JPH0727933A - 平面導波路チップ - Google Patents
平面導波路チップInfo
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- JPH0727933A JPH0727933A JP17385293A JP17385293A JPH0727933A JP H0727933 A JPH0727933 A JP H0727933A JP 17385293 A JP17385293 A JP 17385293A JP 17385293 A JP17385293 A JP 17385293A JP H0727933 A JPH0727933 A JP H0727933A
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- silica
- waveguide
- planar waveguide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 反りがほとんどなく、他の光デバイスと安定
かつ低損失で接続することができる平面導波路チップを
提供する。 【構成】 この平面導波路チップは、基板３の上に石英
系チャネル導波路１とそれを所望の厚みで囲繞する石英
系クラッド２とから成る光導波部Ｂのパターンが形成さ
れ、光導波部パターンＢ以外の個所の石英系クラッド部
は基板３の上から除去されている。
かつ低損失で接続することができる平面導波路チップを
提供する。 【構成】 この平面導波路チップは、基板３の上に石英
系チャネル導波路１とそれを所望の厚みで囲繞する石英
系クラッド２とから成る光導波部Ｂのパターンが形成さ
れ、光導波部パターンＢ以外の個所の石英系クラッド部
は基板３の上から除去されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はチャネル導波路が石英系
ガラスから成る平面導波路チップに関し、更に詳しく
は、製造時における反りが極めて小さく、そのため、光
ファイバ通信システムや光センサシステムに組み込む場
合、他の光デバイスとの接続時に正確かつ安定した軸調
心を行うことができる平面導波路チップに関する。
ガラスから成る平面導波路チップに関し、更に詳しく
は、製造時における反りが極めて小さく、そのため、光
ファイバ通信システムや光センサシステムに組み込む場
合、他の光デバイスとの接続時に正確かつ安定した軸調
心を行うことができる平面導波路チップに関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば図５の平面図および図５のＩＸ−
ＩＸ線に沿う断面図である図９で示した平面導波路チッ
プにおいては、石英系ガラスから成り、Ｙ分岐する平面
パターンを有するチャネル導波路１が、チャネル導波路
１を構成する石英系ガラスよりも低屈折率の石英系ガラ
スから成るクラッド２の中に埋設された構造になってお
り、これら全体が基板３の上に形成されている。
ＩＸ線に沿う断面図である図９で示した平面導波路チッ
プにおいては、石英系ガラスから成り、Ｙ分岐する平面
パターンを有するチャネル導波路１が、チャネル導波路
１を構成する石英系ガラスよりも低屈折率の石英系ガラ
スから成るクラッド２の中に埋設された構造になってお
り、これら全体が基板３の上に形成されている。
【０００３】従来、この平面導波路チップは、通常、次
のようにして製造されている。すなわち、まず、図６で
示したように、例えば厚みが１mmであるＳｉ単結晶基板
３の上に、火炎堆積法によってクラッド用の石英系ガラ
ス微粒子とコア用の石英系ガラス微粒子とを順次所望の
厚みに積層したのち、全体に加熱処理を施し、各層の石
英系ガラス微粒子を焼結して石英系ガラスの下部クラッ
ド層２ａとコア層１ａを形成する。
のようにして製造されている。すなわち、まず、図６で
示したように、例えば厚みが１mmであるＳｉ単結晶基板
３の上に、火炎堆積法によってクラッド用の石英系ガラ
ス微粒子とコア用の石英系ガラス微粒子とを順次所望の
厚みに積層したのち、全体に加熱処理を施し、各層の石
英系ガラス微粒子を焼結して石英系ガラスの下部クラッ
ド層２ａとコア層１ａを形成する。
【０００４】ついで、上記コア層１ａにホトリソグラフ
ィーとドライエッチング法を適用して、図７で示したよ
うに、所望の平面パターン（Ｙ分岐パターン）を有する
チャネル導波路１を形成する。そして最後に、図８で示
したように、火炎堆積法により、下部クラッド層２ａの
露出面をクラッド用石英系ガラス微粒子の層で被覆し、
また、チャネル導波路１をクラッド用石英系ガラス微粒
子の層内に埋設したのち、全体に加熱処理を施し、上記
クラッド用石英系ガラス微粒子を焼結して石英系ガラス
の上部クラッド層２ｂを形成する。
ィーとドライエッチング法を適用して、図７で示したよ
うに、所望の平面パターン（Ｙ分岐パターン）を有する
チャネル導波路１を形成する。そして最後に、図８で示
したように、火炎堆積法により、下部クラッド層２ａの
露出面をクラッド用石英系ガラス微粒子の層で被覆し、
また、チャネル導波路１をクラッド用石英系ガラス微粒
子の層内に埋設したのち、全体に加熱処理を施し、上記
クラッド用石英系ガラス微粒子を焼結して石英系ガラス
の上部クラッド層２ｂを形成する。
【０００５】したがって、チャネル導波路１は、下部ク
ラッド層２ａと上部クラッド層２ｂとから成るクラッド
２の中に埋設されることになる。この場合、チャネル導
波路１の路高，路幅はいずれも８μｍに設定され、ま
た、クラッド２の厚みは基板１の表面から５０μｍ程度
に設定されるのが通例である。
ラッド層２ａと上部クラッド層２ｂとから成るクラッド
２の中に埋設されることになる。この場合、チャネル導
波路１の路高，路幅はいずれも８μｍに設定され、ま
た、クラッド２の厚みは基板１の表面から５０μｍ程度
に設定されるのが通例である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記した平面導波路チ
ップにおいて、導波する光パワーは、図９で示したよう
に、チャネル導波路１の断面中心から直径約５０μｍ程
度の円形部分Ａの中に閉じ込められる。したがって、こ
の円形部分Ａよりも外側の個所に位置するクラッド２の
部分は光学的な導波特性に直接的に影響を与えていな
い。また、基板３も光学的な導波特性と無関係であり、
石英系ガラス微粒子の火炎堆積時における基板として、
更には、堆積後におけるチップの機械的強度を確保する
ための基板として動作しているにすぎない。
ップにおいて、導波する光パワーは、図９で示したよう
に、チャネル導波路１の断面中心から直径約５０μｍ程
度の円形部分Ａの中に閉じ込められる。したがって、こ
の円形部分Ａよりも外側の個所に位置するクラッド２の
部分は光学的な導波特性に直接的に影響を与えていな
い。また、基板３も光学的な導波特性と無関係であり、
石英系ガラス微粒子の火炎堆積時における基板として、
更には、堆積後におけるチップの機械的強度を確保する
ための基板として動作しているにすぎない。
【０００７】一方、火炎堆積法で形成した石英系ガラス
微粒子の層を焼結してガラス層にする場合には、通常、
その石英系ガラスの融点近傍の温度（例えば約１３００
℃）に加熱したのち、室温まで冷却している。しかしな
がら、Ｓｉ基板の熱膨張係数は１０-6オーダーの値であ
り、石英系ガラスの熱膨張係数は１０-7オーダーの値で
あり、両者の値は大きく異なっているので、焼結後の冷
却過程では、Ｓｉ基板の方が石英系ガラスよりも相対的
に大きく収縮する。その結果、Ｓｉ基板に残留応力が発
生し、この残留応力により、基板上に形成された石英系
ガラス層には、石英系ガラス層側を上にして基板の幅方
向と長手方向のいずれの方向においても反りが発生す
る。通常、適用されている条件下では、この反りの曲率
は数ｍ程度であることが実験的に確認されている。
微粒子の層を焼結してガラス層にする場合には、通常、
その石英系ガラスの融点近傍の温度（例えば約１３００
℃）に加熱したのち、室温まで冷却している。しかしな
がら、Ｓｉ基板の熱膨張係数は１０-6オーダーの値であ
り、石英系ガラスの熱膨張係数は１０-7オーダーの値で
あり、両者の値は大きく異なっているので、焼結後の冷
却過程では、Ｓｉ基板の方が石英系ガラスよりも相対的
に大きく収縮する。その結果、Ｓｉ基板に残留応力が発
生し、この残留応力により、基板上に形成された石英系
ガラス層には、石英系ガラス層側を上にして基板の幅方
向と長手方向のいずれの方向においても反りが発生す
る。通常、適用されている条件下では、この反りの曲率
は数ｍ程度であることが実験的に確認されている。
【０００８】製造された平面導波路チップに上記したよ
うな反りが発生すると、この平面導波路チップを光ファ
イバや他の光導波路デバイスに接続する際、とくに多心
一括接続する際に次のような問題が生じてくる。すなわ
ち、まず、複数本のチャネル導波路が形成されている平
面導波路チップに、チャネル導波路に対応する本数の光
ファイバを有する光ファイバテープを接続する場合、平
面導波路チップの接続端面に露出しているチャネル導波
路の軸心は、チップの反りのため、全てが同一線上に位
置することがなく、しかし、光ファイバテープの接続端
面における各光ファイバの軸心は同一線上に位置してい
るため、両者の軸心を一括作業で完全に合致させること
ができない。
うな反りが発生すると、この平面導波路チップを光ファ
イバや他の光導波路デバイスに接続する際、とくに多心
一括接続する際に次のような問題が生じてくる。すなわ
ち、まず、複数本のチャネル導波路が形成されている平
面導波路チップに、チャネル導波路に対応する本数の光
ファイバを有する光ファイバテープを接続する場合、平
面導波路チップの接続端面に露出しているチャネル導波
路の軸心は、チップの反りのため、全てが同一線上に位
置することがなく、しかし、光ファイバテープの接続端
面における各光ファイバの軸心は同一線上に位置してい
るため、両者の軸心を一括作業で完全に合致させること
ができない。
【０００９】また、例えば光ファイバ配列具と平面導波
路チップを接続するときには、平面導波路チップの表面
に、チャネル導波路との関係で位置決めされたガイド溝
を長手方向に刻設し、また光ファイバ配列具に同じく位
置決めされた嵌合ピンを固定し、この嵌合ピンと前記ガ
イド溝を嵌合することが行われている。このような接続
態様において、平面導波路チップに反りが生じている
と、その反りは前記したように平面導波路チップの長手
方向にも発生しているので、光ファイバ配列具の嵌合ピ
ンと平面導波路チップのガイド溝との嵌合は整合性を欠
くようになり、長手方向で多少のがたつきが発生してく
る。その結果、平面導波路チップと光ファイバ配列具と
の接続損失は大きくなるとともに接続状態それ自体が不
安定になる。
路チップを接続するときには、平面導波路チップの表面
に、チャネル導波路との関係で位置決めされたガイド溝
を長手方向に刻設し、また光ファイバ配列具に同じく位
置決めされた嵌合ピンを固定し、この嵌合ピンと前記ガ
イド溝を嵌合することが行われている。このような接続
態様において、平面導波路チップに反りが生じている
と、その反りは前記したように平面導波路チップの長手
方向にも発生しているので、光ファイバ配列具の嵌合ピ
ンと平面導波路チップのガイド溝との嵌合は整合性を欠
くようになり、長手方向で多少のがたつきが発生してく
る。その結果、平面導波路チップと光ファイバ配列具と
の接続損失は大きくなるとともに接続状態それ自体が不
安定になる。
【００１０】更には、平面導波路チップの上面を位置基
準にして別の平面導波路チップなどの光デバイスを接続
する際にも、そもそも、基準となるべき平面導波路チッ
プに反りが生じていては、別の平面導波路チップを正し
く位置決めすることは極めて困難である。このように、
平面導波路チップに反りが発生していると、他の光デバ
イスと接続する際の軸調心や位置決めが困難になる。
準にして別の平面導波路チップなどの光デバイスを接続
する際にも、そもそも、基準となるべき平面導波路チッ
プに反りが生じていては、別の平面導波路チップを正し
く位置決めすることは極めて困難である。このように、
平面導波路チップに反りが発生していると、他の光デバ
イスと接続する際の軸調心や位置決めが困難になる。
【００１１】本発明は、従来構造の平面導波路チップと
他の光デバイスとの接続時に生起していた上記の問題を
解決し、それ自体に反りのない新規な構造の平面導波路
チップの提供を目的とする。
他の光デバイスとの接続時に生起していた上記の問題を
解決し、それ自体に反りのない新規な構造の平面導波路
チップの提供を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、基板の上に石英系チャネル
導波路とそれを所望の厚みで囲繞する石英系クラッドと
から成る光導波部のパターンが形成され、前記光導波路
パターン以外の個所の石英系クラッド部は前記基板の上
から除去されていることを特徴とする平面導波路チップ
が提供される。
ために、本発明においては、基板の上に石英系チャネル
導波路とそれを所望の厚みで囲繞する石英系クラッドと
から成る光導波部のパターンが形成され、前記光導波路
パターン以外の個所の石英系クラッド部は前記基板の上
から除去されていることを特徴とする平面導波路チップ
が提供される。
【００１３】
【作用】本発明の平面導波路チップにおいては、導波す
る光パワーを閉じ込める光導波部のパターンのみが基板
の上に形成され、他のクラッド部は除去されてその部分
で基板表面は露出している。その場合、上記光導波部パ
ターンの面積は、基板全体の面積に対して高々数％程度
であり、基板の表面の大部分は露出した状態になってい
る。
る光パワーを閉じ込める光導波部のパターンのみが基板
の上に形成され、他のクラッド部は除去されてその部分
で基板表面は露出している。その場合、上記光導波部パ
ターンの面積は、基板全体の面積に対して高々数％程度
であり、基板の表面の大部分は露出した状態になってい
る。
【００１４】したがって、基板の全表面がクラッドで被
覆されている従来構造の平面導波路チップの場合とは異
なり、焼結過程で基板に発生した残留応力は露出面で基
本的には開放されているため、チップ全体としての反り
はほとんど起こらなくなる。
覆されている従来構造の平面導波路チップの場合とは異
なり、焼結過程で基板に発生した残留応力は露出面で基
本的には開放されているため、チップ全体としての反り
はほとんど起こらなくなる。
【００１５】
【実施例】図１の平面図と図１のII−II線に沿う断面図
である図２に、本発明の平面導波路チップの１例を示
す。図において、例えば幅５mm，長さ２０mm，厚み１mm
のＳｉ単結晶基板３の上に、路高，路幅がいずれも８μ
ｍである石英系チャネル導波路１と、このチャネル導波
路１を囲繞する石英系クラッド２とから成り、高さ５０
μｍ，幅７０μｍの光導波部ＢがＹ分岐する平面パター
ンで形成されている。そして、この光導波部Ｂのパター
ン以外の個所にはクラッドが形成されておらず、基板３
の表面３ａは露出している。
である図２に、本発明の平面導波路チップの１例を示
す。図において、例えば幅５mm，長さ２０mm，厚み１mm
のＳｉ単結晶基板３の上に、路高，路幅がいずれも８μ
ｍである石英系チャネル導波路１と、このチャネル導波
路１を囲繞する石英系クラッド２とから成り、高さ５０
μｍ，幅７０μｍの光導波部ＢがＹ分岐する平面パター
ンで形成されている。そして、この光導波部Ｂのパター
ン以外の個所にはクラッドが形成されておらず、基板３
の表面３ａは露出している。
【００１６】ここで、チャネル導波路１の石英系ガラス
とクラッド２の石英系ガラスとの比屈折率差を例えば0.
２５％に設定すると、導波する光パワーの閉じ込め領域
は、図９の円形部分Ａとして示したように、チャネル導
波路１の断面中心から直径約５０μｍ程度の領域となる
ため、光導波部Ｂの断面形状は円形部分Ａよりも大きく
なるように設定されている。すなわち、クラッド２の厚
みは、上記関係を満足できるような厚みに設定される。
とクラッド２の石英系ガラスとの比屈折率差を例えば0.
２５％に設定すると、導波する光パワーの閉じ込め領域
は、図９の円形部分Ａとして示したように、チャネル導
波路１の断面中心から直径約５０μｍ程度の領域となる
ため、光導波部Ｂの断面形状は円形部分Ａよりも大きく
なるように設定されている。すなわち、クラッド２の厚
みは、上記関係を満足できるような厚みに設定される。
【００１７】この平面導波路チップは次のようにして製
造することができる。すなわち、従来と同じように、ま
ず、図６〜図８で示したように、火炎堆積法と焼結処理
を施すことにより、最終的には、図９で示したように、
基板３の全面を覆うクラッド２の中にチャネル導波路１
が埋設されているチップを製造する。図５，図９で示し
たチップは、前記したように基板３に残留応力が発生し
ているため、全体として、クラッド２を上にした反りが
生じている。
造することができる。すなわち、従来と同じように、ま
ず、図６〜図８で示したように、火炎堆積法と焼結処理
を施すことにより、最終的には、図９で示したように、
基板３の全面を覆うクラッド２の中にチャネル導波路１
が埋設されているチップを製造する。図５，図９で示し
たチップは、前記したように基板３に残留応力が発生し
ているため、全体として、クラッド２を上にした反りが
生じている。
【００１８】つぎに、本発明においては、図９で示した
チップのクラッド２に対して、ホトリソグラフィーとド
ライエッチング法を適用して、円形部分Ａを含まないク
ラッド部分を基板３の表面から除去して、図１，図２で
示したような構造の平面導波路チップにする。このと
き、焼結過程で基板に発生した残留応力は露出面３ａか
ら開放されるので、得られたチップの反りは大幅に低減
する。
チップのクラッド２に対して、ホトリソグラフィーとド
ライエッチング法を適用して、円形部分Ａを含まないク
ラッド部分を基板３の表面から除去して、図１，図２で
示したような構造の平面導波路チップにする。このと
き、焼結過程で基板に発生した残留応力は露出面３ａか
ら開放されるので、得られたチップの反りは大幅に低減
する。
【００１９】例えば、図１，図２で示した寸法形状のチ
ップにおいては、光導波部Ｂの平面パターンの面積は基
板１の面積比で２％程度になる。そして、チップ全体の
反りを測定したところ、その曲率半径は極めて大きく、
測定系の測定限界値（１００ｍ）以上になっていた。図
３は、本発明の他の実施例を示す概略断面図である。こ
の平面導波路チップは、基板３として、その表面３ａの
両側部に例えばドライエッチング法により予め所定の幅
と深さを有するマーカ溝４ａ，４ｂを刻設したものが用
いられ、この上に光導波部パターンＢが形成されたもの
である。
ップにおいては、光導波部Ｂの平面パターンの面積は基
板１の面積比で２％程度になる。そして、チップ全体の
反りを測定したところ、その曲率半径は極めて大きく、
測定系の測定限界値（１００ｍ）以上になっていた。図
３は、本発明の他の実施例を示す概略断面図である。こ
の平面導波路チップは、基板３として、その表面３ａの
両側部に例えばドライエッチング法により予め所定の幅
と深さを有するマーカ溝４ａ，４ｂを刻設したものが用
いられ、この上に光導波部パターンＢが形成されたもの
である。
【００２０】このようなマーカ溝４ａ，４ｂが刻設され
ている基板を用いると、この基板の表面は石英系ガラス
の光沢とは異なるＳｉの金属光沢を備えているので、石
英系ガラスから成る光導波部Ｂを形成するときに、その
光導波部Ｂの輪郭や位置を上方から明瞭に視認すること
ができ、その結果、このマーカ溝４ａ，４ｂを位置基準
にすることにより、チャネル導波路１と光導波部Ｂの位
置精度をサブミクロンのオーダーに高めることができ
る。
ている基板を用いると、この基板の表面は石英系ガラス
の光沢とは異なるＳｉの金属光沢を備えているので、石
英系ガラスから成る光導波部Ｂを形成するときに、その
光導波部Ｂの輪郭や位置を上方から明瞭に視認すること
ができ、その結果、このマーカ溝４ａ，４ｂを位置基準
にすることにより、チャネル導波路１と光導波部Ｂの位
置精度をサブミクロンのオーダーに高めることができ
る。
【００２１】図４は、本発明の別の実施例を示す概略断
面図である。この平面導波路チップでは、基板３とし
て、図３で示した基板３におけるマーカ溝４ａ，４ｂを
位置基準にして、基板３の表面３ａに予め所定の断面形
状を有する一対のガイド溝５ａ，５ｂをサブミクロンオ
ーダーの位置精度で刻設したものを用い、その基板３の
上に光導波部Ｂが形成されている。
面図である。この平面導波路チップでは、基板３とし
て、図３で示した基板３におけるマーカ溝４ａ，４ｂを
位置基準にして、基板３の表面３ａに予め所定の断面形
状を有する一対のガイド溝５ａ，５ｂをサブミクロンオ
ーダーの位置精度で刻設したものを用い、その基板３の
上に光導波部Ｂが形成されている。
【００２２】この平面導波路チップの場合は、マーカ溝
４ａ，４ｂを位置基準にして光導波部Ｂとガイド溝５
ａ，５ｂがそれぞれサブミクロンオーダーの位置精度で
形成されるので、結果として、光導波部Ｂとガイド溝５
ａ，５ｂの相対的な位置関係も高精度になっている。し
たがって、上記ガイド溝５ａ，５ｂに嵌合ピン（図示し
ない）を配置し、その嵌合ピンと光ファイバ配列具のよ
うな光デバイス（図示しない）を連結しても、基板３に
は反りが発生していないので、嵌合ピンとガイド溝５
ａ，５ｂとの間にがたつきは生じない。その結果、その
光デバイスと光導波部Ｂのチャネル導波路１との軸調心
は良好な整合性をもって実現される。
４ａ，４ｂを位置基準にして光導波部Ｂとガイド溝５
ａ，５ｂがそれぞれサブミクロンオーダーの位置精度で
形成されるので、結果として、光導波部Ｂとガイド溝５
ａ，５ｂの相対的な位置関係も高精度になっている。し
たがって、上記ガイド溝５ａ，５ｂに嵌合ピン（図示し
ない）を配置し、その嵌合ピンと光ファイバ配列具のよ
うな光デバイス（図示しない）を連結しても、基板３に
は反りが発生していないので、嵌合ピンとガイド溝５
ａ，５ｂとの間にがたつきは生じない。その結果、その
光デバイスと光導波部Ｂのチャネル導波路１との軸調心
は良好な整合性をもって実現される。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
平面導波路チップの場合、基板の表面には実質的に光パ
ワーが伝搬する光導波部のみが形成されていて、他のク
ラッド部分は除去され、その部分の基板表面が露出した
構造になっている。このことは、クラッドやチャネル導
波路を形成するときに行う焼結過程で発生する基板の残
留応力が開放され、そのため、本発明の平面導波路チッ
プには反りが発生しなくなるという効果をもたらす。
平面導波路チップの場合、基板の表面には実質的に光パ
ワーが伝搬する光導波部のみが形成されていて、他のク
ラッド部分は除去され、その部分の基板表面が露出した
構造になっている。このことは、クラッドやチャネル導
波路を形成するときに行う焼結過程で発生する基板の残
留応力が開放され、そのため、本発明の平面導波路チッ
プには反りが発生しなくなるという効果をもたらす。
【００２４】したがって、本発明の平面導波路チップを
用いれば、他の光デバイスと低損失で多心一括接続する
ことができる。また、基板に予め位置基準として機能す
るマーカ溝を刻設し、このマーカ溝を基準にしてガイド
溝を刻設すれば、そのガイド溝に配置した嵌合ピンの働
きで、他の光デバイスと本発明の平面導波路チップを安
定かつ低損失でピン嵌合接続することができる。
用いれば、他の光デバイスと低損失で多心一括接続する
ことができる。また、基板に予め位置基準として機能す
るマーカ溝を刻設し、このマーカ溝を基準にしてガイド
溝を刻設すれば、そのガイド溝に配置した嵌合ピンの働
きで、他の光デバイスと本発明の平面導波路チップを安
定かつ低損失でピン嵌合接続することができる。
【図１】本発明の光部品例を示す概略平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿う断面図である。
【図３】本発明光部品の他の例を示す概略断面図であ
る。
る。
【図４】本発明光部品の別の例を示す概略断面図であ
る。
る。
【図５】従来の光部品例を示す概略平面図である。
【図６】基板の上に下部クラッド層とコア層を形成した
状態を示す断面図である。
状態を示す断面図である。
【図７】図６の構造にチャネル導波路を形成した状態を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図８】図７の構造に上部クラッド層を形成した状態を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図９】図８の構造において、光パワーの閉じ込め領域
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１ チャネル導波路 ２ クラッド ２ａ 下部クラッド層 ２ｂ 上部クラッド層 ３ 基板 ３ａ 基板３の表面 ４ａ，４ｂ マーカ溝 ５ａ，５ｂ ガイド溝 Ａ 光パワーの閉じ込め領域 Ｂ 光導波部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大山 功 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 基板の上に石英系チャネル導波路とそれ
を所望の厚みで囲繞する石英系クラッドとから成る光導
波部のパターンが形成され、前記光導波部パターン以外
の個所の石英系クラッド部は前記基板の上から除去され
ていることを特徴とする平面導波路チップ。 - 【請求項２】 前記基板には、位置基準として機能する
マーカ溝が刻設されている請求項１の平面導波路チッ
プ。 - 【請求項３】 前記基板には、位置基準として機能する
マーカ溝と、前記マーカ溝を位置基準にして刻設された
嵌合ピン用ガイド溝とが刻設されている請求項１の平面
導波路チップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17385293A JPH0727933A (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 平面導波路チップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17385293A JPH0727933A (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 平面導波路チップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0727933A true JPH0727933A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15968351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17385293A Pending JPH0727933A (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 平面導波路チップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727933A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1048460A (ja) * | 1996-08-02 | 1998-02-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 平面型光導波路 |
| US8310261B2 (en) | 2006-05-11 | 2012-11-13 | Tokyo Electron Limited | Probing apparatus and probing method |
-
1993
- 1993-07-14 JP JP17385293A patent/JPH0727933A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1048460A (ja) * | 1996-08-02 | 1998-02-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 平面型光導波路 |
| US8310261B2 (en) | 2006-05-11 | 2012-11-13 | Tokyo Electron Limited | Probing apparatus and probing method |
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