JPH0729741A - 積層コイル - Google Patents
積層コイルInfo
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- JPH0729741A JPH0729741A JP19396493A JP19396493A JPH0729741A JP H0729741 A JPH0729741 A JP H0729741A JP 19396493 A JP19396493 A JP 19396493A JP 19396493 A JP19396493 A JP 19396493A JP H0729741 A JPH0729741 A JP H0729741A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- laminated coil
- thickness
- electrodes
- layer
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高いQを有する積層コイルを得る。
【構成】 積層コイルはブロック体11を含む。ブロッ
ク体11は、複数の絶縁体層12,16,20,24を
含む。絶縁体層12および絶縁体層20に、シールド電
極14および22を形成する。絶縁体層16上に、蛇行
するようなミアンダライン状のパターン電極18を形成
し、このパターン電極18を対向する端部に引き出す。
パターン電極18の引出し部に接続するように、ブロッ
ク体11の側面に外部電極を形成する。パターン電極1
8とシールド電極14との間の絶縁体層16の厚みを7
00μm以上にする。同様に、パターン電極18とシー
ルド電極22との間の絶縁体層20の厚みを700μm
以上にする。
ク体11は、複数の絶縁体層12,16,20,24を
含む。絶縁体層12および絶縁体層20に、シールド電
極14および22を形成する。絶縁体層16上に、蛇行
するようなミアンダライン状のパターン電極18を形成
し、このパターン電極18を対向する端部に引き出す。
パターン電極18の引出し部に接続するように、ブロッ
ク体11の側面に外部電極を形成する。パターン電極1
8とシールド電極14との間の絶縁体層16の厚みを7
00μm以上にする。同様に、パターン電極18とシー
ルド電極22との間の絶縁体層20の厚みを700μm
以上にする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は積層コイルに関し、特
に、内部に形成されたパターン電極とそれに対向するシ
ールド電極とを有する積層コイルに関する。
に、内部に形成されたパターン電極とそれに対向するシ
ールド電極とを有する積層コイルに関する。
【0002】
【従来の技術】積層コイルとしては、たとえば内部に線
状のパターン電極とそれに対向する面状のシールド電極
とが形成されたものがある。このような積層コイルは、
セラミックグリーンシート上にパターン電極およびシー
ルド電極の形状に電極ペーストを印刷し、これらのセラ
ミックグリーンシートを積層して焼成することによって
形成される。そして、内部に形成されたパターン電極の
両端に接続されるように、外部電極が形成される。した
がって、これらの外部電極間にインダクタンスが形成さ
れる。
状のパターン電極とそれに対向する面状のシールド電極
とが形成されたものがある。このような積層コイルは、
セラミックグリーンシート上にパターン電極およびシー
ルド電極の形状に電極ペーストを印刷し、これらのセラ
ミックグリーンシートを積層して焼成することによって
形成される。そして、内部に形成されたパターン電極の
両端に接続されるように、外部電極が形成される。した
がって、これらの外部電極間にインダクタンスが形成さ
れる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな積層コイルでは、パターン電極で発生する磁界がシ
ールド電極によって影響を受け、Qが低下してしまう。
うな積層コイルでは、パターン電極で発生する磁界がシ
ールド電極によって影響を受け、Qが低下してしまう。
【0004】それゆえに、この発明の主たる目的は、高
いQを有する積層コイルを提供することである。
いQを有する積層コイルを提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明は、積層される
2つの絶縁体層と、2つの絶縁体層の間において蛇行す
るように形成されるミアンダライン状のパターン電極
と、2つの絶縁体層を挟んでパターン電極と対向して面
状に形成される2つのシールド電極とを含む積層コイル
であって、2つの絶縁体層の厚みをそれぞれ700μm
以上にした、積層コイルである。
2つの絶縁体層と、2つの絶縁体層の間において蛇行す
るように形成されるミアンダライン状のパターン電極
と、2つの絶縁体層を挟んでパターン電極と対向して面
状に形成される2つのシールド電極とを含む積層コイル
であって、2つの絶縁体層の厚みをそれぞれ700μm
以上にした、積層コイルである。
【0006】
【作用】絶縁体層の厚みを大きくすることによって、パ
ターン電極で発生する磁界がシールド電極に影響されに
くくなる。特に、ミアンダライン状のパターン電極を有
する積層コイルにおいて、絶縁体層の厚みを700μm
以上にすることによって、積層コイルのQを100以上
にできることがわかった。
ターン電極で発生する磁界がシールド電極に影響されに
くくなる。特に、ミアンダライン状のパターン電極を有
する積層コイルにおいて、絶縁体層の厚みを700μm
以上にすることによって、積層コイルのQを100以上
にできることがわかった。
【0007】
【発明の効果】この発明によれば、Qが100以上の積
層コイルを得ることができる。そして、この積層コイル
を共振器やフィルタに応用すれば、挿入損失の小さい共
振器やフィルタを得ることができる。
層コイルを得ることができる。そして、この積層コイル
を共振器やフィルタに応用すれば、挿入損失の小さい共
振器やフィルタを得ることができる。
【0008】この発明の上述の目的,その他の目的,特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【0009】
【実施例】図1はこの発明の一実施例を示す斜視図であ
り、図2は図1の線II−IIにおける断面図である。
たとえば共振器として使用し得る積層コイル10はブロ
ック体11を含む。ブロック体11は、図3に示すよう
に、第1の絶縁体層12を含む。第1の絶縁体層12上
には、そのほぼ全面に第1のシールド電極14が形成さ
れる。第1のシールド電極14上には、第2の絶縁体層
16が形成される。第2の絶縁体層16上には、パター
ン電極18が形成される。パターン電極18は蛇行した
ミアンダライン状に形成され、その両端が第2の絶縁体
層16の対向する端部に引き出される。
り、図2は図1の線II−IIにおける断面図である。
たとえば共振器として使用し得る積層コイル10はブロ
ック体11を含む。ブロック体11は、図3に示すよう
に、第1の絶縁体層12を含む。第1の絶縁体層12上
には、そのほぼ全面に第1のシールド電極14が形成さ
れる。第1のシールド電極14上には、第2の絶縁体層
16が形成される。第2の絶縁体層16上には、パター
ン電極18が形成される。パターン電極18は蛇行した
ミアンダライン状に形成され、その両端が第2の絶縁体
層16の対向する端部に引き出される。
【0010】パターン電極18上には、第3の絶縁体層
20が形成される。第3の絶縁体層20上には、第2の
シールド電極22が形成される。第2のシールド電極2
2は、第3の絶縁体層20のほぼ全面に形成される。さ
らに、第2のシールド電極22上には、第4の絶縁体層
24が形成される。これらの絶縁体層12,16,2
0,24が一体化されて、ブロック体11が形成されて
いる。
20が形成される。第3の絶縁体層20上には、第2の
シールド電極22が形成される。第2のシールド電極2
2は、第3の絶縁体層20のほぼ全面に形成される。さ
らに、第2のシールド電極22上には、第4の絶縁体層
24が形成される。これらの絶縁体層12,16,2
0,24が一体化されて、ブロック体11が形成されて
いる。
【0011】また、ブロック体11の対向する側面に
は、2つの外部電極26,28が形成される。これらの
外部電極26,28は、それぞれパターン電極18の引
き出し部に電気的に接続される。
は、2つの外部電極26,28が形成される。これらの
外部電極26,28は、それぞれパターン電極18の引
き出し部に電気的に接続される。
【0012】絶縁体層12,16,20,24の材料と
しては、必要に応じて磁性体材料または誘電体材料が使
用される。そして、第2の絶縁体層16および第3の絶
縁体層20の厚みは、それぞれ700μm以上となるよ
うに設定される。なお、第2の絶縁体層16の厚みと第
3の絶縁体層20の厚みとは、互いに同じであってもよ
いし、異なっていてもよい。
しては、必要に応じて磁性体材料または誘電体材料が使
用される。そして、第2の絶縁体層16および第3の絶
縁体層20の厚みは、それぞれ700μm以上となるよ
うに設定される。なお、第2の絶縁体層16の厚みと第
3の絶縁体層20の厚みとは、互いに同じであってもよ
いし、異なっていてもよい。
【0013】この積層コイル10を作製するには、図4
に示すように、複数の絶縁体セラミックグリーンシート
30が準備される。そして、これらの絶縁体セラミック
グリーンシート30上に、第1のシールド電極14,パ
ターン電極18および第2のシールド電極22の形状に
電極ペースト32が印刷される。さらに、各電極の形状
に電極ペースト32を塗布した絶縁体セラミックグリー
ンシート30間に、ダミー用の絶縁体セラミックグリー
ンシート30が挟み込まれる。ダミー用の絶縁体セラミ
ックグリーンシート30は、第2の絶縁体層16および
第3の絶縁体層20の厚みが得られるように、必要枚数
挟み込まれる。さらに、パターン電極用の電極ペースト
32の露出部に接続するように、外部電極26,28の
形状に電極ペースト32を塗布し、焼成することによっ
て、積層コイル10が作製される。なお、内部電極用の
電極ペーストを印刷した絶縁体セラミックグリーンシー
トを積層後焼成してブロック体11を形成し、このブロ
ック体11の側面に外部電極用の電極ペーストを焼き付
けてもよい。この外部電極の形成方法は塗布、焼付の他
公知の方法が援用できる。
に示すように、複数の絶縁体セラミックグリーンシート
30が準備される。そして、これらの絶縁体セラミック
グリーンシート30上に、第1のシールド電極14,パ
ターン電極18および第2のシールド電極22の形状に
電極ペースト32が印刷される。さらに、各電極の形状
に電極ペースト32を塗布した絶縁体セラミックグリー
ンシート30間に、ダミー用の絶縁体セラミックグリー
ンシート30が挟み込まれる。ダミー用の絶縁体セラミ
ックグリーンシート30は、第2の絶縁体層16および
第3の絶縁体層20の厚みが得られるように、必要枚数
挟み込まれる。さらに、パターン電極用の電極ペースト
32の露出部に接続するように、外部電極26,28の
形状に電極ペースト32を塗布し、焼成することによっ
て、積層コイル10が作製される。なお、内部電極用の
電極ペーストを印刷した絶縁体セラミックグリーンシー
トを積層後焼成してブロック体11を形成し、このブロ
ック体11の側面に外部電極用の電極ペーストを焼き付
けてもよい。この外部電極の形成方法は塗布、焼付の他
公知の方法が援用できる。
【0014】このようにして得られた積層コイル10で
は、外部電極26,28間にインダクタンスが形成され
る。この積層コイル10について、第2の絶縁体層16
および第3の絶縁体層20の厚みを変えて、1GHzの
周波数におけるQを測定した。そして、その結果を図5
に示した。図5からわかるように、絶縁体層16および
20の厚みが600μm以下では、Qの値が95以下に
なってしまう。それに対して、絶縁体層16および20
の厚みが700μm以上であると、Qの値を100以上
にすることができる。このように、絶縁体層16および
20の厚みを700μm以上にすれば、高いQを得るこ
とができる。しかも、必要なQ値を確保しながら絶縁体
層16および20を最小の厚みにすることにより、積層
コイル10を必要以上に大きくすることなく、小型化す
ることができる。さらに、積層コイル10を作製すると
きに、必要以上に絶縁体セラミックグリーンシートを使
う必要がなく、安価な積層コイルを得ることができる。
は、外部電極26,28間にインダクタンスが形成され
る。この積層コイル10について、第2の絶縁体層16
および第3の絶縁体層20の厚みを変えて、1GHzの
周波数におけるQを測定した。そして、その結果を図5
に示した。図5からわかるように、絶縁体層16および
20の厚みが600μm以下では、Qの値が95以下に
なってしまう。それに対して、絶縁体層16および20
の厚みが700μm以上であると、Qの値を100以上
にすることができる。このように、絶縁体層16および
20の厚みを700μm以上にすれば、高いQを得るこ
とができる。しかも、必要なQ値を確保しながら絶縁体
層16および20を最小の厚みにすることにより、積層
コイル10を必要以上に大きくすることなく、小型化す
ることができる。さらに、積層コイル10を作製すると
きに、必要以上に絶縁体セラミックグリーンシートを使
う必要がなく、安価な積層コイルを得ることができる。
【0015】図6は、この発明の積層コイルをローパス
フィルタに応用した例を示す分解斜視図である。ローパ
スフィルタ40は、第1の誘電体層42を含む。第1の
誘電体層42上には、ほぼ全面に第1のシールド電極
(アース電極)14が形成される。第1のシールド電極
14には、4つの引出し部14a,14b,14c,1
4dが形成される。これらの引出し部14a,14b,
14c,14dは、第1の誘電体層42の対向する端部
に引き出される。2つの引出し部14a,14bは、第
1の誘電体層42の一端側に、間隔を隔てて引き出され
る。そして、別の引出し部14c,14dは、第1の誘
電体層42の他端側に、間隔を隔てて引き出される。
フィルタに応用した例を示す分解斜視図である。ローパ
スフィルタ40は、第1の誘電体層42を含む。第1の
誘電体層42上には、ほぼ全面に第1のシールド電極
(アース電極)14が形成される。第1のシールド電極
14には、4つの引出し部14a,14b,14c,1
4dが形成される。これらの引出し部14a,14b,
14c,14dは、第1の誘電体層42の対向する端部
に引き出される。2つの引出し部14a,14bは、第
1の誘電体層42の一端側に、間隔を隔てて引き出され
る。そして、別の引出し部14c,14dは、第1の誘
電体層42の他端側に、間隔を隔てて引き出される。
【0016】第1のシールド電極14上には、第2の誘
電体層44が形成される。第2の誘電体層44上には、
第1のコンデンサ用電極46,第2のコンデンサ用電極
48および第3のコンデンサ用電極50が形成される。
第1のコンデンサ用電極46は、第2の誘電体層44の
一端側の中央付近に形成される。そして、第1のコンデ
ンサ用電極46から第2の誘電体層44の一端に向かっ
て、2つの引出し部46a,46bが形成される。これ
らの引出し部46a,46bは、第1のシールド電極1
4の引出し部14a,14bとは異なる位置に引き出さ
れる。
電体層44が形成される。第2の誘電体層44上には、
第1のコンデンサ用電極46,第2のコンデンサ用電極
48および第3のコンデンサ用電極50が形成される。
第1のコンデンサ用電極46は、第2の誘電体層44の
一端側の中央付近に形成される。そして、第1のコンデ
ンサ用電極46から第2の誘電体層44の一端に向かっ
て、2つの引出し部46a,46bが形成される。これ
らの引出し部46a,46bは、第1のシールド電極1
4の引出し部14a,14bとは異なる位置に引き出さ
れる。
【0017】また、第2のコンデンサ用電極48および
第3のコンデンサ用電極50は、第2の誘電体層44の
他端側において、互いに間隔を隔てて形成される。そし
て、第2のコンデンサ用電極48から第2の誘電体層4
4の他端に向かって、引出し部48aが形成される。ま
た、第3のコンデンサ用電極50から第2の誘電体層4
4の他端に向かって、引出し部50aが形成される。こ
れらの引出し部48a,50aは、第1のシールド電極
14の引出し部14c,14dとは異なる位置に引き出
される。
第3のコンデンサ用電極50は、第2の誘電体層44の
他端側において、互いに間隔を隔てて形成される。そし
て、第2のコンデンサ用電極48から第2の誘電体層4
4の他端に向かって、引出し部48aが形成される。ま
た、第3のコンデンサ用電極50から第2の誘電体層4
4の他端に向かって、引出し部50aが形成される。こ
れらの引出し部48a,50aは、第1のシールド電極
14の引出し部14c,14dとは異なる位置に引き出
される。
【0018】3つのコンデンサ用電極46,48,50
上には、第3の誘電体層52が形成される。第3の誘電
体層52上には、2つのパターン電極18a,18bが
形成される。これらのパターン電極18a,18bは、
それぞれ蛇行するようなミアンダライン状に形成され
る。パターン電極18a,18bと第1のシールド電極
14との間隔は、700μm以上になるように設定され
る。なお、第1のシールド電極14とパターン電極18
a,18bとの間隔700μmの間には、コンデンサ用
電極46,48,50が介在されることになるため、こ
れらがパターン電極18a,18bによる磁界に影響を
与える懸念がある場合は、これらの各電極との間隔を7
00μm以上にすることが望ましい。これらのパターン
電極18a,18bは、第3の誘電体層52の対向する
端部に引き出される。このとき、パターン電極18a,
18bの一端は、第1のコンデンサ用電極46の引出し
部46a,46bに対応する位置に引き出される。ま
た、パターン電極18aの他端は第2のコンデンサ用電
極48の引出し部48aに対応する位置に引き出され、
パターン電極18bの他端は第3のコンデンサ用電極5
0の引出し部50aに対応する位置に引き出される。
上には、第3の誘電体層52が形成される。第3の誘電
体層52上には、2つのパターン電極18a,18bが
形成される。これらのパターン電極18a,18bは、
それぞれ蛇行するようなミアンダライン状に形成され
る。パターン電極18a,18bと第1のシールド電極
14との間隔は、700μm以上になるように設定され
る。なお、第1のシールド電極14とパターン電極18
a,18bとの間隔700μmの間には、コンデンサ用
電極46,48,50が介在されることになるため、こ
れらがパターン電極18a,18bによる磁界に影響を
与える懸念がある場合は、これらの各電極との間隔を7
00μm以上にすることが望ましい。これらのパターン
電極18a,18bは、第3の誘電体層52の対向する
端部に引き出される。このとき、パターン電極18a,
18bの一端は、第1のコンデンサ用電極46の引出し
部46a,46bに対応する位置に引き出される。ま
た、パターン電極18aの他端は第2のコンデンサ用電
極48の引出し部48aに対応する位置に引き出され、
パターン電極18bの他端は第3のコンデンサ用電極5
0の引出し部50aに対応する位置に引き出される。
【0019】パターン電極18a,18b上には、第4
の誘電体層54が形成される。第4の誘電体層54上に
は、第2のシールド電極(アース電極)22が形成され
る。第2のシールド電極22は、第4の誘電体層54の
ほぼ全面に形成される。そして、第1のシールド電極1
4の引出し部14a,14b,14c,14dに対応す
る位置に、引出し部22a,22b,22c,22dが
形成される。この第2のシールド電極22とパターン電
極18a,18bとの間隔は、700μm以上になるよ
うに設定される。さらに、第2のシールド電極22上に
は、第5の誘電体層56が形成される。
の誘電体層54が形成される。第4の誘電体層54上に
は、第2のシールド電極(アース電極)22が形成され
る。第2のシールド電極22は、第4の誘電体層54の
ほぼ全面に形成される。そして、第1のシールド電極1
4の引出し部14a,14b,14c,14dに対応す
る位置に、引出し部22a,22b,22c,22dが
形成される。この第2のシールド電極22とパターン電
極18a,18bとの間隔は、700μm以上になるよ
うに設定される。さらに、第2のシールド電極22上に
は、第5の誘電体層56が形成される。
【0020】このローパスフィルタ40では、パターン
電極18a,18bの一端が、外部電極で第1のコンデ
ンサ用電極46の引出し部46a,46bに接続され
る。また、パターン電極18aの他端は、外部電極で第
2のコンデンサ用電極48の引出し部48aに接続され
る。さらに、パターン電極18bの他端は、外部電極で
第3のコンデンサ用電極50の引出し部50aに接続さ
れる。第1のシールド電極14の引出し部14a,14
b,14c,14dは、それぞれ外部電極で第2のシー
ルド電極22の引出し部22a,22b,22c,22
dに接続される。
電極18a,18bの一端が、外部電極で第1のコンデ
ンサ用電極46の引出し部46a,46bに接続され
る。また、パターン電極18aの他端は、外部電極で第
2のコンデンサ用電極48の引出し部48aに接続され
る。さらに、パターン電極18bの他端は、外部電極で
第3のコンデンサ用電極50の引出し部50aに接続さ
れる。第1のシールド電極14の引出し部14a,14
b,14c,14dは、それぞれ外部電極で第2のシー
ルド電極22の引出し部22a,22b,22c,22
dに接続される。
【0021】このバンドパスフィルタ40は、図7に示
す等価回路で表される。この等価回路において、2つの
インダクタンスL1,L2は、それぞれパターン電極1
8a,18bで形成される。また、静電容量C1,C
2,C3は、それぞれ第1のコンデンサ用電極46,第
2のコンデンサ用電極48,第3のコンデンサ用電極5
0と第1のシールド電極14とで形成される。
す等価回路で表される。この等価回路において、2つの
インダクタンスL1,L2は、それぞれパターン電極1
8a,18bで形成される。また、静電容量C1,C
2,C3は、それぞれ第1のコンデンサ用電極46,第
2のコンデンサ用電極48,第3のコンデンサ用電極5
0と第1のシールド電極14とで形成される。
【0022】このローパスフィルタ40の周波数特性を
測定し、その結果を図8に示した。図8からわかるよう
に、このローパスフィルタ40では、挿入損失が0.7
dB以下の良好な特性を得ることができた。
測定し、その結果を図8に示した。図8からわかるよう
に、このローパスフィルタ40では、挿入損失が0.7
dB以下の良好な特性を得ることができた。
【図1】この発明の一実施例を示す斜視図である。
【図2】図1に示す積層コイルの線II−IIにおける
断面図である。
断面図である。
【図3】図1に示す積層コイルのブロック体の分解斜視
図である。
図である。
【図4】図1に示す積層コイルを作製する一工程を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図5】図1に示す積層コイルの絶縁体層の厚みとQと
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
【図6】この発明の積層コイルを応用したローパスフィ
ルタの一例を示す分解斜視図である。
ルタの一例を示す分解斜視図である。
【図7】図6に示すローパスフィルタの等価回路図であ
る。
る。
【図8】図6に示すローパスフィルタの周波数特性を示
すグラフである。
すグラフである。
10 積層コイル 11 ブロック体 12 第1の絶縁体層 14 第1のシールド電極 16 第2の絶縁体層 18 パターン電極 20 第3の絶縁体層 22 第2のシールド電極 24 第4の絶縁体層 40 ローパスフィルタ
Claims (1)
- 【請求項1】 積層される2つの絶縁体層、 前記2つの絶縁体層の間において蛇行するように形成さ
れるミアンダライン状のパターン電極、および前記2つ
の絶縁体層を挟んで前記パターン電極と対向して面状に
形成される2つのシールド電極を含む積層コイルであっ
て、 前記2つの絶縁体層の厚みをそれぞれ700μm以上に
した、積層コイル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19396493A JPH0729741A (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | 積層コイル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19396493A JPH0729741A (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | 積層コイル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729741A true JPH0729741A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=16316699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19396493A Pending JPH0729741A (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | 積層コイル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0729741A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7417445B2 (en) | 2001-03-16 | 2008-08-26 | Tokyo Electron Limited | Probing method and prober for measuring electrical characteristics of circuit devices |
| US7899917B2 (en) | 2007-02-01 | 2011-03-01 | Microsoft Corporation | Synchronization framework for occasionally connected applications |
-
1993
- 1993-07-09 JP JP19396493A patent/JPH0729741A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7417445B2 (en) | 2001-03-16 | 2008-08-26 | Tokyo Electron Limited | Probing method and prober for measuring electrical characteristics of circuit devices |
| US7899917B2 (en) | 2007-02-01 | 2011-03-01 | Microsoft Corporation | Synchronization framework for occasionally connected applications |
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