JPH0730327A - 高周波ｌｃ型発振回路の温度補償回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、高周波ＬＣ型発振回路からの信号
の増幅時に温度補償を行なう温度補償回路に関し、発振
を構成するＬＣ型発振回路の温度特性に着目しただけで
は発振周波数の温度変化の改善が困難である増幅部の寄
生容量の温度変化を抑制し、一定の発振周波数を発生さ
せることを目的とする。 【構成】 ＬＣ発振回路からの高周波信号を入力端に入
力すると共に当該入力端に、電源電圧を抵抗Ｒｔと負特
性素子Ｒｔ１（あるいは正特性素子Ｒｔ２と抵抗Ｒ
ｔ’）とで分圧したバイアス電圧を供給して増幅部の寄
生容量を温度補償し、増幅した高周波信号を出力するよ
うに構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高周波ＬＣ型発振回路
からの信号の増幅時に温度補償を行なう温度補償回路に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、高周波ＬＣ型発振回路、例えば数
ＧＨｚの高周波を発振するＬＣ型の発振回路は、発振を
構成する部分にコンデンサやコイルなどの持つ温度特性
を利用し、温度による周波数変動を抑えていた。例えば
コンデンサ部分に温度補償型のコンデンサを使用し、温
度が変化しても当該コンデンサによって結果として発振
回路の合成容量が同じになるように補償し、一定の周波
数の信号を得るようにしていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、発振周波数が
上記数ＧＨｚにも高くなるにつれて、当該高周波ＬＣ型
発振回路の増幅部のトランジスタによる寄生容量によっ
て温度変化に対して大きく影響され、温度変化に対して
一定の周波数の信号を得られなくなってしまう問題が発
生した。このため、高周波ＬＣ型発振回路において、増
幅部も含めた温度変化に依存しない一定の周波数の信号
を発生することが望まれている。

【０００４】本発明は、これらの問題を解決するため、
発振を構成する高周波ＬＣ型発振回路の温度特性に着目
しただけでは発振周波数の温度変化の改善が困難である
増幅部の寄生容量を抑制し、一定の発振周波数を発生さ
せることを目的としている。

【０００５】

【課題を解決するための手段】図１は、本発明の原理構
成図を示す。図１において、高周波ＬＣ型発振回路１
は、ＬＣ型の高周波発振回路である。

【０００６】温度補償回路２は、高周波ＬＣ型発振回路
１からの高周波信号を増幅するものであって、増幅素子
３の入力端に高周波信号を入力して増幅したり、当該入
力端に抵抗と負特性素子Ｒｔ１あるいは正特性素子Ｒｔ
２で分圧したバイアス電圧を印加して増幅部の寄生容量
を温度補償したりなどするものである。

【０００７】増幅素子３は、入力端に入力された高周波
信号を増幅するものである。負特性素子Ｒｔ１、正特性
素子Ｒｔ２は、温度変化に対応して負特性あるいは正特
性の抵抗変化する素子である。

【０００８】

【作用】本発明は、図１に示すように、高周波ＬＣ発振
回路１からの高周波信号を増幅素子３の入力端に入力す
ると共に当該増幅素子３の入力端に、電源電圧を抵抗Ｒ
ｔと負特性素子Ｒｔ１とで分圧したバイアス電圧を供給
して増幅部の寄生容量を温度補償し、増幅した高周波信
号を出力するようにしている。

【０００９】また、高周波ＬＣ発振回路１からの高周波
信号を増幅素子３の入力端に入力すると共に当該増幅素
子３の入力端に、電源電圧を正特性素子Ｒｔ２と抵抗Ｒ
ｔ’とで分圧したバイアス電圧を供給して増幅部の寄生
容量を温度補償し、増幅した高周波信号を出力するよう
にしている。

【００１０】従って、発振を構成する高周波ＬＣ型発振
回路１の温度特性に着目しただけでは発振周波数の温度
変化の改善が困難である増幅部の寄生容量を温度補償回
路２によって抑制することにより、一定の発振周波数を
発生させることが可能となった。

【００１１】

【実施例】次に、図１から図１８を用いて本発明の実施
例の構成および動作を順次詳細に説明する。

【００１２】図１は、本発明の原理構成図を示す。図１
の（ａ）は、負特性素子を用いた原理構成図を示す。図
１の（ａ）において、ＬＣ型発振回路１は、ＬＣ型の発
振回路であって、例えば誘電体共振器とコンデンサ（例
えばバラクタダイオード）を接続した高周波（例えば数
ＧＨｚ）の発振回路である。このＬＣ型発振回路１から
の高周波信号は、増幅素子３の入力端に入力する。

【００１３】温度補償回路２は、増幅素子３の入力端
に、電源電圧を抵抗Ｒｔと負特性素子Ｒｔ１とによって
分圧したバイアス電圧を印加して温度による容量変化を
補償する回路であって、固定抵抗Ｒｔ、Ｒ１、Ｒ２、負
特性素子Ｒｔ１などから構成されるものである。

【００１４】増幅素子３は、高周波信号を増幅するもの
であって、トランジスタ、ＦＥＴ、ＧａＡｓ、ＨＥＭＴ
などの増幅素子である。負特性素子Ｒｔ１は、温度の上
昇に伴い抵抗値が減少する素子であって、例えば負特性
のサーミスタなどである。

【００１５】抵抗Ｒｔ、Ｒ１、Ｒ２は、電圧を分圧した
り、流れる電流を制限したりなどするためのものであ
る。図１の（ｂ）は、正特性素子を用いた原理構成図を
示す。ここでは、ＬＣ型発振回路１、増幅素子３、抵抗
Ｒ１、Ｒ２は、図１の（ｂ）のものと同一であるので説
明を省略する。

【００１６】図１の（ｂ）において、温度補償回路２
は、増幅素子３の入力端に、電源電圧を正特性素子Ｒｔ
２と抵抗Ｒｔ’とによって分圧したバイアス電圧を印加
して温度による容量変化を補償する回路であって、固定
抵抗Ｒｔ’、Ｒ１、Ｒ２、正特性素子Ｒｔ２などから構
成されるものである。

【００１７】正特性素子Ｒｔ２は、温度の上昇に伴い抵
抗値が増加する素子であって、例えば正特性のサーミス
タなどである。抵抗Ｒｔ’は、電圧を分圧するものであ
る。

【００１８】増幅素子３は、入力端に入力された高周波
信号を増幅するものである。図２は、本発明の一例とし
ての回路構成図を示す。この例は、クラップ回路を使用
しているが、コルピッツ回路などの他の発振回路にも適
用可能である。ここで、点線で囲んだように、ＬＣ型発
振回路１は、ＬとＣ１、Ｃ２、Ｃ３およびＣｏｂとの並
列回路からなり、実際は既述した誘電体共振器およびバ
ラクタダイオード、コンデンサを並列接続した発振回路
であり、数ＧＨｚの周波数の高周波信号を発振する発振
回路である。また、温度補償回路２は、図示のように増
幅素子３としてトランジスタを用い、ベース−エミッタ
間の容量Ｃ２、エミッタ−コレクタ間の容量Ｃ３、およ
び本発明に係る温度補償用に用いるバイアス電圧によっ
て変化するベース−コレクタ間の容量（寄生容量）Ｃｏ
ｂを、ＬＣ型発振回路１に図示のように接続した等価回
路となる。

【００１９】この等価回路の発振周波数ｆは、下記の
（式１）によって表される。 また、このときの合成容量Ｃは、下記の（式２）によっ
て表される。

【００２０】 ここで、図２の寄生容量Ｃｏｂは、図３に示す［Ｃｏｂ
−温度特性］を持つので、結果として発振周波数は図４
に示す［発振周波数−温度特性］となり、温度Ｔａ°Ｃ
の上昇に伴い、周波数Ｆが低下しようとする。

【００２１】しかし、寄生容量Ｃｏｂは、図２のトラン
ジスタのコレクタ−ベース間の電圧Ｖｃｂに対して、図
５に示す［Ｃｏｂ−Ｂｃｂ特性］を持つことから、温度
に対してコレクタ−ベース間の電圧Ｖｃｂを変化させる
ことで、寄生容量Ｃｏｂの温度変化を押さえ、一定にす
ることができる。即ち、図３の［Ｃｏｂ−温度特性］
と、図５の［Ｃｏｂ−Ｖｃｂ特性］とを作用させること
により、Ｃｏｂが温度に依存しなく一定に保持でき、結
果として、（式２）のＣが一定となり、（式１）によっ
て図２のＬＣ型発振回路１および温度補償回路２による
トランジスタからの出力される高周波信号の周波数を温
度に関係しなく、一定の高周波信号を出力することが可
能となる。

【００２２】図３は、本発明の動作説明図［Ｃｏｂ−温
度特性］を示す。これは、図２でトランジスタＴｒの温
度を変化させたときのベース−コレクタ間の寄生容量Ｃ
ｏｂの変化の関係である。温度Ｔａ°Ｃが上昇するに従
い、寄生容量Ｃｏｂ［ＰＦ］が増大する。

【００２３】図４は、本発明の動作説明図［発振周波数
−温度特性］を示す。これは、図３に示す［Ｃｏｂ−温
度特性］を持つときの発振周波数Ｆ［ＭＨｚ］の関係で
ある。温度Ｔａ°Ｃが上昇するに従い、発振周波数Ｆ
［ＭＨｚ］は低くなる。

【００２４】図５は、本発明の動作説明図［Ｃｏｂ−Ｖ
ｃｂ特性］を示す。これは、図２のトランジスタＴｒの
ベース−コレクタ間の電圧Ｖｃｂと、そのときのＣｏｂ
の変化の関係である。Ｖｃｂを増大させると、Ｃｏｂは
減少する。

【００２５】次に、図１の（ａ）の回路に図２を適用し
た場合について図６から図１１を用いて詳細に説明す
る。図６は、本発明の具体回路例を示す。これは、図１
の（ａ）の回路構成の具体回路例を示す。

【００２６】図６において、ＬＣ型発振回路１は、Ｃ
１、Ｃ２、Ｃ３およびＣｏｂとＤＲ（誘電体共振器）か
ら構成され、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３およびＣｏｂとＬの並列
回路で表されるものである。

【００２７】負特性素子Ｒｔ１は、負特性のサーミスタ
などであって、温度上昇に伴い抵抗値が小さくなる素子
である。従って、トランジスタＴｒのベース（入力端）
には、抵抗Ｒｔと負特性素子Ｒｔ１とによって電源電圧
を分圧した電圧を供給している。以下動作を説明する。

【００２８】（１） 素子Ｒｔ１の抵抗値と、トランジ
スタＴｒのコレクタ−ベース間に印加される電圧Ｖｃｂ
の関係は、図７に示す［Ｖｃｂ−Ｒｔ１特性］となる。
この［Ｖｃｂ−Ｒｔ１特性］は、図示のように、Ｒｔ１
の抵抗値が増大すると、Ｖｃｂは小さくなる。従って、
このＲｔ１を負特性素子Ｒｔ１とすることにより、図８
に示す［Ｒｔ１−温度特性］を得る。これにより、図９
に示す［Ｖｃｂ−温度特性］となり、正の傾きを持つ温
度特性とすることができる。

【００２９】（２） （１）により、温度低下したとき
に寄生容量Ｃｏｂが減少するのをコレクタ−ベース間の
電圧Ｖｃｂを減少させて増大させ、一方、温度上昇した
ときに寄生容量Ｃｏｂが増大するのをコレクタ−ベース
間の電圧Ｖｃｂを増大させて減少させることで、結果と
して、温度の上昇あるいは温度の低下するという温度変
化に対応して、寄生容量Ｃｏｂ’の値を図１０に示す
［Ｃｏｂ’−温度特性］のように、一定に保持すること
ができる。

【００３０】（３） （２）で［Ｃｏｂ’−温度特性］
を温度に依存しなく一定に保持することにより、図１１
に示す［発振周波数−温度特性］となり、温度に依存し
なく一定の発振周波数を増幅して出力することが可能と
なる。

【００３１】以上のように動作させることにより、寄生
容量Ｃｏｂの温度に対する変化を、周辺回路である図６
のトランジスタＴｒおよび負特性素子Ｒｔ１などから構
成される温度補償回路２を用いて小さく抑制することが
可能となり、発振周波数を一定に保持したままで安定し
て増幅した高周波信号を出力することができる。この
際、図６のトランジスタＴｒの寄生容量Ｃｏｂの温度に
対する変化のみでなく、ＬＣ型発振回路１の温度変化に
よるＣ１などの変化に対しても同様に補償し、結果とし
てトランジスタＴｒで増幅して出力する高周波信号の周
波数を一定に保持させるようにしてもよい。

【００３２】図７は、本発明の動作説明図［Ｖｃｂ−Ｒ
ｔ１特性］を示す。これは、図６で素子Ｒｔ１の値を変
化させたときのベース−コレクタ間の電圧Ｖｃｂの変化
の関係である。素子Ｒｔ１の値が増大するに従い、電圧
Ｖｃｂが減少する。

【００３３】図８は、本発明の動作説明図［Ｒｔ１−温
度特性］を示す。これは、図６で素子Ｒｔ１を負特性素
子としたときのＲｔ１の値の変化の関係である。温度Ｔ
ａ°Ｃが上昇するに従い、抵抗値Ｒｔ１が減少する。こ
のように、素子Ｒｔ１を負特性素子にすることにより、
図９の［Ｖｃｂ−温度特性］を正の傾きにすることがで
きる。

【００３４】図９は、本発明の動作説明図［Ｖｃｂ−温
度特性］を示す。これは、図６で負特性素子Ｒｔ１とし
たときの温度Ｔａ°Ｃと電圧Ｖｃｂの関係である。温度
Ｔａ°Ｃが上昇するに伴い、電圧Ｖｃｂが増加する。

【００３５】図１０は、本発明の動作説明図［Ｃｏｂ’
−温度特性］を示す。これは、図６で負特性素子Ｒｔ１
を用いたときの寄生容量Ｃｏｂ’と温度Ｔａ°Ｃとの関
係であって、温度に対して寄生容量Ｃｏｂ’が一定に保
持される。

【００３６】図１１は、本発明の動作説明図［発振周波
数−温度特性］を示す。これは、図１０に示す［Ｃｏ
ｂ’−温度特性］を持つときの発振周波数Ｆ［ＭＨｚ］
の関係である。温度Ｔａ°Ｃが変化しても一定の発振周
波数Ｆ［ＭＨｚ］となる。

【００３７】次に、同様に、図１の（ｂ）の回路に図２
を適用した場合について図１２から図１７を用いて詳細
に説明する。図１２は、本発明の他の具体回路例を示
す。これは、図１の（ｂ）の回路構成の具体回路例を示
す。

【００３８】図１２において、ＬＣ型発振回路１は、Ｃ
１、Ｃ２、Ｃ３およびＣｏｂとＤＲ（誘電体共振器）か
ら構成され、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３およびＣｏｂとＬとの並
列回路で表されるものである。

【００３９】正特性素子Ｒｔ２は、正特性のサーミスタ
などであって、温度上昇に伴い抵抗値が大きくなる素子
である。従って、トランジスタＴｒのベース（入力端）
には、正特性素子Ｒｔ２と抵抗Ｒｔ’とによって電源電
圧を分割した電圧を供給している。以下動作を説明す
る。

【００４０】（１） 素子Ｒｔ２の抵抗値と、トランジ
スタＴｒのコレクタ−ベース間に印加される電圧Ｖｃｂ
の関係を、図１３に示す［Ｖｃｂ−Ｒｔ２特性］とな
る。この［Ｖｃｂ−Ｒｔ２特性］は、図示のように、Ｒ
ｔ２の抵抗値が増大すると、Ｖｃｂは大きくなる。従っ
て、このＲｔ２を正特性素子Ｒｔ２とすることにより、
図１４に示す［Ｒｔ２−温度特性］を得る。これによ
り、図１５に示す［Ｖｃｂ−温度特性］となり、正の傾
きを持つ温度特性とすることができる。

【００４１】（２） （１）により、温度低下したとき
に寄生容量Ｃｏｂが減少するのをコレクタ−ベース間の
電圧Ｖｃｂを減少させて増大させ、一方、温度上昇した
ときに寄生容量Ｃｏｂが増大するのをコレクタ−ベース
間の電圧Ｖｃｂを増大させて減少させることで、結果と
して、温度の上昇あるいは温度の低下するという温度変
化に対応して、寄生容量Ｃｏｂ’の値を図１６に示す
［Ｃｏｂ’−温度特性］のように、一定に保持すること
ができる。

【００４２】（３） （２）で［Ｃｏｂ’−温度特性］
を温度に依存しなく一定に保持することにより、図１７
に示す［発振周波数−温度特性］となり、温度に依存し
なく一定の発振周波数を増幅して出力することが可能と
なる。

【００４３】以上のように動作させることにより、寄生
容量Ｃｏｂの温度に対する変化を、周辺回路である図１
２のトランジスタＴｒおよび正特性素子Ｒｔ２などから
構成される温度補償回路２を用いて小さく抑制すること
が可能となり、発振周波数を一定に保持したままで安定
して増幅した高周波信号を出力することができる。この
際、図１２のトランジスタＴｒの寄生容量Ｃｏｂの温度
に対する変化のみでなく、ＬＣ型発振回路１の温度変化
によるＣ１などの変化に対しても同様に補償し、結果と
してトランジスタＴｒで増幅して出力する高周波信号の
周波数を一定に保持させるようにしてもよい。

【００４４】図１３は、本発明の他の動作説明図［Ｖｃ
ｂ−Ｒｔ２特性］を示す。これは、図１２で素子Ｒｔ２
の値を変化させたときのベース−コレクタ間の電圧Ｖｃ
ｂの変化の関係である。素子Ｒｔ２の値が増大するに従
い、電圧Ｖｃｂが増大する。

【００４５】図１４は、本発明の他の動作説明図［Ｒｔ
２−温度特性］を示す。これは、図１２で素子Ｒｔ２を
正特性素子としたときのＲｔ２の値の変化の関係であ
る。温度Ｔａ°Ｃが上昇するに従い、抵抗値Ｒｔ２も増
大する。このように、素子Ｒｔ２を正特性素子にするこ
とにより、図１５の［Ｖｃｂ−温度特性］を正の傾きに
することができる。

【００４６】図１５は、本発明の他の動作説明図［Ｖｃ
ｂ−温度特性］を示す。これは、図１２で正特性素子Ｒ
ｔ２としたときの温度Ｔａ°Ｃと電圧Ｖｃｂの関係であ
る。温度Ｔａ°Ｃが上昇するに伴い、電圧Ｖｃｂが増大
する。

【００４７】図１６は、本発明の他の動作説明図［Ｃｏ
ｂ’−温度特性］を示す。これは、図１２で正特性素子
Ｒｔ２を用いたときの寄生容量Ｃｏｂ’と温度Ｔａ°Ｃ
との関係であって、温度に対して寄生容量Ｃｏｂ’が一
定に保持される。

【００４８】図１７は、本発明の他の動作説明図［発振
周波数−温度特性］を示す。これは、図１６に示す［Ｃ
ｏｂ’−温度特性］を持つときの発振周波数Ｆ［ＭＨ
ｚ］の関係である。温度Ｔａ°Ｃが変化しても一定の発
振周波数Ｆ［ＭＨｚ］となる。

【００４９】図１８は、本発明の温度補償実測例を示
す。これは、図６から図１１および図１２から図１７の
具体回路例について測定したものである。図１８の
（ａ）は、周波数に対する温度補償改善前の特性を示
す。この温度補償改善前では、温度Ｔａを−２０°Ｃ、
２５°Ｃ、＋７０°Ｃについて周波数変化ΔＦ［ＭＨ
ｚ］を求めると図示のように、２５°Ｃに比し、前者で
約＋１００ｐｐｍ／°Ｃ変化し、後者で約−１６０ｐｐ
ｍ／°Ｃ変化した。

【００５０】図１８の（ｂ）は、周波数に対する温度補
償改善後の特性を示す。この温度補償改善後は、既述し
た図６あるいは図１２の具体回路例の温度補償回路２に
よって温度補償したときの実測例であり、２５°Ｃに対
して、−２０°Ｃおよび＋７０°Ｃでほんの僅かだけ周
波数が変化したのみでほぼ一定の周波数に保持できた。

【００５１】以上のように、図６あるいは図１２に示す
ように、ＬＣ型発振回路１の温度補償回路２中の負特性
素子Ｒｔ１あるいは正特性素子Ｒｔ２によって増幅素子
３の寄生容量Ｃｏｂの値を温度に依存しなく一定に補
償、更に、ＬＣ型発振回路１のＣ１などの容量の値も温
度に依存しなく一定に補償することにより、増幅した一
定周波数の高周波信号を出力することが可能となった。

【００５２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＬＣ発振回路１からの高周波信号を入力端に入力すると
共に当該入力端に、電源電圧を抵抗Ｒｔと負特性素子Ｒ
ｔ１あるいは正特性素子Ｒｔ２と抵抗Ｒｔ’とで分圧し
たバイアス電圧を供給して増幅部の寄生容量を温度補償
し、増幅した高周波信号を出力する温度補償回路２を備
える構成を採用しているため、温度変化に対して安定な
周波数の高周波信号を出力する高周波ＬＣ型発振器を実
現できる。これにより、従来の発振を構成するＬＣ型発
振回路１の温度特性に着目しただけでは発振周波数の温
度変化の改善が困難である増幅部の寄生容量を含めて、
本発明に係る温度補償回路２によって抑制し、一定の発
振周波数を容易に発生させることが可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理構成図である。

【図２】本発明の一例としての回路構成図である。

【図３】本発明の動作説明図［Ｃｏｂ−温度特性］であ
る。

【図４】本発明の動作説明図［発振周波数−温度特性］
である。

【図５】本発明の動作説明図［Ｃｏｂ−Ｖｃｂ特性］で
ある。

【図６】本発明の具体回路例である。

【図７】本発明の具体回路説明図［Ｖｃｂ−Ｒｔ１特
性］である。

【図８】本発明の具体回路説明図［Ｒｔ１−温度特性］
である。

【図９】本発明の具体回路説明図［Ｖｃｂ−温度特性］
である。

【図１０】本発明の具体回路説明図［Ｃｏｂ’−温度特
性］である。

【図１１】本発明の具体回路説明図［発振周波数−温度
特性］である。

【図１２】本発明の他の具体回路例である。

【図１３】本発明の他の具体回路説明図［Ｖｃｂ−Ｒｔ
２特性］である。

【図１４】本発明の他の具体回路説明図［Ｒｔ２−温度
特性］である。

【図１５】本発明の他の具体回路説明図［Ｖｃｂ−温度
特性］である。

【図１６】本発明の他の具体回路説明図［Ｃｏｂ’−温
度特性］である。

【図１７】本発明の他の具体回路説明図［発振周波数−
温度特性］である。

【図１８】本発明の温度補償実測例である。

【符号の説明】

１：ＬＣ型発振回路 ２：温度補償回路 ３：増幅素子 Ｒ１、Ｒ２、Ｒｔ、Ｒｔ’：固定抵抗 Ｒｔ１：負特性素子 Ｒｔ２：正特性素子 Ｃｏｂ：寄生容量 Ｖｃｂ：ベース−コレクタ間の電圧 Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３：容量 Ｌ：コイル（インダクタンス） ＤＲ：誘電体共振器

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【手続補正書】

【提出日】平成５年１２月２８日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２１】しかし、寄生容量Ｃｏｂは、図２のトラン
ジスタのコレクタ−ベース間の電圧Ｖｃｂに対して、図
５に示す［Ｃｏｂ−Ｖｃｂ特性］を持つことから、温度
に対してコレクタ−ベース間の電圧Ｖｃｂを変化させる
ことで、寄生容量Ｃｏｂの温度変化を押さえ、一定にす
ることができる。即ち、図３の［Ｃｏｂ−温度特性］
と、図５の［Ｃｏｂ−Ｖｃｂ特性］とを作用させること
により、Ｃｏｂが温度に依存しなく一定に保持でき、結
果として、（式２）のＣが一定となり、（式１）によっ
て図２のＬＣ型発振回路１および温度補償回路２による
トランジスタからの出力される高周波信号の周波数を温
度に関係しなく、一定の高周波信号を出力することが可
能となる。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４９】図１８は、本発明の温度補償実測例を示
す。これは、図６から図１１および図１２から図１７の
具体回路例について測定したものである。図１８の
（ａ）は、周波数に対する温度補償改善前の特性を示
す。この温度補償改善前では、温度Ｔａを−２０°Ｃ、
２５°Ｃ、＋７０°Ｃについて周波数変化率ΔＦ［ｐｐ
ｍ／°Ｃ］を求めると図示のように、２５°Ｃに比し、
前者で約＋１００ｐｐｍ／°Ｃ変化し、後者で約−１６
０ｐｐｍ／°Ｃ変化した。

【手続補正４】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１】

【手続補正５】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図２

【補正方法】変更

【補正内容】

【図２】

【手続補正６】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図３

【補正方法】変更

【補正内容】

【図３】

【手続補正７】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図６

【補正方法】変更

【補正内容】

【図６】

【手続補正８】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１２

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１２】

【手続補正９】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１３

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１３】

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】高周波ＬＣ型発振回路からの信号の増幅時
   に温度補償を行なう温度補償回路において、 高周波ＬＣ発振回路からの高周波信号を入力端に入力す
   ると共に当該入力端に、電源電圧を抵抗Ｒｔと負特性素
   子Ｒｔ１とで分圧したバイアス電圧を供給して増幅部の
   寄生容量を温度補償し、増幅した高周波信号を出力する
   ことを特徴とする高周波ＬＣ型発振回路の温度補償回
   路。
2. 【請求項２】高周波ＬＣ型発振回路からの信号の増幅時
   に温度補償を行なう温度補償回路において、 高周波ＬＣ発振回路からの高周波信号を入力端に入力す
   ると共に当該入力端に、電源電圧を正特性素子Ｒｔ２と
   抵抗Ｒｔ’とで分圧したバイアス電圧を供給して増幅部
   の寄生容量を温度補償し、増幅した高周波信号を出力す
   ることを特徴とする高周波ＬＣ型発振回路の温度補償回
   路。