JPH07299963A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH07299963A JPH07299963A JP6326526A JP32652694A JPH07299963A JP H07299963 A JPH07299963 A JP H07299963A JP 6326526 A JP6326526 A JP 6326526A JP 32652694 A JP32652694 A JP 32652694A JP H07299963 A JPH07299963 A JP H07299963A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tcnq
- recording medium
- optical recording
- polymer
- recording
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 金属−ＴＣＮＱ及びその誘導体に比べて溶解
度が優れ、溶液コーティングによりピンホールがない均
質記録膜の製作が可能であり、有機電荷移動錯体が高分
子型で種々の基板に対する接着力が優れ、製造工程の生
産性が優秀である光記録媒体を提供することである。 【構成】 高分子物質層である記録層がＴＣＮＱ及びそ
の誘導体と側鎖ポリカチオン系高分子との電荷移動錯体
で構成される光記録媒体である。
度が優れ、溶液コーティングによりピンホールがない均
質記録膜の製作が可能であり、有機電荷移動錯体が高分
子型で種々の基板に対する接着力が優れ、製造工程の生
産性が優秀である光記録媒体を提供することである。 【構成】 高分子物質層である記録層がＴＣＮＱ及びそ
の誘導体と側鎖ポリカチオン系高分子との電荷移動錯体
で構成される光記録媒体である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】 本発明はレーザーを用いて記録
及び再生を可能にした光記録媒体に関するもので、高密
度・大容量の情報記録材料で各種情報記録用媒体又は画
像記録用媒体として使用できるようにしたものである。
より詳しくは、本発明は光学的及び電気的スイッチング
装置（optical and electrical switching device ）と
光記録に適用できる、側鎖にＴＣＮＱ（tetracyano qui
no dimethane）及びその誘導体と電荷移動錯体（charge
transfer salt or complex ）を形成し得る、陽イオン
を含有する側鎖ポリカチオン（polycation）系高分子か
らなる光記録媒体に関するものである。
及び再生を可能にした光記録媒体に関するもので、高密
度・大容量の情報記録材料で各種情報記録用媒体又は画
像記録用媒体として使用できるようにしたものである。
より詳しくは、本発明は光学的及び電気的スイッチング
装置（optical and electrical switching device ）と
光記録に適用できる、側鎖にＴＣＮＱ（tetracyano qui
no dimethane）及びその誘導体と電荷移動錯体（charge
transfer salt or complex ）を形成し得る、陽イオン
を含有する側鎖ポリカチオン（polycation）系高分子か
らなる光記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】社会全般による情報量の増加は高密度及
び大容量の記録媒体を要求して、光磁気方式の記録媒体
が登場することになった。このような方式は記録密度が
高く、非接触式記録再生方式を使用して、記録保存が容
易であり、寿命が長い利点を有するが、重金属系の磁性
体を使用し、製造工程上に真空蒸着又はスパッタリング
装置を必要とするため製造上の多くの困難がある。
び大容量の記録媒体を要求して、光磁気方式の記録媒体
が登場することになった。このような方式は記録密度が
高く、非接触式記録再生方式を使用して、記録保存が容
易であり、寿命が長い利点を有するが、重金属系の磁性
体を使用し、製造工程上に真空蒸着又はスパッタリング
装置を必要とするため製造上の多くの困難がある。
【０００３】最近、このような欠点を解決するために、
安価であるとともに製造工程が簡単である有機薄膜を使
用する例が増えている。このような有機薄膜は光学的及
び電気的スイッチング分野でも注目を浴びているが、こ
のスイッチングは加熱処理による分子運動又は有機薄膜
の電気的破損に関係する。又、スイッチングはスイッチ
ング媒体における電気化学的変化によっても行われ、一
例として、金属がＴＣＮＱ（tetracyanoquinochange
）、ＴＮＡＰ（tetracyanonaphthoquinodimethane
）、ＴＣＮＥ（tetracyanoethylene）、ＤＤＱ（diche
orodicyanobenzoquinone ）又はＴＣＮＱ誘導体と結合
されたもののような電荷移動錯体における電気化学的変
化に起因するスイッチングが米国特許第４，５７４，３
６６号；４，５０７，６７２号；４，３７１，８８３号
に開示されている。前記三つの特許におけるスイッチン
グに用いられるＴＣＮＱ及びＴＣＮＱ誘導体材料は１０
億分の１秒の時間間隔を有する優秀なスイッチング特性
を表す。一方、ジョンズホプキンズ（Johns Hopkins ）
大学の R.S.Potember 等はＴＣＮＱ及びその誘導体の金
属錯体のスイッチング特性を光記録媒体、特に消去可能
な光記録媒体に適用する技術を開発した（米国特許４，
８２５，４０８；４，７３１，７５６；４，６８４，５
９８；４，６６３，２７０）。又、東レ（Toray ）社は
７８０〜８３０ｎｍで光を吸収する金属ＴＣＮＱを用い
たＷＯＲＭ型（Write Once Read Many type ）光記録媒
体を紹介している（日本国特開昭６２−１６４５８９；
６３−２５５８５１及び日本国特開平１−２９４０９
１）。電子供与体（electron donor）と電子受容体（el
ectron acceptor ）含む電荷移動錯体は相対的に高い電
気的インピーダンスを有する第１電荷状態と相対的に低
い電気的インピーダンスを有する第２電荷状態を有する
特性を有し、電荷移動錯体の光又は電場に対応するスイ
ッチング能力は電荷移動錯体のこのような特性により提
供される。電荷移動錯体の消去可能な光記録媒体への適
用原理は、電荷移動錯体で構成された記録層に光又は電
場を加えると、電子供与体と受容体であるＴＣＮＱ間に
電子移動が起こって中性のＴＣＮＱが遊離されて出るこ
とになり、これにより記録部の色が変化することであ
る。一例として、ＣｕＴＣＮＱの場合は、記録前の薄い
緑色から記録後の黄色に変化する。消去はＣｕとＴＣＮ
Ｑが再結合される温度の熱を加えることによりなされ
る。
安価であるとともに製造工程が簡単である有機薄膜を使
用する例が増えている。このような有機薄膜は光学的及
び電気的スイッチング分野でも注目を浴びているが、こ
のスイッチングは加熱処理による分子運動又は有機薄膜
の電気的破損に関係する。又、スイッチングはスイッチ
ング媒体における電気化学的変化によっても行われ、一
例として、金属がＴＣＮＱ（tetracyanoquinochange
）、ＴＮＡＰ（tetracyanonaphthoquinodimethane
）、ＴＣＮＥ（tetracyanoethylene）、ＤＤＱ（diche
orodicyanobenzoquinone ）又はＴＣＮＱ誘導体と結合
されたもののような電荷移動錯体における電気化学的変
化に起因するスイッチングが米国特許第４，５７４，３
６６号；４，５０７，６７２号；４，３７１，８８３号
に開示されている。前記三つの特許におけるスイッチン
グに用いられるＴＣＮＱ及びＴＣＮＱ誘導体材料は１０
億分の１秒の時間間隔を有する優秀なスイッチング特性
を表す。一方、ジョンズホプキンズ（Johns Hopkins ）
大学の R.S.Potember 等はＴＣＮＱ及びその誘導体の金
属錯体のスイッチング特性を光記録媒体、特に消去可能
な光記録媒体に適用する技術を開発した（米国特許４，
８２５，４０８；４，７３１，７５６；４，６８４，５
９８；４，６６３，２７０）。又、東レ（Toray ）社は
７８０〜８３０ｎｍで光を吸収する金属ＴＣＮＱを用い
たＷＯＲＭ型（Write Once Read Many type ）光記録媒
体を紹介している（日本国特開昭６２−１６４５８９；
６３−２５５８５１及び日本国特開平１−２９４０９
１）。電子供与体（electron donor）と電子受容体（el
ectron acceptor ）含む電荷移動錯体は相対的に高い電
気的インピーダンスを有する第１電荷状態と相対的に低
い電気的インピーダンスを有する第２電荷状態を有する
特性を有し、電荷移動錯体の光又は電場に対応するスイ
ッチング能力は電荷移動錯体のこのような特性により提
供される。電荷移動錯体の消去可能な光記録媒体への適
用原理は、電荷移動錯体で構成された記録層に光又は電
場を加えると、電子供与体と受容体であるＴＣＮＱ間に
電子移動が起こって中性のＴＣＮＱが遊離されて出るこ
とになり、これにより記録部の色が変化することであ
る。一例として、ＣｕＴＣＮＱの場合は、記録前の薄い
緑色から記録後の黄色に変化する。消去はＣｕとＴＣＮ
Ｑが再結合される温度の熱を加えることによりなされ
る。
【０００４】
【化１】
【０００５】しかしながら、この時に生成されたＴＣＮ
Ｑ又はその誘導体は反復スイッチング時及び反復記録／
消去時に電場又はレーザーが触れた部位で局部的移動
（migration ）又は分散（diffusion ）が起こって、少
量ずつなくなるため、これらの装置の有効寿命を短縮さ
せる問題点がある。
Ｑ又はその誘導体は反復スイッチング時及び反復記録／
消去時に電場又はレーザーが触れた部位で局部的移動
（migration ）又は分散（diffusion ）が起こって、少
量ずつなくなるため、これらの装置の有効寿命を短縮さ
せる問題点がある。
【０００６】これを改善するための試みがホシノ（Hosi
no）により行われたところ、これはＣｕＴＣＮＱ層上に
ＺｎＳの保護層を形成して（ＴＣＮＱ）°の昇華を防止
することにより、半導体レーザーを使用して５０回の記
録／消去を行ったと報告している（Japanese Journal o
f Applied Physics,part 2,25(4),L341,1986）。
no）により行われたところ、これはＣｕＴＣＮＱ層上に
ＺｎＳの保護層を形成して（ＴＣＮＱ）°の昇華を防止
することにより、半導体レーザーを使用して５０回の記
録／消去を行ったと報告している（Japanese Journal o
f Applied Physics,part 2,25(4),L341,1986）。
【０００７】一方、R.W.DaY 等は電子供与体として金属
を使用し、電子受容体としてエチレンユニット（ethyle
ne unit ）を骨格とする高分子の側鎖に有機電荷移動錯
体を形成するＴＣＮＱ単位を導入することにより、ＴＣ
ＮＱ又はその誘導体の移動又は分散問題を多少解決した
（米国特許４，８０６，９９５；５，０２６，７７４
を使用し、電子受容体としてエチレンユニット（ethyle
ne unit ）を骨格とする高分子の側鎖に有機電荷移動錯
体を形成するＴＣＮＱ単位を導入することにより、ＴＣ
ＮＱ又はその誘導体の移動又は分散問題を多少解決した
（米国特許４，８０６，９９５；５，０２６，７７４
【０００８】）。
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記ホ
シノ等の方法では、前記記録／消去の回数が大部分実際
の適用に不充分であるものであった。又、この方法は、
記録層の製造において、金属を供与体として使用すべき
であるが、金属−ＴＣＮＱの場合は溶解度が低くて金属
層とＴＣＮＱ層をそれぞれスパッタリングと真空蒸着と
いう高価で複雑な工程により製作すべきであるため、製
造原価が上昇し、収率が低下する等、記録層を有機材料
であるＴＣＮＱ電荷移動錯体で代替することにより得ら
れる製造原価の節減と製造工程の生産性の向上等の利点
が無くなる。さらに、大部分のＴＣＮＱ系電荷移動錯体
は溶解度が低く熱安定性も低くて、その利用分野が固体
電解コンデンサー、導電性を用いた帯電防止剤等のよう
な分野に限定されるという問題点がある。
シノ等の方法では、前記記録／消去の回数が大部分実際
の適用に不充分であるものであった。又、この方法は、
記録層の製造において、金属を供与体として使用すべき
であるが、金属−ＴＣＮＱの場合は溶解度が低くて金属
層とＴＣＮＱ層をそれぞれスパッタリングと真空蒸着と
いう高価で複雑な工程により製作すべきであるため、製
造原価が上昇し、収率が低下する等、記録層を有機材料
であるＴＣＮＱ電荷移動錯体で代替することにより得ら
れる製造原価の節減と製造工程の生産性の向上等の利点
が無くなる。さらに、大部分のＴＣＮＱ系電荷移動錯体
は溶解度が低く熱安定性も低くて、その利用分野が固体
電解コンデンサー、導電性を用いた帯電防止剤等のよう
な分野に限定されるという問題点がある。
【０００９】一方、前記 R.W.DaY 等の方法も金属供与
体を使用しなければならない等の限界があった。
体を使用しなければならない等の限界があった。
【００１０】従って、本発明の目的は金属−ＴＣＮＱ及
びその誘導体に比べて溶解度が優れて、溶液コーティン
グによりピンホールがない均質記録膜の製作が可能であ
り、有機電荷移動錯体が高分子型で種々の基板に対する
接着力が優れて、製造工程の生産性が優秀である光記録
媒体を提供することである。
びその誘導体に比べて溶解度が優れて、溶液コーティン
グによりピンホールがない均質記録膜の製作が可能であ
り、有機電荷移動錯体が高分子型で種々の基板に対する
接着力が優れて、製造工程の生産性が優秀である光記録
媒体を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的は、側鎖にＴＣ
ＮＱ又はその誘導体と電荷移動錯体を形成し得る側鎖ポ
リカチオン系高分子を有機供与体として用いる本発明に
より達成できる。
ＮＱ又はその誘導体と電荷移動錯体を形成し得る側鎖ポ
リカチオン系高分子を有機供与体として用いる本発明に
より達成できる。
【００１２】即ち、本発明は記録層がＴＣＮＱ又はその
誘導体と側鎖ポリカチオン系高分子との電荷移動錯体で
構成されることを特徴とする光記録媒体を提供するもの
である。
誘導体と側鎖ポリカチオン系高分子との電荷移動錯体で
構成されることを特徴とする光記録媒体を提供するもの
である。
【００１３】本発明の光記録媒体を構成する側鎖ポリカ
チオン系高分子はアミノスチレン単独で構成された重合
体又はビニールピリジン単独で構成された重合体又はス
チレンとビニールピリジンの共重合体の４級化物であ
る。高分子の分子量は３×１０4 〜２×１０6 程度であ
って、共重合体の場合、ビニールピリジンの構造が３０
％以上である場合だけ、光記録に適用する時の記録効率
が高められる。
チオン系高分子はアミノスチレン単独で構成された重合
体又はビニールピリジン単独で構成された重合体又はス
チレンとビニールピリジンの共重合体の４級化物であ
る。高分子の分子量は３×１０4 〜２×１０6 程度であ
って、共重合体の場合、ビニールピリジンの構造が３０
％以上である場合だけ、光記録に適用する時の記録効率
が高められる。
【００１４】本発明の側鎖ポリカチオン系高分子電荷移
動錯体の製造方法は次の二種があり、その一つはモノマ
ーをカチオン化及び４級化（quaternization）させ、こ
こにＴＣＮＱ及びその誘導体を導入した後、これを重合
させることであり、他の一つは既に重合された反応性の
ポリカチオン側鎖にＴＣＮＱ及びその誘導体を導入する
方法である。
動錯体の製造方法は次の二種があり、その一つはモノマ
ーをカチオン化及び４級化（quaternization）させ、こ
こにＴＣＮＱ及びその誘導体を導入した後、これを重合
させることであり、他の一つは既に重合された反応性の
ポリカチオン側鎖にＴＣＮＱ及びその誘導体を導入する
方法である。
【００１５】前者の方法は電荷移動錯体が高分子に均一
に導入される利点があるが、ラジカル及び陰イオン重合
の場合はＴＣＮＱのラジカル及び陰イオン安定化傾向の
ために所望生成物を得ることができなく、陽イオン重合
の場合は極端に気をつけなければ望むものでない重合体
が生成され得るため、後者の方法が望ましい。
に導入される利点があるが、ラジカル及び陰イオン重合
の場合はＴＣＮＱのラジカル及び陰イオン安定化傾向の
ために所望生成物を得ることができなく、陽イオン重合
の場合は極端に気をつけなければ望むものでない重合体
が生成され得るため、後者の方法が望ましい。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１７】本発明の側鎖ポリカチオン系高分子電荷移
動錯体の製造において、先ず精製されたモノマーを使用
して一定分子量の重合体を製造した後、高分子側鎖のポ
リマリックアミンをアルキルハライド又はスルファート
を使用して４級化させる（式(1) ）。次いで、４級化さ
れた高分子を溶媒（アルコール又は水）に溶かし、Ｌｉ
ＴＣＮＱと反応させて高分子ポリカチオン−ＴＣＮＱ錯
体を造る（式(2) ）。
動錯体の製造において、先ず精製されたモノマーを使用
して一定分子量の重合体を製造した後、高分子側鎖のポ
リマリックアミンをアルキルハライド又はスルファート
を使用して４級化させる（式(1) ）。次いで、４級化さ
れた高分子を溶媒（アルコール又は水）に溶かし、Ｌｉ
ＴＣＮＱと反応させて高分子ポリカチオン−ＴＣＮＱ錯
体を造る（式(2) ）。
【００１８】製造された高分子錯体を熱いベンゼンで処
理して中性ＴＣＮＱを除去する。
理して中性ＴＣＮＱを除去する。
【００１９】
【化２】
【００２０】合成された錯体はアミド系溶媒、例えばＤ
ＭＦ（Dimethylformamide ）、ＤＭＡ（Dimethylacetam
ide ）、ＮＭＰ（N-methylpyrolidone）又はニトロメタ
ン（Nitromethane）、アセトニトリル（Acetonitrile）
等に溶け、共重合体の場合はアセトンのような溶媒にも
よく溶けるため、金属ＴＣＮＱとは異なり、薄膜の形成
が容易である。
ＭＦ（Dimethylformamide ）、ＤＭＡ（Dimethylacetam
ide ）、ＮＭＰ（N-methylpyrolidone）又はニトロメタ
ン（Nitromethane）、アセトニトリル（Acetonitrile）
等に溶け、共重合体の場合はアセトンのような溶媒にも
よく溶けるため、金属ＴＣＮＱとは異なり、薄膜の形成
が容易である。
【００２１】一般に、光記録媒体を製造する場合、本発
明の高分子物質は基板上にポリマーをコーティングする
等の周知の技術により基板上に適用される。この時に使
用される基板材料としては、ポリエステル、アクリル樹
脂、ポリオレフィン樹脂、ポリカーボネート等のプラス
チック、セラミック、ガラス又は金属類等が利用でき
る。必要によっては、高分子物質層と基板間に誘電体層
のような中間層を設置して、高分子−ＴＣＮＱの溶液コ
ーティングによる基板の損傷を防止することができ、そ
の上に反射層（Ａｌ又はＡｕ等の金属薄膜）又は／及び
保護層を設計する。
明の高分子物質は基板上にポリマーをコーティングする
等の周知の技術により基板上に適用される。この時に使
用される基板材料としては、ポリエステル、アクリル樹
脂、ポリオレフィン樹脂、ポリカーボネート等のプラス
チック、セラミック、ガラス又は金属類等が利用でき
る。必要によっては、高分子物質層と基板間に誘電体層
のような中間層を設置して、高分子−ＴＣＮＱの溶液コ
ーティングによる基板の損傷を防止することができ、そ
の上に反射層（Ａｌ又はＡｕ等の金属薄膜）又は／及び
保護層を設計する。
【００２２】高分子物質で構成される有機薄膜は適宜な
有機溶剤（アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホ
キシド類、エーテル類、脂肪族ハロゲン化炭化水素類及
び芳香族類等）に溶かした状態で一般の塗布法（例え
ば、沈積コーティング法、スプレーコーティング法、ス
ピンコーティング法、ローラーコーティング法、バーコ
ーティング法）により形成する。層の厚さは、記録パワ
ー、速度、変調周波数等によって１００Å〜ｌ０μｍ程
度の範囲内で適宜に設計する。層の厚さがｌ００Å未満
であれば適正Ｓ／Ｎ比を提供するのに不充分であり、ｌ
０μｍを超えるとフィルム上のスイッチングされた部分
とスイッチングされなかった部分間の光学的コントラス
トが足りなくなる。誘電体層及び反射層は電子ビーム
（electron beam ）法又はスパッタリング法により形成
でき、保護層は一般にＵＶ（紫外線）硬化樹脂を使用す
る。層構成はレーザー光の入射方向によって異なり、基
板入射型の場合、基板／（誘電層）／前記高分子物質で
構成される有機薄膜／反射層／（保護層）で構成され、
記録膜（層）入射型の場合、基板／反射層／前記高分子
物質で構成される有機薄膜／保護層の順に構成できる。
前記誘電体層と保護層は必要によって省略できる。
有機溶剤（アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホ
キシド類、エーテル類、脂肪族ハロゲン化炭化水素類及
び芳香族類等）に溶かした状態で一般の塗布法（例え
ば、沈積コーティング法、スプレーコーティング法、ス
ピンコーティング法、ローラーコーティング法、バーコ
ーティング法）により形成する。層の厚さは、記録パワ
ー、速度、変調周波数等によって１００Å〜ｌ０μｍ程
度の範囲内で適宜に設計する。層の厚さがｌ００Å未満
であれば適正Ｓ／Ｎ比を提供するのに不充分であり、ｌ
０μｍを超えるとフィルム上のスイッチングされた部分
とスイッチングされなかった部分間の光学的コントラス
トが足りなくなる。誘電体層及び反射層は電子ビーム
（electron beam ）法又はスパッタリング法により形成
でき、保護層は一般にＵＶ（紫外線）硬化樹脂を使用す
る。層構成はレーザー光の入射方向によって異なり、基
板入射型の場合、基板／（誘電層）／前記高分子物質で
構成される有機薄膜／反射層／（保護層）で構成され、
記録膜（層）入射型の場合、基板／反射層／前記高分子
物質で構成される有機薄膜／保護層の順に構成できる。
前記誘電体層と保護層は必要によって省略できる。
【００２３】記録時は、光学的記録光が有機電荷移動フ
ィルム上の特定表面に照射される。記録光としてはアル
ゴン又はＣＯ2 レーザー及び半導体レーザーのようなレ
ーザーが使用される。
ィルム上の特定表面に照射される。記録光としてはアル
ゴン又はＣＯ2 レーザー及び半導体レーザーのようなレ
ーザーが使用される。
【００２４】充分な強度の記録光が有機電荷移動フィル
ム上の任意部位に照射されると、その光が触れた部位で
高分子側鎖の有機電荷移動錯体が電気化学的に変化さ
れ、第１状態から第２状態にスイッチングされながら変
色され、このように光を特定位置から”ＯＮ”又は”Ｏ
ＦＦ”に転換することにより光記録媒体に”ｌ”又は”
０”のロジック状態にセッティングされる。記録の再生
時は、記録光より低い強度の再生光を有機電荷移動フィ
ルム上に照射する時、記録された部分と記録されなかっ
た部分の光学的特性（例えば、反射率）の差で情報を読
むこととなる。記録部位の消去は、１２０〜１８０℃の
温度範囲、好ましくは１４０〜ｌ６０℃の温度範囲内で
加熱処理して行う。
ム上の任意部位に照射されると、その光が触れた部位で
高分子側鎖の有機電荷移動錯体が電気化学的に変化さ
れ、第１状態から第２状態にスイッチングされながら変
色され、このように光を特定位置から”ＯＮ”又は”Ｏ
ＦＦ”に転換することにより光記録媒体に”ｌ”又は”
０”のロジック状態にセッティングされる。記録の再生
時は、記録光より低い強度の再生光を有機電荷移動フィ
ルム上に照射する時、記録された部分と記録されなかっ
た部分の光学的特性（例えば、反射率）の差で情報を読
むこととなる。記録部位の消去は、１２０〜１８０℃の
温度範囲、好ましくは１４０〜ｌ６０℃の温度範囲内で
加熱処理して行う。
【００２５】以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説
明するが、本発明が下記の実施例により限定されるもの
ではない。
明するが、本発明が下記の実施例により限定されるもの
ではない。
【００２６】合成例１：側鎖高分子ポリカチオン錯体の
合成（アミノスチレン単独重合体） ４−ジメチルアミノスチレノンをＡＩＢＮ（azoisobuty
ronitri1e ）を開始剤としてバルク状態で重合した後、
合成された高分子をエチルアセテートに溶かしてからメ
チル沃化物を加え、逆流させながら反応させる。４級化
された高分子を水に溶かした後、ＬｉＴＣＮＱと反応さ
せて生成された黒褐色の沈澱物をアルコールで洗浄し乾
燥して、アミノスチレン単独重合体であるポリ（４−ジ
メチルアミノスチレン−ＴＣＮＱ）を収得した。
合成（アミノスチレン単独重合体） ４−ジメチルアミノスチレノンをＡＩＢＮ（azoisobuty
ronitri1e ）を開始剤としてバルク状態で重合した後、
合成された高分子をエチルアセテートに溶かしてからメ
チル沃化物を加え、逆流させながら反応させる。４級化
された高分子を水に溶かした後、ＬｉＴＣＮＱと反応さ
せて生成された黒褐色の沈澱物をアルコールで洗浄し乾
燥して、アミノスチレン単独重合体であるポリ（４−ジ
メチルアミノスチレン−ＴＣＮＱ）を収得した。
【００２７】合成例２：側鎖高分子ポリカチオン錯体の
合成（ビニールパラジン単独重合体） ４−ビニールパラジンをＢＰＯ（benzoylperoxide ）を
開始剤としてバルク状態で重合した後、これをニトロメ
タン溶媒中でブチル沃化物に４級化させる。これを水に
溶かしてＬｉＴＣＮＱと反応させると、ビニールピリジ
ン単独重合体である褐色の沈澱物（ポリー（４−ビニー
ル−１−ブチルピリジニウム−ＴＣＮＱ））が得られ
た。
合成（ビニールパラジン単独重合体） ４−ビニールパラジンをＢＰＯ（benzoylperoxide ）を
開始剤としてバルク状態で重合した後、これをニトロメ
タン溶媒中でブチル沃化物に４級化させる。これを水に
溶かしてＬｉＴＣＮＱと反応させると、ビニールピリジ
ン単独重合体である褐色の沈澱物（ポリー（４−ビニー
ル−１−ブチルピリジニウム−ＴＣＮＱ））が得られ
た。
【００２８】合成例３：側鎖高分子ポリカチオン錯体の
合成（共重合体） スチレンと２−ビニールピリジンを、スチレン含量を７
０％としＡＩＢＮ（azoisobutyronitrile ）を開始剤と
して、５０℃、バルク状態で重合した。この共重合体を
エチルアセテートとニトロメタンが１：１に混ぜられた
溶媒に溶かしｎ−ブチル沃化物と反応させて４級化させ
た。このポリカチオンを無水エーテルで沈澱させた後、
８０℃の真空オーブンで乾燥させた。
合成（共重合体） スチレンと２−ビニールピリジンを、スチレン含量を７
０％としＡＩＢＮ（azoisobutyronitrile ）を開始剤と
して、５０℃、バルク状態で重合した。この共重合体を
エチルアセテートとニトロメタンが１：１に混ぜられた
溶媒に溶かしｎ−ブチル沃化物と反応させて４級化させ
た。このポリカチオンを無水エーテルで沈澱させた後、
８０℃の真空オーブンで乾燥させた。
【００２９】アルコールと水が混合された溶媒に４級化
されたポリカチオンを入れてからＬｉＴＣＮＱと反応さ
せた。
されたポリカチオンを入れてからＬｉＴＣＮＱと反応さ
せた。
【００３０】これにより、スチレンとビニールピリジン
の共重合体である濃緑色のポリ（スチレン−２−ビニー
ル−１−ブチルピリジウム−ＴＣＮＱ）が得られた。
の共重合体である濃緑色のポリ（スチレン−２−ビニー
ル−１−ブチルピリジウム−ＴＣＮＱ）が得られた。
【００３１】実施例ｌ〜４：光記録媒体への応用（記録
膜入射型）−保護層、誘電体層不必要 実施例１：合成例１のポリ（４−ジメチルアミノスチレ
ン−ＴＣＮＱ）１ｇを５０mlのＮ，Ｎ−ジメチルホルム
アミドに溶かし、反射層としてＡｌが蒸着されているＰ
Ｃ（polycarbonate ）基板上に１５００ｒｐｍでスピン
コーティングし乾燥させると、厚さ１μｍ程度の記録膜
が生成された。本記録媒体を８３０ｎｍの光記録評価設
備（DDU-1000, Pulstec, lnc. ）で評価した。記録パワ
ー８．９ｍｗ、周波数７２０ＫＨｚ、ｄｕｔｙ比５０
％、線速度ｌ．２〜５ｍ／秒に変えながら記録した結
果、１５〜３０ｄＢのＣＮＲが観察された。
膜入射型）−保護層、誘電体層不必要 実施例１：合成例１のポリ（４−ジメチルアミノスチレ
ン−ＴＣＮＱ）１ｇを５０mlのＮ，Ｎ−ジメチルホルム
アミドに溶かし、反射層としてＡｌが蒸着されているＰ
Ｃ（polycarbonate ）基板上に１５００ｒｐｍでスピン
コーティングし乾燥させると、厚さ１μｍ程度の記録膜
が生成された。本記録媒体を８３０ｎｍの光記録評価設
備（DDU-1000, Pulstec, lnc. ）で評価した。記録パワ
ー８．９ｍｗ、周波数７２０ＫＨｚ、ｄｕｔｙ比５０
％、線速度ｌ．２〜５ｍ／秒に変えながら記録した結
果、１５〜３０ｄＢのＣＮＲが観察された。
【００３２】実施例２：合成例２のポリ（４−ビニール
−１−ブチルピリジニウム−ＴＣＮＱ）１ｇを５０mlの
２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノールに
溶かしたことを除き、実施例１と同様に実施した。やは
り２０〜３０ｄＢのＣＮＲが観察された。
−１−ブチルピリジニウム−ＴＣＮＱ）１ｇを５０mlの
２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノールに
溶かしたことを除き、実施例１と同様に実施した。やは
り２０〜３０ｄＢのＣＮＲが観察された。
【００３３】実施例３：合成例３のポリ（スチレン−２
−ビニール−プチルピリジニウム−ＴＣＮＱ）（スチレ
ン：ビニールピリジン、７０：３０）１ｇを４０mlの
２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノ−ルに
溶かしたことを除き、実施例１と同様に実施及び評価し
た。その結果、１５〜２０ｄＢのＣＮＲを表した。
−ビニール−プチルピリジニウム−ＴＣＮＱ）（スチレ
ン：ビニールピリジン、７０：３０）１ｇを４０mlの
２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノ−ルに
溶かしたことを除き、実施例１と同様に実施及び評価し
た。その結果、１５〜２０ｄＢのＣＮＲを表した。
【００３４】実施例４：合成例３のポリ（スチレン−２
−ビニール−１−ブチルピリジニウム−ＴＣＮＱ）（ス
チレン：ビニールピリジン、５０：５０）共重合体のビ
ニールピリジンの含量を５０％に増加させたことを除
き、実施例３と同様に実施及び評価した。その結果、Ｃ
ＮＲ比は２５〜４０ｄＢの高い値を表した。
−ビニール−１−ブチルピリジニウム−ＴＣＮＱ）（ス
チレン：ビニールピリジン、５０：５０）共重合体のビ
ニールピリジンの含量を５０％に増加させたことを除
き、実施例３と同様に実施及び評価した。その結果、Ｃ
ＮＲ比は２５〜４０ｄＢの高い値を表した。
【００３５】実施例５（基板入射型）：５０：５０共重
合体を、シクロヘキサノンを溶媒とし、シリコン窒化物
（誘電体層）が２００Å厚さの誘電層を成したＰＣ基板
上に１０００ｒｐｍでコーティングした。ここに、再び
電子ビームを用いてＡｌを反射膜として形成させた後、
ＵＶ硬化樹脂（VR-77, epoxy系）を１０μｍ程度の厚さ
にコーティングし、ＵＶ照射して保護層を形成した。こ
れを実施例１と同様に評価した。この場合もやはり２０
〜３５ｄＢ程度のＣＮＲが観察された。
合体を、シクロヘキサノンを溶媒とし、シリコン窒化物
（誘電体層）が２００Å厚さの誘電層を成したＰＣ基板
上に１０００ｒｐｍでコーティングした。ここに、再び
電子ビームを用いてＡｌを反射膜として形成させた後、
ＵＶ硬化樹脂（VR-77, epoxy系）を１０μｍ程度の厚さ
にコーティングし、ＵＶ照射して保護層を形成した。こ
れを実施例１と同様に評価した。この場合もやはり２０
〜３５ｄＢ程度のＣＮＲが観察された。
【００３６】又、前記記録媒体（実施例１〜５）を消去
温度１２０〜１４０℃の範囲で１０〜３０分程度処理し
た後、残留信号を測定した。測定結果、１０〜１５ｄＢ
の残留信号が残ることから、消去されないことを確認し
た。初期記録時と同一条件で再記録する時も１０〜１５
ｄＢ程度しか記録されなくて、再記録可能な記録媒体に
なることができず、ＷＯＲＭ型の記録媒体として使用で
きることが分かった。
温度１２０〜１４０℃の範囲で１０〜３０分程度処理し
た後、残留信号を測定した。測定結果、１０〜１５ｄＢ
の残留信号が残ることから、消去されないことを確認し
た。初期記録時と同一条件で再記録する時も１０〜１５
ｄＢ程度しか記録されなくて、再記録可能な記録媒体に
なることができず、ＷＯＲＭ型の記録媒体として使用で
きることが分かった。
【００３７】
【発明の効果】本発明は前記のような原理により消去可
能な記録媒体への適用も考慮したが、記録後１４０〜１
６０℃で消去した時に残留信号が発生し、再記録時に初
期信号の約半分程度のみが検出される等、消去可能な記
録媒体としては不充分であった。しかし、色素を使用し
なくても高いＣＮＲを表す等、ＷＯＲＭ型媒体としては
良い結果を表した。
能な記録媒体への適用も考慮したが、記録後１４０〜１
６０℃で消去した時に残留信号が発生し、再記録時に初
期信号の約半分程度のみが検出される等、消去可能な記
録媒体としては不充分であった。しかし、色素を使用し
なくても高いＣＮＲを表す等、ＷＯＲＭ型媒体としては
良い結果を表した。
【００３８】又、本発明の光記録媒体は金属−ＴＣＮＱ
及びその誘導体に比べて溶解度が優れているので溶液コ
ーティングによる記録膜の製作が可能であり、又、高分
子型であって種々の基板への接着性が優れており、製造
工程の生産性が優秀であるという利点がある。
及びその誘導体に比べて溶解度が優れているので溶液コ
ーティングによる記録膜の製作が可能であり、又、高分
子型であって種々の基板への接着性が優れており、製造
工程の生産性が優秀であるという利点がある。
Claims (4)
- 【請求項１】 記録層がＴＣＮＱ及びその誘導体と側鎖
ポリカチオン（Polycation）系高分子との電荷移動錯体
で構成されたことを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 前記側鎖ポリカチオン系高分子がアミノ
スチレン又はビニールピリジンの単独重合体又はスチレ
ンとビニールピリジンの共重合体の４級化物であること
を特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 前記側鎖ポリカチオン系高分子が前記共
重合体である場合、前記ビニールピリジン構造が３０％
以上であることを特徴とする請求項２記載の光記録媒
体。 - 【請求項４】 前記記録層は１００Å〜１０μｍである
ことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR94-9454 | 1994-04-30 | ||
| KR1019940009454A KR950030072A (ko) | 1994-04-30 | 1994-04-30 | 광기록 매체 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07299963A true JPH07299963A (ja) | 1995-11-14 |
| JP2972537B2 JP2972537B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=19382212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6326526A Expired - Fee Related JP2972537B2 (ja) | 1994-04-30 | 1994-12-28 | 光記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2972537B2 (ja) |
| KR (1) | KR950030072A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006061419A3 (en) * | 2004-12-09 | 2007-01-04 | Fraunhofer Ges Forschung | Photoactive film, its preparation and use, and preparation of surface relief and optically anisotropic structures by irradiating said film |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62284786A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-10 | Toshiba Corp | 光学的情報記録装置 |
| JPS62284785A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-10 | Toshiba Corp | 光学的情報記録装置 |
| JPH02229074A (ja) * | 1989-03-02 | 1990-09-11 | Teijin Ltd | 光学記録媒体 |
-
1994
- 1994-04-30 KR KR1019940009454A patent/KR950030072A/ko not_active Withdrawn
- 1994-12-28 JP JP6326526A patent/JP2972537B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62284786A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-10 | Toshiba Corp | 光学的情報記録装置 |
| JPS62284785A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-10 | Toshiba Corp | 光学的情報記録装置 |
| JPH02229074A (ja) * | 1989-03-02 | 1990-09-11 | Teijin Ltd | 光学記録媒体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006061419A3 (en) * | 2004-12-09 | 2007-01-04 | Fraunhofer Ges Forschung | Photoactive film, its preparation and use, and preparation of surface relief and optically anisotropic structures by irradiating said film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2972537B2 (ja) | 1999-11-08 |
| KR950030072A (ko) | 1995-11-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |