JPH0730201A - 非共鳴光増幅器の面上への反射防止被覆の蒸着と前記被覆厚さの検査とのための方法及び装置 - Google Patents
非共鳴光増幅器の面上への反射防止被覆の蒸着と前記被覆厚さの検査とのための方法及び装置Info
- Publication number
- JPH0730201A JPH0730201A JP3198879A JP19887991A JPH0730201A JP H0730201 A JPH0730201 A JP H0730201A JP 3198879 A JP3198879 A JP 3198879A JP 19887991 A JP19887991 A JP 19887991A JP H0730201 A JPH0730201 A JP H0730201A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thickness
- voltage
- optical amplifier
- sample holder
- deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/001—General methods for coating; Devices therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
- C23C14/547—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material using optical methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
- G02B1/115—Multilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Lasers (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】半導体レーザ増幅器の光入出力端面に最適の厚
さの反射防止被覆を蒸着する方法と装置を提供する。 【構成】蒸着ディスクロージャ１０内でサンプルホール
ダ１４に支持された光増幅器１５の光入出力端面、すな
わち側部面１５−１と１５−２にスパッタリング手段１
２と引込み可能なマスク２３を利用して反射防止被覆を
蒸着する。光増幅器１５の基板とその対向面につけた電
極間に一定の電流を流しながら、この電極間電圧を測定
すると、反射防止被覆が最適の厚さになったときピーク
値を示す。そこで電圧Ｖの膜圧ｅに対する微分係数ｄＶ
／ｄｅをコンピュータ３２で計算しながら記録器３５で
これをモニターする。ｄＶ／ｄｅが丁度０になったとき
反射防止被覆は最適の厚さになる。サンプルホールダ旋
回手段２１をコンピュータ３２で制御して、端面１５−
１と１５−２を同一条件で交互に蒸着して両被覆層を同
時に最適の厚さに形成できる。
さの反射防止被覆を蒸着する方法と装置を提供する。 【構成】蒸着ディスクロージャ１０内でサンプルホール
ダ１４に支持された光増幅器１５の光入出力端面、すな
わち側部面１５−１と１５−２にスパッタリング手段１
２と引込み可能なマスク２３を利用して反射防止被覆を
蒸着する。光増幅器１５の基板とその対向面につけた電
極間に一定の電流を流しながら、この電極間電圧を測定
すると、反射防止被覆が最適の厚さになったときピーク
値を示す。そこで電圧Ｖの膜圧ｅに対する微分係数ｄＶ
／ｄｅをコンピュータ３２で計算しながら記録器３５で
これをモニターする。ｄＶ／ｄｅが丁度０になったとき
反射防止被覆は最適の厚さになる。サンプルホールダ旋
回手段２１をコンピュータ３２で制御して、端面１５−
１と１５−２を同一条件で交互に蒸着して両被覆層を同
時に最適の厚さに形成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、反射防止被覆の蒸着と
前記被覆の厚さの検査とのための方法及び装置に係わ
る。更に特に本発明は、光通信に使用可能な非共鳴タイ
プの半導体レーザ増幅器の製造に使用される。
前記被覆の厚さの検査とのための方法及び装置に係わ
る。更に特に本発明は、光通信に使用可能な非共鳴タイ
プの半導体レーザ増幅器の製造に使用される。
【０００２】
【従来の技術】こうした反射防止被覆は、その被覆がそ
の表面上に蒸着させられる基体の屈折率がｎ0 である時
に、その被膜の屈折率ｎが関係ｎ2 ＝ｎ0 を満たし、且
つλがその反射を除去することが求められる放射の波長
である時に、その被膜厚さｅがλｎ／４に等しい透明な
被覆であることが知られている。
の表面上に蒸着させられる基体の屈折率がｎ0 である時
に、その被膜の屈折率ｎが関係ｎ2 ＝ｎ0 を満たし、且
つλがその反射を除去することが求められる放射の波長
である時に、その被膜厚さｅがλｎ／４に等しい透明な
被覆であることが知られている。
【０００３】その被覆材料に応じて、被覆厚さが注意深
く調節されなければならない。「良好な」反射防止被覆
は10-3未満の反射率を有する被覆であると認められてい
る。この非常に低い値は被覆厚さに対して厳しい制約を
課し、この厚さは10-2以下に調節されなければならな
い。従って良好な反射防止被覆を得ることはかなり難し
い。
く調節されなければならない。「良好な」反射防止被覆
は10-3未満の反射率を有する被覆であると認められてい
る。この非常に低い値は被覆厚さに対して厳しい制約を
課し、この厚さは10-2以下に調節されなければならな
い。従って良好な反射防止被覆を得ることはかなり難し
い。
【０００４】半導体レーザ構造の側部面上に反射防止被
覆が蒸着される場合の前記被覆の厚さを検査するための
方法が知られている。“Applied Optics”, vol. 27, N
o.8,1988 年 4月, pp 1391 〜1393において、A. SOMANI
他によって発表された“Real-time monitoring of las
er diode facet reflectivity while being coatedwith
SiOx ”と題された論文は、レーザダイオードによって
放出される光の強度を時間の関数として測定する方法を
説明している。この方法では、この光の強度がその最小
値を通過する時に、その反射率もその最小値を通過し、
その蒸着プロセスが中止される。米国特許第 3 846 165
号は、蒸着被覆の反射率の関数である、レーザによって
放出される放射の強さを測定する方法を説明している。
この方法では、その測定出力が望ましい反射率に一致す
る時に、蒸着プロセスが中止される。“Applied Optic
s”, vol. 26, No.5, 1987 年 3月 1日, pp 845〜849
において発表された“Directly controlled deposition
of anti-reflection coatings for semiconductor las
er”と題されたM. SERENYI他による論文では、その半導
体構造に電流が供給され、蒸着の間に被覆を通して自然
放出される光の強度を測定する方法が説明される。この
場合には、最大の光出力が調べられる。
覆が蒸着される場合の前記被覆の厚さを検査するための
方法が知られている。“Applied Optics”, vol. 27, N
o.8,1988 年 4月, pp 1391 〜1393において、A. SOMANI
他によって発表された“Real-time monitoring of las
er diode facet reflectivity while being coatedwith
SiOx ”と題された論文は、レーザダイオードによって
放出される光の強度を時間の関数として測定する方法を
説明している。この方法では、この光の強度がその最小
値を通過する時に、その反射率もその最小値を通過し、
その蒸着プロセスが中止される。米国特許第 3 846 165
号は、蒸着被覆の反射率の関数である、レーザによって
放出される放射の強さを測定する方法を説明している。
この方法では、その測定出力が望ましい反射率に一致す
る時に、蒸着プロセスが中止される。“Applied Optic
s”, vol. 26, No.5, 1987 年 3月 1日, pp 845〜849
において発表された“Directly controlled deposition
of anti-reflection coatings for semiconductor las
er”と題されたM. SERENYI他による論文では、その半導
体構造に電流が供給され、蒸着の間に被覆を通して自然
放出される光の強度を測定する方法が説明される。この
場合には、最大の光出力が調べられる。
【０００５】上記の方法は各々に多くの欠点を有する。
まず第１に、必要とされる感光体は、最大限度の光を収
集するように位置決めされなければならない。しかしこ
の要件は、処理されるべき面をマスクしないようにする
必要性と両立することが困難である。第２に、この感光
体が蒸着エンクロージャ内において（スパッタリングガ
ン又はプラズマによって）放出される光に対して敏感で
あるが故に、こうした寄生光をマスクすることとこの目
的のために干渉フィルタを使用することとが必要である
が、このことは測定されるべき光の強度を低下させる。
測定されるべき光の強度自体がその最小値では既に非常
に小さいだけに、この低下はますます不利なものとな
る。最後に、レンズ、鏡、光ファイバ等を使用してレー
ザと感光体等との間に厳密なアラインメントが得られな
ければならないが、これらの要素全てを適正に設置する
ことは非常に複雑な作業を要する。
まず第１に、必要とされる感光体は、最大限度の光を収
集するように位置決めされなければならない。しかしこ
の要件は、処理されるべき面をマスクしないようにする
必要性と両立することが困難である。第２に、この感光
体が蒸着エンクロージャ内において（スパッタリングガ
ン又はプラズマによって）放出される光に対して敏感で
あるが故に、こうした寄生光をマスクすることとこの目
的のために干渉フィルタを使用することとが必要である
が、このことは測定されるべき光の強度を低下させる。
測定されるべき光の強度自体がその最小値では既に非常
に小さいだけに、この低下はますます不利なものとな
る。最後に、レンズ、鏡、光ファイバ等を使用してレー
ザと感光体等との間に厳密なアラインメントが得られな
ければならないが、これらの要素全てを適正に設置する
ことは非常に複雑な作業を要する。
【０００６】更に、これらの技術がその２つの面に反射
防止処理を行うことが必要な非共鳴構造に適用される時
には、新たな問題点に生じることになる。例えば、前記
構造物の一方の面の蒸着被覆の厚さを最適化した後に、
その他方の面の被覆厚さを最適化する場合には、最終的
な２つの蒸着被覆の間に厚さの非対称性が生じさせられ
る。これは、第１の面に対する反射防止処理の際に、そ
の光学損失の増大が前記構造の光学利得のスペクトルず
れを引き起し、このために第２の面の最適厚さが僅かに
異なったものとなることに起因する。これに加えて、前
記第２の面の反射防止処理の間に、既に処理された第１
の面に対して寄生的な蒸着が追加され、このために第１
の面に対して行われた反射防止処理が無効化される。
防止処理を行うことが必要な非共鳴構造に適用される時
には、新たな問題点に生じることになる。例えば、前記
構造物の一方の面の蒸着被覆の厚さを最適化した後に、
その他方の面の被覆厚さを最適化する場合には、最終的
な２つの蒸着被覆の間に厚さの非対称性が生じさせられ
る。これは、第１の面に対する反射防止処理の際に、そ
の光学損失の増大が前記構造の光学利得のスペクトルず
れを引き起し、このために第２の面の最適厚さが僅かに
異なったものとなることに起因する。これに加えて、前
記第２の面の反射防止処理の間に、既に処理された第１
の面に対して寄生的な蒸着が追加され、このために第１
の面に対して行われた反射防止処理が無効化される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的はこれら
の欠点全てを取り除くことである。
の欠点全てを取り除くことである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】従って本発明は、反射防
止被覆の蒸着と前記被覆の厚さの検査とのための方法を
提案する。前記方法は、限定された厚さの単位蒸着物を
連続して蒸着することによって、光増幅器の２つの面の
各々の上に交互に蒸着が行われ、このようにして前記２
つの面が同時且つ対称的に処理され、前記光増幅器の端
子において電圧が測定されて前記電圧がその最大値を通
過することが検出され、この検出が前記２つの被覆全体
に関する総反射率の最小値が得られたことを示し、この
時点で蒸着が中止されることとを特徴とする。
止被覆の蒸着と前記被覆の厚さの検査とのための方法を
提案する。前記方法は、限定された厚さの単位蒸着物を
連続して蒸着することによって、光増幅器の２つの面の
各々の上に交互に蒸着が行われ、このようにして前記２
つの面が同時且つ対称的に処理され、前記光増幅器の端
子において電圧が測定されて前記電圧がその最大値を通
過することが検出され、この検出が前記２つの被覆全体
に関する総反射率の最小値が得られたことを示し、この
時点で蒸着が中止されることとを特徴とする。
【０００９】前記２つの面に対して交互に蒸着を行うこ
とと、蒸着される材料の量が少ないこととによって、反
射防止処理の非対称性に関連した欠点が取り除かれる。
とと、蒸着される材料の量が少ないこととによって、反
射防止処理の非対称性に関連した欠点が取り除かれる。
【００１０】最適厚さを検出するための手段として（放
出光の強度の代わりに）電圧を使用することによって、
光学システムに関連した上記の欠点が取り除かれること
が可能である。
出光の強度の代わりに）電圧を使用することによって、
光学システムに関連した上記の欠点が取り除かれること
が可能である。
【００１１】電圧がそこで測定される前記増幅器の端子
である上記術語「端子」は、その一方が基板上に位置
し、その他方が半導体構造の頂部上に位置する２つの電
気接点を意味するものと理解される。反射防止蒸着が行
われる面は、一般的に劈開した面である。従って注入電
流は、半導体被覆の平面に対して実質的に垂直に循環
し、且つ反射防止蒸着物に対して実質的に平行に循環す
る。
である上記術語「端子」は、その一方が基板上に位置
し、その他方が半導体構造の頂部上に位置する２つの電
気接点を意味するものと理解される。反射防止蒸着が行
われる面は、一般的に劈開した面である。従って注入電
流は、半導体被覆の平面に対して実質的に垂直に循環
し、且つ反射防止蒸着物に対して実質的に平行に循環す
る。
【００１２】光学的な大きさ（１つの反射防止被覆の反
射率）と電気的な大きさ（半導体構造の端子における電
圧）との、本発明の基礎である相関関係は驚くべきもの
である。本発明人に従って、この相関関係は下記のよう
に説明されることが可能である。
射率）と電気的な大きさ（半導体構造の端子における電
圧）との、本発明の基礎である相関関係は驚くべきもの
である。本発明人に従って、この相関関係は下記のよう
に説明されることが可能である。
【００１３】１つの半導体レーザ構造においては、所与
の注入電流において、活性区域内のキャリアの数が、前
記構造中に存在する光子の数に反比例する。キャリア密
度（即ち単位体積当たりのキャリア数）が、擬フェルミ
準位の間隔を決定し、従って前記構造の前記端子におけ
る電圧を決定する。
の注入電流において、活性区域内のキャリアの数が、前
記構造中に存在する光子の数に反比例する。キャリア密
度（即ち単位体積当たりのキャリア数）が、擬フェルミ
準位の間隔を決定し、従って前記構造の前記端子におけ
る電圧を決定する。
【００１４】更に前記構造内部の光の強度は、誘導放出
による増幅と、その空洞の光学損失との間の平衡の結果
として生じる。一定に保たれた注入電流の場合には、反
射防止被覆が行われる２つの面の一方の面の反射率の低
下に関連した光学損失の増加が、前記空洞内の光の強度
の低下を引き起こす。この低下は誘導放出を減少させ、
これはキャリア密度を増加させる作用を有し、従ってレ
ーザ半導体構造の前記端子における電圧を増加させる。
による増幅と、その空洞の光学損失との間の平衡の結果
として生じる。一定に保たれた注入電流の場合には、反
射防止被覆が行われる２つの面の一方の面の反射率の低
下に関連した光学損失の増加が、前記空洞内の光の強度
の低下を引き起こす。この低下は誘導放出を減少させ、
これはキャリア密度を増加させる作用を有し、従ってレ
ーザ半導体構造の前記端子における電圧を増加させる。
【００１５】従って、より良好な反射防止被覆を求める
ことは、前記半導体構造の前記端子における電圧最大値
を検出することになる。
ことは、前記半導体構造の前記端子における電圧最大値
を検出することになる。
【００１６】処理を受ける面に対してアラインメント調
整された１つの感光体を必要とする従来技術の方法を用
いる場合には、処理されるべき２つの面を交互にスパッ
タリング装置に向けることは不可能であったということ
も指摘されるべきであろう。これとは反対に本発明の方
法では、前記電圧の測定によってこの交互処理が可能に
される。
整された１つの感光体を必要とする従来技術の方法を用
いる場合には、処理されるべき２つの面を交互にスパッ
タリング装置に向けることは不可能であったということ
も指摘されるべきであろう。これとは反対に本発明の方
法では、前記電圧の測定によってこの交互処理が可能に
される。
【００１７】本発明は、前述の方法を使用する反射防止
被覆蒸着装置にも係わる。
被覆蒸着装置にも係わる。
【００１８】以下では本発明が、その非限定的な実施例
と添付図面とに関連してより詳細に説明される。
と添付図面とに関連してより詳細に説明される。
【００１９】
【実施例】図１に示される装置は、１つのスパッタリン
グ手段12を備えた１つの蒸着エンクロージャ10と、その
側部面15-1と15-2とが処理されるべき光増幅器15を受け
取ることが可能な、１つのサンプルホールダ14とを有す
る。定電流源16がサンプルホールダ14に接続され、蒸着
の間は前記光増幅器15に電流を供給する。更にこの装置
は、前記増幅器の側部面15-1と15-2とを各々にスパッタ
リング手段12に向けるようにサンプルホールダ14を半回
転ずつピボット旋回させるための手段18、21と、前記光
増幅器15の端子における電圧Ｖ（又は結局は同じことに
なるが、電流源16の出力における電圧）を測定する１つ
の電圧計34と、前記エンクロージャ10内において前記ス
パッタリング手段12と前記サンプルホールダ14との間に
配置された１つの引込可能なマスク23と、前記マスクの
位置を制御することが可能な１つのモータ25と、１つの
水晶支持体30と１つの水晶周波数計31とを有する、形成
された蒸着物の厚さｅを測定するための手段と、前記電
圧Ｖがその最大値を通過する瞬間を検出し且つ前記スパ
ッタリング手段の停止を制御することが可能な手段32と
を有する。
グ手段12を備えた１つの蒸着エンクロージャ10と、その
側部面15-1と15-2とが処理されるべき光増幅器15を受け
取ることが可能な、１つのサンプルホールダ14とを有す
る。定電流源16がサンプルホールダ14に接続され、蒸着
の間は前記光増幅器15に電流を供給する。更にこの装置
は、前記増幅器の側部面15-1と15-2とを各々にスパッタ
リング手段12に向けるようにサンプルホールダ14を半回
転ずつピボット旋回させるための手段18、21と、前記光
増幅器15の端子における電圧Ｖ（又は結局は同じことに
なるが、電流源16の出力における電圧）を測定する１つ
の電圧計34と、前記エンクロージャ10内において前記ス
パッタリング手段12と前記サンプルホールダ14との間に
配置された１つの引込可能なマスク23と、前記マスクの
位置を制御することが可能な１つのモータ25と、１つの
水晶支持体30と１つの水晶周波数計31とを有する、形成
された蒸着物の厚さｅを測定するための手段と、前記電
圧Ｖがその最大値を通過する瞬間を検出し且つ前記スパ
ッタリング手段の停止を制御することが可能な手段32と
を有する。
【００２０】図示された実施例では、この手段32は１つ
のコンピュータによって構成される。このコンピュータ
は、前記電圧計34に接続され且つ前記電圧計から電圧Ｖ
を受け取る第１の入力Ｅ１と、形成された蒸着物の厚さ
ｅを測定することが可能で前記手段30、31に接続された
第２の入力Ｅ２とを有する。
のコンピュータによって構成される。このコンピュータ
は、前記電圧計34に接続され且つ前記電圧計から電圧Ｖ
を受け取る第１の入力Ｅ１と、形成された蒸着物の厚さ
ｅを測定することが可能で前記手段30、31に接続された
第２の入力Ｅ２とを有する。
【００２１】このコンピュータ32は、電圧変化dVと、厚
さ変化deと、比率dV/de と、前記比率dV/de がゼロにな
る瞬間とを測定する。更にコンピュータ32は、計算され
た比率dV/de がゼロになる瞬間にスパッタリング手段12
に与えられる中止信号を供給する第１の出力Ｓ１と、量
dVと量ｅを供給する第２の出力Ｓ２と、前記サンプルホ
ールダ14を半回転ずつピボット旋回させることが可能な
前記手段21を制御する第３の出力Ｓ３と、最後に、前記
モータ25を制御するための、及び前記ホールダ14の半回
転毎のピボット旋回の間に前記スパッタリング手段と前
記サンプルホールダとの間に前記マスク23を挿入するた
めの第４の出力S4とを有する。
さ変化deと、比率dV/de と、前記比率dV/de がゼロにな
る瞬間とを測定する。更にコンピュータ32は、計算され
た比率dV/de がゼロになる瞬間にスパッタリング手段12
に与えられる中止信号を供給する第１の出力Ｓ１と、量
dVと量ｅを供給する第２の出力Ｓ２と、前記サンプルホ
ールダ14を半回転ずつピボット旋回させることが可能な
前記手段21を制御する第３の出力Ｓ３と、最後に、前記
モータ25を制御するための、及び前記ホールダ14の半回
転毎のピボット旋回の間に前記スパッタリング手段と前
記サンプルホールダとの間に前記マスク23を挿入するた
めの第４の出力S4とを有する。
【００２２】記録器35が前記コンピュータ32の第２の出
力Ｓ２に接続され、厚さｅの関数としてのdVの変化を記
録する。図２は、これらの変化を表す１つの曲線の例を
示す。この曲線は、 300μm の長さを有し且つその閾値
の９倍に等しい定電流で給電された半導体構造の場合に
相当する。この構造物の２つの面に交互に蒸着される単
位被覆物は、各々の蒸着毎に10nmの厚さを有する。左側
の縦座標には、ミリボルトで表された電圧変化dVがプロ
ットされ、右側の縦座標には総反射率がプロットされて
いる。横座標には厚さｅがナノメートル単位でプロット
されている。最適な反射防止処理は厚さ400nm の場合に
得られ、この厚さは、各々１つが10nmの厚さである「単
位」蒸着物が40個連続した厚さに相当する。最終的に得
られる反射率は、前記２つの面の各々において10-4であ
る。
力Ｓ２に接続され、厚さｅの関数としてのdVの変化を記
録する。図２は、これらの変化を表す１つの曲線の例を
示す。この曲線は、 300μm の長さを有し且つその閾値
の９倍に等しい定電流で給電された半導体構造の場合に
相当する。この構造物の２つの面に交互に蒸着される単
位被覆物は、各々の蒸着毎に10nmの厚さを有する。左側
の縦座標には、ミリボルトで表された電圧変化dVがプロ
ットされ、右側の縦座標には総反射率がプロットされて
いる。横座標には厚さｅがナノメートル単位でプロット
されている。最適な反射防止処理は厚さ400nm の場合に
得られ、この厚さは、各々１つが10nmの厚さである「単
位」蒸着物が40個連続した厚さに相当する。最終的に得
られる反射率は、前記２つの面の各々において10-4であ
る。
【図１】本発明による反射防止被覆蒸着装置を示す説明
図である。
図である。
【図２】本発明による反射防止被覆蒸着装置の場合の、
蒸着物の厚さｅの関数としての電圧変化dVの変化を示す
グラフである。
蒸着物の厚さｅの関数としての電圧変化dVの変化を示す
グラフである。
10 蒸着ディスクロージャ 12 スパッタリング手段 14 サンプルホールダ 15 光増幅器 16 定電流源 21 サンプルホールダ旋回手段 23 引込み可能なマスク 25 モータ 32 コンピュータ 34 電圧計 35 記録器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｇ０２Ｂ 1/11 (71)出願人 591179547 フランス・テレコム−エタブリスマン・オ トノム・ドウ・ドロワ・ピユブリツク（サ ントル・ナシオナル・デテユード・デ・テ レコミユニカシオン) ＦＲＡＮＣＥ ＴＥＬＥＣＯＭ−ＥＴＡＢ ＬＩＳＳＥＭＥＮＴ ＡＵＴＯＮＯＭＥ ＤＥ ＤＲＯＩＴ ＰＵＢＬＩＣ （ＣＥ ＮＴＲＥ ＮＡＴＩＯＮＡＬ Ｄ´ＥＴＵ ＤＥＳ ＤＥＳ ＴＥＬＥＣＯＭＭＵＮＩ ＣＡＴＩＯＮＳ) フランス国、92131・イシイ・レ・ムリノ ー、リユ・ドユ・ジエネラル・ルクレー ル、38／40 (72)発明者 ジヤン・ランドロ フランス国、92160・アントニイ、リユ・ マルセル・マイアール・11 (72)発明者 ヒサオ・ナカジマ フランス国、75014・パリ、リユ・ドウ・ ラ・トンブ−イソワール・97
Claims (8)
- 【請求項１】 非共鳴光増幅器の面上への反射防止被覆
の蒸着と、前記被覆の厚さの検査とのための方法であっ
て、蒸着中に前記光増幅器に定電流が給電され、前記被
覆の厚さが最適値にある瞬間を測定するために、前記光
増幅器の特性の１つの変化が蒸着中に測定され、更に限
定された厚さの単位蒸着物を次々と連続的に蒸着させる
ことによって前記光増幅器の２つの面の各々の上に交互
に蒸着が行われ、このようにして前記２つの面が同時的
且つ対称的に処理され、蒸着中にその変化が測定される
前記特性が前記光増幅器の端子における電圧(V) であ
り、前記電圧がその最大値を通過することが検出され、
この検出が前記２つの被覆全体における総反射率の最小
値が得られたことを示し、この時点で蒸着が中止される
こととを特徴とする方法。 - 【請求項２】 非共鳴光増幅器の２つの面上への反射防
止被覆の蒸着と、前記２つの被覆の厚さの検査とのため
の、請求項１に記載の方法を行うための装置であって、
１つのスパッタリング手段を備えた１つの蒸着エンクロ
ージャと、前記光増幅器を受け取るための１つのサンプ
ルホールダと、前記サンプルホールダに接続されて且つ
蒸着中に前記光増幅器に電流を供給することが可能な１
つの定電流源とを有し、更に前記装置が、前記増幅器の
前記２つの面を交互に前記スパッタリング手段に向ける
ように前記サンプルホールダを半回転ずつピボット旋回
させるための手段と、前記光増幅器の端子における電圧
(V) を測定する１つの電圧計と、前記電圧(V) がその最
大値を通過する瞬間を検出し且つ前記スパッタリング手
段の停止を制御するための手段とを有することを特徴と
する装置。 - 【請求項３】 形成された蒸着物の厚さ(e) を常時測定
するための手段を更に有することを特徴とする請求項２
に記載の装置。 - 【請求項４】 前記電圧(V) がその最大値を通過する瞬
間を検出し且つ前記スパッタリング手段の中止を制御す
ることが可能な前記手段が、１つのコンピュータを有
し、前記コンピュータが、前記電圧計に接続され且つ前
記電圧計から測定電圧(V) を受け取る第１の入力と、形
成された蒸着物の厚さ(e) を測定するための前記手段に
接続された第２の入力とを有し、更に前記コンピュータ
が、電圧変化(dV)と、厚さ変化(de)と、比率(dV/de) と
を計算し、前記比率(dV/de) がゼロになる瞬間を確定
し、前記コンピュータが、計算された前記比率(dV/de)
がゼロになる瞬間に前記スパッタリング手段に与えられ
る中止信号を供給する第１の出力を有することを特徴と
する請求項３に記載の装置。 - 【請求項５】 前記コンピュータが、量(dV)と量(e) を
供給する第２の出力を更に有することを特徴とする請求
項４に記載の装置。 - 【請求項６】 前記エンクロージャ内において前記スパ
ッタリング手段と前記サンプルホールダとの間に配置さ
れた１つの引込み可能なマスクと、前記マスクを制御す
るための１つのモータとを更に有することを特徴とする
請求項２に記載の装置。 - 【請求項７】 前記コンピュータが、前記サンプルホー
ルダを半回転ずつピボット旋回させるための前記手段を
制御する第３の出力と、前記サンプルホールダの半回転
毎のピボット旋回の間に前記引込み可能なマスクに対し
て作用する前記モータを制御する第４の出力とを更に有
することを特徴とする請求項４に記載の装置。 - 【請求項８】 前記コンピュータの前記第２の出力に接
続され、且つ形成された蒸着物の厚さを測定するための
前記手段によって測定された蒸着物厚さ(e)の関数とし
て前記電圧変化(dV)を記録する、１つの記録器を更に有
することを特徴とする請求項５に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9008947A FR2664710B1 (fr) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | Procede et installation de depot de couches antireflet et de controle de leur epaisseur. |
| FR9008947 | 1990-07-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730201A true JPH0730201A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=9398688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3198879A Pending JPH0730201A (ja) | 1990-07-13 | 1991-07-12 | 非共鳴光増幅器の面上への反射防止被覆の蒸着と前記被覆厚さの検査とのための方法及び装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5221636A (ja) |
| EP (1) | EP0466598B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0730201A (ja) |
| DE (1) | DE69106612T2 (ja) |
| FR (1) | FR2664710B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01272646A (ja) * | 1987-11-05 | 1989-10-31 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 射出成形用オレフィン樹脂組成物 |
| JPH02649A (ja) * | 1987-11-05 | 1990-01-05 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 摺動材 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2694457B1 (fr) * | 1992-07-31 | 1994-09-30 | Chebbi Brahim | Laser à semi-conducteur pour la détection d'un rayonnement lumineux, procédé pour l'obtention d'un détecteur photosensible, et application d'un tel laser à la détection d'un rayonnement lumineux. |
| US5911856A (en) * | 1993-09-03 | 1999-06-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming thin film |
| JPH08220304A (ja) | 1995-02-13 | 1996-08-30 | Tadahiro Omi | 光学物品及びそれを用いた露光装置又は光学系並びにその製造方法 |
| DE19812562A1 (de) * | 1998-03-21 | 1999-09-23 | Joachim Sacher | Beschichtungs-Verfahren und -Vorrichtung |
| US6485565B1 (en) | 1998-05-28 | 2002-11-26 | The Regents Of The University Of California | Process and apparatus for making oriented crystal layers |
| US6132805A (en) * | 1998-10-20 | 2000-10-17 | Cvc Products, Inc. | Shutter for thin-film processing equipment |
| US20030015139A1 (en) * | 2001-07-17 | 2003-01-23 | 3M Innovative Properties Company | Protective packaging |
| US7824730B2 (en) * | 2007-08-31 | 2010-11-02 | United Technologies Corporation | Method and apparatus for measuring coating thickness with a laser |
| RU2466207C2 (ru) * | 2010-12-23 | 2012-11-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тамбовский государственный технический университет" ГОУ ВПО ТГТУ | Способ синтеза наноструктурной пленки на изделии и устройство для его реализации |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3846165A (en) * | 1972-08-21 | 1974-11-05 | Rca Corp | Method of applying an anti-reflective coating on a semiconductor laser |
| US4563368A (en) * | 1983-02-14 | 1986-01-07 | Xerox Corporation | Passivation for surfaces and interfaces of semiconductor laser facets or the like |
| US4843031A (en) * | 1987-03-17 | 1989-06-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of fabricating compound semiconductor laser using selective irradiation |
-
1990
- 1990-07-13 FR FR9008947A patent/FR2664710B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-07-11 EP EP91401941A patent/EP0466598B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-11 DE DE69106612T patent/DE69106612T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-07-12 US US07/729,435 patent/US5221636A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-07-12 JP JP3198879A patent/JPH0730201A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01272646A (ja) * | 1987-11-05 | 1989-10-31 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 射出成形用オレフィン樹脂組成物 |
| JPH02649A (ja) * | 1987-11-05 | 1990-01-05 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 摺動材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0466598B1 (fr) | 1995-01-11 |
| DE69106612D1 (de) | 1995-02-23 |
| FR2664710A1 (fr) | 1992-01-17 |
| US5221636A (en) | 1993-06-22 |
| EP0466598A1 (fr) | 1992-01-15 |
| FR2664710B1 (fr) | 1993-06-18 |
| DE69106612T2 (de) | 1995-07-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0730201A (ja) | 非共鳴光増幅器の面上への反射防止被覆の蒸着と前記被覆厚さの検査とのための方法及び装置 | |
| US5396328A (en) | Waveguide type displacement interferometer having two reference paths | |
| US5754297A (en) | Method and apparatus for monitoring the deposition rate of films during physical vapor deposition | |
| JPH08145631A (ja) | コーティング厚さ測定装置 | |
| US20040255853A1 (en) | PECVD reactor in-situ monitoring system | |
| US6954474B2 (en) | Method and apparatus for backside monitoring of VCSELs | |
| US4873485A (en) | Electro-optic signal measurement | |
| JP2002022936A (ja) | 光学多層膜フィルタの成膜方法、成膜装置及び光学式膜厚計 | |
| JP4732569B2 (ja) | コーティングの光学的な層厚さを連続的に決定するための方法 | |
| US5024853A (en) | Method to control the thickness of an antireflection coating and implementation installation | |
| Wu et al. | Real-time in situ monitoring of antireflection coatings for semiconductor laser amplifiers by ellipsometry | |
| US4730109A (en) | Apparatus and method for measuring electric field by electroreflectance | |
| JPS5948928A (ja) | 弱吸収性の薄膜の厚みの調節デバイス | |
| JPH11162954A (ja) | 光学的手段による薄膜測定方法及び装置並びに成膜装置 | |
| JP2941911B2 (ja) | 反射型光走査トンネル顕微鏡 | |
| JPH1164220A (ja) | 光学薄膜の特性モニタ装置 | |
| JPH0790593A (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
| JP2921880B2 (ja) | 微粒子モニタ付き半導体製造装置 | |
| JPH098406A (ja) | 反射防止膜形成方法 | |
| JP3084862B2 (ja) | 光学式膜厚モニター | |
| JPH076063B2 (ja) | 光検出方法および装置 | |
| SU754970A1 (ru) | Способ определения микроструктуры и показателя преломления частиц атмосферных дымок | |
| Nie et al. | Novel technique of antireflection coatings for semiconductor laser diodes | |
| JPS61288107A (ja) | 誘電体膜形成方法および装置 | |
| JPH01156629A (ja) | レーザエネルギー検出装置 |