JPH07282959A

JPH07282959A - 発熱体

Info

Publication number: JPH07282959A
Application number: JP6606994A
Authority: JP
Inventors: Akihiko Kameshima; 昭彦亀島
Original assignee: NipponDenso Co Ltd
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 1994-04-04
Filing date: 1994-04-04
Publication date: 1995-10-27
Anticipated expiration: 2019-10-13
Also published as: JP3575624B2

Abstract

(57)【要約】【目的】抵抗値及び抵抗温度係数の設定が容易な発熱体
を提供する。【構成】導電性粒部１１３は電気抵抗体としての導電経
路を構成する。絶縁性大粒部１１４は電気絶縁性であ
り、導電性粒部１１３に対するその相対的な増加は上記
導電経路の抵抗値を増加させる。また、絶縁性大粒部１
１４は導電性粒部１１３よりも大粒径で線膨張率が小さ
いので、導電経路の抵抗値のうちの接触抵抗値は発熱と
ともに減少する。このため、導電性粒部１１３に対する
その相対的な増加は抵抗温度係数を負方向にシフトさせ
る。絶縁性大粒部１１４より小粒径の絶縁性小粒部１１
５が導電性粒部間すなわち導電経路に分散される。この
ようにすれば、導電性粒部１１３に対する絶縁性小粒部
１１５の相対的な増加により電気経路の電気抵抗値を大
幅に変化させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はセラミックヒータに関す
るものであり、例えばディーゼルエンジンのセラミック
グロープラグに適用される。

【０００２】

【従来の技術】電気絶縁性のセラミック部材からなる棒
状の基体と、基体の一端部に埋設された電気抵抗体から
なる発熱体と、基体に埋設されるとともに発熱体の両端
に個別に接続された給電用の電極線とを備え、発熱体
が、電気絶縁性のセラミック粉末からなる絶縁性粒部
と、導電性を有する導電性粒部とが互いに分散する焼結
体からなるセラミックヒータが、従来より知られてい
る。

【０００３】例えば、本出願人の出願になる特開昭６３
ー９６８８３号公報は、絶縁性粒部（Ｓｉ₃Ｎ₄）と導
電性粒部（ＭｏＳｉ₂）からなる混合粉末の粒径を変え
ることにより発熱体と基体とを構成している。すなわ
ち、発熱体は大粒径の絶縁性粒部と小粒径の導電性粒部
とから構成される。このようにすると、絶縁性粒部のま
わりを導電性粒部が包むようにして導電性粒部が連続す
る組織となり、所望の抵抗率が得られる。一方、基体は
ほぼ同粒径の絶縁性粒部と導電性粒部とから構成され
る。このようにすると、導電性粒部が絶縁性粒部により
相互に分断され、絶縁性となる。

【０００４】このように同一材料で発熱体と基体とを構
成することにより、最適条件で一体焼結ができ、線膨張
率差の減少、発熱体と基体との一体化により信頼性が向
上する。また、本出願人の出願になる特開昭６４ー６１
３５６号公報は、絶縁性セラミックからなる母材粒子
に、島状に凝集したセラミックからなる添加物粒子を分
散させ、かつ、母材粒子が添加物粒子を個別に囲包し
て、添加物粒子間を分断するセラミック体を提案してい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、発熱体
の特性は抵抗値と抵抗温度係数（常温時の抵抗値と高温
時の抵抗値の比）で決まるが、上記した特開昭６３ー９
６８８３号公報の構成では、図５に示すように、導電性
粒部の混合比が多いと低抵抗値、高抵抗温度係数とな
り、導電性粒部の混合比が少ないと高抵抗値、低抵抗温
度係数となり、実現可能な発熱体の特性の範囲が限定さ
れるという問題があった。

【０００６】すなわち、絶縁性粒部と導電性粒部の混合
比により抵抗値と抵抗温度係数を任意の値に設定するこ
とが極めて困難であり、図５に示す線上の特定の抵抗値
と抵抗温度係数のヒータしか供給できない。ここで、導
電性粒部の配合量と抵抗値、抵抗温度係数との関係につ
いて、以下に説明する。

【０００７】発熱体の抵抗値は、導電性粒部自体の固有
抵抗値と導電性粒部間の接触抵抗値とが多数直並列構成
になった合成抵抗値と見做すことができ、導電性粒部の
配列状態の影響を大きく受ける。接触抵抗値は、ヒータ
を焼結後、常温にした時、線膨張係数の大きい導電性粒
部（ＭｏＳｉ₂）と線膨張係数の小さい絶縁性粒部（Ｓ
ｉ₃Ｎ₄）とよりなる発熱体をミクロ的に見ると、導電
性粒部に引っ張り力が作用するので、常温時の接触抵抗
値はこの状態での値となる。

【０００８】ここで、通電により発熱体が発熱するとこ
の引っ張り力が緩和され、接触性が改善されるので、発
熱時の接触抵抗値が減少すると考えられる。絶縁性粒部
の粒径が大きい程、絶縁性粒部の量が多い程、常温時の
上記引っ張り力が大きくなり、発熱による接触抵抗値の
低下度合いも顕著となると推定される。結局、この種の
発熱体の抵抗温度係数は、発熱による固有抵抗値の上昇
及び接触抵抗値の低下によって決定されることがわか
る。

【０００９】次に、導電性粒部の量と上記抵抗値の関係
を説明する。導電性粒部の量が増加すると、導電性セラ
ミック体内の導電部の断面積が大きくなり、低抵抗値と
なると考えられる。また、導電性粒部の量が増加する
と、常温時の引っ張り力が小さく、発熱による引っ張り
力の緩和も小さく、導電性粒部自体の固有抵抗値の上昇
の影響を大きく受け、導電性粒部（ＭｏＳｉ₂）自体の
抵抗温度係数に近づいてゆくと考えられる。

【００１０】本発明は上記問題点を鑑みたものであり、
発熱体の抵抗値及び抵抗温度係数の設定が容易なセラミ
ックヒータを提供することを、その目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の構成は、
大粒径の電気絶縁性セラミック粒体からなる絶縁性大粒
部と、前記絶縁性大粒部よりも粒径が小さくかつ線膨張
率が大きい導電性粒体からなるとともに前記絶縁性大粒
部の間に介在して導電経路を構成する導電性粒部と、前
記絶縁性大粒部よりも小粒径の電気絶縁性セラミック粒
体からなるとともに前記導電経路の間に介在して前記導
電経路の電気抵抗を増大させる絶縁性小粒部とを含む焼
結体からなることを特徴とする発熱体である。

【００１２】本発明の第２の構成は、上記第１の構成に
加えて、前記絶縁性小粒部及び前記導電性粒部が、前記
絶縁性大粒部の１／５以下の平均粒径を有する点を特徴
とする。本発明の第３の構成は、上記第１〜第３の構成
に加えて、前記絶縁性小粒部は、導電性粒部の１／３〜
３倍の平均粒径を有する点を特徴とする。

【００１３】本発明の第４の構成は、上記第１〜第４の
構成に加えて、前記絶縁性小粒部が、導電性粒部の５〜
２００体積％だけ混合される点を特徴とする。本発明の
第５の構成は、上記第１〜第５の構成に加えて、前記絶
縁性大粒部及び絶縁性小粒部が同一素材からなる点を特
徴とする。本発明の第６の構成は、上記第６の構成に加
えて、前記導電性粒部及び前記絶縁性小粒部と同一素材
の導電性粒部及び絶縁性粒部からなる基体と、前記基体
に埋設される上記第１〜第５の構成の前記発熱体と、前
記基体に埋設されるとともに前記発熱体の端部に接続さ
れる高融点金属部材からなる電極線とを備えるセラミッ
クヒータである。

【００１４】本発明の第７の構成は、前記基体の線膨張
係数をＡ／℃、前記発熱体２の線膨張係数をＢ／℃、前
記電極線の線膨張係数をＣ／℃としたとき、Ａ≦Ｂで、
かつ、０≦（Ｃ−Ａ）≦１．５×１０^-6の関係を満足す
る点を特徴とする。

【００１５】

【作用及び発明の効果】本発明の発熱体の第１の構成に
おいて、導電性粒部は電気抵抗体としての導電経路を構
成する。絶縁性大粒部は電気絶縁性であり、導電性粒部
に対するその相対的な増加は上記導電経路の抵抗値の増
加を招く。また、絶縁性大粒部は導電性粒部よりも大粒
径で線膨張率が小さいので、導電経路の抵抗値のうちの
接触抵抗値は発熱とともに減少する。このため、導電性
粒部に対するその相対的な増加は抵抗温度係数を負方向
にシフトさせる。

【００１６】特に本発明では、絶縁性大粒部より小粒径
の絶縁性小粒部が導電性粒部間すなわち導電経路に分散
される。このようにすれば、導電性粒部に対する絶縁性
小粒部の相対的な増加により電気経路の電気抵抗値を大
幅に変化させることができる。一方、絶縁性小粒部は小
粒径であり、この絶縁性小粒部に対してそれに隣接する
導電性粒部に引っ張り応力を付与して絶縁性大粒部と同
様に導電経路の抵抗温度係数を負方向にシフトさせるも
のの、その影響の度合いは電気経路の電気抵抗値の変化
の度合いに比べて格段に小さい。

【００１７】結局、導電性粒部を基準として絶縁性大粒
部の増減により抵抗温度係数の調整を実施し、更に絶縁
性小粒部の増減により抵抗値の調整を実施することがで
き、発熱体の抵抗温度係数及び抵抗値の調整の自由度が
従来より格段に増大する。図５にこの発熱体のモデル図
を示す。１１３は導電性粒部、１１４は絶縁性大粒部、
１１５は絶縁性小粒部である。

【００１８】導電性粒部１１３が絶縁性小粒部１１５を
囲包し、導電性粒部１１３及び絶縁性小粒部１１５が絶
縁性大粒部１１４を囲包している。絶縁性大粒部の量で
導電性粒部の引っ張り力を変化させ、抵抗温度係数を設
定し、絶縁性小粒部の量で、導電経路の断面積を変化さ
せ、抵抗値の設定することができることがわかる。

【００１９】本発明の第２構成によれば更に、上記効果
を一層良好とすることができる。すなわち、絶縁性小粒
部の平均粒径が上記範囲以上であると、絶縁性小粒部が
導電性粒よりなる導電経路内に分散しないため、狙いの
抵抗値と抵抗温度係数の関係が得られない。また、導電
性粒部の平均粒径が上記範囲以上であると、導電性粒部
が絶縁性大粒部を囲包しにくくなるため、導電経路が形
成されないという不具合が生じる。

【００２０】本発明の第３の構成によれば更に、上記効
果を一層良好とすることができる。すなわち、絶縁性小
粒部の平均粒径が上記範囲未満であれば絶縁性小粒部に
導電性粒部が囲まれるような状態となり、導電経路が断
たれてしまうという不具合が生じ、逆に上記範囲を超過
すれば絶縁性小粒部が導電経路内に分散しにくくなるた
め、狙いの抵抗値と抵抗温度係数の関係が得られないと
いう不具合が生じる。

【００２１】本発明の第４の構成によれば更に、上記効
果を一層良好とすることができる。すなわち、絶縁性小
粒部の体積が上記範囲以上であると、絶縁性小粒部が多
すぎるため、導電経路が断たれてしまうという不具合が
生じる。本発明の第５の構成によれば、発熱体の接合性
が向上するため、信頼性の向上が図れるという作用効果
を奏することができる。

【００２２】本発明の第６の構成によれば、この発熱体
は、この発熱体の絶縁性小粒部及び導電性粒部と同一素
材の絶縁性粒部及び導電性粒部からなり、絶縁性小粒部
が導電経路を遮断する基体に埋設される。このようにす
れば、発熱体と基体との接合性が向上する他、線膨張差
により発生する熱応力の低減が可能という効果も奏する
ことができる。

【００２３】結局、以上の構成により、抵抗値と抵抗温
度係数を広範囲に調節できる。

【００２４】

【実施例】以下、本発明を具体的実施例により説明す
る。図１は本発明のセラミックヒータ１の実施例を示し
た断面図であり、図２はその要部の拡大図を示す。この
セラミックヒータ１は、円棒状の基体３と、基体３の先
端部に埋設されるＵ字状の発熱体２と、基体３の基端部
及び中央部に埋設される断面円形の電極線４、５とから
なる。

【００２５】基体３は、Ｓｉ₃Ｎ₄からなる絶縁性セラ
ミック粉末に、ＭｏＳｉ₂からなる導電体セラミック粉
末を少量分散させた断面円形の絶縁性セラミック焼結体
からなる。発熱体２は、ＭｏＳｉ₂からなる導電体セラ
ミック粉末と、Ｓｉ₃Ｎ₄からなる絶縁性セラミック粉
末とを含む断面円形の導電性セラミック焼結体である。

【００２６】電極線４、５の基端部は基体１の外周に露
出して部分円筒面４ｃ，５ｃとなっており、それらの先
端部４ａ，５ａは発熱体２の両端面から発熱体２の内部
に埋設されている。電極線４、５は、タングステン、モ
リブデン等の高融点金属またはその合金からなるが、こ
こでは断面円形のタングステン線とされている。部分円
筒面４ｃ，５ｃの曲率半径は基体３の半径に等しくされ
ている。

【００２７】本実施例のセラミックヒータ１をディーゼ
ルエンジンのグロープラグに採用した例を図３に示す。
電極線４、５の部分円筒面４ｃ，５ｃが露出する基体３
の側面にはニッケルメッキが施されている。金属の中空
パイプ６がこのニッケルメッキ層を介して基体３の中央
部に嵌着、ロウ付けされており、中空パイプ６はセラミ
ックヒータ１を保持するとともに、電極線４の部分円筒
面４ｃと電気的に接続されている。中空パイプ６の外
周には図示しないエンジンへの取付けネジ１０ａを有す
る両端開口筒状の金属ハウジング１０の先端部が嵌着、
ロウ付けされている。

【００２８】一方、基体３の基端部に導出された電極線
５の部分円筒面５ｃには、金属キャップ７がロウ付けさ
れており、金属キャップ７には金属線８の一端が溶接さ
れ、金属線８の他端は中軸９の先端に溶接されている。
中軸９の基端部に形成された雄ネジ部９１は図示しない
電源に接続されている。中軸９はハウジング１０内に嵌
入されており、中軸９はハウジング１０からガラスシー
ル１１および絶縁ブッシュ１２により電気的に絶縁さ
れ、これらガラスシール１１および絶縁ブッシュ１２は
雄ネジ部９１に螺着されたナット１３により固定されて
いる。

【００２９】このような構成とすることにより、不図示
の電源から中軸９、金属線８、金属キャップ７、電極
５、発熱体２、電極４、中空パイプ６、ハウジング１０
を介して図示しないエンジンブロックへ電流が通電可能
となっている。セラミックヒータ１の製造方法について
説明すると、電極線４、５を金型内の所定位置にセット
した状態で発熱体２を射出成形し、次にこの電極線４、
５及び発熱体２の一体物を金型内の所定位置にセットし
た状態で基体３を射出成形した成形品をホットプレスに
より焼結させる。しかるのち、外周を研削して形成す
る。

【００３０】基体３の拡大模式断面図（モデル図）を図
４に示す。基体３は、導電性粒部１１１としての平均粒
径１μｍのＭｏＳｉ₂と絶縁性粒部１１２としての平均
粒径１μｍのＳｉ₃Ｎ₄との混合粉末に、添加物として
のＹ₂Ｏ₃、Ａｌ₂Ｏ₃をＭｏＳｉ₂及びＳｉ₃Ｎ₄の
総質量に対して各々３質量％、５質量％添加した混合物
の焼結体であり、ＭｏＳｉ₂粒子がＳｉ₃Ｎ₄粒子に取
り囲まれた組織になっている。

【００３１】発熱体２の拡大模式断面図（モデル図）を
図５に示す。発熱体２は、導電性粒部１１３としての平
均粒径１μｍのＭｏＳｉ₂と第１の絶縁性粒部（本発明
でいう絶縁性大粒部）１１４としての平均粒径１７μｍ
のＳｉ₃Ｎ₄と第２の絶縁性粒部（本発明でいう絶縁性
小粒部）１１５としての平均粒径１μｍのＳｉ₃Ｎ₄と
の混合粉末に、添加物としてのＹ₂Ｏ₃、Ａｌ₂Ｏ₃を
ＭｏＳｉ₂とＳｉ₃Ｎ₄の総質量に対して各々３質量
％、５質量％添加した混合物の焼結体であり、第２の絶
縁性粒部１１５が導電性粒部１１３により囲包され、第
１の絶縁性粒部１１４が第２の絶縁性粒部１１５及び導
電性粒部１１３により囲包された構造となっている。

【００３２】上記特開昭６３ー９６８８３号公報の発熱
体の導電性粒部の重量比率と抵抗値及び抵抗温度係数と
の関係を図６に示す。ここで、抵抗温度係数はこの発熱
体を２０℃から９００℃まで発熱した時の抵抗値の変化
の比で表してある。材料は図４のモデル図に示したもの
である。図６から、ＭｏＳｉ₂の配合量を増加すると抵
抗値は低下し、抵抗温度係数は増加することがわかる。
例えば、４０ｗｔ％のＭｏＳｉ₂は、抵抗値が０．１Ω
で、抵抗温度係数が４．０であり、この発熱体の要求仕
様として、抵抗値が１．０Ω、抵抗温度係数が４．０と
いったヒータは導電性粒部の材質を変更しなければ製造
することができないことが分かる。

【００３３】次に、本実施例の発熱体２について説明す
る。材料は図５のモデル図に示したもので、導電性粒部
１１３（ＭｏＳｉ₂）の配合量を４０ｗｔ％一定とし、
残りの６０ｗｔを、第１の絶縁性粒部１１４と第２の絶
縁性粒部１１５との配合量（ｗｔ％）を種々変化させて
製造した発熱体２の抵抗値と抵抗温度係数の関係を図７
に示す。

【００３４】図７から、第２の絶縁性粒部１１５の配合
量が０ｗｔ％の時は図６のＭｏＳｉ ₂が４０ｗｔ％の値
を示すが、第１の絶縁性粒部１１４の配合量を減少さ
せ、第２の絶縁性粒部１１５の配合量を増加させてゆく
と抵抗値は高くなり、抵抗温度係数は若干減少する。そ
して、種々のＭｏＳｉ₂の配合量にて第２の絶縁性粒部
１１５の配合量を変えることにより、この関係が成り立
つことを確認した。また、前述の抵抗値が１．０Ωで、
抵抗温度係数が４．０の発熱体２は、ＭｏＳｉ₂が４５
ｗｔ％、第１の絶縁性粒部１１４が２０ｗｔ％、第２の
絶縁性粒部１１５が３５ｗｔ％で製造することができる
ことも確認できた。

【００３５】以上、導電性粒部１１３が平均粒径１μｍ
のＭｏＳｉ₂、第１の絶縁性粒部１１４が平均粒径１７
μｍのＳｉ₃Ｎ₄、第２の絶縁性粒部１１５が平均粒径
１μｍのＳｉ₃Ｎ₄の例で述べたが、次に、粒径による
本実施例の効果の変化を試験した結果を表１にて示す。
試験は導電性粒部１１３と第１の絶縁性粒部１１４と第
２の絶縁性粒部１１５との平均粒径を変化させて、図７
に示す本実施例の効果が認められるか否かの確認をし
た。

【００３６】

【表１】

【００３７】表１から、導電性粒部１１３の平均粒径が
１μｍにおいて、第１の絶縁性粒部１１４の平均粒径が
１７μｍの場合、第２の絶縁性粒部１１５の平均粒径は
９μｍ以下で本実施例の効果が認められ、第１の絶縁性
粒部１１４の平均粒径が９μｍの場合、第２の絶縁性粒
部１１５の平均粒径は５μｍ以下で本実施例の効果が認
められた。

【００３８】以上の結果から、第２の絶縁性粒部１１５
は第１の絶縁性粒部１１４のほぼ１／２以下の粒径なら
ば、本発明の効果が認められることが分かる。また、導
電性粒部１１３の平均粒径を変化させた試験結果も示し
てあるが、本発明の効果は導電性粒部１１３の平均粒径
の影響を受けないことも分かる。次に、導電性粒部１１
３、第１の絶縁性粒部１１４、第２の絶縁性粒部１１５
について、種々の材料で試験したが、導電性粒部１１３
は導電性を有するならばＭｏＳｉ₂以外の部材でも本実
施例の効果が得られ、第１の絶縁性粒部１１４と第２の
絶縁性粒部１１５は絶縁性を有するならばＳｉ₃Ｎ₄以
外の部材でも本実施例の効果が得られることも確認でき
た。

【００３９】さらに、第１の絶縁性粒部１１４と第２の
絶縁性粒部１１５とは異なる素材を用いても同様の効果
が得られた。但し、上記素材選定に際し、要求されるヒ
ータ寿命に対しては、以下の留意が必要である。発熱体
２は通電により高温になるため、基体３と導電性粒部１
３と電極線４、５との間の線膨張係数の差により発生す
る大きな繰り返し熱応力のため、クラックが発生する場
合がある。即ち、基体３と発熱体２との線膨張係数の差
が大きいと、基体３または発熱体にクラックが発生し、
基体３と電極線４、５の線膨張係数の差が大きいと、基
体３にクラックが発生する。これらのクラックは、長時
間の使用において進展し、ヒータとしての機能を果たさ
なくなる。

【００４０】そこで、基体３と発熱体２と電極線４、５
との線膨張係数を変化させて、クラックの発生状況を試
験した結果、基体３の線膨張係数をＡ／℃、発熱体２の
線膨張係数をＢ／℃、電極線４、５の線膨張係数をＣ／
℃としたとき、Ａ≦Ｂで、かつ、０≦（Ｃ−Ａ）≦１．
５×１０^-6の関係を満足する必要があることも分かっ
た。

【００４１】以上、発熱体２として、導電性セラミック
体の例について述べたが、基体３のグリーンシートを作
成し、そのうえに発熱体２を構成する印刷パターンを形
成し、さらこのグリーンシートに電極線４、５を配し
て、前記のグリーンシートを適当量積層したのちに焼成
し、研削してセラミックヒータを形成する場合において
も、上述の効果と同様の効果が得られることは、言うま
でもない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のセラミックヒータの一実施例を示す断
面図である。

【図２】図１のヒータの要部拡大断面図である。

【図３】図１のセラミックヒータをセラミックグロープ
ラグに採用した実施例を示した断面図である。

【図４】基体の一実施例を示すモデル図である。

【図５】発熱体の一実施例を示すモデル図である。

【図６】特開昭６３ー９６８８３号公報の発熱体の導電
性粒部の配合比率と抵抗値、抵抗温度係数の関係を示す
図である。

【図７】本実施例の発熱体の配合比率と抵抗値、抵抗温
度係数の関係を示す図である。

【符号の説明】

１セラミックグロープラグ２発熱体３基体４電極線５電極線１１３導電性粒部１１４第１の絶縁性粒部（絶縁性大粒部）１１５第２の絶縁性粒部（絶縁性小粒部）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】大粒径の電気絶縁性セラミック粒体からな
る絶縁性大粒部と、前記絶縁性大粒部よりも粒径が小さ
くかつ線膨張率が大きい導電性粒体からなるとともに前
記絶縁性大粒部の間に介在して導電経路を構成する導電
性粒部と、前記絶縁性大粒部よりも小粒径の電気絶縁性
セラミック粒体からなるとともに前記導電経路の間に介
在して前記導電経路の電気抵抗を増大させる絶縁性小粒
部とを含む焼結体からなることを特徴とする発熱体。
【請求項２】前記絶縁性小粒部及び前記導電性粒部は、
前記絶縁性大粒部の１／５以下の平均粒径を有する請求
項１記載の発熱体。
【請求項３】前記絶縁性小粒部は、導電性粒部の１／３
〜３倍の平均粒径を有する請求項１〜３のいずれかに記
載の発熱体。
【請求項４】前記絶縁性小粒部は、導電性粒部の５〜２
００体積％だけ混合される請求項１〜４のいずれかに記
載の発熱体。
【請求項５】前記絶縁性大粒部及び絶縁性小粒部は同一
素材からなる請求項１〜５のいずれかに記載の発熱体。
【請求項６】前記導電性粒部及び前記絶縁性小粒部と同
一素材の導電性粒部及び絶縁性粒部からなる基体と、前
記基体に埋設される請求項１〜５のいずれかに記載の前
記発熱体と、前記基体に埋設されるとともに前記発熱体
の端部に接続される高融点金属部材からなる電極線とを
備えるセラミックヒータ。