JPH08208365A - 溶液結晶成長装置および方法 - Google Patents
溶液結晶成長装置および方法Info
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- JPH08208365A JPH08208365A JP8724393A JP8724393A JPH08208365A JP H08208365 A JPH08208365 A JP H08208365A JP 8724393 A JP8724393 A JP 8724393A JP 8724393 A JP8724393 A JP 8724393A JP H08208365 A JPH08208365 A JP H08208365A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 溶液成長に関し、比較的低温で結晶成長が可
能な溶液結晶成長において、小さなシード結晶から所望
口径のバルク状単結晶を作製することが可能な結晶成長
装置を提供することを目的とする。 【構成】 気密空間を画定する成長用容器と、前記成長
用容器底部に固定されたヒートシンクと、前記ヒートシ
ンク上に配置され、その底面でシード結晶を固定でき、
内面がヒートシンク側で小さく、反対側で大きな内径を
有するテーパ面を画定するシード抑え部材と、前記ヒー
トシンク上所定距離に形成され、ソース結晶を保持する
ことのできるソース結晶固定治具とを有する。
能な溶液結晶成長において、小さなシード結晶から所望
口径のバルク状単結晶を作製することが可能な結晶成長
装置を提供することを目的とする。 【構成】 気密空間を画定する成長用容器と、前記成長
用容器底部に固定されたヒートシンクと、前記ヒートシ
ンク上に配置され、その底面でシード結晶を固定でき、
内面がヒートシンク側で小さく、反対側で大きな内径を
有するテーパ面を画定するシード抑え部材と、前記ヒー
トシンク上所定距離に形成され、ソース結晶を保持する
ことのできるソース結晶固定治具とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液相結晶成長に関し、
特に溶液成長に関する。蒸気圧の高い化合物半導体、特
にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のバルク結晶成長技術とし
て成長温度を低下できる溶液結晶成長が期待されてい
る。
特に溶液成長に関する。蒸気圧の高い化合物半導体、特
にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のバルク結晶成長技術とし
て成長温度を低下できる溶液結晶成長が期待されてい
る。
【０００２】
【従来の技術】大口径のバルク状Ｓｉ単結晶やＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体単結晶を作製する方法としてＬＥＣ
法、水平ブリッジマン法等が知られている。
Ｖ族化合物半導体単結晶を作製する方法としてＬＥＣ
法、水平ブリッジマン法等が知られている。
【０００３】図２（Ａ）は、ＬＥＣ法による結晶成長装
置を示したものである。結晶成長装置は、融液８を入れ
る容器９、シード結晶２ａおよび結晶引き上げ装置１０
を含んで構成されている。
置を示したものである。結晶成長装置は、融液８を入れ
る容器９、シード結晶２ａおよび結晶引き上げ装置１０
を含んで構成されている。
【０００４】小口径のシード結晶２ａを融液８に浸漬し
た後、シード結晶２ａを回転させながら序々に引き上げ
る。引き上げることにより、シード結晶部が融点以下に
なり、シード結晶に連続するように単結晶が成長する。
た後、シード結晶２ａを回転させながら序々に引き上げ
る。引き上げることにより、シード結晶部が融点以下に
なり、シード結晶に連続するように単結晶が成長する。
【０００５】引上げ速度によって成長速度が制御でき、
ゆっくり引き上げると、成長結晶の径は次第に太くな
る。所望の径に達した後は、その径を保つような引上げ
速度に設定される。
ゆっくり引き上げると、成長結晶の径は次第に太くな
る。所望の径に達した後は、その径を保つような引上げ
速度に設定される。
【０００６】図２（Ｂ）は、三温度水平ブリッジマン法
による結晶成長装置および温度勾配を示したものであ
る。結晶成長装置は、真空封止された石英容器１１と、
石英容器の中に配置された融液８を入れる容器９、融液
８に接するように配置されたシード結晶２ｂ、および化
合物半導体構成元素の蒸気圧を制御するための化合物半
導体構成元素１０から構成されている。シード結晶２ｂ
を融液８に浸漬した後、ヒータを図の左側に移動させ、
シード結晶部の温度を融点以下に下げることによってシ
ード結晶２ｂに連続的に単結晶が成長する。
による結晶成長装置および温度勾配を示したものであ
る。結晶成長装置は、真空封止された石英容器１１と、
石英容器の中に配置された融液８を入れる容器９、融液
８に接するように配置されたシード結晶２ｂ、および化
合物半導体構成元素の蒸気圧を制御するための化合物半
導体構成元素１０から構成されている。シード結晶２ｂ
を融液８に浸漬した後、ヒータを図の左側に移動させ、
シード結晶部の温度を融点以下に下げることによってシ
ード結晶２ｂに連続的に単結晶が成長する。
【０００７】上記方法は、成分元素の蒸気圧が高い化合
物半導体結晶を簡単に結晶成長させるためには適してい
ない。高蒸気圧の成分元素の解離に耐え得る堅牢さと、
不活性ガスの印加に耐え得る気密性を兼ね備えた装置が
必要とされ、装置自体および運転費用が高価となるから
である。簡便に蒸気圧の高い化合物半導体結晶を作製す
るためには、低温度で結晶成長可能な溶液結晶成長が適
している。
物半導体結晶を簡単に結晶成長させるためには適してい
ない。高蒸気圧の成分元素の解離に耐え得る堅牢さと、
不活性ガスの印加に耐え得る気密性を兼ね備えた装置が
必要とされ、装置自体および運転費用が高価となるから
である。簡便に蒸気圧の高い化合物半導体結晶を作製す
るためには、低温度で結晶成長可能な溶液結晶成長が適
している。
【０００８】図３に溶液結晶成長装置の例を示す。図中
左側に結晶成長装置の断面を示し、右側に結晶成長装置
内に設定される温度分布をグラフで示す。結晶成長装置
は、真空封止された結晶成長容器１ｂ、その中に配置さ
れたヒートシンク７、その上面に固定されたシード結晶
２、シード結晶抑え３ｂ、ソース結晶４および溶媒６を
含んで構成されている。この結晶成長容器を、図中右側
のグラフに示す温度分布中に配置する。
左側に結晶成長装置の断面を示し、右側に結晶成長装置
内に設定される温度分布をグラフで示す。結晶成長装置
は、真空封止された結晶成長容器１ｂ、その中に配置さ
れたヒートシンク７、その上面に固定されたシード結晶
２、シード結晶抑え３ｂ、ソース結晶４および溶媒６を
含んで構成されている。この結晶成長容器を、図中右側
のグラフに示す温度分布中に配置する。
【０００９】高温部のソース結晶４は、高温部での飽和
溶解度まで溶媒６に溶解する。溶媒６中に溶解したソー
ス結晶成分は、拡散によって低温部にも移動し、低温部
の溶液を過飽和状態にする。シード結晶２が過飽和溶液
に接触することにより、シード結晶２上にバルク状の単
結晶が成長する。
溶解度まで溶媒６に溶解する。溶媒６中に溶解したソー
ス結晶成分は、拡散によって低温部にも移動し、低温部
の溶液を過飽和状態にする。シード結晶２が過飽和溶液
に接触することにより、シード結晶２上にバルク状の単
結晶が成長する。
【００１０】原理的には、ソース結晶が溶媒に溶解する
温度であれば、成長温度は自由に選択できる。成長温度
を低温化することにより、蒸気圧は低下し、成長容器の
耐圧性に対する要求は緩和される。
温度であれば、成長温度は自由に選択できる。成長温度
を低温化することにより、蒸気圧は低下し、成長容器の
耐圧性に対する要求は緩和される。
【００１１】成長温度を下げることにより、成長温度に
おいて発生する結晶欠陥密度を低減することができる。
また、成長温度が室温まで降温する際に生じる熱応力も
低減する。
おいて発生する結晶欠陥密度を低減することができる。
また、成長温度が室温まで降温する際に生じる熱応力も
低減する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】図３に示したような結
晶成長装置によって得られるバルク状単結晶の作製で
は、円柱状の成長結晶の断面の直径はシード結晶２の直
径より小さく、成長結晶からシード結晶を切り出して成
長を繰り返すと次第に小さくなる。また、小さなシード
結晶を用いて所望口径のウエハを切り出すのに十分な大
きさの単結晶を得ることが困難である。
晶成長装置によって得られるバルク状単結晶の作製で
は、円柱状の成長結晶の断面の直径はシード結晶２の直
径より小さく、成長結晶からシード結晶を切り出して成
長を繰り返すと次第に小さくなる。また、小さなシード
結晶を用いて所望口径のウエハを切り出すのに十分な大
きさの単結晶を得ることが困難である。
【００１３】本発明の目的は、比較的低温で結晶成長が
可能な溶液結晶成長において、小さなシード結晶から所
望口径のバルク状単結晶を作製することが可能な結晶成
長装置を提供することである。
可能な溶液結晶成長において、小さなシード結晶から所
望口径のバルク状単結晶を作製することが可能な結晶成
長装置を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の結晶成長装置
は、気密空間を画定する成長用容器と、前記成長用容器
底部に固定されたヒートシンクと、前記ヒートシンク上
に配置され、その底面でシード結晶を固定でき、内面が
ヒートシンク側で小さく、反対側で大きな内径を有する
テーパ面を画定するシード抑え部材と、前記ヒートシン
ク上所定距離に形成され、ソース結晶を保持することの
できるソース結晶固定治具とを有する。
は、気密空間を画定する成長用容器と、前記成長用容器
底部に固定されたヒートシンクと、前記ヒートシンク上
に配置され、その底面でシード結晶を固定でき、内面が
ヒートシンク側で小さく、反対側で大きな内径を有する
テーパ面を画定するシード抑え部材と、前記ヒートシン
ク上所定距離に形成され、ソース結晶を保持することの
できるソース結晶固定治具とを有する。
【００１５】
【作用】結晶成長は、シード抑えの小径側で開始される
ので、小さなシード結晶を用いることができる。シード
抑えのテーパ面に沿って成長結晶の径が増大するので、
小径のシード結晶から大径の成長結晶を得ることができ
る。
ので、小さなシード結晶を用いることができる。シード
抑えのテーパ面に沿って成長結晶の径が増大するので、
小径のシード結晶から大径の成長結晶を得ることができ
る。
【００１６】このように、溶液結晶成長によって小口径
のシード結晶から大口径のバルク状単結晶を作製するこ
とが可能となる。
のシード結晶から大口径のバルク状単結晶を作製するこ
とが可能となる。
【００１７】
【実施例】以下、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のＺｎＳｅ
をＳｅ−Ｔｅ溶媒を用いて成長する場合を例にとって説
明する。ＺｎＳｅは、青色発光半導体素子として期待さ
れる材料である。
をＳｅ−Ｔｅ溶媒を用いて成長する場合を例にとって説
明する。ＺｎＳｅは、青色発光半導体素子として期待さ
れる材料である。
【００１８】図１（Ａ）に、本発明の実施例による結晶
成長装置を示す。図中右側に結晶成長装置の断面図を示
し、左側に炉内に設定される温度分布を示す。適当な径
を有する石英管で作製した結晶成長容器１を準備する。
この結晶成長容器１を弗酸でエッチングして表面を清浄
化する。表面を清浄化した結晶成長容器１の底部にカー
ボン等の熱伝導率のよい材料で作成したヒートシンク７
を収納し、真空ベーキングを施した後、結晶成長容器１
の内径を縮小させること等により、ヒートシンク７を固
定する。
成長装置を示す。図中右側に結晶成長装置の断面図を示
し、左側に炉内に設定される温度分布を示す。適当な径
を有する石英管で作製した結晶成長容器１を準備する。
この結晶成長容器１を弗酸でエッチングして表面を清浄
化する。表面を清浄化した結晶成長容器１の底部にカー
ボン等の熱伝導率のよい材料で作成したヒートシンク７
を収納し、真空ベーキングを施した後、結晶成長容器１
の内径を縮小させること等により、ヒートシンク７を固
定する。
【００１９】シード結晶２として、面方位（１１１）面
を有するＺｎＳｅ単結晶を準備する。なお、（１１１）
面以外のＺｎＳｅ単結晶を用いることも可能である。シ
ード結晶２を鏡面研磨した後、洗浄し、鏡面エッチング
を施す。このように準備したシード結晶２をヒートシン
ク７の上面中央部に載置する。
を有するＺｎＳｅ単結晶を準備する。なお、（１１１）
面以外のＺｎＳｅ単結晶を用いることも可能である。シ
ード結晶２を鏡面研磨した後、洗浄し、鏡面エッチング
を施す。このように準備したシード結晶２をヒートシン
ク７の上面中央部に載置する。
【００２０】ヒートシンク７上面にシード結晶２受入れ
用の凹部を形成しておくことが好ましい。この場合、シ
ード結晶上面は、ヒートシンク上面より上に出るように
するのが好ましい。
用の凹部を形成しておくことが好ましい。この場合、シ
ード結晶上面は、ヒートシンク上面より上に出るように
するのが好ましい。
【００２１】シード結晶２を固定するため、石英製のリ
ング状のシード結晶抑え３をシード結晶２の上に載せ、
結晶成長容器１に一部固着する。リング状シード結晶抑
え３は、テーパ状の内面を有し、その小径端の内径はシ
ード結晶２の径よりも小さく、大径端の内径は、結晶成
長容器１の内径とほぼ等しい。
ング状のシード結晶抑え３をシード結晶２の上に載せ、
結晶成長容器１に一部固着する。リング状シード結晶抑
え３は、テーパ状の内面を有し、その小径端の内径はシ
ード結晶２の径よりも小さく、大径端の内径は、結晶成
長容器１の内径とほぼ等しい。
【００２２】このシード結晶抑え３を図示のように底面
が平面、上面がすり鉢状テーパ面のリング状部材で形成
すると、中央部は薄く、周辺部は厚くなる。底面とテー
パ面とのなす角は、６０°以上９０°未満であり、７０
°以上８０°未満に設定することが好ましい。
が平面、上面がすり鉢状テーパ面のリング状部材で形成
すると、中央部は薄く、周辺部は厚くなる。底面とテー
パ面とのなす角は、６０°以上９０°未満であり、７０
°以上８０°未満に設定することが好ましい。
【００２３】また、シード結晶側下面はほぼ平面状であ
り、シード結晶２の固定を確実にするために中央部に円
形の段差を設けてある。この直径は、シード結晶２の径
とほぼ等しく、高さはシード結晶２のヒートシンク上の
厚さよりも低い。
り、シード結晶２の固定を確実にするために中央部に円
形の段差を設けてある。この直径は、シード結晶２の径
とほぼ等しく、高さはシード結晶２のヒートシンク上の
厚さよりも低い。
【００２４】結晶成長容器１の内面のヒートシンク７の
上面から適当な位置に、ソース結晶４の落下防止用の突
起５を設ける。その後、溶媒６として所定組成のＳｅ−
Ｔｅ混合物、ソース結晶４としてＺｎＳｅの多結晶を結
晶成長容器１内に投入する。溶媒６の量は、シード結晶
２とソース結晶４を完全に覆うだけの量とする。
上面から適当な位置に、ソース結晶４の落下防止用の突
起５を設ける。その後、溶媒６として所定組成のＳｅ−
Ｔｅ混合物、ソース結晶４としてＺｎＳｅの多結晶を結
晶成長容器１内に投入する。溶媒６の量は、シード結晶
２とソース結晶４を完全に覆うだけの量とする。
【００２５】ソース結晶４は、ソース結晶固定治具５に
より保持される。シード結晶２とソース結晶４との距離
は、２０〜８０ｍｍが好ましく、４０〜６０ｍｍが最適
である。ソース結晶４は、シード結晶と対向する位置に
配置し、保持の容易性のため円板状にすることが好まし
い。
より保持される。シード結晶２とソース結晶４との距離
は、２０〜８０ｍｍが好ましく、４０〜６０ｍｍが最適
である。ソース結晶４は、シード結晶と対向する位置に
配置し、保持の容易性のため円板状にすることが好まし
い。
【００２６】図１（Ａ）では、ソース結晶落下防止用の
突起を設けた場合について説明したが、その他の方法に
より、落下を防止することも可能である。たとえば、溶
媒が収容されている部分の直径よりも大きな直径を有す
る石英管を接続し、この石英管と同程度の直径を有する
円板状のソース結晶を配置すれば、石英管の段差によ
り、ソース結晶の落下を防止することができる。
突起を設けた場合について説明したが、その他の方法に
より、落下を防止することも可能である。たとえば、溶
媒が収容されている部分の直径よりも大きな直径を有す
る石英管を接続し、この石英管と同程度の直径を有する
円板状のソース結晶を配置すれば、石英管の段差によ
り、ソース結晶の落下を防止することができる。
【００２７】このように、ソース結晶４、溶媒６、シー
ド結晶２を配置した結晶成長容器１を真空排気装置に接
続し、その内部を２×１０-6Ｔｏｒｒよりも高い真空度
に真空排気し、開放端を封止する。
ド結晶２を配置した結晶成長容器１を真空排気装置に接
続し、その内部を２×１０-6Ｔｏｒｒよりも高い真空度
に真空排気し、開放端を封止する。
【００２８】結晶成長容器を横転または倒立の状態に
し、溶媒を溶解させる。ここで、シード結晶は溶媒に接
触せず、ソース結晶のみが溶媒に接触するようにして溶
媒を溶質で飽和させる。溶媒をその後の成長温度近くに
保持することにより、その温度での飽和溶液を準備す
る。その後、結晶成長容器を正立状態に戻す。溶媒が飽
和溶液となっているので、シード結晶の溶解は極めて低
いレベルに抑えられる。
し、溶媒を溶解させる。ここで、シード結晶は溶媒に接
触せず、ソース結晶のみが溶媒に接触するようにして溶
媒を溶質で飽和させる。溶媒をその後の成長温度近くに
保持することにより、その温度での飽和溶液を準備す
る。その後、結晶成長容器を正立状態に戻す。溶媒が飽
和溶液となっているので、シード結晶の溶解は極めて低
いレベルに抑えられる。
【００２９】このように準備した結晶成長容器１を、図
１（Ａ）左側に示すような所定の温度分布を形成した電
気炉内に配置する。高温部のソース結晶４は、高温部で
の飽和溶解度まで溶媒６に溶解する。溶媒６中に溶解し
たソース結晶成分は、拡散によって低温部にも移動し、
低温部の溶液を過飽和状態にする。
１（Ａ）左側に示すような所定の温度分布を形成した電
気炉内に配置する。高温部のソース結晶４は、高温部で
の飽和溶解度まで溶媒６に溶解する。溶媒６中に溶解し
たソース結晶成分は、拡散によって低温部にも移動し、
低温部の溶液を過飽和状態にする。
【００３０】シード結晶２が過飽和溶液に接触すること
により、シード結晶２上にバルク状の単結晶が成長す
る。この際に、シード結晶抑え３のテーパ面および結晶
成長容器１の内面に沿って結晶が成長するため、成長結
晶の径は次第に大きくなり、シード結晶２の径よりも大
口径の成長結晶を得ることができる。
により、シード結晶２上にバルク状の単結晶が成長す
る。この際に、シード結晶抑え３のテーパ面および結晶
成長容器１の内面に沿って結晶が成長するため、成長結
晶の径は次第に大きくなり、シード結晶２の径よりも大
口径の成長結晶を得ることができる。
【００３１】次に、第２の実施例について説明する。図
１（Ｂ）に、第２の実施例で使用した結晶成長容器１ａ
の断面図を示す。適当な径を有する小口径の石英管１ｃ
と大口径の石英管１ｅとが、一方の切り口の径が石英管
１ｃの径と等しく、他方の切り口の径が石英管１ｅの径
と等しいホーン型の石英管部分１ｄによって接続されて
いる。ホーン型の石英管部分１ｄの中心軸に垂直な平面
と斜面とのなす角αは、６０°以上９０°未満の範囲が
好ましく、７０°以上８０°未満が最適である。
１（Ｂ）に、第２の実施例で使用した結晶成長容器１ａ
の断面図を示す。適当な径を有する小口径の石英管１ｃ
と大口径の石英管１ｅとが、一方の切り口の径が石英管
１ｃの径と等しく、他方の切り口の径が石英管１ｅの径
と等しいホーン型の石英管部分１ｄによって接続されて
いる。ホーン型の石英管部分１ｄの中心軸に垂直な平面
と斜面とのなす角αは、６０°以上９０°未満の範囲が
好ましく、７０°以上８０°未満が最適である。
【００３２】石英管１ｃと石英管部分１ｄの小口径側切
り口、および石英管部分１ｄの大口径側切り口と石英管
１ｅとを滑らかに接続し、結晶成長容器１ａを作製す
る。石英管１ｅの内面には、適当な位置にソース結晶落
下防止用の突起５を設けておく。
り口、および石英管部分１ｄの大口径側切り口と石英管
１ｅとを滑らかに接続し、結晶成長容器１ａを作製す
る。石英管１ｅの内面には、適当な位置にソース結晶落
下防止用の突起５を設けておく。
【００３３】この結晶成長容器１ａの小口径部にヒート
シンク７を収納し、ヒートシンク７上面にシード結晶２
を載置する。シード結晶２は、前記実施例で使用したも
のと同じＺｎＳｅ単結晶であり、直径は石英管１ｃの内
径とほぼ等しいものである。
シンク７を収納し、ヒートシンク７上面にシード結晶２
を載置する。シード結晶２は、前記実施例で使用したも
のと同じＺｎＳｅ単結晶であり、直径は石英管１ｃの内
径とほぼ等しいものである。
【００３４】次に、石英管１ｄの内面に沿うような外面
を有するホーン型のシード結晶抑え３ａを石英管１ｄに
沿うように挿入し、石英管１ｄに固着させることによっ
てシード結晶２を固定する。このシード結晶抑え３ａの
内面は、石英管部分１ｄ内面と同様、軸と垂直な面に対
して６０〜９０°、好ましくは７０〜８０°の傾斜を有
している。
を有するホーン型のシード結晶抑え３ａを石英管１ｄに
沿うように挿入し、石英管１ｄに固着させることによっ
てシード結晶２を固定する。このシード結晶抑え３ａの
内面は、石英管部分１ｄ内面と同様、軸と垂直な面に対
して６０〜９０°、好ましくは７０〜８０°の傾斜を有
している。
【００３５】その後、前記実施例と同様に、溶媒６、ソ
ース結晶４を投入して真空封止し、結晶成長を行なう。
この際に、シード結晶抑え３ａ、石英管部分１ｄおよび
石英管１ｅの内面に沿って結晶が成長するため、シード
結晶２の径よりも大口径の成長結晶を得ることができ
る。
ース結晶４を投入して真空封止し、結晶成長を行なう。
この際に、シード結晶抑え３ａ、石英管部分１ｄおよび
石英管１ｅの内面に沿って結晶が成長するため、シード
結晶２の径よりも大口径の成長結晶を得ることができ
る。
【００３６】前記第１および第２の実施例では、ＺｎＳ
ｅの例について説明したが、本発明はＺｎＳｅに限るも
のではなく、シード結晶より大口径のＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体のバルク状単結晶の成長に適用可能である。
ｅの例について説明したが、本発明はＺｎＳｅに限るも
のではなく、シード結晶より大口径のＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体のバルク状単結晶の成長に適用可能である。
【００３７】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
溶液結晶成長において、シード結晶より大口径のバルク
状単結晶の成長が可能となり、大口径ウエハを得ること
ができる。
溶液結晶成長において、シード結晶より大口径のバルク
状単結晶の成長が可能となり、大口径ウエハを得ること
ができる。
【図１】本発明の実施例で使用した結晶成長装置の断面
図および温度分布を示すグラフである。
図および温度分布を示すグラフである。
【図２】従来例の結晶成長装置の断面図および温度分布
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図３】従来例の溶液結晶成長方法で使用する結晶成長
装置の断面図および温度分布を示すグラフである。
装置の断面図および温度分布を示すグラフである。
１、１ａ、１ｂ 結晶成長容器 １ｃ、１ｄ、１ｅ 石英管 ２、２ａ、２ｂ シード結晶 ３、３ａ、３ｂ シード結晶抑え ４ ソース結晶 ５ ソース結晶固定治具 ６ 溶媒 ７ ヒートシンク ８ 融液 ９ 融液溜 １０ 半導体構成元素 １１ 石英容器
Claims (4)
- 【請求項１】 気密空間を画定する成長用容器（１）
と、 前記成長用容器底部に固定されたヒートシンク（７）
と、 前記ヒートシンク（７）上に配置され、その底面でシー
ド結晶を固定でき、内面がヒートシンク側で小さく、反
対側で大きな内径を有するテーパ面を画定するシード抑
え部材（３）と、 前記ヒートシンク上所定距離に形成され、ソース結晶を
保持することのできるソース結晶固定治具（５）とを有
する溶液結晶成長装置。 - 【請求項２】 前記シード抑え部材が円筒状外周面とテ
ーパ状内周面を有する請求項１記載の溶液結晶成長装
置。 - 【請求項３】 前記シード抑え部材が次第に径が増大す
るテーパ面を画定する内周面とこの内周面にほぼ平行な
外周面を有する請求項１記載の溶液結晶成長装置。 - 【請求項４】 シード結晶をヒートシンク上に載置する
工程と、 前記シード結晶を内周面がテーパ面であるシード抑えの
小径端によって固定する工程と、 前記シード結晶上に成長すべき結晶材料の溶液を形成す
る工程と、 前記シード結晶上に、かつ前記シード抑えの内周面に沿
って溶液結晶成長を生じさせる工程とを含む溶液結晶成
長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8724393A JPH08208365A (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | 溶液結晶成長装置および方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8724393A JPH08208365A (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | 溶液結晶成長装置および方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08208365A true JPH08208365A (ja) | 1996-08-13 |
Family
ID=13909374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8724393A Pending JPH08208365A (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | 溶液結晶成長装置および方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08208365A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6139631A (en) * | 1997-09-05 | 2000-10-31 | Stanley Electric Co., Ltd. | Crystal growth method and apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6128640A (ja) * | 1984-07-18 | 1986-02-08 | Tokyo Gas Co Ltd | 掘削装置 |
| JPH0456128A (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-24 | Stanley Electric Co Ltd | ２―６族間化合物半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-04-14 JP JP8724393A patent/JPH08208365A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6128640A (ja) * | 1984-07-18 | 1986-02-08 | Tokyo Gas Co Ltd | 掘削装置 |
| JPH0456128A (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-24 | Stanley Electric Co Ltd | ２―６族間化合物半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6139631A (en) * | 1997-09-05 | 2000-10-31 | Stanley Electric Co., Ltd. | Crystal growth method and apparatus |
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|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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