
ぼ沿うように噴出させてウエハ表面に薄膜を形成する枚
葉式減圧ＣＶＤ装置において、前記ノズル内に設けられ
たスリット状のガス流路と、このガス流路の途中に設け
られたガス流の抵抗部と、この抵抗部の先に設けられた
ガス流の整流部とを備えたものである。
の本発明による枚葉式減圧ＣＶＤ装置は、所定の減圧状
態に制御された反応室内にウエハをセットし、前記反応
室内であってかつウエハの側方かつ上方に配置されたス
リット状のノズルから反応ガスを前記ウエハの表面にほ
ぼ沿うように噴出させてウエハ表面に薄膜を形成する枚
葉式減圧ＣＶＤ装置において、前記ノズル内に設けられ
たスリット状のガス流路と、このガス流路の途中に設け
られたガス流の抵抗部と、この抵抗部の先に設けられた
ガス流の整流部とを備えたものである。
【０００６】このように構成することにより、スリット
状のガス流路を流れるガスは、抵抗部により幅方向の流
量分布を均一化されると同時に所定流量に定められ、そ
の先にある整流部により全幅にわたる一様な層流となっ
てガス噴出口から噴出される。そこで、上記ノズルから
噴出する反応ガスは、均一な幅方向分布を有し、かつ厚
さ方向に分散せずに、薄い層流を保つ。このため反応ガ
スは、ウエハ表面全体に一様かつ有効に作用し、膜厚分
布の均一化と成長速度の向上が図られる。
状のガス流路を流れるガスは、抵抗部により幅方向の流
量分布を均一化されると同時に所定流量に定められ、そ
の先にある整流部により全幅にわたる一様な層流となっ
てガス噴出口から噴出される。そこで、上記ノズルから
噴出する反応ガスは、均一な幅方向分布を有し、かつ厚
さ方向に分散せずに、薄い層流を保つ。このため反応ガ
スは、ウエハ表面全体に一様かつ有効に作用し、膜厚分
布の均一化と成長速度の向上が図られる。
【０００７】なお、前記抵抗部は、スリット状のガス流
路の幅方向に沿って配列された複数の小孔とすることが
好ましく、また、抵抗値を調整可能に形成することが好
ましい。さらに、前記抵抗部は、スリット状のガス流路
を横切るように配置された多孔質部材からなるものであ
ってもよい。
路の幅方向に沿って配列された複数の小孔とすることが
好ましく、また、抵抗値を調整可能に形成することが好
ましい。さらに、前記抵抗部は、スリット状のガス流路
を横切るように配置された多孔質部材からなるものであ
ってもよい。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明の一実施形態につき図
１ないし図３を参照して説明する。図１において、１は
ケーシングで、上下に石英製の透明な窓板２、３が気密
に取り付けられ、反応室Ｒを形成している。反応室Ｒ内
にはカーボン製のリング状のサセプタ４が設置され、そ
の上にウエハ５が載置されるようになっている。サセプ
タ４は、下方の窓板３を貫通して反応室Ｒ内に伸びる回
転軸６の上端に複数のアーム７によって支持されてい
る。サセプタ４及びウエハ５は、窓板２、３の外側に設
けられた赤外線ランプのような加熱装置８、９により、
上下から加熱されるようになっている。反応室Ｒの図１
において左端寄りにはノズル１０が設けられ、右端寄り
には排気口１１が設けられている。
１ないし図３を参照して説明する。図１において、１は
ケーシングで、上下に石英製の透明な窓板２、３が気密
に取り付けられ、反応室Ｒを形成している。反応室Ｒ内
にはカーボン製のリング状のサセプタ４が設置され、そ
の上にウエハ５が載置されるようになっている。サセプ
タ４は、下方の窓板３を貫通して反応室Ｒ内に伸びる回
転軸６の上端に複数のアーム７によって支持されてい
る。サセプタ４及びウエハ５は、窓板２、３の外側に設
けられた赤外線ランプのような加熱装置８、９により、
上下から加熱されるようになっている。反応室Ｒの図１
において左端寄りにはノズル１０が設けられ、右端寄り
には排気口１１が設けられている。
【０００９】ノズル１０は、ウエハ５の図１において左
方かつ上方に配置され、図１及び図２に示すように、円
柱状の導入部１０１と、その上端に取り付けられた平板
状のノズル本体１０２とを有し、ノズル本体１０２はウ
エハ５の表面（上面）と平行に配置されている。導入部
１０１には反応ガスの導入路１０３が設けられ、ノズル
本体１０２内には導入路１０３に接続されたガス流路１
０４が設けられている。このガス流路１０４は、ウエハ
５の表面に沿う方向にウエハ５の直径とほぼ等しい幅を
有し、厚さ方向（図１において上下方向）には薄いスリ
ット状に形成されている。
方かつ上方に配置され、図１及び図２に示すように、円
柱状の導入部１０１と、その上端に取り付けられた平板
状のノズル本体１０２とを有し、ノズル本体１０２はウ
エハ５の表面（上面）と平行に配置されている。導入部
１０１には反応ガスの導入路１０３が設けられ、ノズル
本体１０２内には導入路１０３に接続されたガス流路１
０４が設けられている。このガス流路１０４は、ウエハ
５の表面に沿う方向にウエハ５の直径とほぼ等しい幅を
有し、厚さ方向（図１において上下方向）には薄いスリ
ット状に形成されている。
【００１０】ガス流路１０４の途中には、図２に示すよ
うに、抵抗部１０５が設けられている。この抵抗部１０
５は、ガス流路１０４を横切って伸び、ガス流路１０４
を閉じるように形成された突部１０６を有している。こ
の突部１０６には、ガス流路１０４の下流側（図２にお
いて右側）を開放した半円形の凹部１０７が隣接して複
数設けられている。凹部１０７の奥側には、それぞれ小
孔１０８が設けられ、これらの小孔１０８及び凹部１０
７を介してガス流路１０４の上流側と下流側を接続する
ようになっている。小孔１０８の断面積は、ここを通過
する反応ガスの流れに抵抗を与え、通過するガス流量を
所定値に定めるように形成されている。
うに、抵抗部１０５が設けられている。この抵抗部１０
５は、ガス流路１０４を横切って伸び、ガス流路１０４
を閉じるように形成された突部１０６を有している。こ
の突部１０６には、ガス流路１０４の下流側（図２にお
いて右側）を開放した半円形の凹部１０７が隣接して複
数設けられている。凹部１０７の奥側には、それぞれ小
孔１０８が設けられ、これらの小孔１０８及び凹部１０
７を介してガス流路１０４の上流側と下流側を接続する
ようになっている。小孔１０８の断面積は、ここを通過
する反応ガスの流れに抵抗を与え、通過するガス流量を
所定値に定めるように形成されている。
【００１１】抵抗部１０５より下流側からガス噴出口１
０９までのガス流路１０４Ａは、抵抗部１０５を通過す
るガス流量との関係から所定の断面積に形成され、反応
ガスを層流で流す整流部を構成するようになっている。
０９までのガス流路１０４Ａは、抵抗部１０５を通過す
るガス流量との関係から所定の断面積に形成され、反応
ガスを層流で流す整流部を構成するようになっている。
【００１２】次いで本装置の作用について説明する。回
転軸６によりサセプタ４及びウエハ５を回転させつつ、
これらを加熱装置８、９により所定の温度に加熱し、ノ
ズル１０のガス噴出口１０９から反応ガスＧを噴出さ
せ、ウエハ５の表面に薄膜を形成する。
転軸６によりサセプタ４及びウエハ５を回転させつつ、
これらを加熱装置８、９により所定の温度に加熱し、ノ
ズル１０のガス噴出口１０９から反応ガスＧを噴出さ
せ、ウエハ５の表面に薄膜を形成する。
【００１３】このときノズル１０の導入路１０３からガ
ス流路１０４に流入した反応ガスの流れは、抵抗部１０
５によって抵抗を与えられ、ガス流路１０４の全幅にわ
たって所定の分布で設けられた複数の小孔１０８から所
定の流量に定められて下流側を開放した複数の凹部１０
７にほぼ一様に流入する。これらの凹部１０７に流入し
た反応ガスは、下流側のガス流路すなわち整流部１０４
Ａに流入し、整流部１０４Ａの全幅にわたり一様な流量
分布の流れを形成する。
ス流路１０４に流入した反応ガスの流れは、抵抗部１０
５によって抵抗を与えられ、ガス流路１０４の全幅にわ
たって所定の分布で設けられた複数の小孔１０８から所
定の流量に定められて下流側を開放した複数の凹部１０
７にほぼ一様に流入する。これらの凹部１０７に流入し
た反応ガスは、下流側のガス流路すなわち整流部１０４
Ａに流入し、整流部１０４Ａの全幅にわたり一様な流量
分布の流れを形成する。
【００１４】このように幅方向に一様な流量分布になさ
れて整流部１０４Ａ内を流れる反応ガスＧは、この整流
部１０４Ａによって層流になされ、整流部１０４Ａの先
端であるガス噴出口１０９から噴出される。そこで、図
１に示すように、ノズル１０からウエハ５の表面に沿っ
て噴出される反応ガスＧは、幅方向に均一で、かつ厚さ
方向に分散しない層流となり、ウエハ５の表面の全体に
より均一に、かつ有効に作用する。このためウエハ５の
表面には、均一な膜厚分布の薄膜が高い成長速度で形成
される。
れて整流部１０４Ａ内を流れる反応ガスＧは、この整流
部１０４Ａによって層流になされ、整流部１０４Ａの先
端であるガス噴出口１０９から噴出される。そこで、図
１に示すように、ノズル１０からウエハ５の表面に沿っ
て噴出される反応ガスＧは、幅方向に均一で、かつ厚さ
方向に分散しない層流となり、ウエハ５の表面の全体に
より均一に、かつ有効に作用する。このためウエハ５の
表面には、均一な膜厚分布の薄膜が高い成長速度で形成
される。
【００１５】図４ないし図５は、本発明の他の実施形態
を示すもので、ガス流路１０４を横切って、このガス流
路１０４を閉じる丸棒１１０が回転可能に取り付けられ
ている。丸棒１１０には、ガス流路１０４に沿ってこの
丸棒１１０を横切る貫通孔１１１がガス流路１０４の幅
方向に所定の間隔で複数設けられている。貫通孔１１１
は、上流側端部がガス流路１０４の厚さより大きな直径
の大径孔１１２になされ、下流側端部がガス流路１０４
の厚さとほぼ等しい直径の小孔１１３になされ、中間部
分はテーパになされている。この実施形態は、丸棒１１
０の回転角位置を調整することにより、小孔１１３の開
度を調整してガス流の抵抗値を調整することができ、よ
り好ましいガス流を得ることができる。
を示すもので、ガス流路１０４を横切って、このガス流
路１０４を閉じる丸棒１１０が回転可能に取り付けられ
ている。丸棒１１０には、ガス流路１０４に沿ってこの
丸棒１１０を横切る貫通孔１１１がガス流路１０４の幅
方向に所定の間隔で複数設けられている。貫通孔１１１
は、上流側端部がガス流路１０４の厚さより大きな直径
の大径孔１１２になされ、下流側端部がガス流路１０４
の厚さとほぼ等しい直径の小孔１１３になされ、中間部
分はテーパになされている。この実施形態は、丸棒１１
０の回転角位置を調整することにより、小孔１１３の開
度を調整してガス流の抵抗値を調整することができ、よ
り好ましいガス流を得ることができる。
【００１６】図６は、本発明のさらに他の実施形態を示
すもので、抵抗部１０５に棒状の多孔質部材１１４を用
い、これをガス流路１０４を横切るように設けたもので
ある。これによれば、より確実な層流を得ることができ
る。なお、抵抗部１０５は、上記実施形態に限らず、ス
リット状のものでもよい等、種々変形可能である。
すもので、抵抗部１０５に棒状の多孔質部材１１４を用
い、これをガス流路１０４を横切るように設けたもので
ある。これによれば、より確実な層流を得ることができ
る。なお、抵抗部１０５は、上記実施形態に限らず、ス
リット状のものでもよい等、種々変形可能である。
【００１７】
【発明の効果】以上述べたように本発明の枚葉式減圧Ｃ
ＶＤ装置によれば、スリット状のノズルから噴出する反
応ガスの幅方向分布を均一化することができると共に、
厚さ方向に分散させずに、薄い層に保ってウエハ上を流
すことができ、これにより膜厚分布の均一化と成長速度
の向上を同時に達成することができる。
ＶＤ装置によれば、スリット状のノズルから噴出する反
応ガスの幅方向分布を均一化することができると共に、
厚さ方向に分散させずに、薄い層に保ってウエハ上を流
すことができ、これにより膜厚分布の均一化と成長速度
の向上を同時に達成することができる。
【図１】本発明の一実施形態を示す概要断面図。
【図２】図１のＡーＡ線によるノズルの拡大断面図。
【図３】図２のＢーＢ線による部分拡大断面図。
【図４】本発明の他の実施形態を示すノズルの拡大断面
図。
図。
【図５】図４のＣーＣ線による部分拡大断面図。
【図６】本発明のさらに他の実施形態を示すノズルの拡
大断面図。
大断面図。
Ｒ 反応室 Ｇ 反応ガス ２、３ 窓板 ４ サセプタ ５ ウエハ ６ 回転軸 ７ アーム ８、９ 加熱装置 １０ ノズル １１ 排気口 １０２ ノズル本体 １０４ ガス流路 １０４Ａ 整流部 １０５ 抵抗部 １０８、１１３ 小孔 １０９ ガス噴出口 １１４ 多孔質部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柏木 伸夫 静岡県沼津市大岡2068ー３ 株式会社東芝 機械マイテック沼津内
Claims (4)
- 【請求項１】 所定の減圧状態に制御された反応室内に
ウエハをセットし、前記反応室内であってかつウエハの
側方かつ上方に配置されたスリット状のノズルから反応
ガスを前記ウエハの表面にほぼ沿うように噴出させてウ
エハ表面に薄膜を形成する枚葉式減圧ＣＶＤ装置におい
て、前記ノズル内に設けられたスリット状のガス流路
と、このガス流路の途中に設けられたガス流の抵抗部
と、この抵抗部の先に設けられたガス流の整流部とを備
えたことを特徴とする枚葉式減圧ＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 前記抵抗部は、スリット状のガス流路の
幅方向に沿って配列された複数の小孔からなることを特
徴とする請求項１記載の枚葉式減圧ＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 前記抵抗部は、抵抗値を調整可能に形成
されていることを特徴とする請求項１または２記載の枚
葉式減圧ＣＶＤ装置。 - 【請求項４】 前記抵抗部は、スリット状のガス流路を
横切るように配置された多孔質部材からなることを特徴
とする請求項１記載の枚葉式減圧ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17709196A JPH104065A (ja) | 1996-06-17 | 1996-06-17 | 枚葉式減圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17709196A JPH104065A (ja) | 1996-06-17 | 1996-06-17 | 枚葉式減圧ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH104065A true JPH104065A (ja) | 1998-01-06 |
Family
ID=16024981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17709196A Pending JPH104065A (ja) | 1996-06-17 | 1996-06-17 | 枚葉式減圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH104065A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004510324A (ja) * | 2000-09-22 | 2004-04-02 | アイクストロン、アーゲー | Ｃｖｄ処理のためのガス吸入素子及び装置 |
| JP4897184B2 (ja) * | 2000-09-22 | 2012-03-14 | アイクストロン、アーゲー | 結晶構造層を堆積するための堆積方法および堆積装置 |
-
1996
- 1996-06-17 JP JP17709196A patent/JPH104065A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004510324A (ja) * | 2000-09-22 | 2004-04-02 | アイクストロン、アーゲー | Ｃｖｄ処理のためのガス吸入素子及び装置 |
| JP4897184B2 (ja) * | 2000-09-22 | 2012-03-14 | アイクストロン、アーゲー | 結晶構造層を堆積するための堆積方法および堆積装置 |
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Legal Events
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040921 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050208 |