JPH0729739A - 積層コイル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高いＱを有する積層コイルを得る。 【構成】 積層コイルはブロック体１１を含む。ブロッ
ク体１１は、複数の絶縁体層１２，１６，２０，２４を
含む。絶縁体層１２および絶縁体層２０に、シールド電
極１４および２２を形成する。絶縁体層１６上に、直線
状のパターン電極１８を形成し、このパターン電極１８
を対向する端部に引き出す。パターン電極１８の引出し
部に接続するように、ブロック体１１の側面に外部電極
を形成する。パターン電極１８とシールド電極１４との
間の絶縁体層１６の厚みを４００μｍ以上にする。同様
に、パターン電極１８とシールド電極２２との間の絶縁
体層２０の厚みを４００μｍ以上にする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は積層コイルに関し、特
に、内部に形成されたパターン電極とそれに対向するシ
ールド電極とを有する積層コイルに関する。

【０００２】

【従来の技術】積層コイルとしては、たとえば内部に線
状のパターン電極とそれに対向する面状のシールド電極
とが形成されたものがある。このような積層コイルは、
セラミックグリーンシート上にパターン電極およびシー
ルド電極の形状に電極ペーストを印刷し、これらのセラ
ミックグリーンシートを積層して焼成することによって
形成される。そして、内部に形成されたパターン電極の
両端に接続されるように、外部電極が形成される。した
がって、これらの外部電極間にインダクタンスが形成さ
れる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな積層コイルでは、パターン電極で発生する磁界がシ
ールド電極によって影響を受け、Ｑが低下してしまう。

【０００４】それゆえに、この発明の主たる目的は、高
いＱを有する積層コイルを提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この発明は、積層される
２つの絶縁体層と、２つの絶縁体層の間に形成される直
線状のパターン電極と、２つの絶縁体層を挟んでパター
ン電極と対向して面状に形成される２つのシールド電極
とを含む積層コイルであって、２つの絶縁体層の厚みを
それぞれ４００μｍ以上にした、積層コイルである。

【０００６】

【作用】絶縁体層の厚みを大きくすることによって、パ
ターン電極で発生する磁界がシールド電極に影響されに
くくなる。特に、直線状のパターン電極を有する積層コ
イルにおいて、絶縁体層の厚みを４００μｍ以上にする
ことによって、積層コイルのＱを１００以上にできるこ
とがわかった。

【０００７】

【発明の効果】この発明によれば、Ｑが１００以上の積
層コイルを得ることができる。そして、この積層コイル
を共振器やフィルタに応用すれば、挿入損失の小さい共
振器やフィルタを得ることができる。

【０００８】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。

【０００９】

【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す斜視図であ
り、図２は図１の線ＩＩ−ＩＩにおける断面図である。
たとえば共振器として使用し得る積層コイル１０はブロ
ック体１１を含む。ブロック体１１は、図３に示すよう
に、第１の絶縁体層１２を含む。第１の絶縁体層１２上
には、そのほぼ全面に第１のシールド電極１４が形成さ
れる。第１のシールド電極１４上には、第２の絶縁体層
１６が形成される。第２の絶縁体層１６上には、パター
ン電極１８が形成される。パターン電極１８は直線状に
形成され、その両端が第２の絶縁体層１６の対向する端
部に引き出される。

【００１０】パターン電極１８上には、第３の絶縁体層
２０が形成される。第３の絶縁体層２０上には、第２の
シールド電極２２が形成される。第２のシールド電極２
２は、第３の絶縁体層２０のほぼ全面に形成される。さ
らに、第２のシールド電極２２上には、第４の絶縁体層
２４が形成される。これらの絶縁体層１２，１６，２
０，２４が一体化されて、ブロック体１１が形成されて
いる。

【００１１】また、ブロック体１１の対向する側面に
は、２つの外部電極２６，２８が形成される。これらの
外部電極２６，２８は、それぞれパターン電極１８の引
き出し部に電気的に接続される。

【００１２】絶縁体層１２，１６，２０，２４の材料と
しては、必要に応じて磁性体材料または誘電体材料が使
用される。そして、第２の絶縁体層１６および第３の絶
縁体層２０の厚みは、それぞれ４００μｍ以上となるよ
うに設定される。なお、第２の絶縁体層１６の厚みと第
３の絶縁体層２０の厚みとは、互いに同じであってもよ
いし、異なっていてもよい。

【００１３】この積層コイル１０を作製するには、図４
に示すように、複数の絶縁体セラミックグリーンシート
３０が準備される。そして、これらの絶縁体セラミック
グリーンシート３０上に、第１のシールド電極１４，パ
ターン電極１８および第２のシールド電極２２の形状に
電極ペースト３２が印刷される。さらに、各電極の形状
に電極ペースト３２を塗布した絶縁体セラミックグリー
ンシート３０間に、ダミー用の絶縁体セラミックグリー
ンシート３０が挟み込まれる。ダミー用の絶縁体セラミ
ックグリーンシート３０は、第２の絶縁体層１６および
第３の絶縁体層２０の厚みが得られるように、必要枚数
挟み込まれる。さらに、パターン電極用の電極ペースト
３２の露出部に接続するように、外部電極２６，２８の
形状に電極ペースト３２を塗布し、焼成することによっ
て、積層コイル１０が作製される。なお、内部電極用の
電極ペーストを印刷した絶縁体セラミックグリーンシー
トを積層後焼成してブロック体１１を形成し、このブロ
ック体１１の側面に外部電極用の電極ペーストを焼き付
けてもよい。この外部電極の形成方法は、他の公知の方
法も援用できる。

【００１４】このようにして得られた積層コイル１０で
は、外部電極２６，２８間にインダクタンスが形成され
る。この積層コイル１０について、第２の絶縁体層１６
および第３の絶縁体層２０の厚みを変えて、１ＧＨｚの
周波数におけるＱを測定した。そして、その結果を図５
に示した。図５からわかるように、絶縁体層１６および
２０の厚みが３００μｍ以下では、Ｑの値が１００未満
になってしまう。それに対して、絶縁体層１６および２
０の厚みが４００μｍ以上であると、Ｑの値を１００以
上にすることができる。このように、絶縁体層１６およ
び２０の厚みを４００μｍ以上にすれば、高いＱを得る
ことができる。しかも、必要なＱ値を確保しながら絶縁
体層１６および２０を最小の厚みにすることにより、積
層コイル１０を必要以上に大きくすることなく、小型化
することができる。さらに、積層コイル１０を作製する
ときに、必要以上に絶縁体セラミックグリーンシートを
使う必要がなく、安価な積層コイルを得ることができ
る。

【００１５】図６は、この発明の積層コイルをバンドパ
スフィルタに応用した例を示す分解斜視図である。バン
ドパスフィルタ４０は、第１の誘電体層４２を含む。第
１の誘電体層４２上には、ほぼ全面に第１のシールド電
極（アース電極）１４が形成される。第１のシールド電
極１４には、３つの引出し部１４ａ，１４ｂ，１４ｃが
形成される。これらの引出し部１４ａ，１４ｂ，１４ｃ
は、第１の誘電体層４２の対向する端部に引き出され
る。２つの引出し部１４ａ，１４ｂは、第１の誘電体層
４２の一端側に、間隔を隔てて引き出される。そして、
別の引出し部１４ｃは、第１の誘電体層４２の他端側に
引き出される。

【００１６】第１のシールド電極１４上には、第２の誘
電体層４４が形成される。第２の誘電体層４４上には、
２つの直線状のパターン電極１８ａ，１８ｂが形成され
る。これらのパターン電極１８ａ，１８ｂと第１のシー
ルド電極１４との間隔は、４００μｍ以上になるように
設定される。これらのパターン電極１８ａ，１８ｂは、
第２の誘電体層４４の対向する端部に引き出される。こ
のとき、パターン電極１８ａ，１８ｂの一端は、第１の
シールド電極１４の引出し部１４ａ，１４ｂに対応する
位置に引き出される。パターン電極１８ａ，１８ｂ上に
は、第３の誘電体層４６が形成される。第３の誘電体層
４６上には、第１のコンデンサ用電極４８および第２の
コンデンサ用電極５０が形成される。コンデンサ用電極
４８，５０は、第３の誘電体層４６上で間隔を隔てて形
成され、それぞれが接続電極５２で接続される。

【００１７】２つのコンデンサ用電極４８，５０上に
は、第４の誘電体層５４が形成される。第４の誘電体層
５４上には、第３のコンデンサ用電極５６および第４の
コンデンサ用電極５８が形成される。第３のコンデンサ
用電極５６は、第１のコンデンサ用電極４８に対向する
ように形成される。また、第４のコンデンサ用電極５８
は、第２のコンデンサ用電極５０に対向するように形成
される。第３のコンデンサ用電極５６および第４のコン
デンサ用電極５８は、パターン電極１８ａ，１８ｂが引
き出されていない両端部に引き出される。

【００１８】２つのコンデンサ用電極５６，５８上に
は、第５の誘電体層６０が形成される。第５の誘電体層
６０上には、第５のコンデンサ用電極６２および第６の
コンデンサ用電極６４が形成される。第５のコンデンサ
用電極６２は、第３のコンデンサ用電極５６に対向する
ように形成される。また、第６のコンデンサ用電極６４
は、第４のコンデンサ用電極５８に対向するように形成
される。２つのコンデンサ用電極６２，６４は、パター
ン電極１８ａ，１８ｂの他端側に対応する位置に引き出
される。

【００１９】２つのコンデンサ用電極６２，６４上に
は、第６の誘電体層６６が形成される。第６の誘電体層
６６上には、第２のシールド電極（アース電極）２２が
形成される。第２のシールド電極２２は、第６の誘電体
層６６のほぼ全面に形成される。そして、第１のシール
ド電極１４の引出し部１４ａ，１４ｂ，１４ｃに対応す
る位置に、引出し部２２ａ，２２ｂ，２２ｃが形成され
る。この第２のシールド電極２２とパターン電極１８
ａ，１８ｂとの間隔は、４００μｍ以上になるように設
定される。さらに、第２のシールド電極２２上には、第
７の誘電体層６８が形成される。なお、第２のシールド
電極２２とパターン電極１８ａ，１８ｂとの間隔４００
μｍの間には、各コンデンサ用電極４８，５０，５６，
５８，６２，６４が介在されることになるため、これら
がパターン電極１８ａ，１８ｂによる磁界に影響を与え
る懸念がある場合は、これらの各電極との間隔を４００
μｍ以上にすることが望ましい。

【００２０】このバンドパスフィルタ４０では、第１の
シールド電極１４の引出し部１４ａとパターン電極１８
ａの一端と第２のシールド電極２２の引出し部２２ａと
が、外部電極によって接続される。また、第１のシール
ド電極１４の引き出し部１４ｂとパターン電極１８ｂの
一端と第２のシールド電極２２の引出し部２２ｂとが、
外部電極によって接続される。さらに、パターン電極１
８ａの他端と第５のコンデンサ用電極６２とが外部電極
で接続され、パターン電極１８ｂの他端と第６のコンデ
ンサ用電極６４とが外部電極で接続される。また、第３
のコンデンサ用電極５６および第４のコンデンサ用電極
５８のそれぞれに接続される外部電極が形成される。さ
らに、第１のシールド電極１４の引出し部１４ｃと第２
のシールド電極２２の引出し部２２ｃとが、外部電極で
接続される。

【００２１】このバンドパスフィルタ４０は、図７に示
す等価回路で表される。この等価回路において、２つの
インダクタンスＬ１，Ｌ２は、それぞれパターン電極１
８ａ，１８ｂで形成される。また、静電容量Ｃ１は第３
のコンデンサ用電極５６と第５のコンデンサ用電極６２
とで形成され、静電容量Ｃ２は第４のコンデンサ用電極
５８と第６のコンデンサ用電極６４とで形成される。さ
らに、インダクタンスＬ１に並列に接続される静電容量
Ｃ３は第５のコンデンサ用電極６２と第２のシールド電
極２２とで形成され、インダクタンスＬ２に並列に接続
される静電容量Ｃ４は第６のコンデンサ用電極６４と第
２のシールド電極２２とで形成される。また、入出力端
子間の静電容量Ｃ５は、第１のコンデンサ用電極４８と
第３のコンデンサ用電極５６および第２のコンデンサ用
電極５０と第４のコンデンサ用電極５８で形成される。

【００２２】このバンドパスフィルタ４０の周波数特性
を測定し、その結果を図８に示した。図８からわかるよ
うに、このバンドパスフィルタ４０では、挿入損失が２
ｄＢ以下の良好な特性を得ることができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例を示す斜視図である。

【図２】図１に示す積層コイルの線ＩＩ−ＩＩにおける
断面図である。

【図３】図１に示す積層コイルのブロック体の分解斜視
図である。

【図４】図１に示す積層コイルを作製する一工程を示す
斜視図である。

【図５】図１に示す積層コイルの絶縁体層の厚みとＱと
の関係を示すグラフである。

【図６】この発明の積層コイルを応用したバンドパスフ
ィルタの一例を示す分解斜視図である。

【図７】図６に示すバンドパスフィルタの等価回路図で
ある。

【図８】図６に示すバンドパスフィルタの周波数特性を
示すグラフである。

【符号の説明】

１０ 積層コイル １１ ブロック体 １２ 第１の絶縁体層 １４ 第１のシールド電極 １６ 第２の絶縁体層 １８ パターン電極 ２０ 第３の絶縁体層 ２２ 第２のシールド電極 ２４ 第４の絶縁体層 ４０ バンドパスフィルタ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 積層される２つの絶縁体層、 前記２つの絶縁体層の間に形成される直線状のパターン
   電極、および前記２つの絶縁体層を挟んで前記パターン
   電極と対向して面状に形成される２つのシールド電極を
   含む積層コイルであって、 前記２つの絶縁体層の厚みをそれぞれ４００μｍ以上に
   した、積層コイル。