JPH07283363A - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体装置用リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPH07283363A JPH07283363A JP6099279A JP9927994A JPH07283363A JP H07283363 A JPH07283363 A JP H07283363A JP 6099279 A JP6099279 A JP 6099279A JP 9927994 A JP9927994 A JP 9927994A JP H07283363 A JPH07283363 A JP H07283363A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pad
- lead
- lead frame
- semiconductor device
- tip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 パッドが傾いたり、反ったりせず平坦度がす
ぐれた薄型パッケージを安定して得られ、またパッドと
インナーリード先端の位置関係に変化がなくワイヤ−ボ
ンディング性がすぐれた半導体装置用リードフレームを
得る。 【構成】 パッドの周りにリ−ドを多数設けたリードフ
レームにおいて、前記パッドを支持したサポ−トバ−を
下方に移行させパッド面がリ−ド面より下方に位置し、
当該パッド周面とリ−ド先端部を溶融焼成ガラスで連結
して半導体装置用リードフレームを構成している。他の
構成は前記パッドをリ−ド面より低くせずに、当該パッ
ド周面とリ−ド先端部を溶融焼成ガラスで連結してい
る。
ぐれた薄型パッケージを安定して得られ、またパッドと
インナーリード先端の位置関係に変化がなくワイヤ−ボ
ンディング性がすぐれた半導体装置用リードフレームを
得る。 【構成】 パッドの周りにリ−ドを多数設けたリードフ
レームにおいて、前記パッドを支持したサポ−トバ−を
下方に移行させパッド面がリ−ド面より下方に位置し、
当該パッド周面とリ−ド先端部を溶融焼成ガラスで連結
して半導体装置用リードフレームを構成している。他の
構成は前記パッドをリ−ド面より低くせずに、当該パッ
ド周面とリ−ド先端部を溶融焼成ガラスで連結してい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体チップを搭載する
パッドの平坦度がすぐれ、半導体装置の高信頼性化を図
れるリードフレームに関する。
パッドの平坦度がすぐれ、半導体装置の高信頼性化を図
れるリードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置はリードフレームのパッドに
半導体チップ（以下 チップという）をダイボンダ−を
介し固着搭載し、チップ端子とインナーリードをボンデ
ィングワイヤ−で溶接接続し、その後、樹脂封止あるい
はキャップを被せガラス封止して製造される。
半導体チップ（以下 チップという）をダイボンダ−を
介し固着搭載し、チップ端子とインナーリードをボンデ
ィングワイヤ−で溶接接続し、その後、樹脂封止あるい
はキャップを被せガラス封止して製造される。
【０００３】半導体装置は小型化、薄手化および高速化
の要請が強く、チップの高集積度化、リードの多ピン
化、またパッケ−ジ封止厚みの薄手化等が図られてい
る。例えば特開昭６２−１６５３４７号公報に記載のよ
うに、パッドを支持するサポ−トバ−の一部を曲げ加工
して、当該パッドをリ−ド面より下げ、薄型化するもの
がある。これではパッドに搭載したチップとリ−ドの高
さの差が小さくなって、ボンディングワイヤ−を短くで
き信号の高速化を図れる利点もあり有用である。
の要請が強く、チップの高集積度化、リードの多ピン
化、またパッケ−ジ封止厚みの薄手化等が図られてい
る。例えば特開昭６２−１６５３４７号公報に記載のよ
うに、パッドを支持するサポ−トバ−の一部を曲げ加工
して、当該パッドをリ−ド面より下げ、薄型化するもの
がある。これではパッドに搭載したチップとリ−ドの高
さの差が小さくなって、ボンディングワイヤ−を短くで
き信号の高速化を図れる利点もあり有用である。
【０００４】
【この発明が解決しようとする課題】前記パッドを下方
に位置させるのはディプレスと称され、前述の作用効果
があるが、パッドにチップを搭載し固着組立て、あるい
は樹脂封止等のモ−ルドの際に、パッドが傾いたり、反
ったりすることがある。
に位置させるのはディプレスと称され、前述の作用効果
があるが、パッドにチップを搭載し固着組立て、あるい
は樹脂封止等のモ−ルドの際に、パッドが傾いたり、反
ったりすることがある。
【０００５】パッドの変形は、薄型パッケージでは特に
問題で、ボンディングワイヤ−がパッケージから露出し
たり、パッド下面と上面の封止樹脂厚が異なりパッケー
ジにクラックを生じることがある。
問題で、ボンディングワイヤ−がパッケージから露出し
たり、パッド下面と上面の封止樹脂厚が異なりパッケー
ジにクラックを生じることがある。
【０００６】またパッドの変形は、チップ剥離の一因
で、さらに応力を及ぼし当該チップにダメ−ジを与え信
頼性を低下させる。
で、さらに応力を及ぼし当該チップにダメ−ジを与え信
頼性を低下させる。
【０００７】本発明は、パッドが傾いたり、反ったりせ
ず平坦度がすぐれた薄型パッケージを安定して得られ、
またパッドとインナーリード先端の位置関係に変化がな
くワイヤ−ボンディング性がすぐれた半導体装置用リー
ドフレームを目的とする。
ず平坦度がすぐれた薄型パッケージを安定して得られ、
またパッドとインナーリード先端の位置関係に変化がな
くワイヤ−ボンディング性がすぐれた半導体装置用リー
ドフレームを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、パッド
の周りにリ−ドを多数設けたリードフレームにおいて、
前記パッドを支持したサポ−トバ−の１部を下げパッド
面がリ−ド面より下方に位置し、当該パッド周面とリ−
ド先端部の間を溶融焼成ガラスで連結している半導体装
置用リードフレームにある。他の要旨は前記パッドをリ
−ド面より低くせずに、当該パッド周面とリ−ド先端部
を溶融焼成ガラスで連結したところにある。
の周りにリ−ドを多数設けたリードフレームにおいて、
前記パッドを支持したサポ−トバ−の１部を下げパッド
面がリ−ド面より下方に位置し、当該パッド周面とリ−
ド先端部の間を溶融焼成ガラスで連結している半導体装
置用リードフレームにある。他の要旨は前記パッドをリ
−ド面より低くせずに、当該パッド周面とリ−ド先端部
を溶融焼成ガラスで連結したところにある。
【０００９】
【作用】本発明は、リ−ド面より下げたパッドと、該パ
ッド周辺を臨み形成された多数のリ−ドの先端部を、溶
融焼成ガラスで連結しているので、当該パッドは強く支
持され、チップの搭載固着時、あるいはワイヤ−ボンデ
ィング後のモ−ルド時等で加熱され温度が上昇しても傾
きや反りがなく平坦度がすぐれる。またチップの剥離や
パッケージのクラックが防止される。
ッド周辺を臨み形成された多数のリ−ドの先端部を、溶
融焼成ガラスで連結しているので、当該パッドは強く支
持され、チップの搭載固着時、あるいはワイヤ−ボンデ
ィング後のモ−ルド時等で加熱され温度が上昇しても傾
きや反りがなく平坦度がすぐれる。またチップの剥離や
パッケージのクラックが防止される。
【００１０】さらに、パッドとリ−ド先端の相互間隔及
び位置関係が一定で、且つ、リ−ド先端も浮き沈みがな
くワイヤ−ボンディングが接続不良となることなく高速
下で精度よくできる等の作用がある。
び位置関係が一定で、且つ、リ−ド先端も浮き沈みがな
くワイヤ−ボンディングが接続不良となることなく高速
下で精度よくできる等の作用がある。
【００１１】
【実施例】次に、本発明について１実施例に基づき図面
を参照し詳細に説明する。図面において、１はチップを
搭載するパッドで、その周りにインナーリード２が多数
形成されている。該パッド２はサポ−トバ−３を一部傾
斜３ａさせ、あるいは一部をコイニングし且つ傾斜させ
ることでインナーリード２より図２に示すように下方に
位置している。
を参照し詳細に説明する。図面において、１はチップを
搭載するパッドで、その周りにインナーリード２が多数
形成されている。該パッド２はサポ−トバ−３を一部傾
斜３ａさせ、あるいは一部をコイニングし且つ傾斜させ
ることでインナーリード２より図２に示すように下方に
位置している。
【００１２】４は前記インナーリード２に連続して形成
されたアウターリードで、５はダイバ−である。６はガ
イドホ−ル、７はサイドレ−ルである。
されたアウターリードで、５はダイバ−である。６はガ
イドホ−ル、７はサイドレ−ルである。
【００１３】ところで、半導体装置の薄型パッケージ化
には、樹脂封止厚みを例えば１ｍｍ以下に薄くせねばな
らない。該薄型パッケージは反りが生じやすく、パッド
１の平坦度を厳しくしなけねばならず、例えば傾きの許
容は０．０５０ｍｍ未満、反りの許容は０．０１０ｍｍ
未満といわれている。また、パッド１に対するインナー
リード２の浮き沈みやリ−ド寄りがなく位置関係が一定
であらねばならない。かかることに対処すべく、パッド
１周面とインナーリード２先端の間に溶融焼成ガラス８
を設け、当該パッド１とインナーリード２を連結してい
る。
には、樹脂封止厚みを例えば１ｍｍ以下に薄くせねばな
らない。該薄型パッケージは反りが生じやすく、パッド
１の平坦度を厳しくしなけねばならず、例えば傾きの許
容は０．０５０ｍｍ未満、反りの許容は０．０１０ｍｍ
未満といわれている。また、パッド１に対するインナー
リード２の浮き沈みやリ−ド寄りがなく位置関係が一定
であらねばならない。かかることに対処すべく、パッド
１周面とインナーリード２先端の間に溶融焼成ガラス８
を設け、当該パッド１とインナーリード２を連結してい
る。
【００１４】前記溶融焼成ガラス８の付設は、比較的低
融点の結晶化ガラス粉末、有機バインダ−、有機溶剤、
等を混ぜ合わせペイスト状としたものを、スクリ−ン印
刷法、ディスペンス法あるいは捺印転写法等で、パッド
１周面とインナーリード２先端間に塗布し、加熱し溶融
焼成することでなされる。
融点の結晶化ガラス粉末、有機バインダ−、有機溶剤、
等を混ぜ合わせペイスト状としたものを、スクリ−ン印
刷法、ディスペンス法あるいは捺印転写法等で、パッド
１周面とインナーリード２先端間に塗布し、加熱し溶融
焼成することでなされる。
【００１５】該焼成ガラス８の連結により、パッド１と
インナーリード２の位置関係が一定となり、また、その
後のダイボンディング、ワイヤ−ボンディング及び樹脂
封止等で温度上昇しても当該パッド１には傾きや反りが
生ぜず平坦度を高度に保てる。また、インナーリード２
には浮き沈みや横方向の変位がなく、その後のワイヤ−
ボンディングが問題なく信頼性高く行える。
インナーリード２の位置関係が一定となり、また、その
後のダイボンディング、ワイヤ−ボンディング及び樹脂
封止等で温度上昇しても当該パッド１には傾きや反りが
生ぜず平坦度を高度に保てる。また、インナーリード２
には浮き沈みや横方向の変位がなく、その後のワイヤ−
ボンディングが問題なく信頼性高く行える。
【００１６】パッド１にチップ９をダイボンダ−を介し
て固着搭載し、チップ端子とインナーリード２をボンデ
ィングワイヤ−１０で接続し、その後、樹脂封止してパ
ッケージ１１が製造される。この樹脂封止の際に樹脂注
入圧力が負荷され、併せて加熱作用を受けるが、パッド
１が傾いたり、反ったりせず、インナーリード２も変形
や変位せず、パッド裏面側とチップ上面側の樹脂厚みに
変動を生じることなく一様にできる。
て固着搭載し、チップ端子とインナーリード２をボンデ
ィングワイヤ−１０で接続し、その後、樹脂封止してパ
ッケージ１１が製造される。この樹脂封止の際に樹脂注
入圧力が負荷され、併せて加熱作用を受けるが、パッド
１が傾いたり、反ったりせず、インナーリード２も変形
や変位せず、パッド裏面側とチップ上面側の樹脂厚みに
変動を生じることなく一様にできる。
【００１７】前記実施例ではパッド１をインナーリード
２面より下方に位置したリードフレームについて述べた
が、これに限らず、パッド１をディプレスさせず図４に
示すようにインナーリード２面と同じ高さとするリード
フレームにも同様に適用できる。この場合はパッド１の
周面とインナーリード２先端の間に溶融焼成ガラス８を
設け、両者を連結している。
２面より下方に位置したリードフレームについて述べた
が、これに限らず、パッド１をディプレスさせず図４に
示すようにインナーリード２面と同じ高さとするリード
フレームにも同様に適用できる。この場合はパッド１の
周面とインナーリード２先端の間に溶融焼成ガラス８を
設け、両者を連結している。
【００１８】
【発明の効果】本発明は、パッドをインナーリード面よ
り下方に位置させ、当該パッド周面とインナーリード先
端を溶融焼成ガラスで連結しているので、その後、ダイ
ボンディングや樹脂封止等で加熱作用を受けても、パッ
ドは傾きや反ることがなく平坦度にすぐれた薄型半導体
装置に好適なリードフレームが得られる。また、インナ
ーリードは先端部の浮き沈みや横方向への変位がなくパ
ッドとの位置関係が一定でワイヤ−ボンディング性がす
ぐれる。
り下方に位置させ、当該パッド周面とインナーリード先
端を溶融焼成ガラスで連結しているので、その後、ダイ
ボンディングや樹脂封止等で加熱作用を受けても、パッ
ドは傾きや反ることがなく平坦度にすぐれた薄型半導体
装置に好適なリードフレームが得られる。また、インナ
ーリードは先端部の浮き沈みや横方向への変位がなくパ
ッドとの位置関係が一定でワイヤ−ボンディング性がす
ぐれる。
【００１９】また、パッドをインナーリード面より下げ
ない請求項２のリードフレームでは半導体装置パッケー
ジの薄型化は請求項１ほどでないが、その他の効果は同
様に得られる。
ない請求項２のリードフレームでは半導体装置パッケー
ジの薄型化は請求項１ほどでないが、その他の効果は同
様に得られる。
【図１】本発明の１実施例によるリードフレームを示す
図。
図。
【図２】本発明の１実施例でのリードフレームの側面を
示す図。
示す図。
【図３】本発明の１実施例によるリードフレームでの半
導体装置を示す図。
導体装置を示す図。
【図４】本発明の他の実施例によるリードフレームの側
面を示す図。
面を示す図。
１ パッド ２ インナーリード ３ サポ−トバ− ４ アウターリード ５ タイバ− ６ ガイドホ−ル ７ サイドレ−ル ８ 溶融焼成ガラス ９ チップ １０ ボンディングワイヤ− １１ パッケージ
Claims (2)
- 【請求項１】 パッドの周りにリ−ドを多数設けたリー
ドフレームにおいて、前記パッドを支持したサポ−トバ
−を下方に移行させパッド面がリ−ド面より下方に位置
し、当該パッド周面とリ−ド先端部の間を溶融焼成ガラ
スで連結していることを特徴とする半導体装置用リード
フレーム。 - 【請求項２】 パッドの周りにリ−ドを多数設けたリー
ドフレームにおいて、前記パッドとリ−ドが同じ高さ
で、当該パッド周面とリ−ド先端部の間を溶融焼成ガラ
スで連結していることを特徴とする半導体装置用リード
フレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6099279A JPH07283363A (ja) | 1994-04-12 | 1994-04-12 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6099279A JPH07283363A (ja) | 1994-04-12 | 1994-04-12 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07283363A true JPH07283363A (ja) | 1995-10-27 |
Family
ID=14243230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6099279A Pending JPH07283363A (ja) | 1994-04-12 | 1994-04-12 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07283363A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018142582A (ja) * | 2017-02-27 | 2018-09-13 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置およびその製造方法、ならびに電力変換装置 |
-
1994
- 1994-04-12 JP JP6099279A patent/JPH07283363A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018142582A (ja) * | 2017-02-27 | 2018-09-13 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置およびその製造方法、ならびに電力変換装置 |
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