JPH0350341B2 - - Google Patents
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- JPH0350341B2 JPH0350341B2 JP59063263A JP6326384A JPH0350341B2 JP H0350341 B2 JPH0350341 B2 JP H0350341B2 JP 59063263 A JP59063263 A JP 59063263A JP 6326384 A JP6326384 A JP 6326384A JP H0350341 B2 JPH0350341 B2 JP H0350341B2
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
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- G—PHYSICS
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- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、熱磁気記録媒体の改良に関し、更に
詳しくは熱磁気記録特性向上のための反射並びに
位相変調機能を有する層に関する。 〔従来の技術〕 各種記録材料上にヒートモードでピツト記録を
行ない光学的に読み出す光メモリが実用化されつ
つあり、特に最近はレーザー光源や光学装置の発
展に伴ない大容量レーザーメモリとして脚光をお
びてきた。このような記録材料の一種として磁性
薄膜を用いた熱磁気記録媒体が知られている。す
なわち、MnBiの如き磁性多結晶薄膜に外部磁界
を作用させるレーザービームのスポツト照射によ
る照射部の温度上昇でキユーリー点を越える加熱
が行なわれると照射部では磁化の反転が生ずる。
概して、磁気的ピツト記録の行なわれた媒体は、
磁気カー効果やフアラデー効果等の磁気光学効果
により偏光子を介して光学的に読み出すことが可
能である。又、消去は一様な外部磁界を印加して
部分又は全面を加熱すれば行なわれる。最近で
は、磁気的に均一な組成、適当なキユーリー温
度、そして比較的大きな磁気光学効果の得られる
FeTbGdの３元系薄膜に代表されるFe，Co，Ni
等の遷移金属とTb，Dy，Gd，Ho等の希土類金
属とをスパツタリングにより共蒸着した非晶質薄
膜が検討されている。 一方、この熱磁気記録媒体には再生信号レベル
が低いという欠点がある。特に、カー効果再生方
式においては、カー回転角が小さいため信号雑音
比（Ｓ／Ｎ）を大きくすることが困難であつた。
そのため従来は、記録磁性材料を改良したり、あ
るいは記録媒体上に一酸化ケイ素（SiO）や二酸
化ケイ素（SiO2）の誘電体薄膜を形成して磁性
層面上への多重反射を利用してカー回転角を大き
くする工夫がなされてきた。又、特開昭58−6541
号公報特開昭58−6542号公報に開示されているよ
うに、非晶質磁性膜を充分薄くし、裏面に金属反
射層を設けることにより、カー効果とフアラデー
効果を利用して大きなカー回転角を得る方法も得
られている。あるいは、上記非晶質磁性膜層と反
射層の間に透明誘電体膜層を設けて、これら３層
の材料と膜厚を最適に選ぶことにより、更に効率
良く大きな回転角を得ることができるという報告
もある（J.Appl.Phys.vol.−53，No.6 P4485〜
4494）。しかしながら、いずれの方式においても
反射層及び透明誘電体膜層の膜厚を例えば20〜50
Å以内の精度で精密に制御する必要があり、この
制御が難しい為に製造された媒体間でＳ／Ｎ比の
ばらつきが生じるといつた問題点があつた。ま
た、記録媒体の高感度、高信号雑音比（Ｓ／Ｎ）
を実現するためには、反射層に用いる金属薄膜層
を例えば100〜600Å程度の薄さに設定しなければ
ならなかつた。ところが現在知られている希土類
−遷移金属非晶質膜と同様に金属薄膜も酸素の存
在下で高温高湿の環境に放置すると容易に酸化さ
れて、結果的に媒体の記録感度の低下、記録再生
時のエラーの増加、信号の劣化等を招く。また、
透明誘電体層と金属薄膜層との間が剥離し易いと
いつた欠点もあつた。 従来技術による熱磁気記録媒体の構成例を第１
図、第２図に示す。 第１図において、１１は透光性基板、１２は非
晶質磁性薄膜、１３は金属反射層、１４は保護層
を示す。第２図においては、２１は透光性基板、
２２は非晶質磁性薄膜、２３は透明誘電体膜、３
４は合属反射層、３５は保護層を示す。 第１図及び第２図の構成では、いずれも金属反
射層を利用して、非晶質磁性薄膜で得られるフア
ラデー効果を併用して高いＳ／Ｎを得ることを目
的としている。更に、第２図の構成では透明誘電
体膜層２３を付加することによつて、非晶質磁性
薄膜層２２と透光性基板２１の界面での反射光と
金属反射層２４で反射された後非晶質磁性薄膜層
２２と透光性基板２１の界面に倒達する光とに位
相差を与えて媒体の反射率を低減させる効果を得
ているが、その問題点は上述のとおりである。 〔発明が解決しようとする課題〕 本発明の目的は、媒体間でＳ／Ｎ比のばらつき
が少なく、優れた保存安定性を有する熱磁気記録
媒体を提供することにある。 〔課題を解決するための手段〕 本発明の目的は、次の熱磁気記録媒体によつて
達成される。 すなわち、基板と、該基板上に説けられた磁性
薄膜記録層と、該記録層に相接して設けられた、
金属元素が分散された誘電体から成る反射層とを
具備し、前記反射層中の金属元素の含有率が、厚
さ方向に記録層との界面から離れるに従つて増加
するように形成された熱磁気記録媒体である。 即ち、本発明に於いては、反射並びに位相変調
機能を有する層が単層で形成され、この層は、位
相変調機能を果たす誘電体層内に反射機能を果た
す金属元素が分散し、この金属元素の含有率が記
録層との界面から厚さ方向に離れるに従つて増加
する様に形成されており、屈折率の虚数部ｋが
徐々に変化する。この構成によつて金属元素の酸
化を防ぎ、また金属元素の分散を調整する事によ
つて、再生光の反射する深さが平均化し、媒体間
の再生特性のばらつきを減少させるものである。
このような金属元素の含有率の調整は、非常に薄
い膜を高精度に形成する事に比べると、比較的簡
単にできる。また金属膜と誘電体膜のはつきりし
た界面が存在しない為、剥離しにくいといつた利
点もある。 前記反射並びに位相変調機能を有する層を形成
する材料は、記録再生光に対して高い反射率を有
する金属元素、例えばCu，Ag，Au，Alなどと、
記録再生光の吸収の小さい化合物、例えば、
SiO，SiO2などの酸化物、MgF2，NaF・AlF3な
どのフツ化物、ZnS，Sb2S3などの硫化物の他ヨ
ウ化物、有機高分子化合物とを組合わせて、所望
の位相差になるよう選択される。上記の材料を用
いて、スパツタリング、電子ビーム蒸着、抵抗加
熱等の方法により、前記反射並びに位相変調機能
を有する層は形成される。膜厚は200〜10000Åが
適しており、特に好ましくは、2000〜4000Åであ
る。なお、反射光の位相差の調整は、膜厚の変
更、材料の組成比を連続的に変えることによつて
も可能である。 本発明の熱磁気記録媒体の構成例を第３図に示
す。 本発明の熱磁気記録媒体の構成例を第３図の略
断面図を用いて示す。プラスチツク又はガラス等
からなる透光性基板３１上にGdTbFe，
TbDyFe，GdDyFe等の膜面に垂直な磁化容易軸
を有する希土類−遷移金属非晶質薄膜記録層３２
を設ける。その上に、本発明の反射並びに位相変
調機能を有する層３３を設け、更に保護層３４を
設ける。保護層は有機高分子膜を塗工して設けて
も良いし、酸化物、硫化物のような無機材料ある
いは金属材料を蒸着により設けても良い。 本発明の第３図の反射並びに位相変調機能を有
する層３３は、単層膜でありながら第２図の反属
反射層２４と透明誘導体膜層２３の積層膜と同
様、位相変調が可能で媒体の反射率を変えること
ができる。 反射並びに位相変調機能を有する層３３の光学
的性質を説明するために第４図に膜厚と屈折率の
虚数部Ｋの関係を示した。 第４図においてＡ点は記録層３２との界面を、
Ｂ点は保護層３４との界面を表わし、縦軸は屈折
率の虚数部ｋを任意単位で、横軸は反射並びに位
相変調機能を有する層３３の膜厚を表わしてい
る。Ａ点からＢ点に向かつて、すなわち膜厚が厚
くなるに従つて屈折率の虚数部が大きくなる。 本発明の熱磁気記録媒体においては、使用する
記録再生装置に合わせて補助層が設けられたり、
両面に記録層が被着された構成においても、適用
することができる。例えば、第３図の透光性基板
３１と非晶質磁性薄膜記録層３２の間に補助層と
して反射防止層や熱伝導率の小さい有機高分子等
による断熱層を設けることも可能である。補助層
としては上記以外にインデツクスやトラツキング
マークを書き込んだ層等も含れてよい。 〔実施例〕 以下、比較例及び実施例を挙げて本発明を具体
的に説明する。 比較例 １ 以下の工程により、熱磁気記録媒体を作製し
た。直径120mm、厚さ1.5mmの平滑なガラス基板を
清浄し、この片面にスピンナー塗布機で硬化型シ
リコーン樹脂（SR−2410レジン、トーレ・シリ
コーン社製）を乾燥膜厚0.5μmとなるように塗工
した。乾燥条件は150℃、２時間であつた。シリ
コーン樹脂は磁気記録層にビーム照射されて発生
する熱の散逸を防止するためのものである。 次に、上記シリコーン樹脂層の表面に反射防止
層として一酸化ケイ素（SiO、純度99.9％）を電
子ビーム蒸着により反射率が最小となる所定の厚
さに形成した。この厚さは、現在使用されている
半導体レーザー（GaAsAl）の波長820nmを一酸
化ケイ素の屈折率の４倍の値で割つた値で約
0.1μmの厚さである。次に、磁気記録層として
Fe76Gd12Tb12の組成の非晶質薄膜をスパツタリ
ング装置により0.02μmに形成した。更に保護層
として一酸化ケイ素（SiO、純度99.9％）を電子
ビーム蒸着により0.3μmの厚さに形成した。この
熱磁気記録媒体にガラス面側より光学ヘツドを用
いてピツト記録及び再生を行つた。記録用光学ヘ
ツドは出力20mWの半導体レーザー（820nm）を
光源とし、記録層表面にほぼ1.2μmφの微小スポ
ツトとして照射される構成になつている。又記録
層の面に垂直方向の磁界を印加できるように電磁
石を配している。円板状の熱磁気記録媒体を回転
駆動して記録層を一様に磁化し、次いでレーザー
をパルス発振して5MHzの信号をピツト記録した。
読み出し再生は10mWの半導体レーザーを光源と
し、記録時と同様に記録層を照射して反射光を偏
光子を介して検出した。良好な再生信号が得ら
れ、Ｃ／Ｎ値は24dBであつた。 実施例 １〜24 比較例１と同様の方法で本発明の熱磁気記録媒
体を作成した。すなわち、熱磁気記録層として
Fe76Gd12Tb12の組成の非晶質膜を約0.02μmの厚
さに製膜後、電子ビーム蒸着、スパツタリングあ
るいは、抵抗加熱蒸着によつて、表−１に示す金
属元素と半導体レーザー光の吸収の小さい元素、
化合物を表−１の組成比、膜厚で形成した。表中
の界面Ａ、界面Ｂの組成比は、第３図に示した界
面Ａと界面Ｂそれぞれにおける組成比を示す。ま
た反射並びに位相変調機能を有する層中では、ほ
ぼ連続的に（直線的に）それぞれの元素の組成比
が変化する様に製膜を行なつた。 表−１に示すＡ，Ｂ各界面でのｎ，ｋの値はマ
ツクスウエル・ガーネツトの式による計算予想値
である。表−１に示すように、ｎは反射並びに位
相変調機能を有する層のベースとなる誘電体によ
つて様々な値となるが本発明はこのｎによらず効
果を有するものである。 作製した熱磁気記録媒体について記録再生特性
（再生Ｃ／Ｎ値）を試験した。試験条件は比較例
と同様記録のレーザー出力は媒体面上で7mW、
記録信号は50％デユーテイ、5MHzのパルス信号
であり、再生のレーザー出力は媒体面上で2mW、
Ｃ／Ｎ値はバンド巾30KHzで評価した。なお、
Ｃ／Ｎ値は記録ピツトの大きさと媒体の磁気光学
効果の大きさとの両方の効果を示すものと考えら
れる。 さらに、耐腐食性試験として、温度45℃、相対
湿度95％の恒温恒湿槽に２箇月間放置した後の
Ｃ／Ｎ値の測定と剥離試験を行つた。Ｃ／Ｎ値の
測定は前述の方法で行つた。剥離試験は、保護層
３４の面にマイラーテープを貼りつけ、ひきはが
して各層間の剥離を観察した。 以上の結果を表−２に示した。剥離は、比較例
においては記録層と金属層との界面、実施例にお
いては反射並びに位相変調機能を有する層内で生
じた。 比較のために、比較例１および反射並びに位相
変調機能を有する層のかわりに金属層を設けた他
は実施例と同様に作成した熱磁気記録媒体（比較
例２〜５）についても同様に試験した。 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明は、従来の熱磁気
記録媒体において、記録層に相接して金属元素が
分解された誘導体から成る反射層を設け、この反
射層中の金属元素の含有率が厚さ方向に従つて増
加するように形成したので、媒体間のSN比のば
らつきを減少させ、保存安定性を向上させる効果
が得られた。
詳しくは熱磁気記録特性向上のための反射並びに
位相変調機能を有する層に関する。 〔従来の技術〕 各種記録材料上にヒートモードでピツト記録を
行ない光学的に読み出す光メモリが実用化されつ
つあり、特に最近はレーザー光源や光学装置の発
展に伴ない大容量レーザーメモリとして脚光をお
びてきた。このような記録材料の一種として磁性
薄膜を用いた熱磁気記録媒体が知られている。す
なわち、MnBiの如き磁性多結晶薄膜に外部磁界
を作用させるレーザービームのスポツト照射によ
る照射部の温度上昇でキユーリー点を越える加熱
が行なわれると照射部では磁化の反転が生ずる。
概して、磁気的ピツト記録の行なわれた媒体は、
磁気カー効果やフアラデー効果等の磁気光学効果
により偏光子を介して光学的に読み出すことが可
能である。又、消去は一様な外部磁界を印加して
部分又は全面を加熱すれば行なわれる。最近で
は、磁気的に均一な組成、適当なキユーリー温
度、そして比較的大きな磁気光学効果の得られる
FeTbGdの３元系薄膜に代表されるFe，Co，Ni
等の遷移金属とTb，Dy，Gd，Ho等の希土類金
属とをスパツタリングにより共蒸着した非晶質薄
膜が検討されている。 一方、この熱磁気記録媒体には再生信号レベル
が低いという欠点がある。特に、カー効果再生方
式においては、カー回転角が小さいため信号雑音
比（Ｓ／Ｎ）を大きくすることが困難であつた。
そのため従来は、記録磁性材料を改良したり、あ
るいは記録媒体上に一酸化ケイ素（SiO）や二酸
化ケイ素（SiO2）の誘電体薄膜を形成して磁性
層面上への多重反射を利用してカー回転角を大き
くする工夫がなされてきた。又、特開昭58−6541
号公報特開昭58−6542号公報に開示されているよ
うに、非晶質磁性膜を充分薄くし、裏面に金属反
射層を設けることにより、カー効果とフアラデー
効果を利用して大きなカー回転角を得る方法も得
られている。あるいは、上記非晶質磁性膜層と反
射層の間に透明誘電体膜層を設けて、これら３層
の材料と膜厚を最適に選ぶことにより、更に効率
良く大きな回転角を得ることができるという報告
もある（J.Appl.Phys.vol.−53，No.6 P4485〜
4494）。しかしながら、いずれの方式においても
反射層及び透明誘電体膜層の膜厚を例えば20〜50
Å以内の精度で精密に制御する必要があり、この
制御が難しい為に製造された媒体間でＳ／Ｎ比の
ばらつきが生じるといつた問題点があつた。ま
た、記録媒体の高感度、高信号雑音比（Ｓ／Ｎ）
を実現するためには、反射層に用いる金属薄膜層
を例えば100〜600Å程度の薄さに設定しなければ
ならなかつた。ところが現在知られている希土類
−遷移金属非晶質膜と同様に金属薄膜も酸素の存
在下で高温高湿の環境に放置すると容易に酸化さ
れて、結果的に媒体の記録感度の低下、記録再生
時のエラーの増加、信号の劣化等を招く。また、
透明誘電体層と金属薄膜層との間が剥離し易いと
いつた欠点もあつた。 従来技術による熱磁気記録媒体の構成例を第１
図、第２図に示す。 第１図において、１１は透光性基板、１２は非
晶質磁性薄膜、１３は金属反射層、１４は保護層
を示す。第２図においては、２１は透光性基板、
２２は非晶質磁性薄膜、２３は透明誘電体膜、３
４は合属反射層、３５は保護層を示す。 第１図及び第２図の構成では、いずれも金属反
射層を利用して、非晶質磁性薄膜で得られるフア
ラデー効果を併用して高いＳ／Ｎを得ることを目
的としている。更に、第２図の構成では透明誘電
体膜層２３を付加することによつて、非晶質磁性
薄膜層２２と透光性基板２１の界面での反射光と
金属反射層２４で反射された後非晶質磁性薄膜層
２２と透光性基板２１の界面に倒達する光とに位
相差を与えて媒体の反射率を低減させる効果を得
ているが、その問題点は上述のとおりである。 〔発明が解決しようとする課題〕 本発明の目的は、媒体間でＳ／Ｎ比のばらつき
が少なく、優れた保存安定性を有する熱磁気記録
媒体を提供することにある。 〔課題を解決するための手段〕 本発明の目的は、次の熱磁気記録媒体によつて
達成される。 すなわち、基板と、該基板上に説けられた磁性
薄膜記録層と、該記録層に相接して設けられた、
金属元素が分散された誘電体から成る反射層とを
具備し、前記反射層中の金属元素の含有率が、厚
さ方向に記録層との界面から離れるに従つて増加
するように形成された熱磁気記録媒体である。 即ち、本発明に於いては、反射並びに位相変調
機能を有する層が単層で形成され、この層は、位
相変調機能を果たす誘電体層内に反射機能を果た
す金属元素が分散し、この金属元素の含有率が記
録層との界面から厚さ方向に離れるに従つて増加
する様に形成されており、屈折率の虚数部ｋが
徐々に変化する。この構成によつて金属元素の酸
化を防ぎ、また金属元素の分散を調整する事によ
つて、再生光の反射する深さが平均化し、媒体間
の再生特性のばらつきを減少させるものである。
このような金属元素の含有率の調整は、非常に薄
い膜を高精度に形成する事に比べると、比較的簡
単にできる。また金属膜と誘電体膜のはつきりし
た界面が存在しない為、剥離しにくいといつた利
点もある。 前記反射並びに位相変調機能を有する層を形成
する材料は、記録再生光に対して高い反射率を有
する金属元素、例えばCu，Ag，Au，Alなどと、
記録再生光の吸収の小さい化合物、例えば、
SiO，SiO2などの酸化物、MgF2，NaF・AlF3な
どのフツ化物、ZnS，Sb2S3などの硫化物の他ヨ
ウ化物、有機高分子化合物とを組合わせて、所望
の位相差になるよう選択される。上記の材料を用
いて、スパツタリング、電子ビーム蒸着、抵抗加
熱等の方法により、前記反射並びに位相変調機能
を有する層は形成される。膜厚は200〜10000Åが
適しており、特に好ましくは、2000〜4000Åであ
る。なお、反射光の位相差の調整は、膜厚の変
更、材料の組成比を連続的に変えることによつて
も可能である。 本発明の熱磁気記録媒体の構成例を第３図に示
す。 本発明の熱磁気記録媒体の構成例を第３図の略
断面図を用いて示す。プラスチツク又はガラス等
からなる透光性基板３１上にGdTbFe，
TbDyFe，GdDyFe等の膜面に垂直な磁化容易軸
を有する希土類−遷移金属非晶質薄膜記録層３２
を設ける。その上に、本発明の反射並びに位相変
調機能を有する層３３を設け、更に保護層３４を
設ける。保護層は有機高分子膜を塗工して設けて
も良いし、酸化物、硫化物のような無機材料ある
いは金属材料を蒸着により設けても良い。 本発明の第３図の反射並びに位相変調機能を有
する層３３は、単層膜でありながら第２図の反属
反射層２４と透明誘導体膜層２３の積層膜と同
様、位相変調が可能で媒体の反射率を変えること
ができる。 反射並びに位相変調機能を有する層３３の光学
的性質を説明するために第４図に膜厚と屈折率の
虚数部Ｋの関係を示した。 第４図においてＡ点は記録層３２との界面を、
Ｂ点は保護層３４との界面を表わし、縦軸は屈折
率の虚数部ｋを任意単位で、横軸は反射並びに位
相変調機能を有する層３３の膜厚を表わしてい
る。Ａ点からＢ点に向かつて、すなわち膜厚が厚
くなるに従つて屈折率の虚数部が大きくなる。 本発明の熱磁気記録媒体においては、使用する
記録再生装置に合わせて補助層が設けられたり、
両面に記録層が被着された構成においても、適用
することができる。例えば、第３図の透光性基板
３１と非晶質磁性薄膜記録層３２の間に補助層と
して反射防止層や熱伝導率の小さい有機高分子等
による断熱層を設けることも可能である。補助層
としては上記以外にインデツクスやトラツキング
マークを書き込んだ層等も含れてよい。 〔実施例〕 以下、比較例及び実施例を挙げて本発明を具体
的に説明する。 比較例 １ 以下の工程により、熱磁気記録媒体を作製し
た。直径120mm、厚さ1.5mmの平滑なガラス基板を
清浄し、この片面にスピンナー塗布機で硬化型シ
リコーン樹脂（SR−2410レジン、トーレ・シリ
コーン社製）を乾燥膜厚0.5μmとなるように塗工
した。乾燥条件は150℃、２時間であつた。シリ
コーン樹脂は磁気記録層にビーム照射されて発生
する熱の散逸を防止するためのものである。 次に、上記シリコーン樹脂層の表面に反射防止
層として一酸化ケイ素（SiO、純度99.9％）を電
子ビーム蒸着により反射率が最小となる所定の厚
さに形成した。この厚さは、現在使用されている
半導体レーザー（GaAsAl）の波長820nmを一酸
化ケイ素の屈折率の４倍の値で割つた値で約
0.1μmの厚さである。次に、磁気記録層として
Fe76Gd12Tb12の組成の非晶質薄膜をスパツタリ
ング装置により0.02μmに形成した。更に保護層
として一酸化ケイ素（SiO、純度99.9％）を電子
ビーム蒸着により0.3μmの厚さに形成した。この
熱磁気記録媒体にガラス面側より光学ヘツドを用
いてピツト記録及び再生を行つた。記録用光学ヘ
ツドは出力20mWの半導体レーザー（820nm）を
光源とし、記録層表面にほぼ1.2μmφの微小スポ
ツトとして照射される構成になつている。又記録
層の面に垂直方向の磁界を印加できるように電磁
石を配している。円板状の熱磁気記録媒体を回転
駆動して記録層を一様に磁化し、次いでレーザー
をパルス発振して5MHzの信号をピツト記録した。
読み出し再生は10mWの半導体レーザーを光源と
し、記録時と同様に記録層を照射して反射光を偏
光子を介して検出した。良好な再生信号が得ら
れ、Ｃ／Ｎ値は24dBであつた。 実施例 １〜24 比較例１と同様の方法で本発明の熱磁気記録媒
体を作成した。すなわち、熱磁気記録層として
Fe76Gd12Tb12の組成の非晶質膜を約0.02μmの厚
さに製膜後、電子ビーム蒸着、スパツタリングあ
るいは、抵抗加熱蒸着によつて、表−１に示す金
属元素と半導体レーザー光の吸収の小さい元素、
化合物を表−１の組成比、膜厚で形成した。表中
の界面Ａ、界面Ｂの組成比は、第３図に示した界
面Ａと界面Ｂそれぞれにおける組成比を示す。ま
た反射並びに位相変調機能を有する層中では、ほ
ぼ連続的に（直線的に）それぞれの元素の組成比
が変化する様に製膜を行なつた。 表−１に示すＡ，Ｂ各界面でのｎ，ｋの値はマ
ツクスウエル・ガーネツトの式による計算予想値
である。表−１に示すように、ｎは反射並びに位
相変調機能を有する層のベースとなる誘電体によ
つて様々な値となるが本発明はこのｎによらず効
果を有するものである。 作製した熱磁気記録媒体について記録再生特性
（再生Ｃ／Ｎ値）を試験した。試験条件は比較例
と同様記録のレーザー出力は媒体面上で7mW、
記録信号は50％デユーテイ、5MHzのパルス信号
であり、再生のレーザー出力は媒体面上で2mW、
Ｃ／Ｎ値はバンド巾30KHzで評価した。なお、
Ｃ／Ｎ値は記録ピツトの大きさと媒体の磁気光学
効果の大きさとの両方の効果を示すものと考えら
れる。 さらに、耐腐食性試験として、温度45℃、相対
湿度95％の恒温恒湿槽に２箇月間放置した後の
Ｃ／Ｎ値の測定と剥離試験を行つた。Ｃ／Ｎ値の
測定は前述の方法で行つた。剥離試験は、保護層
３４の面にマイラーテープを貼りつけ、ひきはが
して各層間の剥離を観察した。 以上の結果を表−２に示した。剥離は、比較例
においては記録層と金属層との界面、実施例にお
いては反射並びに位相変調機能を有する層内で生
じた。 比較のために、比較例１および反射並びに位相
変調機能を有する層のかわりに金属層を設けた他
は実施例と同様に作成した熱磁気記録媒体（比較
例２〜５）についても同様に試験した。 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明は、従来の熱磁気
記録媒体において、記録層に相接して金属元素が
分解された誘導体から成る反射層を設け、この反
射層中の金属元素の含有率が厚さ方向に従つて増
加するように形成したので、媒体間のSN比のば
らつきを減少させ、保存安定性を向上させる効果
が得られた。
【表】
【表】
【表】
【表】
△…… 〃 が一部にみられたもの
×……大部分が剥離したもの。
×……大部分が剥離したもの。
第１図，第２図は従来の熱磁気記録媒体の構成
例の略断面図、第３図は本発明の熱磁気記録媒体
の構成例の略断面図である。第４図は膜厚と屈折
率の虚数部ｋの関係を示すグラフである。 １１，２１，３１：透光性基板、１２，２２，
３２：磁性記録層、３３：反射並びに位相変調機
能を有する層、１３，２４：金属反射層、２３：
透明誘電体層、１４，２５，３４：保護層、Ａ：
磁性記録層と反射並びに位相変調機能を有する層
との界面、Ｂ：保護層と反射並びに位相変調機能
を有する層との界面。
例の略断面図、第３図は本発明の熱磁気記録媒体
の構成例の略断面図である。第４図は膜厚と屈折
率の虚数部ｋの関係を示すグラフである。 １１，２１，３１：透光性基板、１２，２２，
３２：磁性記録層、３３：反射並びに位相変調機
能を有する層、１３，２４：金属反射層、２３：
透明誘電体層、１４，２５，３４：保護層、Ａ：
磁性記録層と反射並びに位相変調機能を有する層
との界面、Ｂ：保護層と反射並びに位相変調機能
を有する層との界面。
Claims (1)
- １ 基板と、該基板上に説けられた磁性薄膜記録
層と、該記録層に相接して設けられた、金属元素
が分散された誘電体から成る反射層とを具備し、
前記反射層中の金属元素の含有率が、厚さ方向に
記録層との界面から離れるに従つて増加するよう
に形成された熱磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59063263A JPS60209942A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | 熱磁気記録媒体 |
| US06/717,650 US4664977A (en) | 1984-04-02 | 1985-03-29 | Opto-magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59063263A JPS60209942A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | 熱磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60209942A JPS60209942A (ja) | 1985-10-22 |
| JPH0350341B2 true JPH0350341B2 (ja) | 1991-08-01 |
Family
ID=13224219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59063263A Granted JPS60209942A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | 熱磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4664977A (ja) |
| JP (1) | JPS60209942A (ja) |
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| JPS62219348A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH0766584B2 (ja) * | 1986-04-11 | 1995-07-19 | 富士写真フイルム株式会社 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
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| US5249175A (en) * | 1988-09-09 | 1993-09-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and information recording and reproducing method therefor |
| DE68927731T2 (de) * | 1988-09-09 | 1997-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optischer Datenaufzeichnungsträger sowie zugehöriges Aufzeichnungs- und Wiedergabeverfahren |
| EP0368194B1 (en) * | 1988-11-07 | 1998-06-17 | Hitachi, Ltd. | Magneto-optical recording medium |
| JP2724003B2 (ja) * | 1989-11-10 | 1998-03-09 | キヤノン株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| US6200673B1 (en) * | 1989-11-13 | 2001-03-13 | Hitachi, Ltd. | Magneto-optical recording medium |
| JPH0413251A (ja) * | 1990-04-28 | 1992-01-17 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子及びその製造方法 |
| JP3029485B2 (ja) * | 1991-07-22 | 2000-04-04 | キヤノン株式会社 | 光磁気記録媒体 |
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| EP0658814B1 (en) * | 1993-11-29 | 1999-07-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, electrophotographic apparatus including same and electrophotographic apparatus unit |
| KR970060108A (ko) * | 1996-01-18 | 1997-08-12 | 김광호 | 광자기 기록막 및 이를 적용한 광자기 디스크 |
| WO1998055962A1 (fr) * | 1997-06-04 | 1998-12-10 | Tokyo Magnetic Printing Co., Ltd. | Support d'enregistrement magnetique et son procede d'utilisation |
| US6526002B1 (en) * | 1999-09-02 | 2003-02-25 | John Ruvalds | Magneto-optic device exhibiting changes in reflectivity relative to a magnetic field and method and systems incorporating the same |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS586542A (ja) * | 1981-07-02 | 1983-01-14 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| JPS586541A (ja) * | 1981-07-02 | 1983-01-14 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
-
1984
- 1984-04-02 JP JP59063263A patent/JPS60209942A/ja active Granted
-
1985
- 1985-03-29 US US06/717,650 patent/US4664977A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60209942A (ja) | 1985-10-22 |
| US4664977A (en) | 1987-05-12 |
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