JPH07297327A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH07297327A JPH07297327A JP6089497A JP8949794A JPH07297327A JP H07297327 A JPH07297327 A JP H07297327A JP 6089497 A JP6089497 A JP 6089497A JP 8949794 A JP8949794 A JP 8949794A JP H07297327 A JPH07297327 A JP H07297327A
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- JP
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- heat
- semiconductor device
- heat sink
- semiconductor chip
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
- H05K7/2039—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating characterised by the heat transfer by conduction from the heat generating element to a dissipating body
- H05K7/20509—Multiple-component heat spreaders; Multi-component heat-conducting support plates; Multi-component non-closed heat-conducting structures
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、ヒートシンクが設けられてなるセラ
ミックパッケージ装置において、十分な放熱効果が期待
でき、実装スペースの変化にも柔軟に対応できるように
することを最も主要な特徴とする。 【構成】たとえば、ＰＧＡの放熱のためのヒートシンク
１２を、複数本の細い純銅線１２ａの一端を半田１２ｂ
により固着させ、それぞれの他端を放射状に拡げて形成
する。そして、このヒートシンク１２を、ＰＧＡのセラ
ミックケース１１の表面に上記半田１２ｂにより固着さ
せてなる構成とされている。
ミックパッケージ装置において、十分な放熱効果が期待
でき、実装スペースの変化にも柔軟に対応できるように
することを最も主要な特徴とする。 【構成】たとえば、ＰＧＡの放熱のためのヒートシンク
１２を、複数本の細い純銅線１２ａの一端を半田１２ｂ
により固着させ、それぞれの他端を放射状に拡げて形成
する。そして、このヒートシンク１２を、ＰＧＡのセラ
ミックケース１１の表面に上記半田１２ｂにより固着さ
せてなる構成とされている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、たとえば放熱体を設
けてなる半導体装置およびその製造方法に関するもの
で、特にセラミックパッケージ装置などに用いられるも
のである。
けてなる半導体装置およびその製造方法に関するもの
で、特にセラミックパッケージ装置などに用いられるも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、発熱が問題となる、たとえばセラ
ミックパッケージ装置の場合、図３に示すように、パッ
ケージ１上にヒートシンク２を設けることで、発熱の問
題を解決している。
ミックパッケージ装置の場合、図３に示すように、パッ
ケージ１上にヒートシンク２を設けることで、発熱の問
題を解決している。
【０００３】セラミックパッケージ装置に用いられるヒ
ートシンクとしては、図に示したような、機械的加工に
より形成された下駄歯形状のもののほか、円板形状のも
のが一般的となっている。また、多数の円柱形状体を林
立してなるヒートシンクも考案されている。
ートシンクとしては、図に示したような、機械的加工に
より形成された下駄歯形状のもののほか、円板形状のも
のが一般的となっている。また、多数の円柱形状体を林
立してなるヒートシンクも考案されている。
【０００４】しかしながら、ヒートシンクは、その表面
積が放熱効果に影響するため、ある程度の放熱効果を得
ようとする場合には大型化が避けられないという問題が
あった。
積が放熱効果に影響するため、ある程度の放熱効果を得
ようとする場合には大型化が避けられないという問題が
あった。
【０００５】また、十分な放熱効果を得ようとする場合
にはヒートシンクの表面積をかせぐ必要がある反面、セ
ラミックパッケージの実装スペースによってはヒートシ
ンクの表面積を必要以上にかせぐことができず、したが
って十分な放熱効果を得るのがむずかしという問題があ
った。
にはヒートシンクの表面積をかせぐ必要がある反面、セ
ラミックパッケージの実装スペースによってはヒートシ
ンクの表面積を必要以上にかせぐことができず、したが
って十分な放熱効果を得るのがむずかしという問題があ
った。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、ある程度の放熱効果を得ようとする場合に
はヒートシンクの大型化が避けられない反面、実装スペ
ースによってはヒートシンクの表面積を十分にかせぐこ
とができないなどの問題があった。
においては、ある程度の放熱効果を得ようとする場合に
はヒートシンクの大型化が避けられない反面、実装スペ
ースによってはヒートシンクの表面積を十分にかせぐこ
とができないなどの問題があった。
【０００７】そこで、この発明は、十分な放熱効果が期
待でき、実装スペースの変化にも柔軟に対応することが
可能な半導体装置およびその製造方法を提供することを
目的としている。
待でき、実装スペースの変化にも柔軟に対応することが
可能な半導体装置およびその製造方法を提供することを
目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の半導体装置にあっては、半導体チップ
を収納する外囲器の表面上に、放熱性の優れた金属細線
の集合体よりなる放熱体を設けた構成とされている。
めに、この発明の半導体装置にあっては、半導体チップ
を収納する外囲器の表面上に、放熱性の優れた金属細線
の集合体よりなる放熱体を設けた構成とされている。
【０００９】また、この発明の半導体装置にあっては、
半導体チップを収納する外囲器の表面上に、複数の、放
熱性の優れた金属細線の一端を束ねて固着し、他端を放
射状に配置してなる放熱体を設けた構成とされている。
半導体チップを収納する外囲器の表面上に、複数の、放
熱性の優れた金属細線の一端を束ねて固着し、他端を放
射状に配置してなる放熱体を設けた構成とされている。
【００１０】さらに、この発明の半導体装置にあって
は、半導体チップを収納する外囲器の表面上に、放熱性
の優れた金属細線を金属タワシ状に形成してなる放熱体
を設けた構成とされている。
は、半導体チップを収納する外囲器の表面上に、放熱性
の優れた金属細線を金属タワシ状に形成してなる放熱体
を設けた構成とされている。
【００１１】同じく、この発明の半導体装置の製造方法
にあっては、半導体チップを収納する外囲器の表面上
に、放熱性の優れた金属細線の集合体よりなる放熱体を
固着剤により固着するようになっている。
にあっては、半導体チップを収納する外囲器の表面上
に、放熱性の優れた金属細線の集合体よりなる放熱体を
固着剤により固着するようになっている。
【００１２】また、この発明の半導体装置の製造方法に
あっては、半導体チップを収納する外囲器の表面上に、
複数の、放熱性の優れた金属細線の一端を束ねて固着剤
により固着し、その金属細線の他端を所定の長さに揃え
て切断した後、放射状に配置して放熱体を形成するよう
になっている。
あっては、半導体チップを収納する外囲器の表面上に、
複数の、放熱性の優れた金属細線の一端を束ねて固着剤
により固着し、その金属細線の他端を所定の長さに揃え
て切断した後、放射状に配置して放熱体を形成するよう
になっている。
【００１３】さらに、この発明の半導体装置の製造方法
にあっては、半導体チップを収納する外囲器の表面上
に、放熱性の優れた金属細線を金属タワシ状に形成して
なる放熱体を固着剤により固着するようになっている。
にあっては、半導体チップを収納する外囲器の表面上
に、放熱性の優れた金属細線を金属タワシ状に形成して
なる放熱体を固着剤により固着するようになっている。
【００１４】
【作用】この発明は、上記した手段により、同一体積あ
たりの表面積を増加できるようになるため、その分だけ
放熱効果またはコンパクト性を向上することが可能とな
るものである。また、上記した手段により、柔軟性をも
って形成できるようになるため、容易に変形させること
が可能となるものである。
たりの表面積を増加できるようになるため、その分だけ
放熱効果またはコンパクト性を向上することが可能とな
るものである。また、上記した手段により、柔軟性をも
って形成できるようになるため、容易に変形させること
が可能となるものである。
【００１５】
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
して説明する。図１は、第１の実施例にかかるセラミッ
クパッケージ装置の概略構成を示すものである。なお、
同図（ａ）はセラミックパッケージ装置の概略構成を示
す外観斜視図であり、同図（ｂ）は同じく断面図であ
る。
して説明する。図１は、第１の実施例にかかるセラミッ
クパッケージ装置の概略構成を示すものである。なお、
同図（ａ）はセラミックパッケージ装置の概略構成を示
す外観斜視図であり、同図（ｂ）は同じく断面図であ
る。
【００１６】すなわち、このセラミックパッケージ装置
は、たとえばＰＧＡ（Ｐｉｎ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）
のパッケージ（外囲器）を形成するセラミックケース１
１の表面に、放熱体としてのヒートシンク１２が設けら
れた構成とされている。
は、たとえばＰＧＡ（Ｐｉｎ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）
のパッケージ（外囲器）を形成するセラミックケース１
１の表面に、放熱体としてのヒートシンク１２が設けら
れた構成とされている。
【００１７】ＰＧＡは、たとえば上記セラミックケース
１１内に半導体チップ１３を収納してなり、その裏面よ
り、多数のリード端子１４が並んで突き出した構成とさ
れている。
１１内に半導体チップ１３を収納してなり、その裏面よ
り、多数のリード端子１４が並んで突き出した構成とさ
れている。
【００１８】ＰＧＡの、各リード端子１４は、半導体チ
ップ１３上の電極パッド（図示していない）のそれぞれ
と、ボンディングワイヤ１５を介して電気的に接続され
ている。
ップ１３上の電極パッド（図示していない）のそれぞれ
と、ボンディングワイヤ１５を介して電気的に接続され
ている。
【００１９】ヒートシンク１２は、たとえば複数本の細
い純銅線（金属細線）１２ａの一端を固着剤としての半
田１２ｂによりまとめ、それぞれの他端を放射状に拡げ
てなる構成とされている。
い純銅線（金属細線）１２ａの一端を固着剤としての半
田１２ｂによりまとめ、それぞれの他端を放射状に拡げ
てなる構成とされている。
【００２０】このヒートシンク１２は、たとえば上記半
田１２ｂにより、ＰＧＡのセラミックケース１１の表面
に固着されるようになっている。ここで、ヒートシンク
１２の形成方法について説明する。
田１２ｂにより、ＰＧＡのセラミックケース１１の表面
に固着されるようになっている。ここで、ヒートシンク
１２の形成方法について説明する。
【００２１】たとえば、複数本の純銅線１２ａの一端
が、束ねられるようにして半田１２ｂに固着される。そ
して、それぞれの純銅線１２ａが所定の長さに揃えられ
て切断された後、各純銅線１２ａの他端が放射状に拡げ
られる。
が、束ねられるようにして半田１２ｂに固着される。そ
して、それぞれの純銅線１２ａが所定の長さに揃えられ
て切断された後、各純銅線１２ａの他端が放射状に拡げ
られる。
【００２２】このようにして形成されるヒートシンク１
２は、半田１２ｂにより固着させる純銅線１２ａの本数
を増やし、できるだけ密に固着させることにより、その
表面積をかせぐことが可能となる。
２は、半田１２ｂにより固着させる純銅線１２ａの本数
を増やし、できるだけ密に固着させることにより、その
表面積をかせぐことが可能となる。
【００２３】すなわち、このヒートシンク１２の場合、
純銅線１２ａの本数を増やすことにより、同一体積あた
りの表面積を容易に増加することができる。これによ
り、従来の下駄歯構造のヒートシンクなどに比して、簡
単に、かつ格段に、その表面積を増大させることが可能
となる。したがって、熱抵抗を低下できるとともに、よ
り高い放熱効果が得られるようになるものである。
純銅線１２ａの本数を増やすことにより、同一体積あた
りの表面積を容易に増加することができる。これによ
り、従来の下駄歯構造のヒートシンクなどに比して、簡
単に、かつ格段に、その表面積を増大させることが可能
となる。したがって、熱抵抗を低下できるとともに、よ
り高い放熱効果が得られるようになるものである。
【００２４】しかも、半田１２ｂに固着させる純銅線１
２ａの本数や長さに応じて、ヒートシンク１２の表面積
を自由に変えることができるものであり、放熱効果の調
整が容易に可能である。
２ａの本数や長さに応じて、ヒートシンク１２の表面積
を自由に変えることができるものであり、放熱効果の調
整が容易に可能である。
【００２５】また、純銅線１２ａは柔軟性を有するもの
であるため、セラミックパッケージ装置の実装スペース
に応じて容易に変形できる。たとえば、実装スペースに
高さ方向の余裕がある場合には放射の角度を狭め、ま
た、横方向に余裕がある場合には逆に放射の角度を拡げ
るなど、実装性をも向上し得る。
であるため、セラミックパッケージ装置の実装スペース
に応じて容易に変形できる。たとえば、実装スペースに
高さ方向の余裕がある場合には放射の角度を狭め、ま
た、横方向に余裕がある場合には逆に放射の角度を拡げ
るなど、実装性をも向上し得る。
【００２６】なお、あらかじめ所定の長さに切り揃えら
れた複数本の純銅線１２ａの一端を半田１２ｂにより固
着させた後、他端を放射状に拡げることによっても同様
に形成できる。
れた複数本の純銅線１２ａの一端を半田１２ｂにより固
着させた後、他端を放射状に拡げることによっても同様
に形成できる。
【００２７】図２は、第２の実施例にかかるセラミック
パッケージ装置の概略構成を示すものである。なお、同
図（ａ）はセラミックパッケージ装置の概略構成を示す
外観斜視図であり、同図（ｂ）は同じく断面図である。
パッケージ装置の概略構成を示すものである。なお、同
図（ａ）はセラミックパッケージ装置の概略構成を示す
外観斜視図であり、同図（ｂ）は同じく断面図である。
【００２８】すなわち、このセラミックパッケージ装置
は、たとえばＰＧＡのパッケージを形成するセラミック
ケース１１の表面に、放熱体としてのヒートシンク２２
が設けられた構成とされている。
は、たとえばＰＧＡのパッケージを形成するセラミック
ケース１１の表面に、放熱体としてのヒートシンク２２
が設けられた構成とされている。
【００２９】ＰＧＡは、たとえば上記セラミックケース
１１内に半導体チップ１３を収納してなり、その裏面よ
り、多数のリード端子１４が並んで突き出した構成とさ
れている。
１１内に半導体チップ１３を収納してなり、その裏面よ
り、多数のリード端子１４が並んで突き出した構成とさ
れている。
【００３０】ＰＧＡの、各リード端子１４は、半導体チ
ップ１３上の電極パッド（図示していない）のそれぞれ
と、ボンディングワイヤ１５を介して電気的に接続され
ている。
ップ１３上の電極パッド（図示していない）のそれぞれ
と、ボンディングワイヤ１５を介して電気的に接続され
ている。
【００３１】ヒートシンク２２は、たとえば細い純銅線
（金属細線）２２ａがくちゃくちゃに丸められて、所
謂、金属タワシ状に形成されてなり、固着剤としての半
田２２ｂを介して、上記ＰＧＡのセラミックケース１１
の表面に固着されるようになっている。
（金属細線）２２ａがくちゃくちゃに丸められて、所
謂、金属タワシ状に形成されてなり、固着剤としての半
田２２ｂを介して、上記ＰＧＡのセラミックケース１１
の表面に固着されるようになっている。
【００３２】ここで、ヒートシンク２２の形成方法につ
いて説明する。たとえば、細くて長い純銅線２２ａが不
規則的にまとめられて、金属タワシ状に形成される。こ
の場合、長い純銅線２２ａを、細い穴を通して所定形状
のケース（図示していない）内に押し込んでくちゃくち
ゃに丸めたり、純銅製の円柱体を細長く削るなどするこ
とによって形成できる。
いて説明する。たとえば、細くて長い純銅線２２ａが不
規則的にまとめられて、金属タワシ状に形成される。こ
の場合、長い純銅線２２ａを、細い穴を通して所定形状
のケース（図示していない）内に押し込んでくちゃくち
ゃに丸めたり、純銅製の円柱体を細長く削るなどするこ
とによって形成できる。
【００３３】こうして、所定長の純銅線２２ａによって
形成された純銅線２２ａのかたまりが、半田２２ｂによ
り固着される。このようにして形成されるヒートシンク
２２は、純銅線２２ａの長さを延ばし、できるだけ密に
まとめることにより、その表面積をかせぐことが可能と
なる。
形成された純銅線２２ａのかたまりが、半田２２ｂによ
り固着される。このようにして形成されるヒートシンク
２２は、純銅線２２ａの長さを延ばし、できるだけ密に
まとめることにより、その表面積をかせぐことが可能と
なる。
【００３４】すなわち、このヒートシンク２２の場合、
非常に長い純銅線２２ａを用いて小さく形成することに
より、同一体積あたりの表面積を容易に増加することが
できる。これにより、従来の下駄歯構造のヒートシンク
などに比して、簡単に、かつ格段に、その表面積を増大
させることが可能となる。したがって、熱抵抗を低下で
きるとともに、より高い放熱効果が得られるようになる
ものである。
非常に長い純銅線２２ａを用いて小さく形成することに
より、同一体積あたりの表面積を容易に増加することが
できる。これにより、従来の下駄歯構造のヒートシンク
などに比して、簡単に、かつ格段に、その表面積を増大
させることが可能となる。したがって、熱抵抗を低下で
きるとともに、より高い放熱効果が得られるようになる
ものである。
【００３５】しかも、純銅線２２ａの長さに応じて、ヒ
ートシンク２２の表面積を自由に変えることができるも
のであり、放熱効果の調整が容易に可能である。また、
純銅線２２ａは柔軟性を有するものであるため、セラミ
ックパッケージ装置の実装スペースに応じて容易に変形
できる。たとえば、実装スペースに余裕がない場合には
押しつぶして小さくし、逆に、余裕がある場合には拡げ
るなど、実装性をも向上し得る。
ートシンク２２の表面積を自由に変えることができるも
のであり、放熱効果の調整が容易に可能である。また、
純銅線２２ａは柔軟性を有するものであるため、セラミ
ックパッケージ装置の実装スペースに応じて容易に変形
できる。たとえば、実装スペースに余裕がない場合には
押しつぶして小さくし、逆に、余裕がある場合には拡げ
るなど、実装性をも向上し得る。
【００３６】なお、一端があらかじめ半田２２ｂに固着
された複数本の純銅線２２ａをカールしてコイル状に巻
きつけ、それらを１つにまとめることによっても同様に
形成できる。
された複数本の純銅線２２ａをカールしてコイル状に巻
きつけ、それらを１つにまとめることによっても同様に
形成できる。
【００３７】上記したように、同一体積あたりの表面積
を増加できるようにしている。すなわち、細い純銅線を
密にして設けることで、ヒートシンクを形成するように
している。これにより、ヒートシンクの表面積を簡単に
増加できるようになるため、その分だけ放熱効果または
コンパクト性を向上することが可能となる。したがっ
て、大型化を招くことなく、十分な放熱効果が期待でき
るようになるものである。
を増加できるようにしている。すなわち、細い純銅線を
密にして設けることで、ヒートシンクを形成するように
している。これにより、ヒートシンクの表面積を簡単に
増加できるようになるため、その分だけ放熱効果または
コンパクト性を向上することが可能となる。したがっ
て、大型化を招くことなく、十分な放熱効果が期待でき
るようになるものである。
【００３８】また、柔軟性をもって形成できるようにな
るため、容易な変形が可能であり、実装スペースの変化
にも柔軟に対応することが可能となるものである。な
お、上記実施例においては、ＰＧＡを例に説明したが、
これに限らず、たとえば他のセラミックパッケージ装置
や発熱が問題となる各種のパッケージ装置にも同様に適
用できる。
るため、容易な変形が可能であり、実装スペースの変化
にも柔軟に対応することが可能となるものである。な
お、上記実施例においては、ＰＧＡを例に説明したが、
これに限らず、たとえば他のセラミックパッケージ装置
や発熱が問題となる各種のパッケージ装置にも同様に適
用できる。
【００３９】また、金属細線としては純銅線に限らず、
金などの放熱性の優れた細線を用いることもできる。さ
らに、半田の他、導熱性に優れた各種の固着剤を用いる
ことが可能である。その他、この発明の要旨を変えない
範囲において、種々変形実施可能なことは勿論である。
金などの放熱性の優れた細線を用いることもできる。さ
らに、半田の他、導熱性に優れた各種の固着剤を用いる
ことが可能である。その他、この発明の要旨を変えない
範囲において、種々変形実施可能なことは勿論である。
【００４０】
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、十分な放熱効果が期待でき、実装スペースの変化に
も柔軟に対応することが可能な半導体装置およびその製
造方法を提供できる。
ば、十分な放熱効果が期待でき、実装スペースの変化に
も柔軟に対応することが可能な半導体装置およびその製
造方法を提供できる。
【図１】この発明の第１の実施例にかかるセラミックパ
ッケージ装置を概略的に示す構成図。
ッケージ装置を概略的に示す構成図。
【図２】この発明の第２の実施例にかかるセラミックパ
ッケージ装置を概略的に示す構成図。
ッケージ装置を概略的に示す構成図。
【図３】従来技術とその問題点を説明するために示すセ
ラミックパッケージ装置の概略構成図。
ラミックパッケージ装置の概略構成図。
１１…セラミックケース、１２，２２…ヒートシンク、
１２ａ，２２ａ…純銅線、１２ｂ，２２ｂ…半田、１３
…半導体チップ、１４…リード端子、１５…ボンディン
グワイヤ。
１２ａ，２２ａ…純銅線、１２ｂ，２２ｂ…半田、１３
…半導体チップ、１４…リード端子、１５…ボンディン
グワイヤ。
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体チップを収納する外囲器の表面上
に、放熱性の優れた金属細線の集合体よりなる放熱体を
設けたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 半導体チップを収納する外囲器の表面上
に、複数の、放熱性の優れた金属細線の一端を束ねて固
着し、他端を放射状に配置してなる放熱体を設けたこと
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 半導体チップを収納する外囲器の表面上
に、放熱性の優れた金属細線を金属タワシ状に形成して
なる放熱体を設けたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 半導体チップを収納する外囲器の表面上
に、放熱性の優れた金属細線の集合体よりなる放熱体を
固着剤により固着するようにしたことを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項５】 半導体チップを収納する外囲器の表面上
に、複数の、放熱性の優れた金属細線の一端を束ねて固
着剤により固着し、その金属細線の他端を所定の長さに
揃えて切断した後、放射状に配置して放熱体を形成する
ようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 半導体チップを収納する外囲器の表面上
に、放熱性の優れた金属細線を金属タワシ状に形成して
なる放熱体を固着剤により固着するようにしたことを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6089497A JPH07297327A (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6089497A JPH07297327A (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297327A true JPH07297327A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=13972406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6089497A Pending JPH07297327A (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07297327A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005096376A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Jisouken Co., Ltd. | ヒートシンクの製造方法 |
| KR101394205B1 (ko) * | 2010-06-09 | 2014-05-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 패키지 |
-
1994
- 1994-04-27 JP JP6089497A patent/JPH07297327A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005096376A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Jisouken Co., Ltd. | ヒートシンクの製造方法 |
| JPWO2005096376A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2008-02-21 | 株式会社事業創造研究所 | ヒートシンクの製造方法 |
| JP4601610B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-12-22 | 株式会社事業創造研究所 | ヒートシンクの製造方法 |
| KR101394205B1 (ko) * | 2010-06-09 | 2014-05-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 패키지 |
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