JPH0730145A - 光結合素子 - Google Patents
光結合素子Info
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- JPH0730145A JPH0730145A JP17419993A JP17419993A JPH0730145A JP H0730145 A JPH0730145 A JP H0730145A JP 17419993 A JP17419993 A JP 17419993A JP 17419993 A JP17419993 A JP 17419993A JP H0730145 A JPH0730145 A JP H0730145A
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- Japan
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- light
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- optical coupling
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光結合素子において、応答速度の高速化及び
低価格化を図る。 【構成】 発光素子チップ１と受光素子チップ２とを光
学的に結合するよう配置し、これらを半透明樹脂６及び
遮光性樹脂７にて封止してなる光結合素子において、前
記発光素子チップ１と受光素子チップ２との間に、光導
波路１１を備えた光伝導体９を設けてなることを特徴と
する。
低価格化を図る。 【構成】 発光素子チップ１と受光素子チップ２とを光
学的に結合するよう配置し、これらを半透明樹脂６及び
遮光性樹脂７にて封止してなる光結合素子において、前
記発光素子チップ１と受光素子チップ２との間に、光導
波路１１を備えた光伝導体９を設けてなることを特徴と
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトカプラあるいは
ソリッドステートフォトリレー等の光結合素子に関す
る。
ソリッドステートフォトリレー等の光結合素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来技術における光結合素子の構造を図
１０乃至図１２に従って説明する。図１０は従来例を示
す側面断面図であり、図１１及び図１２はそれぞれ他の
従来例を示す側面断面図である。
１０乃至図１２に従って説明する。図１０は従来例を示
す側面断面図であり、図１１及び図１２はそれぞれ他の
従来例を示す側面断面図である。
【０００３】図１０は、２重トランスファ・モールドタ
イプと呼ばれる光結合素子であり、発光素子（ＬＥＤ）
チップ１と受光素子チップ２とを４２ａｌｏｙ，Ｃｕ等
より成る一対のリードフレーム３、３′上にＡｇペース
ト（図示せず）等により接着固着し、金線４、４′等を
用いて前記受発光素子チップ１、２とリードフレーム
３、３′とを電気的に接続した後、前記発光素子チップ
１はチップ保護の為、シリコーン等の透明樹脂５で覆
い、前記受発光素子チップ１、２を相対向する位置に配
置した後、更に前記発光素子チップ１と受光素子チップ
２とをエポキシ樹脂等を主流とした半透明樹脂６でモー
ルドし、更にエポキシ樹脂等を主流とした遮光性樹脂７
でモールドしてなるものである。
イプと呼ばれる光結合素子であり、発光素子（ＬＥＤ）
チップ１と受光素子チップ２とを４２ａｌｏｙ，Ｃｕ等
より成る一対のリードフレーム３、３′上にＡｇペース
ト（図示せず）等により接着固着し、金線４、４′等を
用いて前記受発光素子チップ１、２とリードフレーム
３、３′とを電気的に接続した後、前記発光素子チップ
１はチップ保護の為、シリコーン等の透明樹脂５で覆
い、前記受発光素子チップ１、２を相対向する位置に配
置した後、更に前記発光素子チップ１と受光素子チップ
２とをエポキシ樹脂等を主流とした半透明樹脂６でモー
ルドし、更にエポキシ樹脂等を主流とした遮光性樹脂７
でモールドしてなるものである。
【０００４】図１１は、ドッキングタイプと呼ばれる光
結合素子であり、上記従来例と相違する点のみ説明す
る。本従来例では、対向配置させた受発光素子チップ
１、２間にシリコーン等の透明樹脂５により、光パスを
形成し、その後、エポキシ樹脂等を主流とした遮光性樹
脂７でモールドしてなるものである。
結合素子であり、上記従来例と相違する点のみ説明す
る。本従来例では、対向配置させた受発光素子チップ
１、２間にシリコーン等の透明樹脂５により、光パスを
形成し、その後、エポキシ樹脂等を主流とした遮光性樹
脂７でモールドしてなるものである。
【０００５】図１２は、長沿面距離タイプと呼ばれる光
結合素子であり、本従来例についても同じく上記従来例
と相違する点のみ説明する。本従来例では、受発光素子
チップ１、２を略同一光軸となるよう平面に配置する。
前記受発光素子チップ１、２間をシリコーン等の透明樹
脂５にて覆い、光パスを形成するが、前記透明樹脂５が
裏面に回り込み、後工程のモールドにおいて未充填等の
発生を防止する為、ポリイミド等からなる絶縁テープ８
を裏面に張り付ける。このようにして光パスを形成した
後、エポキシ樹脂等を主流とした遮光性樹脂７でモール
ドしてなるものである。尚、基本的な分類としては図１
１のドッキングタイプに含まれるが、厚みは同一で内部
絶縁距離及び沿面距離が、他のものに比べ長い光結合素
子となるので、このタイプを特に長沿面距離型と呼ぶ。
結合素子であり、本従来例についても同じく上記従来例
と相違する点のみ説明する。本従来例では、受発光素子
チップ１、２を略同一光軸となるよう平面に配置する。
前記受発光素子チップ１、２間をシリコーン等の透明樹
脂５にて覆い、光パスを形成するが、前記透明樹脂５が
裏面に回り込み、後工程のモールドにおいて未充填等の
発生を防止する為、ポリイミド等からなる絶縁テープ８
を裏面に張り付ける。このようにして光パスを形成した
後、エポキシ樹脂等を主流とした遮光性樹脂７でモール
ドしてなるものである。尚、基本的な分類としては図１
１のドッキングタイプに含まれるが、厚みは同一で内部
絶縁距離及び沿面距離が、他のものに比べ長い光結合素
子となるので、このタイプを特に長沿面距離型と呼ぶ。
【０００６】現在では、図１０に示す２重トランスファ
・モールドタイプが主流となっている。
・モールドタイプが主流となっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図１０に示す光結合素
子は、発光素子チップ１から出た光が半透明樹脂６を通
過する際に減衰する為、受光素子チップ２のｈfe（電流
増幅率）を大きく（例えば１０００〜１６００程度）
し、Ｃ．Ｔ．Ｒ（Ｃｕｒｅｎｔ ＴｒａｎｃｅｆａＲｅ
ｓｉｏ）を確保している。しかし、前記受光素子チップ
２の特性上、ｈfeを大きくすると応答速度は遅くなり、
比較的応答速度の遅い汎用品であれば問題にならない
が、応答速度の速い光結合素子では、ｈfeを大きくする
ことに限界がある。また、ｈfeを大きくすればそれに付
随してその他の特性が不安定となり、歩留りが悪くな
り、コストアップを招いた。
子は、発光素子チップ１から出た光が半透明樹脂６を通
過する際に減衰する為、受光素子チップ２のｈfe（電流
増幅率）を大きく（例えば１０００〜１６００程度）
し、Ｃ．Ｔ．Ｒ（Ｃｕｒｅｎｔ ＴｒａｎｃｅｆａＲｅ
ｓｉｏ）を確保している。しかし、前記受光素子チップ
２の特性上、ｈfeを大きくすると応答速度は遅くなり、
比較的応答速度の遅い汎用品であれば問題にならない
が、応答速度の速い光結合素子では、ｈfeを大きくする
ことに限界がある。また、ｈfeを大きくすればそれに付
随してその他の特性が不安定となり、歩留りが悪くな
り、コストアップを招いた。
【０００８】そこで応答速度の速い光結合素子には、図
１１に示すドッキングタイプの光結合素子を採用し、半
透明樹脂６を無くし、透明樹脂５のみで光パスを形成し
半透明樹脂６による減衰を無くすことによりこの問題を
解消している。
１１に示すドッキングタイプの光結合素子を採用し、半
透明樹脂６を無くし、透明樹脂５のみで光パスを形成し
半透明樹脂６による減衰を無くすことによりこの問題を
解消している。
【０００９】しかしながら、ドッキングタイプの光結合
素子においては、透明樹脂５により光パスを形成する
際、前記透明樹脂５内部に界面が形成されたことによる
Ｃ．Ｔ．Ｒ劣化の防止や、リードフレーム３、３′等の
所定外の部分に透明樹脂５が付着することの防止の為、
前記受発光素子１、２各々の個別樹脂塗布や自動化が難
しく、リードフレーム３、３′を対向させた後、手作業
により透明樹脂５の注入を行っている。この為、作業工
数の増大や、製品の安定性に欠けるという問題があっ
た。
素子においては、透明樹脂５により光パスを形成する
際、前記透明樹脂５内部に界面が形成されたことによる
Ｃ．Ｔ．Ｒ劣化の防止や、リードフレーム３、３′等の
所定外の部分に透明樹脂５が付着することの防止の為、
前記受発光素子１、２各々の個別樹脂塗布や自動化が難
しく、リードフレーム３、３′を対向させた後、手作業
により透明樹脂５の注入を行っている。この為、作業工
数の増大や、製品の安定性に欠けるという問題があっ
た。
【００１０】又、光結合素子は、電源部等に使用される
リレーの様なものであり、１次（発光側）−２次（受光
側）間の絶縁耐圧が要求される。その為、発光側と受光
側との距離（沿面距離、絶縁距離）は極力長い方が好ま
しい。しかしながら、図１０、図１１の様な構造を持つ
光結合素子の場合、その構造上、発光素子チップ１と受
光素子チップ２間の距離を取ることに限界があり、耐絶
縁性にも限界があった。この問題を解決するために、図
１２に示す長沿面距離タイプの光結合素子があるが、長
い受発光素子チップ１、２間にポリイミド等から成る絶
縁テープ８を張り、高価なシリコーン等の透明樹脂５を
多量に用いて光パスを形成しなければならず、材料費の
増大へつながりコストＵＰの要因となっていた。又、受
発光素子チップ１、２間が長いため、光量の減衰が大き
くｈfeを大きくしなければならず、応答が遅くなるとい
う問題があった。従って、上記と同様にコストアップと
なる。
リレーの様なものであり、１次（発光側）−２次（受光
側）間の絶縁耐圧が要求される。その為、発光側と受光
側との距離（沿面距離、絶縁距離）は極力長い方が好ま
しい。しかしながら、図１０、図１１の様な構造を持つ
光結合素子の場合、その構造上、発光素子チップ１と受
光素子チップ２間の距離を取ることに限界があり、耐絶
縁性にも限界があった。この問題を解決するために、図
１２に示す長沿面距離タイプの光結合素子があるが、長
い受発光素子チップ１、２間にポリイミド等から成る絶
縁テープ８を張り、高価なシリコーン等の透明樹脂５を
多量に用いて光パスを形成しなければならず、材料費の
増大へつながりコストＵＰの要因となっていた。又、受
発光素子チップ１、２間が長いため、光量の減衰が大き
くｈfeを大きくしなければならず、応答が遅くなるとい
う問題があった。従って、上記と同様にコストアップと
なる。
【００１１】本発明は、上記課題に鑑み、光伝達効率を
向上し、応答速度の高速化が図れるとともに、低価格化
が図れる光結合素子の提供を目的とするものである。
向上し、応答速度の高速化が図れるとともに、低価格化
が図れる光結合素子の提供を目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の光結合素子は、
発光素子と受光素子とを光学的に結合するよう配置し、
これらを封止樹脂してなる光結合素子において、前記発
光素子と受光素子との間に、光導波路を備えた光伝導体
を設けてなることを特徴とするものである。
発光素子と受光素子とを光学的に結合するよう配置し、
これらを封止樹脂してなる光結合素子において、前記発
光素子と受光素子との間に、光導波路を備えた光伝導体
を設けてなることを特徴とするものである。
【００１３】また請求項１記載の光結合素子において、
前記光伝導体が、前記光導波路となる部分を選択的に開
口し、前記開口された部分に不純物を添加してなるガラ
ス体からなることを特徴とするものである。
前記光伝導体が、前記光導波路となる部分を選択的に開
口し、前記開口された部分に不純物を添加してなるガラ
ス体からなることを特徴とするものである。
【００１４】
【作用】上記構成によれば、本発明の光結合素子は、発
光素子から発した光のうち、光導波路に入射した光は、
緩やかな屈折を繰り返しながら光導波路内を進み受光素
子へ到達する。前記光導波路は疑似的な光ファイバとな
り、光の減衰量は非常に小さい。また、光導波路に入射
されなかった光は、光伝導体の光導波路以外の部分を、
屈折、反射、吸収を繰り返しながら受光素子へ到達す
る。この光は、前述の光より減衰量は大きいが樹脂より
も減衰量は小さくて済む。従って、受発光素子間の光伝
達効率が向上し、受光素子の電流増幅率を抑えることが
でき、応答速度の高速化が可能となる。また、電流増幅
率を抑えることにより受光素子が安定し、光結合素子自
体の歩留りがアップし、低価格化につながる。
光素子から発した光のうち、光導波路に入射した光は、
緩やかな屈折を繰り返しながら光導波路内を進み受光素
子へ到達する。前記光導波路は疑似的な光ファイバとな
り、光の減衰量は非常に小さい。また、光導波路に入射
されなかった光は、光伝導体の光導波路以外の部分を、
屈折、反射、吸収を繰り返しながら受光素子へ到達す
る。この光は、前述の光より減衰量は大きいが樹脂より
も減衰量は小さくて済む。従って、受発光素子間の光伝
達効率が向上し、受光素子の電流増幅率を抑えることが
でき、応答速度の高速化が可能となる。また、電流増幅
率を抑えることにより受光素子が安定し、光結合素子自
体の歩留りがアップし、低価格化につながる。
【００１５】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示す側面断面図で
ある。
ある。
【００１６】本実施例の光結合素子は、二重トランスフ
ァ・モールドタイプであり、発光素子チップ１と受光素
子チップ２とをそれぞれリードフレーム３、３′に搭載
し、前記発光素子チップ１と受光素子チップ２とを相対
向する位置に配置し、前記受光素子チップ２の受光面上
には光導波路（図示せず）を備えた光伝導体９を搭載
し、前記発光素子チップ１、受光素子チップ２、光伝導
体９及びリードフレーム３、３′の一部を半透明樹脂６
および遮光性樹脂７にて二重トランスファ・モールドさ
れてなるものである。
ァ・モールドタイプであり、発光素子チップ１と受光素
子チップ２とをそれぞれリードフレーム３、３′に搭載
し、前記発光素子チップ１と受光素子チップ２とを相対
向する位置に配置し、前記受光素子チップ２の受光面上
には光導波路（図示せず）を備えた光伝導体９を搭載
し、前記発光素子チップ１、受光素子チップ２、光伝導
体９及びリードフレーム３、３′の一部を半透明樹脂６
および遮光性樹脂７にて二重トランスファ・モールドさ
れてなるものである。
【００１７】前記発光素子チップ１および受光素子チッ
プ２はそれぞれＡｇペースト等にて４２ａｌｏｙ，Ｃｕ
等よりなる一対のリードフレーム３、３′に搭載され、
所望の素子−フレーム間を金線４、４′を用いて電気的
接続を行っている。また、前記発光素子チップ１はチッ
プ保護のため、シリコーン等の透明樹脂５にて覆われて
いる。さらに、前記半透明樹脂６および遮光性樹脂７
は、それぞれエポキシ樹脂，ポリイミド樹脂等からな
る。
プ２はそれぞれＡｇペースト等にて４２ａｌｏｙ，Ｃｕ
等よりなる一対のリードフレーム３、３′に搭載され、
所望の素子−フレーム間を金線４、４′を用いて電気的
接続を行っている。また、前記発光素子チップ１はチッ
プ保護のため、シリコーン等の透明樹脂５にて覆われて
いる。さらに、前記半透明樹脂６および遮光性樹脂７
は、それぞれエポキシ樹脂，ポリイミド樹脂等からな
る。
【００１８】前記光伝導体９は、図２の如く、石英ガラ
ス等のガラス体１０からなり、前記ガラス体における光
導波路１１となる部分を選択的に開口し、該開口した部
分に不純物を添加してなるものである。本実施例では、
チップダイボンダ（図示せず）にて、受光素子チップ２
上にシリコーン等からなる透明樹脂５等を介して搭載す
る。ここで、前記光導波路１１が受発光素子チップ１、
２間の光軸に重なるよう光伝導体９を配置する。
ス等のガラス体１０からなり、前記ガラス体における光
導波路１１となる部分を選択的に開口し、該開口した部
分に不純物を添加してなるものである。本実施例では、
チップダイボンダ（図示せず）にて、受光素子チップ２
上にシリコーン等からなる透明樹脂５等を介して搭載す
る。ここで、前記光導波路１１が受発光素子チップ１、
２間の光軸に重なるよう光伝導体９を配置する。
【００１９】以下に、前記光伝導体９の製造方法を図２
乃至図６に従って説明する。
乃至図６に従って説明する。
【００２０】まず、図３の如く、石英ガラス等のガラス
体１０表面に光導波路１１となる部分を選択的に開口す
る様にレジスト１２を表裏両面に塗布する。ここで、前
記レジスト１２を塗布する際、表面の開口部と裏面の開
口部がずれていた場合、前記光導波路１１がうまく形成
されず効果が半減してしまう為、表裏両面の開口部の位
置は、できるだけずれを生じさせない様にすることが望
ましい。
体１０表面に光導波路１１となる部分を選択的に開口す
る様にレジスト１２を表裏両面に塗布する。ここで、前
記レジスト１２を塗布する際、表面の開口部と裏面の開
口部がずれていた場合、前記光導波路１１がうまく形成
されず効果が半減してしまう為、表裏両面の開口部の位
置は、できるだけずれを生じさせない様にすることが望
ましい。
【００２１】次に、図４の如く、前記レジスト１２の塗
布が終了した後、Ｂ2Ｏ3、Ｆ等の不純物を前述した開口
部へ添加する。添加する方法に、プラズマＣＶＤ法を用
いると高速の製造ができる。ここで、不純物を添加する
際、徐々に不純物の量を変化させることにより、中心に
向かって徐々に高くなる屈折率分布の光導波路１１がで
きあがる。また、このとき、図４に示す様に、前記レジ
スト１２の内側へ徐々に反応が進んでいく為、前記レジ
スト１２による開口部より実際の光導波路１１のサイズ
は大きくなるので所望の光導波路１１のサイズより小さ
くなる様、あらかじめ、前記レジスト１２による開口部
を設定する。
布が終了した後、Ｂ2Ｏ3、Ｆ等の不純物を前述した開口
部へ添加する。添加する方法に、プラズマＣＶＤ法を用
いると高速の製造ができる。ここで、不純物を添加する
際、徐々に不純物の量を変化させることにより、中心に
向かって徐々に高くなる屈折率分布の光導波路１１がで
きあがる。また、このとき、図４に示す様に、前記レジ
スト１２の内側へ徐々に反応が進んでいく為、前記レジ
スト１２による開口部より実際の光導波路１１のサイズ
は大きくなるので所望の光導波路１１のサイズより小さ
くなる様、あらかじめ、前記レジスト１２による開口部
を設定する。
【００２２】添加終了後、図５の様に光導波路１１が形
成される。その後、前記レジスト１２を除去し図２の様
に、光導波路１１を備えた光伝導体９ができあがる。
成される。その後、前記レジスト１２を除去し図２の様
に、光導波路１１を備えた光伝導体９ができあがる。
【００２３】実際の生産においては、図６に示す様に、
例えば、大きな石英ガラス板を用いて、複数の光導波路
１１を形成した後、例えばチップ作成に使用するダイシ
ングマシンを用いて所望のサイズ（図６の破線部）にカ
ッティングすると、作業工数の低減が図れる。
例えば、大きな石英ガラス板を用いて、複数の光導波路
１１を形成した後、例えばチップ作成に使用するダイシ
ングマシンを用いて所望のサイズ（図６の破線部）にカ
ッティングすると、作業工数の低減が図れる。
【００２４】上記構成によれば、本実施例の光結合素子
は、発光素子チップ１から発した光の内、光伝導体９の
光導波路１１に入射した光は、緩やかな屈折を繰り返し
ながら光導波路１１内を進み受光素子チップ２へ到達す
る。この光導波路１１は、疑似的な光ファイバとなる
為、これにより伝搬された光の減衰量は非常に小さい。
また、光導波路１１に入射されなかった光は、光伝導体
９の光導波路１１以外のガラス体１０を、屈折、反射、
吸収を繰り返しながら受光素子チップ２へ到達する。こ
の光は、前述の光より減衰量は大きいが樹脂の場合より
も、減衰量は小さくて済む。２つの光量の合計は従来の
光量よりも大幅に大きくなる。結果、図１０に示す従来
例と比較して、光の伝搬量が大きくなるので受光素子チ
ップ２のｈfeを抑える事ができ、応答速度を速める事が
可能となる。また、受光素子チップ２のｈfeを抑えるこ
とにより他の特性が安定する。従って、受光素子チップ
２が安定し、光結合素子自体の歩留りがアップし、低価
格化につながる。
は、発光素子チップ１から発した光の内、光伝導体９の
光導波路１１に入射した光は、緩やかな屈折を繰り返し
ながら光導波路１１内を進み受光素子チップ２へ到達す
る。この光導波路１１は、疑似的な光ファイバとなる
為、これにより伝搬された光の減衰量は非常に小さい。
また、光導波路１１に入射されなかった光は、光伝導体
９の光導波路１１以外のガラス体１０を、屈折、反射、
吸収を繰り返しながら受光素子チップ２へ到達する。こ
の光は、前述の光より減衰量は大きいが樹脂の場合より
も、減衰量は小さくて済む。２つの光量の合計は従来の
光量よりも大幅に大きくなる。結果、図１０に示す従来
例と比較して、光の伝搬量が大きくなるので受光素子チ
ップ２のｈfeを抑える事ができ、応答速度を速める事が
可能となる。また、受光素子チップ２のｈfeを抑えるこ
とにより他の特性が安定する。従って、受光素子チップ
２が安定し、光結合素子自体の歩留りがアップし、低価
格化につながる。
【００２５】図７は他の実施例を示す側面断面図であ
る。本実施例について、上記実施例と相違する点のみ説
明する。
る。本実施例について、上記実施例と相違する点のみ説
明する。
【００２６】本実施例の光結合素子は、ドッキングタイ
プであり、発光素子チップ１と受光素子チップ２とを相
対向する位置に配置した後に、受発光素子チップ１，２
間に透明樹脂５を注入して封止し、これらを遮光性樹脂
７にてモールドしてなるものである。
プであり、発光素子チップ１と受光素子チップ２とを相
対向する位置に配置した後に、受発光素子チップ１，２
間に透明樹脂５を注入して封止し、これらを遮光性樹脂
７にてモールドしてなるものである。
【００２７】上記構成によれば、図１１に示す従来例と
比較して、上記実施例と同様の効果を有し、さらに高価
な透明樹脂（シリコーン樹脂等）５を若干削減できるこ
とから材料費の低減が可能である。
比較して、上記実施例と同様の効果を有し、さらに高価
な透明樹脂（シリコーン樹脂等）５を若干削減できるこ
とから材料費の低減が可能である。
【００２８】図８は更に他の実施例を示す側面断面図で
ある。本実施例について、図１に示す実施例と相違する
点のみ説明する。
ある。本実施例について、図１に示す実施例と相違する
点のみ説明する。
【００２９】本実施例の光結合素子は、長沿面距離タイ
プであり、発光素子チップ１と受光素子チップ２とを略
同一平面状に配置し、前記受発光素子チップ１，２間に
光導波路を備えた光伝導体９を設けてなるものであり、
前記受発光素子チップ１，２はそれぞれ透明樹脂５にて
覆われ、さらにこれらを遮光性樹脂７にてモールドして
なる構成である。すなわち、前記光伝導体９は、両端部
がそれぞれリードフレーム３，３′にて搭載・保持され
てなるものである。
プであり、発光素子チップ１と受光素子チップ２とを略
同一平面状に配置し、前記受発光素子チップ１，２間に
光導波路を備えた光伝導体９を設けてなるものであり、
前記受発光素子チップ１，２はそれぞれ透明樹脂５にて
覆われ、さらにこれらを遮光性樹脂７にてモールドして
なる構成である。すなわち、前記光伝導体９は、両端部
がそれぞれリードフレーム３，３′にて搭載・保持され
てなるものである。
【００３０】上記構成によれば、図１２に示す従来例と
比較して、図１に示す実施例と同様の効果を有し、さら
に高価な透明樹脂５を大幅に削減でき、且つ、絶縁テー
プ８を削減できることから材料費の大幅な低減が可能で
ある。
比較して、図１に示す実施例と同様の効果を有し、さら
に高価な透明樹脂５を大幅に削減でき、且つ、絶縁テー
プ８を削減できることから材料費の大幅な低減が可能で
ある。
【００３１】上述した実施例において、受発光素子チッ
プ１，２が同一光軸上になく、光軸がずれている場合で
もレジスト１２の塗布の際、開口部を例えば図９の様に
形成することにより容易に対応することができる。
プ１，２が同一光軸上になく、光軸がずれている場合で
もレジスト１２の塗布の際、開口部を例えば図９の様に
形成することにより容易に対応することができる。
【００３２】尚、本発明に使用される材料は、本実施例
に限定されるものではなく他の種々の材料等も使用でき
ることは言うまでもない。
に限定されるものではなく他の種々の材料等も使用でき
ることは言うまでもない。
【００３３】また、本発明の光結合素子は、受発光素子
１，２間に、光導波路１１を備えた光伝導体９を設けた
ものであれば何でも良い。
１，２間に、光導波路１１を備えた光伝導体９を設けた
ものであれば何でも良い。
【００３４】例えば、光伝導体９を受発光素子１，２に
て挟持し、これらを遮光性樹脂７にて封止してなる構成
でも良い。
て挟持し、これらを遮光性樹脂７にて封止してなる構成
でも良い。
【００３５】
【発明の効果】以上のように、本発明の光結合素子によ
れば、受発光素子間の光伝達効率が向上され、これによ
り受光素子の電流増幅率を抑えることができ、応答速度
の高速化が図れる。また、電流増幅率を抑えることによ
り受光素子が安定し、光結合素子自体の歩留りを向上
し、低価格化が図れる。従って、従来より高性能な光結
合素子を安価に提供することができる。
れば、受発光素子間の光伝達効率が向上され、これによ
り受光素子の電流増幅率を抑えることができ、応答速度
の高速化が図れる。また、電流増幅率を抑えることによ
り受光素子が安定し、光結合素子自体の歩留りを向上
し、低価格化が図れる。従って、従来より高性能な光結
合素子を安価に提供することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す側面断面図である。
【図２】光伝導体の部分拡大図である。
【図３】光伝導体の製造方法を説明するための側面断面
図である。
図である。
【図４】同じく、光伝導体の製造方法を説明するための
側面断面図である。
側面断面図である。
【図５】同じく、光伝導体の製造方法を説明するための
側面断面図である。
側面断面図である。
【図６】同じく、光伝導体の製造方法を説明するための
斜視図である。
斜視図である。
【図７】本発明の他の実施例を示す側面断面図である。
【図８】本発明の更に他の実施例を示す側面断面図であ
る。
る。
【図９】光伝導体の製造方法を説明するための上面図で
ある。
ある。
【図１０】従来例を示す側面断面図である。
【図１１】他の従来例を示す側面断面図である。
【図１２】更に他の従来例を示す側面断面図である。
１ 発光素子（チップ） ２ 受光素子（チップ） ５ 透明樹脂 ６ 半透明樹脂 ７ 遮光性樹脂 ９ 光伝導体 １０ ガラス体 １１ 光導波路
Claims (2)
- 【請求項１】 発光素子と受光素子とを光学的に結合す
るよう配置し、これらを樹脂封止してなる光結合素子に
おいて、前記発光素子と受光素子との間に、光導波路を
備えた光伝導体を設けてなることを特徴とする光結合素
子。 - 【請求項２】 前記光伝導体が、前記光導波路となる部
分を選択的に開口し、前記開口された部分に不純物を添
加してなるガラス体からなることを特徴とする請求項１
記載の光結合素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17419993A JP3145836B2 (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 光結合素子及びそれに用いられる光伝導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17419993A JP3145836B2 (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 光結合素子及びそれに用いられる光伝導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730145A true JPH0730145A (ja) | 1995-01-31 |
| JP3145836B2 JP3145836B2 (ja) | 2001-03-12 |
Family
ID=15974463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17419993A Expired - Fee Related JP3145836B2 (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 光結合素子及びそれに用いられる光伝導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3145836B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6300415B1 (en) | 1995-11-24 | 2001-10-09 | Chisso Corporation | Propylene composition, process for preparing the same, polypropylene composition, and molded articles |
| US6323286B1 (en) | 1998-08-18 | 2001-11-27 | Chisso Corporation | Polypropylene composition |
| US6429262B1 (en) | 1998-05-07 | 2002-08-06 | Chisso Corporation | Molded polypropylene |
| US6783844B2 (en) | 2000-07-12 | 2004-08-31 | Chisso Corporation | Polypropylene resin foam-molded article |
-
1993
- 1993-07-14 JP JP17419993A patent/JP3145836B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6300415B1 (en) | 1995-11-24 | 2001-10-09 | Chisso Corporation | Propylene composition, process for preparing the same, polypropylene composition, and molded articles |
| US6429262B1 (en) | 1998-05-07 | 2002-08-06 | Chisso Corporation | Molded polypropylene |
| US6323286B1 (en) | 1998-08-18 | 2001-11-27 | Chisso Corporation | Polypropylene composition |
| US6783844B2 (en) | 2000-07-12 | 2004-08-31 | Chisso Corporation | Polypropylene resin foam-molded article |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3145836B2 (ja) | 2001-03-12 |
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