JPH07291778A - 溶液結晶成長方法及び装置 - Google Patents
溶液結晶成長方法及び装置Info
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- JPH07291778A JPH07291778A JP6081373A JP8137394A JPH07291778A JP H07291778 A JPH07291778 A JP H07291778A JP 6081373 A JP6081373 A JP 6081373A JP 8137394 A JP8137394 A JP 8137394A JP H07291778 A JPH07291778 A JP H07291778A
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- crystal
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 シード結晶表面を所定量メルトバックし、か
つ結晶の異常成長、結晶欠陥の導入を防止して良質の成
長結晶を得ることができる溶液結晶成長技術を提供す
る。 【構成】 溶液の上下に温度差を形成し、溶液の高温部
にソース結晶を配置し、溶液の低温部にシード結晶を配
置して結晶成長を行う溶液結晶成長方法において、前記
シード結晶と前記溶液とが接触しない状態で、前記シー
ド結晶を所定の第１温度に、前記溶液を前記第１温度よ
りも所定の温度だけ低い所定の第２温度に加熱する加熱
工程と、前記シード結晶と前記溶液とを接触させる工程
と、前記溶液の上下に所定の温度差を形成し、前記シー
ド結晶上に結晶を成長する結晶成長工程とを含む。
つ結晶の異常成長、結晶欠陥の導入を防止して良質の成
長結晶を得ることができる溶液結晶成長技術を提供す
る。 【構成】 溶液の上下に温度差を形成し、溶液の高温部
にソース結晶を配置し、溶液の低温部にシード結晶を配
置して結晶成長を行う溶液結晶成長方法において、前記
シード結晶と前記溶液とが接触しない状態で、前記シー
ド結晶を所定の第１温度に、前記溶液を前記第１温度よ
りも所定の温度だけ低い所定の第２温度に加熱する加熱
工程と、前記シード結晶と前記溶液とを接触させる工程
と、前記溶液の上下に所定の温度差を形成し、前記シー
ド結晶上に結晶を成長する結晶成長工程とを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、結晶成長に関し、特に
溶液結晶成長に関する。蒸気圧の高い化合物半導体、特
にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のバルク結晶成長技術とし
て、成長温度を低下できる溶液結晶成長が期待されてい
る。
溶液結晶成長に関する。蒸気圧の高い化合物半導体、特
にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のバルク結晶成長技術とし
て、成長温度を低下できる溶液結晶成長が期待されてい
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の溶液結晶成長の一例を図１（Ｃ）
を参照して説明する。なお、図１（Ｃ）は本発明の実施
例の説明でも用いる。
を参照して説明する。なお、図１（Ｃ）は本発明の実施
例の説明でも用いる。
【０００３】図１（Ｃ）に示すような小口径の石英管１
ａと大口径の石英管１ｂとをテーパ状の内面を有するホ
ーン型石英管１ｃで接続した石英アンプル１を準備す
る。初期には、石英アンプル１の上端は開放しておく。
石英アンプル１の小口径部分１ａにヒートシンク５が収
納されている。
ａと大口径の石英管１ｂとをテーパ状の内面を有するホ
ーン型石英管１ｃで接続した石英アンプル１を準備す
る。初期には、石英アンプル１の上端は開放しておく。
石英アンプル１の小口径部分１ａにヒートシンク５が収
納されている。
【０００４】このように準備された石英アンプルのヒー
トシンク５の上面にヒートシンクの径と同径のシード結
晶４を載置する。シード結晶４の側方の石英アンプル１
側面を加熱して内側に窪ませることによりシード結晶４
を固定する。
トシンク５の上面にヒートシンクの径と同径のシード結
晶４を載置する。シード結晶４の側方の石英アンプル１
側面を加熱して内側に窪ませることによりシード結晶４
を固定する。
【０００５】次に、ソース結晶２、溶媒塊３ａを投入し
た後、石英アンプル１内を真空排気し上端の開放端を封
止する。ソース結晶２は、石英アンプル１の内面に設け
られた突起等により所定の位置に保持される。
た後、石英アンプル１内を真空排気し上端の開放端を封
止する。ソース結晶２は、石英アンプル１の内面に設け
られた突起等により所定の位置に保持される。
【０００６】なお、溶媒塊３は、あらかじめ溶媒中に適
当量の結晶成分を溶解させその後固化させたものであ
る。溶媒塊３ａにあらかじめ結晶成分を溶解させておく
ことにより、シード結晶のメルトバックを少量に抑える
ことができる。結晶成分の濃度は結晶成長中のシード結
晶の温度（成長温度）で飽和濃度となるように調整して
おく。
当量の結晶成分を溶解させその後固化させたものであ
る。溶媒塊３ａにあらかじめ結晶成分を溶解させておく
ことにより、シード結晶のメルトバックを少量に抑える
ことができる。結晶成分の濃度は結晶成長中のシード結
晶の温度（成長温度）で飽和濃度となるように調整して
おく。
【０００７】次に、図１（Ｃ）のように準備した石英ア
ンプルの上下を逆転させ、あるいは傾けて加熱し溶媒塊
３ａを融解させる。その後、図２（Ｂ）に示すように直
立させてシード結晶４を溶媒３に接触させる。ソース結
晶部分をシード結晶よりも高温にし、シード結晶４の上
に結晶を成長させる。
ンプルの上下を逆転させ、あるいは傾けて加熱し溶媒塊
３ａを融解させる。その後、図２（Ｂ）に示すように直
立させてシード結晶４を溶媒３に接触させる。ソース結
晶部分をシード結晶よりも高温にし、シード結晶４の上
に結晶を成長させる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】石英アンプル１を反転
させて融解させた溶媒の温度は、部分的にばらつきがあ
り一様ではない。従って、溶媒塊３ａを融解させて所定
の温度とし、直立状態に戻したとき、シード結晶４に接
触する溶液の温度が所定の温度よりも高い場合または低
い場合がある。
させて融解させた溶媒の温度は、部分的にばらつきがあ
り一様ではない。従って、溶媒塊３ａを融解させて所定
の温度とし、直立状態に戻したとき、シード結晶４に接
触する溶液の温度が所定の温度よりも高い場合または低
い場合がある。
【０００９】溶媒中の温度の高い部分がシード結晶４に
接触すると溶媒が急激に冷却され、過飽和度が局所的に
増加する。過飽和度が増加すると、異常核が発生し、良
好な結晶成長を行うことができなくなる。
接触すると溶媒が急激に冷却され、過飽和度が局所的に
増加する。過飽和度が増加すると、異常核が発生し、良
好な結晶成長を行うことができなくなる。
【００１０】また、シード結晶の表面を所定量メルトバ
ックしたい場合に、再現性の高いメルトバックを行うこ
とが困難になる。さらに、メルトバック後のシード結晶
表面が平坦でなくなり、突起状部分から結晶が異常成長
したり、結晶欠陥が導入され結晶性の劣化を招くことに
なる。さらに、シード結晶表面の形状もロット毎に変化
し、良好な成長結晶を安定して得ることができなくな
る。
ックしたい場合に、再現性の高いメルトバックを行うこ
とが困難になる。さらに、メルトバック後のシード結晶
表面が平坦でなくなり、突起状部分から結晶が異常成長
したり、結晶欠陥が導入され結晶性の劣化を招くことに
なる。さらに、シード結晶表面の形状もロット毎に変化
し、良好な成長結晶を安定して得ることができなくな
る。
【００１１】本発明の目的は、シード結晶表面を所定量
メルトバックし、かつ結晶の異常成長、結晶欠陥の導入
を防止して良質の成長結晶を得ることができる溶液結晶
成長技術を提供することである。
メルトバックし、かつ結晶の異常成長、結晶欠陥の導入
を防止して良質の成長結晶を得ることができる溶液結晶
成長技術を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の溶液結晶成長方
法は、溶液の上下に温度差を形成し、溶液の高温部にソ
ース結晶を配置し、溶液の低温部にシード結晶を配置し
て結晶成長を行う溶液結晶成長方法において、前記シー
ド結晶と前記溶液とが接触しない状態で、前記シード結
晶を所定の第１温度に、前記溶液を前記第１温度よりも
所定の温度だけ低い所定の第２温度に加熱する加熱工程
と、前記シード結晶と前記溶液とを接触させる工程と、
前記溶液の上下に所定の温度差を形成し、前記シード結
晶上に結晶を成長する結晶成長工程とを含む。
法は、溶液の上下に温度差を形成し、溶液の高温部にソ
ース結晶を配置し、溶液の低温部にシード結晶を配置し
て結晶成長を行う溶液結晶成長方法において、前記シー
ド結晶と前記溶液とが接触しない状態で、前記シード結
晶を所定の第１温度に、前記溶液を前記第１温度よりも
所定の温度だけ低い所定の第２温度に加熱する加熱工程
と、前記シード結晶と前記溶液とを接触させる工程と、
前記溶液の上下に所定の温度差を形成し、前記シード結
晶上に結晶を成長する結晶成長工程とを含む。
【００１３】
【作用】結晶成分が溶解した溶媒をシード結晶に接触さ
せる時点の溶媒の温度をシード結晶の温度よりも低くし
ておくと、溶媒がシード結晶に接触したときに溶媒が温
められる。このため、溶媒の飽和溶解度が増加しシード
結晶表面への結晶成分の局所的な析出を防止することが
できる。また、シード結晶表面がメルトバックされるた
め、平坦で清浄な表面を露出させることができる。
せる時点の溶媒の温度をシード結晶の温度よりも低くし
ておくと、溶媒がシード結晶に接触したときに溶媒が温
められる。このため、溶媒の飽和溶解度が増加しシード
結晶表面への結晶成分の局所的な析出を防止することが
できる。また、シード結晶表面がメルトバックされるた
め、平坦で清浄な表面を露出させることができる。
【００１４】
【実施例】以下、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のＺｎＳｅ
をＳｅ−Ｔｅ溶媒を用いて成長する場合を例にとって説
明する。ＺｎＳｅは、青色発光半導体素子として期待さ
れる材料である。
をＳｅ−Ｔｅ溶媒を用いて成長する場合を例にとって説
明する。ＺｎＳｅは、青色発光半導体素子として期待さ
れる材料である。
【００１５】図１（Ａ）に示すように、溶媒構成物質１
０、１１としてそれぞれＳｅ、Ｔｅ、さらに結晶成分原
料１２としてＺｎＳｅを石英アンプル１３内に投入し真
空封止する。このように準備した石英アンプル１３を溶
媒構成物質１０、１１の融点以上の温度環境内で熱処理
し、溶媒中に結晶成分原料１２を均一に完全溶解させ
る。
０、１１としてそれぞれＳｅ、Ｔｅ、さらに結晶成分原
料１２としてＺｎＳｅを石英アンプル１３内に投入し真
空封止する。このように準備した石英アンプル１３を溶
媒構成物質１０、１１の融点以上の温度環境内で熱処理
し、溶媒中に結晶成分原料１２を均一に完全溶解させ
る。
【００１６】図１（Ｂ）に示すように、石英アンプル１
３内を室温に戻し、所定量の結晶成分が溶解した溶媒塊
３ａを形成する。図１（Ｃ）に示すように、小口径の石
英管１ａと大口径の石英管１ｂがテーパ状の内面を有す
るホーン型の石英管１ｃで接続された石英アンプル１を
準備する。初期には、石英アンプル１の上端は開放され
ている。
３内を室温に戻し、所定量の結晶成分が溶解した溶媒塊
３ａを形成する。図１（Ｃ）に示すように、小口径の石
英管１ａと大口径の石英管１ｂがテーパ状の内面を有す
るホーン型の石英管１ｃで接続された石英アンプル１を
準備する。初期には、石英アンプル１の上端は開放され
ている。
【００１７】この石英アンプル１を弗酸でエッチングし
て表面を清浄化する。表面を清浄化した石英アンプル１
の下部に小口径部分１ａの内径とほぼ同径の円柱状のヒ
ートシンク５を収納し、真空ベーキングを施す。ヒート
シンク５は、カーボン等の熱伝導率のよい材料から構成
されている。
て表面を清浄化する。表面を清浄化した石英アンプル１
の下部に小口径部分１ａの内径とほぼ同径の円柱状のヒ
ートシンク５を収納し、真空ベーキングを施す。ヒート
シンク５は、カーボン等の熱伝導率のよい材料から構成
されている。
【００１８】ヒートシンク５の上面に小口径部分１ａの
径とほぼ同径のシード結晶４を載置する。その後、Ｚｎ
Ｓｅの多結晶からなるソース結晶２、及び図１（Ｂ）の
工程で形成した溶媒塊３ａを石英アンプル１内に投入す
る。このとき、ソース結晶２は、石英アンプル１の内面
に設けられた突起（図には記載せず）等により、種結晶
４から所定の距離に保持される。
径とほぼ同径のシード結晶４を載置する。その後、Ｚｎ
Ｓｅの多結晶からなるソース結晶２、及び図１（Ｂ）の
工程で形成した溶媒塊３ａを石英アンプル１内に投入す
る。このとき、ソース結晶２は、石英アンプル１の内面
に設けられた突起（図には記載せず）等により、種結晶
４から所定の距離に保持される。
【００１９】このようにソース結晶２、溶媒塊３ａ、シ
ード結晶４を配置した結晶成長装置を真空排気装置に接
続し、その内部を２×１０-6Ｔｏｒｒ以下に真空排気
し、開放端を封止する。石英アンプル１側面のシード結
晶４及びソース結晶２部分を加熱して窪ませることによ
り、シード結晶４及びソース結晶２を固定する。
ード結晶４を配置した結晶成長装置を真空排気装置に接
続し、その内部を２×１０-6Ｔｏｒｒ以下に真空排気
し、開放端を封止する。石英アンプル１側面のシード結
晶４及びソース結晶２部分を加熱して窪ませることによ
り、シード結晶４及びソース結晶２を固定する。
【００２０】図２（Ａ）に示すように、石英アンプル１
を内部が加熱空間とされている円筒状の電気炉７内に配
置し、上下が反転するように傾ける。溶媒塊３ａは、石
英アンプル１の上端部に保持される。このとき、溶媒塊
３ａが全て融解したときにシード結晶４及びソース結晶
２が溶媒に接触しないように傾ける。石英アンプル１の
上部すなわち溶媒塊３ａが保持されている部分の外周を
取り囲むように補助ヒータ６を配置する。電気炉７によ
りシード結晶４及びソース結晶２を所定の温度まで加熱
し、補助ヒータ６により、溶媒塊３ａを加熱する。溶媒
塊３ａは融解して溶媒３となる。
を内部が加熱空間とされている円筒状の電気炉７内に配
置し、上下が反転するように傾ける。溶媒塊３ａは、石
英アンプル１の上端部に保持される。このとき、溶媒塊
３ａが全て融解したときにシード結晶４及びソース結晶
２が溶媒に接触しないように傾ける。石英アンプル１の
上部すなわち溶媒塊３ａが保持されている部分の外周を
取り囲むように補助ヒータ６を配置する。電気炉７によ
りシード結晶４及びソース結晶２を所定の温度まで加熱
し、補助ヒータ６により、溶媒塊３ａを加熱する。溶媒
塊３ａは融解して溶媒３となる。
【００２１】この状態で、シード結晶４の温度がＴ1 、
溶媒３の温度がＴ2 となるまで加熱する。このとき、補
助ヒータ６により、溶媒３全体が均一な温度になるよう
に加熱する。溶媒３の温度Ｔ2 は、後述するようにシー
ド結晶４の温度Ｔ1 よりも低いことが好ましい。
溶媒３の温度がＴ2 となるまで加熱する。このとき、補
助ヒータ６により、溶媒３全体が均一な温度になるよう
に加熱する。溶媒３の温度Ｔ2 は、後述するようにシー
ド結晶４の温度Ｔ1 よりも低いことが好ましい。
【００２２】図２（Ｂ）に示すように、補助ヒータ６を
取り外し石英アンプル１と電気炉７を直立状態に戻す。
溶媒３はシード結晶４及びソース結晶２に接触する。シ
ード結晶４の温度が図２（Ａ）の工程で加熱した温度Ｔ
2 となり、ソース結晶２の部分がそれよりも高温になる
ように、電気炉７内に温度勾配を持たせる。
取り外し石英アンプル１と電気炉７を直立状態に戻す。
溶媒３はシード結晶４及びソース結晶２に接触する。シ
ード結晶４の温度が図２（Ａ）の工程で加熱した温度Ｔ
2 となり、ソース結晶２の部分がそれよりも高温になる
ように、電気炉７内に温度勾配を持たせる。
【００２３】高温部のソース結晶２は、高温部での飽和
溶解度まで溶媒３に溶解する。溶媒３中に溶解したソー
ス結晶成分は、拡散によって低温部に移動し、低温部の
溶媒を過飽和状態にする。シード結晶４が過飽和溶液に
接触することにより、シード結晶４上に結晶が成長す
る。
溶解度まで溶媒３に溶解する。溶媒３中に溶解したソー
ス結晶成分は、拡散によって低温部に移動し、低温部の
溶媒を過飽和状態にする。シード結晶４が過飽和溶液に
接触することにより、シード結晶４上に結晶が成長す
る。
【００２４】石英アンプル１を上下反転状態から直立状
態に戻したとき、溶媒３は、より高温のシード結晶と接
触して温度が上昇し、飽和溶解度が増加する。このた
め、シード結晶４近傍の溶媒が飽和するまでシード結晶
４がメルトバックされる。
態に戻したとき、溶媒３は、より高温のシード結晶と接
触して温度が上昇し、飽和溶解度が増加する。このた
め、シード結晶４近傍の溶媒が飽和するまでシード結晶
４がメルトバックされる。
【００２５】以下に、シード結晶４の温度Ｔ1 を９５０
℃とし、溶媒３の温度Ｔ2 を変化させたときのメルトバ
ック後のシード結晶４表面の凹凸量について説明する。
溶媒３の温度Ｔ2 が９１０、９２０及び９３０℃のと
き、シード結晶４表面の凹凸量は５μｍ以下であった。
溶媒３の温度Ｔ2 を９４０℃及び９５０℃とすると、凹
凸量はそれぞれ２０μｍ及び５０μｍであった。
℃とし、溶媒３の温度Ｔ2 を変化させたときのメルトバ
ック後のシード結晶４表面の凹凸量について説明する。
溶媒３の温度Ｔ2 が９１０、９２０及び９３０℃のと
き、シード結晶４表面の凹凸量は５μｍ以下であった。
溶媒３の温度Ｔ2 を９４０℃及び９５０℃とすると、凹
凸量はそれぞれ２０μｍ及び５０μｍであった。
【００２６】次にシード結晶４としてＺｎＳｅ多結晶を
使用したときの、成長結晶中の粒径の拡大状況について
説明する。図３は、シード結晶４と溶媒３とを接触させ
る時点の溶媒３の温度Ｔ2 を変化させたときの成長結晶
中の最大粒径を示す。なお、シード結晶４の温度Ｔ1 は
９５０℃である。横軸は、溶媒３の温度Ｔ2 を単位℃で
表し、縦軸は、最大粒径を任意目盛りで表す。図３か
ら、溶媒の温度Ｔ2 を９１０〜９３０℃程度としたとき
に大きな最大粒径が得られ、９２０℃としたときに最大
粒径が最も大きくなることがわかる。すなわち、溶媒の
温度Ｔ2 はシード結晶の温度Ｔ1 よりも２０〜４０℃程
度低くすることが好ましい。
使用したときの、成長結晶中の粒径の拡大状況について
説明する。図３は、シード結晶４と溶媒３とを接触させ
る時点の溶媒３の温度Ｔ2 を変化させたときの成長結晶
中の最大粒径を示す。なお、シード結晶４の温度Ｔ1 は
９５０℃である。横軸は、溶媒３の温度Ｔ2 を単位℃で
表し、縦軸は、最大粒径を任意目盛りで表す。図３か
ら、溶媒の温度Ｔ2 を９１０〜９３０℃程度としたとき
に大きな最大粒径が得られ、９２０℃としたときに最大
粒径が最も大きくなることがわかる。すなわち、溶媒の
温度Ｔ2 はシード結晶の温度Ｔ1 よりも２０〜４０℃程
度低くすることが好ましい。
【００２７】メルトバック後のシード結晶表面の平坦
性、及び成長結晶の最大粒径から、シード結晶４の温度
Ｔ1 を９５０℃とした場合、溶媒の温度Ｔ2 を９２０℃
程度とすればよいことがわかる。このように、シード結
晶と溶媒とを接触する時点の溶媒の温度を、シード結晶
の温度よりも所定温度だけ低くすることにより、良質の
結晶を成長することができる。
性、及び成長結晶の最大粒径から、シード結晶４の温度
Ｔ1 を９５０℃とした場合、溶媒の温度Ｔ2 を９２０℃
程度とすればよいことがわかる。このように、シード結
晶と溶媒とを接触する時点の溶媒の温度を、シード結晶
の温度よりも所定温度だけ低くすることにより、良質の
結晶を成長することができる。
【００２８】石英アンプル１及び電気炉７を直立させて
から、所定の温度勾配に加熱するまでに適当な時間保持
してもよい。適当な時間保持することにより、シード結
晶４のメルトバックが十分行われ、より安定して滑らか
な結晶表面を得ることができる。これにより、結晶の異
常成長や欠陥導入による結晶性の劣化をさらに抑制する
ことができる。
から、所定の温度勾配に加熱するまでに適当な時間保持
してもよい。適当な時間保持することにより、シード結
晶４のメルトバックが十分行われ、より安定して滑らか
な結晶表面を得ることができる。これにより、結晶の異
常成長や欠陥導入による結晶性の劣化をさらに抑制する
ことができる。
【００２９】上記実施例では、溶媒の温度を均一にする
ために補助ヒータを使用する場合について説明したが、
その他の方法を用いて溶媒温度を均一にしてもよい。図
４は、石英アンプル１の上部周囲を断熱材８で覆って溶
媒の温度を均一にする例を示す。上記実施例の図２
（Ａ）に示す溶媒塊を融解する工程において、石英アン
プル１の上部の周囲に補助ヒータ６を配置する代わり
に、上部周囲を断熱材８で覆っている。断熱材８は、溶
媒３から外部への熱の流れを低減させ、溶媒３内を等温
化するのに役立つ。その他は図２（Ａ）と同様の構成で
ある。このように、溶媒３が溜まっている部分の回りを
断熱材８で覆うことにより、溶媒３の温度を均一にする
ことができる。断熱材８としては、例えば、石英ガラス
ウール等を使用することができる。
ために補助ヒータを使用する場合について説明したが、
その他の方法を用いて溶媒温度を均一にしてもよい。図
４は、石英アンプル１の上部周囲を断熱材８で覆って溶
媒の温度を均一にする例を示す。上記実施例の図２
（Ａ）に示す溶媒塊を融解する工程において、石英アン
プル１の上部の周囲に補助ヒータ６を配置する代わり
に、上部周囲を断熱材８で覆っている。断熱材８は、溶
媒３から外部への熱の流れを低減させ、溶媒３内を等温
化するのに役立つ。その他は図２（Ａ）と同様の構成で
ある。このように、溶媒３が溜まっている部分の回りを
断熱材８で覆うことにより、溶媒３の温度を均一にする
ことができる。断熱材８としては、例えば、石英ガラス
ウール等を使用することができる。
【００３０】上記実施例では、ＺｎＳｅをＳｅ−Ｔｅ溶
媒を使用して溶液結晶成長する場合について説明した
が、他のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体、またはその他の化
合物半導体を溶液結晶成長する場合にも適用できる。
媒を使用して溶液結晶成長する場合について説明した
が、他のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体、またはその他の化
合物半導体を溶液結晶成長する場合にも適用できる。
【００３１】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
異常成長や結晶欠陥の少ない良質な結晶を成長させるこ
とができる。
異常成長や結晶欠陥の少ない良質な結晶を成長させるこ
とができる。
【図１】本発明の実施例による溶媒塊作製工程及び結晶
成長工程を説明するための、溶媒塊作製用石英アンプル
及び結晶成長用石英アンプルの断面図である。
成長工程を説明するための、溶媒塊作製用石英アンプル
及び結晶成長用石英アンプルの断面図である。
【図２】本発明の実施例による結晶成長工程を説明する
ための結晶成長用石英アンプルの断面図である。
ための結晶成長用石英アンプルの断面図である。
【図３】溶媒の温度を変化させたときの成長結晶の最大
粒径の変化を示すグラフである。
粒径の変化を示すグラフである。
【図４】本発明の他の実施例による結晶成長工程を説明
するための結晶成長用石英アンプルの断面図である。
するための結晶成長用石英アンプルの断面図である。
１ 石英アンプル ２ ソース結晶 ３ 溶媒 ３ａ 溶媒塊 ４ シード結晶 ５ ヒートシンク ６ 補助ヒータ ７ 電気炉 ８ 断熱材 １０、１１ 溶媒構成物質 １２ 結晶成分原料 １３ 石英アンプル
フロントページの続き (72)発明者 斉藤 豊 埼玉県秩父市下影森239−１ (72)発明者 池主 透 埼玉県秩父市下影森1157 桐ノ木社宅307
Claims (7)
- 【請求項１】 溶液の上下に温度差を形成し、溶液の高
温部にソース結晶を配置し、溶液の低温部にシード結晶
を配置して結晶成長を行う溶液結晶成長方法において、 前記シード結晶と前記溶液とが接触しない状態で、前記
シード結晶を所定の第１温度に、前記溶液を前記第１温
度よりも所定の温度だけ低い所定の第２温度に加熱する
加熱工程と、 前記シード結晶と前記溶液とを接触させる工程と、 前記溶液の上下に所定の温度差を形成し、前記シード結
晶上に結晶を成長する結晶成長工程とを含む溶液結晶成
長方法。 - 【請求項２】 前記加熱工程において、前記溶液中に前
記シード結晶の成分を前記第２温度における飽和溶解度
まで溶解させる請求項１記載の溶液結晶成長方法。 - 【請求項３】 前記加熱工程は、少なくとも前記シード
結晶を加熱するための加熱手段で前記シード結晶を加熱
すると共に、前記溶液の近傍にのみ配置された他の加熱
手段により前記溶液を加熱する請求項１または２記載の
溶液結晶成長方法。 - 【請求項４】 前記加熱工程は、前記溶液の周囲を断熱
材で覆って加熱する請求項１または２記載の溶液結晶成
長方法。 - 【請求項５】 前記第２温度は、前記第１温度よりも２
０〜４０℃低い請求項１〜４のいずれかに記載の溶液結
晶成長方法。 - 【請求項６】 溶液の上下に温度差を形成し、溶液の高
温部にソース結晶を配置し、溶液の低温部にシード結晶
を配置して結晶成長を行う溶液結晶成長装置において、 内部空間にシード結晶及びソース結晶を配置し、第１の
姿勢では前記シード結晶及び前記ソース結晶に共に接触
するように溶液を収容するための空間と、第２の姿勢で
は前記シード結晶及び前記ソース結晶に接触しないよう
に溶液を収容するための他の空間とを画定する成長用容
器と、 少なくとも前記空間に所定の温度勾配を形成するための
加熱手段と、 前記他の空間のみを加熱するための他の加熱手段とを含
む溶液結晶成長装置。 - 【請求項７】 溶液の上下に温度差を形成し、溶液の高
温部にソース結晶を配置し、溶液の低温部にシード結晶
を配置して結晶成長を行う溶液結晶成長装置において、 内部空間にシード結晶及びソース結晶を配置し、第１の
姿勢では前記シード結晶及び前記ソース結晶に共に接触
するように溶液を収容するための空間と、第２の姿勢で
は前記シード結晶及び前記ソース結晶に接触しないよう
に溶液を収容するための他の空間とを画定する成長用容
器と、 前記空間及び前記他の空間に所定の温度勾配を形成する
ための加熱手段と、 前記他の空間の周囲にのみ配置される着脱可能な断熱材
とを含む溶液結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6081373A JPH07291778A (ja) | 1994-04-20 | 1994-04-20 | 溶液結晶成長方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6081373A JPH07291778A (ja) | 1994-04-20 | 1994-04-20 | 溶液結晶成長方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07291778A true JPH07291778A (ja) | 1995-11-07 |
Family
ID=13744511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6081373A Withdrawn JPH07291778A (ja) | 1994-04-20 | 1994-04-20 | 溶液結晶成長方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07291778A (ja) |
-
1994
- 1994-04-20 JP JP6081373A patent/JPH07291778A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010703 |