JPH07294540A - 磁気検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 小型化することができるとともに磁気変化波
形の波形割れを防止できる磁気検出装置を提供すること
にある。 【構成】 支持板１にはバイアス磁石２が接着されてい
る。このバイアス磁石２からギヤ７に向けてバイアス磁
界を発生する。支持板１には基板３が接着され、基板３
には磁気抵抗素子が蒸着されている。磁気抵抗素子はバ
イアス磁石２の着磁面に平行に配置されている。磁気抵
抗素子はバイアス磁界におけるバイアス磁石２のＮ極着
磁面に平行かつ外周側に向かうベクトルに対し略４５度
傾けて配置されている。磁気抵抗素子にて、ギヤ７の回
転に伴うバイアス磁石２からギヤ７へのバイアス磁界に
おけるバイアス磁石２のＮ極着磁面に平行かつ外周側に
向かうベクトルの変化により抵抗変化が生じる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、磁気抵抗素子の抵抗
変化を利用して被検出対象の移動等の運動を検出する磁
気検出装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、磁気抵抗素子を利用したギヤ近接
方式の回転センサが特開平３−１９５９７０号公報にて
開示されている。このセンサは、抵抗変化波形の波形割
れ対策が施されている。この技術を、図２１を用いて説
明する。基板２０には磁気抵抗素子２１が蒸着されてい
る。支持板２２の一面にはバイアス磁石２３が取り付け
られるとともに、支持板２２の他の面には基板２０がバ
イアス磁石２３の着磁面２３ａに垂直に取り付けられて
いる。さらに、基板２０上において磁気抵抗素子２１が
バイアス磁石２３から発生する磁気ベクトル（着磁面２
３ａに垂直な方向の成分Ｂ_Y ）に対し所定角度（図２１
では４５度）傾けて配置されている。そして、ギヤ２４
の回転に伴う磁気ベクトルＢ_Y の向きの変化を磁気抵抗
素子２１にて抵抗変化として検出するようになってい
た。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、基板２０
（磁気抵抗素子２１）をバイアス磁石２３の着磁面２３
ａに垂直に配置するため、センサがバイアス磁石２３の
着磁面２３ａに垂直な方向に大きくなってしまってい
た。

【０００４】そこで、この発明の目的は、小型化するこ
とができるとともに抵抗変化波形の波形割れを防止でき
る磁気検出装置を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、着磁面が磁性材料を有する被検出対象に対向し、当
該被検出対象に向けてバイアス磁界を発生するバイアス
磁石と、前記バイアス磁界中に配置された磁気抵抗素子
とを備え、前記磁気抵抗素子にて前記被検出対象の運動
に伴う前記バイアス磁石から前記被検出対象へのバイア
ス磁界の変化により抵抗変化を生じさせるようにした磁
気検出装置において、前記磁気抵抗素子を、前記バイア
ス磁石の着磁面に平行に配置するとともに、前記バイア
ス磁界における前記バイアス磁石の着磁面に平行であっ
て、かつ外周側へ向かう磁気ベクトルあるいは外周側か
ら内方へ向かう磁気ベクトルに対して所定角度傾けて配
置し、前記磁気ベクトルの変化を検出するようにした磁
気検出装置をその要旨とする。

【０００６】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明における前記磁気抵抗素子を前記磁気ベクトルに
対して略４５度傾けて配置した磁気検出装置をその要旨
とする。

【０００７】請求項３に記載の発明は、請求項１または
２に記載の発明における前記被検出対象の運動方向に対
し前記磁気抵抗素子を３０〜１５０度あるいは２１０〜
３３０度回転した位置に配置した磁気検出装置をその要
旨とする。

【０００８】請求項４に記載の発明は、請求項１〜３の
いずれか１項に記載の発明における前記被検出対象の運
動方向に対し前記磁気抵抗素子を９０度あるいは２７０
度回転した位置に配置した磁気検出装置をその要旨とす
る。

【０００９】請求項５に記載の発明は、請求項１〜４の
いずれか１項に記載の発明における前記磁気抵抗素子を
バイアス磁石の外周面付近に配置した磁気検出装置をそ
の要旨とする。

【００１０】

【作用】請求項１に記載の発明によれば、被検出対象が
運動すると、バイアス磁界におけるバイアス磁石の着磁
面に平行であって、かつ外周側へ向かう磁気ベクトルあ
るいは外周側から内方へ向かう磁気ベクトルの向きが変
化する。このベクトルの向きの変化が、バイアス磁石の
着磁面に平行に配置された磁気抵抗素子にて抵抗変化と
して検出される。このとき、磁気抵抗素子がバイアス磁
石の着磁面に平行に配置されているので、磁気抵抗素子
をバイアス磁石の着磁面に垂直に配置した場合に比べ、
バイアス磁石の着磁面に垂直な方向に小さくなる。又、
バイアス磁界におけるバイアス磁石の着磁面に平行であ
って、かつ外周側へ向かう磁気ベクトルあるいは外周側
から内方へ向かう磁気ベクトルに対し、所定角度傾けて
磁気抵抗素子を配置し、前記磁気ベクトルの変化を検出
するようにしているため、抵抗変化波形の波形割れが防
止される。

【００１１】請求項２に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の作用に加え、前記磁気ベクトルに対し、
略４５度傾けて磁気抵抗素子を配置しているため、抵抗
変化率がベクトルの振れに対して最大値を示すこととな
る。

【００１２】請求項３に記載の発明によれば、請求項１
または２に記載の発明の作用に加え、被検出対象の運動
方向に対し磁気抵抗素子が３０〜１５０度あるいは２１
０〜３３０度回転した位置に配置され、磁気抵抗素子の
抵抗変化率が大きくなる。

【００１３】請求項４に記載の発明によれば、請求項１
〜３のいずれか１項に記載の発明の作用に加え、被検出
対象の運動方向に対し磁気抵抗素子が９０度あるいは２
７０度回転した位置に配置され、さらに磁気抵抗素子の
抵抗変化率が大きくなる。

【００１４】請求項５に記載の発明は、請求項１〜３の
いずれか１項に記載の発明の作用に加え、磁気抵抗素子
がバイアス磁石の外周面付近に配置され、十分な抵抗変
化率が得られる。

【００１５】

【実施例】以下、この発明を具体化した一実施例を図面
に従って説明する。図１には、本実施例の磁気回転検出
装置の平面図を示す。又、図２には、図１のＡ矢視図を
示す。

【００１６】支持板１は長方形をなしている。永久磁石
よりなるバイアス磁石２は円柱形状をなし、バイアス磁
石２の外径は７ｍｍとなっている。バイアス磁石２はそ
の一面がＮ極に着磁されるとともに、他方の面がＳ極に
着磁されている。そして、支持板１の一面にバイアス磁
石２の一面（Ｎ極着磁面２ａ）が接着されている。

【００１７】図３には、バイアス磁石２のＮ極着磁面２
ａからＳ極着磁面への磁力線の状態を示す。又、図４に
は、図３のＢ矢視図を示す。図３に示すように、バイア
ス磁石２のＮ極着磁面２ａから僅かに離れた位置Ｐ１に
おいては、磁気ベクトルＢは、バイアス磁石２のＮ極着
磁面２ａに対し平行かつ外周側に向かうベクトルＢ
_Xと、バイアス磁石２のＮ極着磁面２ａに垂直な方向の
ベクトルＢ_Y とを合成したものとなる。以下、バイアス
磁石２のＮ極着磁面２ａに平行かつ外周側に向かうベク
トルＢ_X を「Ｎ極着磁面平行成分ベクトル」というとと
もに、バイアス磁石２のＮ極着磁面２ａに垂直な方向の
ベクトルＢ_Y を「Ｎ極着磁面垂直成分ベクトル」とい
う。

【００１８】又、図１に示すように、支持板１のもう一
方の面には、長方形の基板３の一面が接着されている。
基板３の表面には、図５に示すように、２つの磁気抵抗
素子４，５が蒸着にて形成されている。このように、磁
気抵抗素子４，５はバイアス磁石２のＮ極着磁面２ａに
平行に配置されている。

【００１９】磁気抵抗素子４，５は帯状をなし、直線的
に延びている。磁気抵抗素子４，５は、バイアス磁石２
から発生する磁気ベクトルＢにおけるＮ極着磁面平行成
分ベクトルＢ_X の方向（図５でＷで示す）に対しそれぞ
れ略プラス・マイナス４５度で一対配置されている。こ
の磁気抵抗素子４，５の幅は８μｍであり、磁気抵抗素
子４，５の設置位置におけるＮ極着磁面平行成分ベクト
ルＢ_X とＮ極着磁面垂直成分ベクトルＢ_Y が共に１００
ガウス以上のとき磁気抵抗素子４，５が飽和磁界強度以
上となる。

【００２０】又、図５に示すように、基板３の表面に
は、波形処理回路６が形成されている。さらに、支持板
１には、図１，２に示すように、出力取出し用リード９
が３本設けられ、この出力取出し用リード９にて基板３
の波形処理回路６からの信号が取り出されるようになっ
ている。

【００２１】一方、図１に示すように、ギヤ７は磁性材
料を有する被検出対象となっており、ギヤ７には多数の
歯８が形成されている。そして、ギヤ７の歯８に対向す
るように基板３が配置されている。又、図２に示すよう
に、バイアス磁石２の中心はギヤ７の厚さ方向の中心線
上に位置している。磁気抵抗素子４，５の配置位置は、
ギヤ回転方向に対し直角方向（ギヤ回転方向に対し反時
計回りに９０°回転した方向）となっている。さらに、
磁気抵抗素子４，５の配置位置は、バイアス磁石２の中
心から０．２５〜５．０ｍｍとなっている。

【００２２】つまり、バイアス磁石２の中心から磁気抵
抗素子４，５までの距離は、ギヤ７の厚さｔとバイアス
磁石２の径によって決定されるものであり、後述する磁
気ベクトルの振れが発生する範囲で、かつ、磁気抵抗素
子４，５の飽和磁界強度以上の範囲である。

【００２３】このように、バイアス磁石２〜ギヤ７にて
構成される磁気回路中に、その表面に磁気抵抗素子４，
５が蒸着された基板３が配置され、かつ、基板３は、ギ
ヤ面に対向するバイアス磁石２のＮ極着磁面２ａに平行
に配置されている。そして、図５に示すように、磁気ベ
クトルＢにおけるＮ極着磁面平行成分ベクトルＢ_X に対
し磁気抵抗素子４，５がそれぞれ略４５°になるように
磁気抵抗素子４，５のなす角は略９０°に配置されてい
る。

【００２４】ここで、磁気の検出原理を説明する。本実
施例における磁気抵抗素子４，５が検出する磁気は、磁
気ベクトルＢにおけるＮ極着磁面平行成分ベクトルＢ_X
である。バイアス磁石２のＮ極着磁面２ａに対向するギ
ヤ７がない場合、Ｎ極着磁面平行成分ベクトルＢ_X は図
５に示している方向Ｗとなる。ギヤ７がある場合、ギヤ
７の回転によりギヤ７の歯８に引かれるＮ極着磁面平行
成分ベクトルＢ_X の方向Ｗは、Ｗ１からＷ２の範囲で変
化し、バイアス磁石２の中心を基準としたＮ極着磁面平
行成分ベクトルＢ_X の振れ角（磁気抵抗素子４，５の配
置位置での磁気ベクトルＢ_X の方向変化）は、Δθとな
る。尚、振れ角Δθは、バイアス磁石２と磁気抵抗素子
４，５との距離、および磁気抵抗素子４，５とギヤ７と
の距離に依存する。

【００２５】９０°の角度（Ｗに対し４５°ずつ）に配
置された一対の磁気抵抗素子４，５は、図６に示すよう
に、磁気ベクトルＢにおけるＮ極着磁面平行成分ベクト
ルＢ _X の振れ角Δθを検知してそれぞれ逆相に抵抗変化
をする。この抵抗変化が同一基板上に設置された波形処
理回路６にて二値化され、ギヤ７の歯８に見合ったパル
スを出力する。

【００２６】このとき、実使用域でのギヤ７と磁気抵抗
素子４，５との距離においては抵抗変化波形に波形割れ
は発生しないことが確認できている。以下に、各種の実
験を行ったので、その結果について説明する。

【００２７】図７に示すように、ギヤ７の回転方向と基
板３の磁気抵抗素子４，５とでなす反時計回りでの角度
をθとしたときに、このθを変えたときの磁気抵抗素子
４，５の抵抗変化率の測定を行った。その測定結果を、
図１０，図１１に示す。この測定条件としては、図９に
示すように、バイアス磁石２として希土類系のものを使
用し、径が７ｍｍ，厚さが４ｍｍであり、又、バイアス
磁石２の外周面から０．５ｍｍ離れた位置に磁気抵抗素
子４，５を配置している。又、図１０には、ギヤ７の径
を７５ｍｍ、ギヤ７の歯８の数を「４８」、ギヤ７の厚
さを１０ｍｍとした場合の測定結果を示す。又、図１１
にはギヤ７の径を８５ｍｍ、ギヤ７の歯８の数を「４
８」、ギヤ７の厚さを３ｍｍとした場合の測定結果を示
す。さらに、図１０，１１においては、図１に示すよう
に、磁気抵抗素子４，５とギヤ７との距離Ｌを、０．５
ｍｍ，１．０ｍｍ，１．５ｍｍと変えた実験結果を示
す。

【００２８】この図１０，１１から、θ＝０〜３６０°
において０，１８０°，３６０°以外であれば、抵抗変
化率が得られる。又、波形処理回路６の検出限界が抵抗
変化率で０．２％程度とすると、約３０°＜θ＜１５０
°及び約２１０°＜θ＜３３０°にてギヤ検出に必要な
抵抗変化率が得られることが分かった。さらに、抵抗変
化率が最も大きな値をとるのは、θ＝９０及び２７０°
であることが確認できた。つまり、図８に示すように、
θ＝９０°とすれば、最大の抵抗変化率を得ることがで
きる。

【００２９】このように、パッケージングや組み付け時
のエアギャップ（磁気抵抗素子４，５とギヤ７との距離
Ｌ）の取付け誤差を考慮すると、約３０°＜θ＜１５０
°あるいは約２１０°＜θ＜３３０°となるように、ギ
ヤ７に対し支持板１（磁気抵抗素子４，５）を配置とす
ればよいことが分かった。

【００３０】従って、図２では、磁気抵抗素子４，５の
配置位置は、ギヤ回転方向に対し直角（θ＝９０°）と
しているが、３０°＜θ＜１５０°あるいは２１０°＜
θ＜３３０°の範囲で実施してもよい。

【００３１】次に、図１２に示すように、バイアス磁石
２のＮ極着磁面から１．２ｍｍ離れた位置Ｐ２でのＮ極
着磁面平行成分ベクトルＢ_X とＮ極着磁面垂直成分ベク
トルＢ_Y の測定結果を、図１４に示す。ここで、図１２
に示すように、バイアス磁石２として、外径が７ｍｍ、
厚さが４ｍｍのものを使用している。そして、バイアス
磁石２の中心を基準位置とし、バイアス磁石２の中心か
ら半径方向の距離を図１４の横軸にとり、Ｎ極着磁面平
行成分ベクトルＢ_X の磁力とＮ極着磁面垂直成分ベクト
ルＢ_Y の磁力とを縦軸にとっている。

【００３２】この図１４から、Ｎ極着磁面平行成分ベク
トルＢ_X の強さは、バイアス磁石２の中心で「０」とな
り最も弱く、中心から離れるにつれて強くなりバイアス
磁石２の外周面で最大値をとり、バイアス磁石２の外周
面よりも遠ざかると徐々に弱くなる。そして、Ｎ極着磁
面平行成分ベクトルＢ_X の磁力が±１００ガウスより小
さくなるのは、バイアス磁石２の中心から±０．２５ｍ
ｍ以内の範囲である。換言すれば、バイアス磁石２の中
心から±０．２５ｍｍ以内の範囲から外れれば、±１０
０ガウス以上の磁力となる。

【００３３】一方、Ｎ極着磁面垂直成分ベクトルＢ_Y の
磁力は、バイアス磁石２の中心で最大値をとり、中心か
ら離れるにつれて弱くなる。そして、バイアス磁石２の
中心から＋５．０ｍｍ以上離れると＋１００ガウスより
小さくなる。

【００３４】よって、Ｎ極着磁面平行成分ベクトルＢ_X
とＮ極着磁面垂直成分ベクトルＢ_Yが共に１００ガウス
以上となり、磁気抵抗素子４，５が飽和磁界強度以上と
なるためには、磁気抵抗素子４，５をバイアス磁石２の
中心から０．２５ｍｍ以上離し、かつ、バイアス磁石２
の外周面から１．５ｍｍ以内にする必要がある。

【００３５】さらに、図１５には、図１３に示すように
バイアス磁石２の外周面を基準位置とし、ギヤ７の径を
８５ｍｍ、ギヤ７の歯８の数を「４８」、θ＝０とした
場合において、バイアス磁石２のＮ極着磁面から距離
（エアギャップ）を横軸にとり、抵抗変化率を縦軸にと
り、磁気抵抗素子４，５を基準位置から半径方向に距離
を変えた場合の測定結果を示す。

【００３６】この図１５から、磁気抵抗素子４，５の取
付け位置としてバイアス磁石２の外周面付近（＋０．５
ｍｍ〜−１．５ｍｍ）であれば十分に必要な抵抗変化率
を得ることができ、取付けの許容範囲が広いことがわか
った。

【００３７】従って、図２においては、磁気抵抗素子
４，５の設置位置はバイアス磁石２（直径７ｍｍ）の中
心から０．２５〜５ｍｍという範囲にしたが、バイアス
磁石２の中心から３．５ｍｍのバイアス磁石２の外周面
付近に規定してもよい。この場合には、その位置が多少
ズレても必要とされる抵抗変化率を得ることができる。

【００３８】図１６，１７には、各種のバイアス磁石を
用いた場合におけるＮ極着磁面平行成分ベクトルＢ
_X （図１６）およびＮ極着磁面垂直成分ベクトルＢ
_Y （図１７）の磁力の測定結果を示す。尚、その測定条
件は、図１４の測定結果を得る際の条件と同一であり、
図１６，１７における横軸にはバイアス磁石の中心から
の距離をとっている。

【００３９】このように本実施例によれば、磁気抵抗素
子４，５を、バイアス磁石２のＮ極着磁面に平行に配置
するとともに、バイアス磁界におけるバイアス磁石２の
Ｎ極着磁面に平行であって、かつ外周側へ向かう磁気ベ
クトルＢ_X に対して所定角度（略９０度）傾けて配置
し、磁気ベクトルＢ_X の変化を検出するようにした。よ
って、基板３をバイアス磁石２のＮ極着磁面に垂直に配
置する場合には構造上センサが着磁面に垂直な方向に大
きくなってしまっていたが、磁気抵抗素子４，５をバイ
アス磁石２のＮ極着磁面に平行に配置したので、小型化
を図ることができる。つまり、基板３をＮ極着磁面に平
行に配置することにより基板３をＮ極着磁面に垂直に配
置するものよりも、構造上、着磁面に垂直な方向に小さ
くすることができる。又、図２１に示した従来の装置に
おいては、基板２０をバイアス磁石２３の着磁面２３ａ
に垂直に保持するための工夫が必要であったが、本実施
例ではバイアス磁石２と支持板１と基板３をそれぞれ平
行に配置するので接着剤などで容易に保持でき、組み付
けも簡単に精度もよくすることができる。

【００４０】さらに、磁気抵抗素子４，５をバイアス磁
界におけるバイアス磁石２のＮ極着磁面に平行かつ外周
側へ向かう磁気ベクトルＢ_X に対して所定角度（略９０
度）傾けて配置したので、抵抗変化波形の波形割れが防
止される。特に、磁気抵抗素子４，５を磁気ベクトルＢ
_X に対して略４５度傾けて配置したので、抵抗変化率が
ベクトルの振れに対して最大値を示すこととなり、抵抗
変化率を大きくすることができる。

【００４１】又、ギヤ７の回転方向に対し磁気抵抗素子
４，５を３０〜１５０度あるいは２１０〜３３０度回転
した位置に配置したので、抵抗変化率が大きくなり、確
実に抵抗変化率を確保することができる。

【００４２】さらに、ギヤ７の回転方向に対し磁気抵抗
素子４，５を９０度あるいは２７０度回転した位置に配
置したので、さらに抵抗変化率が大きくなる。又、磁気
抵抗素子４，５の配置位置として、バイアス磁石２の中
心から必要なベクトルＢ_X が得られるだけ離れて、かつ
バイアス磁石２の外周から必要なベクトルＢ_Y が得られ
るように離れすぎない範囲、即ち、バイアス磁石２の中
心から０．２５ｍｍ以上離れて外周面から１．５ｍｍ以
上離れない範囲とした。よって、磁界強度が磁気抵抗素
子４，５の飽和磁界強度以上（Ｂ_X ，Ｂ_Y とも１００ガ
ウス以上）あり、ギヤ７の回転による磁気ベクトルＢ_X
の変化が得られる。

【００４３】特に、バイアス磁石２の外周面付近に磁気
抵抗素子４，５を配置することにより取付けの際に多少
の位置ズレがあっても十分な抵抗変化率が得られる。
又、図５に示すように、２つの磁気抵抗素子４，５を所
定の磁気ベクトルに対して近接配置して所定の磁気ベク
トルの変化を検出するようにしているので、磁気ベクト
ルの変化を安定して検出することができるとともに、一
つの基板上に磁気抵抗素子を形成する場合に基板面積を
小さくできる。

【００４４】この発明の他の態様を以下に説明する。上
記実施例では図５に示したように磁気抵抗素子４，５を
磁気ベクトルＢ_X の方向（Ｗ）に対し略プラス・マイナ
ス４５°の方向に延びるように配置したが、４５°でな
くてもよく、例えば、図１８に示すように、磁気ベクト
ルＢ_X の方向（Ｗ）に対し磁気抵抗素子４，５をプラス
・マイナス６０°の方向に延びるように配置したり、図
１９に示すように、磁気ベクトルＢ_X の方向（Ｗ）に対
し磁気抵抗素子４，５をプラス・マイナス１３５°の方
向に延びるように配置したり、さらには、図２０に示す
ように、磁気ベクトルＢ_X の方向（Ｗ）に対し磁気抵抗
素子４，５を互いに異なる角度で配置してもよい（図２
０では磁気抵抗素子４を４５°で、磁気抵抗素子５を６
０°で配置している）。尚、図１９に示すように、磁気
ベクトルＢ_X の方向（Ｗ）に対し磁気抵抗素子４，５を
プラス・マイナス１３５°の方向に延びるように配置す
るということは、磁気ベクトルＢ_X と磁気抵抗素子４，
５とでなす角度が４５°となっていることを意味し、磁
気抵抗素子４，５を磁気ベクトルＢ_X に対して４５度傾
けて配置したこととなる。

【００４５】即ち、本発明は、特開平３−１９５９７０
号公報に示されている磁気検出装置と同等の思想を適用
したものであって、磁気抵抗素子の形成面に平行な面内
にて変化する磁気ベクトルを検出するようにすること
で、抵抗変化によって得られる検出信号を波形処理回路
６にて２値化するとき、被検出体と磁気検出素子との間
のエアギャップが狭まった際に出力パルスが倍になって
しまうという波形割れ現象を防止できるようにしたもの
である。従って、上記実施例において、磁気抵抗素子
４，５と磁気ベクトルＢ_X の方向（同一径方向）との角
度が４５°でなくてもよく、被検出体の動きに応じて変
化する磁気ベクトルとなす角度が異なるように、磁気抵
抗素子４と５を配置するようにすればよい。ただ、上記
公報にもあるように、図５に示すように方向Ｗを中心と
して磁気ベクトルＢ_X がＷ１からＷ２の範囲で振れる場
合、前記角度を４５°（あるいは１３５°）とすると、
磁気抵抗素子の抵抗変化率が最も大きいため、４５°配
置にすることが最もよい。さらに、磁気抵抗素子４と５
とのなす角度が９０°となるため、２つの磁気抵抗素子
の抵抗変化の方向が逆位相となり、出力電圧が最も大き
くとれるようになる。

【００４６】又、上記実施例ではバイアス磁石２のＮ極
着磁面をギヤ１に対向させ、バイアス磁石２の外周側へ
向かう磁気ベクトルＢ_X を用いて磁気検出を行ったが、
バイアス磁石２のＳ極着磁面を被検出対象（ギヤ１）に
対向させ、バイアス磁石２の外周側から着磁面の中央へ
向かう磁気ベクトルを用いて磁気検出を行ってもよい。
即ち、磁気抵抗素子４，５を、バイアス磁石２の着磁面
に平行に配置するとともに、被検出対象に対向するバイ
アス磁石の着磁面に平行でかつ外周側から内方へ向かう
磁気ベクトルに対して所定角度傾けて配置し、前記磁気
ベクトルの変化を検出するようにしてもよい。

【００４７】又、上記実施例ではバイアス磁石として、
円柱形のものを用いたが、バイアス磁石の形状として他
の形状のものでもよく、磁石中心から外周側に磁気ベク
トルが発生しているものならばよい。

【００４８】

【発明の効果】以上詳述したように請求項１に記載の発
明によれば、小型化することができるとともに抵抗変化
波形の波形割れを防止できる。

【００４９】請求項２に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の効果に加え、抵抗変化率を大きくするこ
とができる。請求項３に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の効果に加え、抵抗変化率を大きくでき
る。

【００５０】請求項４に記載の発明によれば、請求項１
〜３のいずれか１項に記載の発明の効果に加え、さらに
抵抗変化率を大きくできる。請求項５に記載の発明によ
れば、請求項１〜４のいずれか１項に記載の発明の効果
に加え、磁気抵抗素子の設置位置が多少ズレても十分な
抵抗変化率が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例の磁気回転検出装置の平面図。

【図２】図１のＡ矢視図。

【図３】バイアス磁石の磁力線を示す側面図。

【図４】図３のＢ矢視図。

【図５】基板の平面図。

【図６】作用を説明するための波形図。

【図７】ギヤと磁気抵抗素子との配置関係を説明するた
めの説明図。

【図８】ギヤと磁気抵抗素子との配置関係を説明するた
めの説明図。

【図９】バイアス磁石と磁気抵抗素子との配置を示す配
置図。

【図１０】素子配置角θに対する抵抗変化率の測定結果
を示すグラフ。

【図１１】素子配置角θに対する抵抗変化率の測定結果
を示すグラフ。

【図１２】バイアス磁石の側面図。

【図１３】バイアス磁石の側面図。

【図１４】磁石中心からの距離に対する磁力の測定結果
を示すグラフ。

【図１５】エアギャップに対する抵抗変化率の測定結果
を示すグラフ。

【図１６】磁石中心からの距離に対するＢ_X 磁力の測定
結果を示すグラフ。

【図１７】磁石中心からの距離に対するＢ_Y 磁力の測定
結果を示すグラフ。

【図１８】別例の基板平面図。

【図１９】別例の基板平面図。

【図２０】別例の基板平面図。

【図２１】従来の回転センサの平面図。

【符号の説明】

２…バイアス磁石、３…基板、４，５…磁気抵抗素子、
７…被検出対象としてのギヤ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 牧野 泰明 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装 株式会社内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 着磁面が磁性材料を有する被検出対象に
   対向し、当該被検出対象に向けてバイアス磁界を発生す
   るバイアス磁石と、 前記バイアス磁界中に配置された磁気抵抗素子とを備
   え、 前記磁気抵抗素子にて前記被検出対象の運動に伴う前記
   バイアス磁石から前記被検出対象へのバイアス磁界の変
   化により抵抗変化を生じさせるようにした磁気検出装置
   において、 前記磁気抵抗素子を、前記バイアス磁石の着磁面に平行
   に配置するとともに、前記バイアス磁界における前記バ
   イアス磁石の着磁面に平行であって、かつ外周側へ向か
   う磁気ベクトルあるいは外周側から内方へ向かう磁気ベ
   クトルに対して所定角度傾けて配置し、前記磁気ベクト
   ルの変化を検出するようにしたことを特徴とする磁気検
   出装置。
2. 【請求項２】 前記磁気抵抗素子を前記磁気ベクトルに
   対して略４５度傾けて配置したことを特徴とする請求項
   １に記載の磁気検出装置。
3. 【請求項３】 前記被検出対象の運動方向に対し前記磁
   気抵抗素子を３０〜１５０度あるいは２１０〜３３０度
   回転した位置に配置したことを特徴とする請求項１また
   は２に記載の磁気検出装置。
4. 【請求項４】 前記被検出対象の運動方向に対し前記磁
   気抵抗素子を９０度あるいは２７０度回転した位置に配
   置したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に
   記載の磁気検出装置。
5. 【請求項５】 前記磁気抵抗素子をバイアス磁石の外周
   面付近に配置したことを特徴とする請求項１〜４のいず
   れか１項に記載の磁気検出装置。