JPH0729950A - 半導体ウエハの温度特性の測定方法 - Google Patents
半導体ウエハの温度特性の測定方法Info
- Publication number
- JPH0729950A JPH0729950A JP17138293A JP17138293A JPH0729950A JP H0729950 A JPH0729950 A JP H0729950A JP 17138293 A JP17138293 A JP 17138293A JP 17138293 A JP17138293 A JP 17138293A JP H0729950 A JPH0729950 A JP H0729950A
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- semiconductor wafer
- electrodes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発明は、半導体ウエハ上に形成されたＩＣ回
路等の温度特性を測定する方法に関する。 【構成】 心部に半導体回路部品１を形成し、その周辺
部に電極２・・・２を配置した半導体ウエハ３について
前記電極２・・・２と測定器の間にプロ−ブ４・・・４
を介して接続し、温度条件を変えて回路部品の特性を測
定する方法であって、電極は長方形をなし、プロ−ブは
電極に対してその長辺と平行に取り付け、電極の長辺は
方形ウエハ３を形成するいずれかの一辺と平行に配置す
ることが好ましい。
路等の温度特性を測定する方法に関する。 【構成】 心部に半導体回路部品１を形成し、その周辺
部に電極２・・・２を配置した半導体ウエハ３について
前記電極２・・・２と測定器の間にプロ−ブ４・・・４
を介して接続し、温度条件を変えて回路部品の特性を測
定する方法であって、電極は長方形をなし、プロ−ブは
電極に対してその長辺と平行に取り付け、電極の長辺は
方形ウエハ３を形成するいずれかの一辺と平行に配置す
ることが好ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ上に形成
されたＩＣ回路等の温度特性を測定する方法に関する。
されたＩＣ回路等の温度特性を測定する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の大規模化、高速化が求められ
るにつれてその対策として基板上に小型の半導体回路部
品を多数搭載する方式が採用されている。多数の部品を
組み立てて回路を完成するにあたり、ウエハの状態で部
品の特性を測定し事前に良否判定を行なっている。図４
は上記の半導体ウエハ３に搭載された回路部品１の特性
を測定する従来法を示す概略図である。ウエハ３の温度
条件を変えた後、針状のプロ−ブ４・・・４を介して電
気信号を入力し、対応する電気信号を出力してこれを図
示していない測定器によって解析し、ウエハ状態におけ
る部品の特性をチェックしている。ここで、プロ−ブ４
・・・４はウエハ３に対して放射方向に保持されてい
る。
るにつれてその対策として基板上に小型の半導体回路部
品を多数搭載する方式が採用されている。多数の部品を
組み立てて回路を完成するにあたり、ウエハの状態で部
品の特性を測定し事前に良否判定を行なっている。図４
は上記の半導体ウエハ３に搭載された回路部品１の特性
を測定する従来法を示す概略図である。ウエハ３の温度
条件を変えた後、針状のプロ−ブ４・・・４を介して電
気信号を入力し、対応する電気信号を出力してこれを図
示していない測定器によって解析し、ウエハ状態におけ
る部品の特性をチェックしている。ここで、プロ−ブ４
・・・４はウエハ３に対して放射方向に保持されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の方法
では、図３（ａ）に示するように常温時にはプロ−ブ４
・・・４の先端が電極２・・・２の中心で接触するよう
に加圧して取り付けられる。この状態のウエハを高温に
すると、ウエハ３は中心から周辺に向かって（矢印３
１）膨張する。一方、プロ−ブ４は矢印４１の方向に膨
張するので同図（ｂ）に示すようにプロ−ブ４と電極２
との相対位置が変化し、電極の周辺上を覆っていたパッ
シベ−シヨン膜５の一部を破壊し、ワイヤボンデイング
工程において不良が頻発するという問題があった。 そ
こで本発明は、かかる問題点を解決した半導体ウエハの
温度特性の測定方法を提供することを目的とする。
では、図３（ａ）に示するように常温時にはプロ−ブ４
・・・４の先端が電極２・・・２の中心で接触するよう
に加圧して取り付けられる。この状態のウエハを高温に
すると、ウエハ３は中心から周辺に向かって（矢印３
１）膨張する。一方、プロ−ブ４は矢印４１の方向に膨
張するので同図（ｂ）に示すようにプロ−ブ４と電極２
との相対位置が変化し、電極の周辺上を覆っていたパッ
シベ−シヨン膜５の一部を破壊し、ワイヤボンデイング
工程において不良が頻発するという問題があった。 そ
こで本発明は、かかる問題点を解決した半導体ウエハの
温度特性の測定方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる半導体ウ
エハの温度特性の測定方法は、中心部に半導体回路部品
を形成し、その周辺部に電極を配置した半導体ウエハに
ついて前記電極と測定器の間にプロ−ブを介して接続
し、温度条件を変えて回路部品の特性を測定する方法で
あって、電極は長方形をなし、プロ−ブは電極に対して
その長辺と平行に取り付けることを特徴とし、電極の長
辺は方形ウエハを形成するいずれかの一辺と平行に配置
することが好ましい。
エハの温度特性の測定方法は、中心部に半導体回路部品
を形成し、その周辺部に電極を配置した半導体ウエハに
ついて前記電極と測定器の間にプロ−ブを介して接続
し、温度条件を変えて回路部品の特性を測定する方法で
あって、電極は長方形をなし、プロ−ブは電極に対して
その長辺と平行に取り付けることを特徴とし、電極の長
辺は方形ウエハを形成するいずれかの一辺と平行に配置
することが好ましい。
【０００５】
【作用】上記の構成において、プロ−ブの先端は半導体
ウエハの外側から電極に向かって取り付けられる。従っ
て、高温になるとウエハは外側へ向け、プロ−ブは内側
へ向かって膨張するので電極の内側へ入りこむ。ところ
で、プロ−ブの先端が移動しても電極は内側へ向かって
長方形に形成され、また、プロ−ブは長方形の長辺と平
行する方向に取り付けられているので電極の周辺に設け
られたパッシベ−シヨン膜を破壊するようなことは起こ
らない。
ウエハの外側から電極に向かって取り付けられる。従っ
て、高温になるとウエハは外側へ向け、プロ−ブは内側
へ向かって膨張するので電極の内側へ入りこむ。ところ
で、プロ−ブの先端が移動しても電極は内側へ向かって
長方形に形成され、また、プロ−ブは長方形の長辺と平
行する方向に取り付けられているので電極の周辺に設け
られたパッシベ−シヨン膜を破壊するようなことは起こ
らない。
【０００６】
【実施例】以下、添付した図面を参照して本発明に係わ
る実施例を説明する。図１は本発明に係わる実施例を説
明するための概略図であり、図２は本発明に係わる実施
例の構成を示す横断面図である。ＧａＡｓの方形ウエハ
３の中心部にはＩＣ回路１が形成され、その周囲にはＡ
ｕからなる電極２・・・２が配置されている。電極の幅
は６０μｍ、長辺は１００μｍとし、長辺はウエハ３を
形成する少なくとも一辺と平行に配置され、かつ、プロ
−ブ４・・・４は長辺と平行な方向にその先端は電極上
に取り付けられる。 ウエハ３の上にはＩＣ回路１及び
電極２・・・２を除いて表面を保護するためにパッシベ
−シヨン膜５を設けている。パッシベ−シヨン膜５は電
極２・・・２の周囲で数μｍラップして設けている。
る実施例を説明する。図１は本発明に係わる実施例を説
明するための概略図であり、図２は本発明に係わる実施
例の構成を示す横断面図である。ＧａＡｓの方形ウエハ
３の中心部にはＩＣ回路１が形成され、その周囲にはＡ
ｕからなる電極２・・・２が配置されている。電極の幅
は６０μｍ、長辺は１００μｍとし、長辺はウエハ３を
形成する少なくとも一辺と平行に配置され、かつ、プロ
−ブ４・・・４は長辺と平行な方向にその先端は電極上
に取り付けられる。 ウエハ３の上にはＩＣ回路１及び
電極２・・・２を除いて表面を保護するためにパッシベ
−シヨン膜５を設けている。パッシベ−シヨン膜５は電
極２・・・２の周囲で数μｍラップして設けている。
【０００７】上記のように形成したウエハ３とプロ−ブ
４・・・４を常温とＭＡＸ１００℃の間で繰り返して加
熱し、その後図示してない測定器によりＩＣ回路１の特
性を測定した。さらに、複数のウエハについて同様の測
定を行なったところ、いずれのウエハについてもプロ−
ブがパッシベ−ション膜を破壊することはなく、ワイヤ
ボンデイングに際しこれが原因して不良を生ずることは
なかった。
４・・・４を常温とＭＡＸ１００℃の間で繰り返して加
熱し、その後図示してない測定器によりＩＣ回路１の特
性を測定した。さらに、複数のウエハについて同様の測
定を行なったところ、いずれのウエハについてもプロ−
ブがパッシベ−ション膜を破壊することはなく、ワイヤ
ボンデイングに際しこれが原因して不良を生ずることは
なかった。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
温度上昇に伴って電極と接触しているプロ−ブの先端が
移動しても電極は内側へ向かって長方形に形成され、ま
た、プロ−ブは長方形の長辺と平行する方向に取り付け
られているので電極の周辺に設けられたパッシベ−シヨ
ン膜を破壊するようなことは起こらない。本発明の電極
は、長さ方向についての寸法は増加しているものの幅の
寸法は変わらないので、小型化の要請については殆ど影
響しない。
温度上昇に伴って電極と接触しているプロ−ブの先端が
移動しても電極は内側へ向かって長方形に形成され、ま
た、プロ−ブは長方形の長辺と平行する方向に取り付け
られているので電極の周辺に設けられたパッシベ−シヨ
ン膜を破壊するようなことは起こらない。本発明の電極
は、長さ方向についての寸法は増加しているものの幅の
寸法は変わらないので、小型化の要請については殆ど影
響しない。
【図１】本発明に係わる実施例を説明するための概略図
である。
である。
【図２】本発明に係わる実施例の構成を示す横断面図で
ある。
ある。
【図３】本発明に係わる作用を説明するための図面であ
り、同図（ａ）は常温時の状態を示し、同図（ｂ）は高
温時の状態を示す図である。
り、同図（ａ）は常温時の状態を示し、同図（ｂ）は高
温時の状態を示す図である。
【図４】従来例を説明するための概略図である。
１：半導体の回路部品 ２：電極 ３：ウエハ ３１：矢印 ４：プロ−ブ ４１：矢印 ５：パッシベ−ション
Claims (2)
- 【請求項１】 中心部に半導体の回路部品を形成し、そ
の周辺部に電極を配置した半導体ウエハについて前記電
極と測定器の間にプロ−ブを介して接続し、温度条件を
変えて回路部品の特性を測定する方法であって、電極は
長方形をなし、プロ−ブは電極に対してその長辺と平行
に取り付けることを特徴とする半導体ウエハの温度特性
の測定方法。 - 【請求項２】電極の長辺は方形ウエハを形成するいずれ
かの一辺と平行に配置することを特徴とする請求項１に
記載した半導体ウエハの温度特性の測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17138293A JPH0729950A (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | 半導体ウエハの温度特性の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17138293A JPH0729950A (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | 半導体ウエハの温度特性の測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729950A true JPH0729950A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15922147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17138293A Pending JPH0729950A (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | 半導体ウエハの温度特性の測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0729950A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005317593A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Kyocera Corp | 半導体素子及びその特性検査方法 |
-
1993
- 1993-07-12 JP JP17138293A patent/JPH0729950A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005317593A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Kyocera Corp | 半導体素子及びその特性検査方法 |
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