JPH07307008A

JPH07307008A - 磁気ヘッド及びその製造方法

Info

Publication number: JPH07307008A
Application number: JP9849894A
Authority: JP
Inventors: Junichi Honda; 順一本多
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1994-05-12
Filing date: 1994-05-12
Publication date: 1995-11-21

Abstract

(57)【要約】【目的】必要とされる記録磁界を確保しつつ、金属磁
性膜の軟磁性を維持し、記録再生特性を良好なものとす
る。【構成】少なくとも一方の磁気コア半体の磁気ギャッ
プ形成面に結晶質磁性材料膜１６が分断膜１７を介して
２層以上積層された多層膜である金属磁性膜５が成膜さ
れる一対の磁気コア半体を磁気ギャップ形成面を突き合
わせて接合一体化する。そして、上記分断膜１７は、少
なくとも、白金或いは白金を主とする合金よりなる第１
の層１７ａと、非磁性材料よりなる第２の層１７ｂによ
り構成する。なお、このとき、金属磁性膜５中の個々の
結晶質磁性材料膜１６の膜厚は、０．１μｍ以上，２．
０μｍ以下であることが好ましい。さらに、金属磁性膜
５の下地膜１４として、白金或いは白金を主とする合金
からなる膜、またはケイ素酸化物よりなる膜が形成され
ていることが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、いわゆるメタルテープ
等の高抗磁力磁気記録媒体に対して記録・再生を行うビ
デオテープレコーダ、コンピュータのデータストレージ
等の磁気記録再生装置に用いられる磁気ヘッド及びその
製造方法に関し、詳細には金属磁性膜を積層化した磁気
ヘッド及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ビデオ・テープ・レコーダー（以
下、ＶＴＲと称する。）、データストレージ等の磁気記
録分野において、情報信号の高密度記録化が進められて
おり、磁気記録媒体の高保磁力化、高残留磁束密度化が
要求され、例えば強磁性金属材料を非磁性支持体上に直
接被着せしめてなるメタルテープ等が使用されるように
なっている。これに伴って磁気ヘッドに対しては、コア
材料が高飽和磁束密度、高透磁率を有することが要求さ
れている。かかる要求を満たすため、従来から補助コア
材にフェライト等の軟磁性酸化物材料を用い、その軟磁
性酸化物材料上に高飽和磁束密度を有する金属磁性薄膜
を主コア材として形成し、ギャップ部が上記金属磁性膜
からなる、いわゆるメタル・イン・ギャップ型の磁気ヘ
ッドが提案されており、メタルテープ等の記録再生に好
適なものとなっている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の磁
気ヘッドにおいては、高密度記録化に対応して挟ギャッ
プ長化しても良好に記録を行う必要があることから、記
録磁界を十分に確保するために金属磁性膜の膜厚をある
程度の厚さとする必要がある。

【０００４】しかしながら、上記金属磁性膜の膜厚を単
に厚くしていくと、渦電流損失や結晶粒粗大化による軟
磁性劣化が発生し、特に再生特性が著しく劣化してしま
う。そこで、上記のような磁気ヘッドにおいては、金属
磁性膜の膜厚をある程度厚くして必要とされる記録磁界
を確保し、十分な記録を行いつつ、該金属磁性膜の軟磁
性を維持し、再生特性を良好なものとする必要がある。

【０００５】そこで本発明は従来の実情に鑑みて提案さ
れたものであり、必要とされる記録磁界を確保しつつ、
金属磁性膜の軟磁性を維持し、良好な記録再生特性を有
する磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的
とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに本発明は、一対の磁気コア半体が磁気ギャップ形成
面を突き合わせて接合一体化され、これら一対の磁気コ
ア半体のうち少なくとも一方の磁気コア半体の磁気ギャ
ップ形成面に金属磁性膜が成膜されてなる磁気ヘッドに
おいて、上記金属磁性膜が、結晶質磁性材料膜が分断膜
を介して２層以上積層された多層膜であり、上記分断膜
が、少なくとも、白金或いは白金を主とする合金よりな
る層と、非磁性層よりなる多層膜であることを特徴とす
る。

【０００７】上記結晶質磁性材料膜を構成する結晶質磁
性材料としては、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金やＦｅ
−Ａｌ−Ｓｉ系合金（いわゆるセンダスト）の他、Ｆｅ
−Ａｌ等これに類似した合金、または窒化系や炭化系の
軟磁性合金等が挙げられる。

【０００８】また、上記非磁性層を構成する膜として
は、ＳｉＯ₂ 膜等の一般的な非磁性材料膜の他、上述の
結晶質磁性材料と結晶構造の異なる金属膜、格子定数が
異なる金属膜、拡散係数が小さいため拡散し難い金属膜
等が挙げられる。

【０００９】なお、本発明の磁気ヘッドにおいては、金
属磁性膜中の個々の結晶質磁性材料膜の膜厚が、０．１
μｍ以上，２．０μｍ以下であることが好ましい。膜厚
が０．１μｍ以下では、金属磁性膜中の分断膜による結
晶質磁性材料膜の飽和磁束密度の希釈効果により十分な
ギャップ中磁界が得られず、さらに成膜が複雑となり、
生産性を著しく損なう。また、膜厚が２．０μｍよりも
厚くなると、個々の結晶質磁性材料膜中で結晶粒粗大化
が起き、軟磁性が劣化するために積層の効果が得られな
くなる。

【００１０】さらに本発明の磁気ヘッドにおいては、金
属磁性膜の下地膜として、白金或いは白金を主とする合
金からなる膜、またはＳｉＯ_X （１≦Ｘ≦２）の化学式
で表されるケイ素酸化物よりなる膜が形成されているこ
とが好ましい。上記ＳｉＯ_X（１≦Ｘ≦２）の化学式で
表されるケイ素酸化物よりなる膜としては、ＳｉＯ膜，
ＳｉＯ₂ 膜の他にケイ素原子に対し酸素原子数が整数比
とならないようなＳｉＯ，ＳｉＯ₂ が混合された状態の
膜でも良い。そして、上記下地膜の膜厚としては、１０
オングストローム〜３００オングストローム程度、さら
には５０オングストローム程度が好ましく、この程度で
あれば、上記下地膜が疑似ギャップとして作用する可能
性が小さい。なお、上記下地膜を形成する方法として
は、スパッタリングの他、蒸着，ＭＢＥ等のＰＶＤ法
（Ｐｈｉｓｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎｍｅｔｈｏｄ）やＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌｖ
ａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｍｅｔｈｏｄ）等も
挙げられる。

【００１１】また、本発明の磁気ヘッドを製造するに
は、一対の磁気コア基板上に下地膜を形成した後、結晶
質磁性材料膜と分断膜を順次所定数積層形成した金属磁
性膜を形成して一対の磁気コア半体を形成し、これら一
対の磁気コア半体をギャップ接合する磁気ヘッドの製造
方法において、上記分断膜を非磁性層と白金或いは白金
を主とする合金よりなる層を順次積層して形成し、上記
白金或いは白金を主とする合金よりなる層の上に結晶質
磁性材料膜を形成すれば良い。

【００１２】

【作用】本発明の磁気ヘッドにおいては、少なくとも一
方の磁気コア半体の磁気ギャップ形成面に形成される金
属磁性膜が、結晶質磁性材料膜が分断膜を介して２層以
上積層された多層膜であり、上記分断膜が、少なくと
も、白金或いは白金を主とする合金よりなる層と、非磁
性層よりなる多層膜である。上記白金或いは白金を主と
する合金よりなる層は、この上に結晶質磁性材料膜を形
成すれば、該結晶質磁性材料膜の透磁率を向上させ、保
磁力を低下させる機能を有する。従って、本発明の磁気
ヘッドにおいては、金属磁性膜の軟磁性が改善される。
そして、上記白金或いは白金を主とする合金よりなる層
は、この上に形成される結晶質磁性材料膜との界面での
拡散反応を有効に防止する機能も有する。

【００１３】さらに、本発明の磁気ヘッドにおいて、上
記白金或いは白金を主とする合金よりなる層の下層の非
磁性層を、結晶質磁性材料膜を構成する結晶質磁性材料
と結晶構造の異なるもの、格子定数が結晶質磁性材料膜
と異なるもの、拡散係数が小さいため拡散し難いものと
すれば、結晶質磁性材料の結晶成長の分断効果を高める
ことができ、結晶質磁性材料の結晶粒の粗大化や渦電流
損失による軟磁性の低下が防止される。また、上記非磁
性層として比電気抵抗の高い膜を用いても、同様に軟磁
性の低下が防止される。

【００１４】そして、本発明の磁気ヘッドにおいては、
金属磁性膜中の個々の結晶質磁性材料膜の膜厚が、０．
１μｍ以上，２．０μｍ以下であることが好ましく、こ
のような範囲とすることで、必要とされる記録磁界が確
保される。

【００１５】なお、本発明の磁気ヘッドにおいては、金
属磁性膜の下地膜として、白金或いは白金を主とする合
金からなる膜、またはＳｉＯ_X （１≦Ｘ≦２）の化学式
で表されるケイ素酸化物よりなる膜が形成されているこ
とが好ましく、特にＳｉＯ_X（１≦Ｘ≦２）の化学式で
表されるケイ素酸化物を用いれば、磁気コア基板と金属
磁性膜間の界面剥離が良好に防止される。

【００１６】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本実施
例においては、８ミリＶＴＲに搭載して好適な磁気ヘッ
ドに適用した例について述べる。

【００１７】本実施例の磁気ヘッドは、図１及び図２に
示すように、記録媒体対接面の略中央に位置する磁気ギ
ャップｇを境として左右別々に作製された一対の磁気コ
ア半体１，２が突き合わせ面である磁気ギャップ形成面
を突き合わせて接合一体化されてなっている。なお、本
実施例においては、上記磁気ギャップｇがアジマス角θ
₁ を有するものとする。

【００１８】上記磁気コア半体１，２は、補助コア部で
ある磁気コア基板３，４と、主コア部である金属磁性膜
５，６とから構成されている。上記磁気コア基板３，４
は、例えばＭｎ−Ｚｎ系フェライトやＮｉ−Ｚｎ系フェ
ライト等の軟磁性酸化物材料よりなり、上記金属磁性膜
５，６とともに閉磁路を構成する補助コア部となってい
る。上記磁気コア基板３，４の前記磁気ギャップ形成面
と対向する面には、上記磁気ギャップｇのトラック幅Ｔ
ｗを規制するためのトラック幅規制溝７，８，９，１０
が磁気ギャップｇの両端縁近傍部よりそれぞれデプス方
向にわたって円弧状に形成されている。なお、上記トラ
ック幅規制溝７，８，９，１０内には、それぞれ磁気記
録媒体との当たり特性を確保すると共に摺接による偏摩
耗を防止する目的で、ガラス等の非磁性材１１が充填さ
れている。

【００１９】また、上記磁気コア基板３，４の前記磁気
ギャップ形成面と対向する面には、前記磁気ギャップｇ
のデプスを規制すると共に、図示しないコイルを巻装す
るための巻線溝１２，１３がそれぞれ形成されている。

【００２０】一方、金属磁性膜５，６は、上記磁気コア
基板３，４と共に閉磁路を構成する主コア部となるもの
で、当該磁気コア基板３，４の対向面にそれぞれフロン
トギャップ部よりバックギャップ部にわたって成膜され
ている。従って、これら金属磁性膜５，６の対向面が、
すなわち前記磁気コア半体１，２の磁気ギャップ形成面
となっている。なお、上記金属磁性膜５，６は、上記磁
気コア基板３，４の対向面のみならず前記トラック幅規
制溝７，８，９，１０内及び巻線溝１２，１３内も含め
て成膜されている。また、上記金属磁性膜５，６は、上
記磁気コア基板３，４上に下地膜１４，１５を介して形
成されている。

【００２１】さらに、上記金属磁性膜５，６は、結晶質
磁性材料膜が分断膜を介して２層以上積層された多層膜
となされている。すなわち、金属磁性膜５，６を一方の
磁気コア基板３に成膜される金属磁性膜５を例にとって
説明すると、該金属磁性膜５は、図３に示すように前記
下地膜１４上に結晶質磁性材料膜１６，分断膜１７の順
で順次交互に積層されて多層膜とされている。なお、他
方の磁気コア基板４に成膜される金属磁性膜６も上記金
属磁性膜５と同様、結晶質磁性材料膜が分断膜を介して
２層以上積層された多層膜となされている。

【００２２】上記結晶質磁性材料膜１６を構成する材料
としては、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金やＦｅ−Ａｌ
−Ｓｉ系合金（いわゆるセンダスト）の他、Ｆｅ−Ａｌ
等これに類似した合金、または窒化系や炭化系の軟磁性
合金等が挙げられる。そして、上記結晶質磁性材料膜１
６の個々の膜厚が、０．１μｍ以上，２．０μｍ以下で
あることが好ましい。膜厚が０．１μｍ以下では、金属
磁性膜５中の分断膜１７による結晶質磁性材料膜１６の
飽和磁束密度の希釈効果により十分なギャップ中磁界が
得られず、さらに成膜が複雑となり、生産性を著しく損
なう。また、膜厚が２．０μｍよりも厚くなると、個々
の結晶質磁性材料膜１６中で結晶粒粗大化が起き、軟磁
性が劣化するために積層の効果が得られなくなる。

【００２３】一方の分断膜１７は、図３中に示すよう
に、白金或いは白金を主とする合金よりなる第１の層１
７ａと、非磁性材料よりなる第２の層１７ｂよりなる多
層膜となされている。上記第１の層１７ａは、結晶質磁
性材料膜１６の下地膜としても機能することから、その
膜厚があまり薄いと下地効果を示さず、あまり厚いと疑
似ギャップとして作用したり、結晶質磁性材料膜１６中
のＦｅやＣｏと作用して軟磁性を損なう恐れのあること
から１０オングストローム〜３０オングストローム程度
の膜厚とするのが好ましい。なお、本実施例において
は、第１の層として膜厚が２０オングストロームの白金
よりなる膜を成膜した。

【００２４】そして、上記第２の層１７ｂを構成する非
磁性材料としては、ＳｉＯ₂ 膜等の一般的な非磁性材料
の他、上述の結晶質磁性材料膜１６を構成する結晶質磁
性材料と結晶構造の異なる金属、格子定数が異なる金
属、拡散係数が小さいため拡散し難い金属等が挙げられ
る。上記結晶質磁性材料膜を構成するＦｅ基磁性膜の結
晶構造はｂｃｃが一般的であるので、これと結晶構造の
異なる金属としては、Ａｌ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｔｉ等
が挙げられる。結晶質磁性材料（特にＦｅ）と異なる格
子定数を有する金属としては、Ｍｎ，Ｓｎが挙げられ
る。拡散係数が小さい金属としては、Ｔｉ，Ｚｎ等が挙
げられる。

【００２５】また、上記第２の層１７ｂは、最低限絶縁
効果が得られるよう、その膜厚を２０オングストローム
〜３０オングストローム程度とするのが好ましい。膜厚
があまり厚いと、疑似ギャップとして作用してしまう。
なお、本実施例においては、第２の層１７ｂとして膜厚
２０オングストロームのＳｉＯ₂ 膜を成膜した。

【００２６】上述のように、金属磁性膜５は、結晶質磁
性材料膜１６，分断膜１７の順で順次交互に積層された
多層膜であるが、結晶質磁性材料膜１６の積層数が３〜
２０層程度であり、金属磁性膜５全体の膜厚が２〜１０
μｍであることが磁気ヘッドの性能を考慮すると好まし
い。なお、本実施例においては、膜厚０．６μｍの結晶
質磁性材料膜１６を分断膜１７を介して６層積層し、金
属磁性膜５を形成した。磁気コア基板４上に形成される
金属磁性膜６についても同様である。

【００２７】また、上述の下地膜１４，１５としては、
白金或いは白金を主とする合金からなる膜、またはＳｉ
Ｏ_X （１≦Ｘ≦２）の化学式で表されるケイ素酸化物よ
りなる膜が挙げられる。上記ＳｉＯ_X （１≦Ｘ≦２）の
化学式で表されるケイ素酸化物よりなる膜としては、Ｓ
ｉＯ膜，ＳｉＯ₂ 膜の他にケイ素原子に対し酸素原子数
が整数比とならないようなＳｉＯ，ＳｉＯ₂ が混合され
た状態の膜でも良い。上記のようなケイ素酸化物よりな
る膜を下地膜１４，１５として用いると、界面剥離が防
止される。

【００２８】そして、上記下地膜１４，１５の膜厚とし
ては、１０オングストローム〜３００オングストローム
程度、さらには５０オングストローム程度が好ましく、
この程度であれば、上記下地膜１４，１５が疑似ギャッ
プとして作用する可能性が小さい。なお、本実施例にお
いては、上記下地膜１４，１５として膜厚４５オングス
トロームのＳｉＯ₂ 膜を形成した。

【００２９】本実施例の磁気ヘッドにおいては、磁気コ
ア半体１，２の磁気ギャップ形成面に形成される金属磁
性膜５，６が、結晶質磁性材料膜１６が分断膜１７を介
して２層以上積層された多層膜であり、上記分断膜１７
が、白金よりなる第１の層１７ａと、ＳｉＯ₂ よりなる
第２の層１７ｂよりなる多層膜とされている。すなわ
ち、上記白金よりなる第１の層１７ａ上に結晶質磁性材
料膜１６が形成されることとなり、該結晶質磁性材料膜
１６の透磁率が向上し、保磁力が低下する。従って、金
属磁性膜５，６としての軟磁性が改善され、本実施例の
磁気ヘッドの再生特性は良好なものとなる。さらに、上
記白金よりなる第１の層１７ａは、この上に形成される
結晶質磁性材料膜１６との界面での拡散反応を有効に防
止する機能も有し、疑似ギャップとして作用する反応層
の発生が抑えられ、本実施例の磁気ヘッドの特性は良好
なものとなる。

【００３０】また、本実施例の磁気ヘッドにおいては、
上記白金よりなる第１の層１７ａの下層としてＳｉＯ₂
よりなる第２の層１７ｂを形成しており、結晶質磁性材
料膜１６の結晶成長の分断効果を高めることができ、結
晶質磁性材料の結晶粒の粗大化や渦電流損失による軟磁
性の低下が防止され、本実施例の磁気ヘッドの再生特性
は良好なものとなる。

【００３１】さらにまた、本実施例の磁気ヘッドにおい
ては、金属磁性膜５，６中の個々の結晶質磁性材料膜１
６の膜厚が、０．１μｍ以上，２．０μｍ以下とされて
おり、上記ＳｉＯ₂ よりなる第２の層１７ｂからの作用
を十分に受けることができ、上記結晶質磁性材料膜１６
は、結晶粒の粗大化が抑制されて優れた配向性を示し、
結果として優れた軟磁性と異方性を有するものとなる。
また、必要とされる記録磁界が十分に確保され、本実施
例の磁気ヘッドの記録特性は良好なものとなる。

【００３２】次に、本実施例の磁気ヘッドを製造する方
法について工程順に説明する。先ず、図４に示すような
Ｍｎ−Ｚｎ系或いはＮｉ−Ｚｎ系フェライト材等の軟磁
性酸化物材料よりなる板状の基板２１を用意する。な
お、上記基板２１は、例えば、長さ３４．５ｍｍ，幅
２．５ｍｍ，厚さ１ｍｍ程度の大きさとされる。

【００３３】次に、図５に示すように、基板２１の一主
面２１ａに断面略半円状の複数のトラック幅規制溝２２
を形成する。上記トラック幅規制溝２２は基板２１の例
えば幅方向に形成され、トラック幅規制溝２２同士の間
には所定のトラック幅Ｔｗと同じ間隔が形成されること
となる。なお、本実施例においては、トラック幅Ｔｗを
２１μｍとした。

【００３４】上記トラック幅規制溝２２の形状は、上述
のように略半円状であるが、図６中に示すトラック幅規
制溝２２の側面がトラック幅規制溝２２の深さ方向とな
す角度θ₂ は、０゜〜４５゜、好ましくは８゜〜４５゜
程度とされる。この角度θがあまり小さいと電磁変換効
率の低下を招き、大きくても記録媒体上の目的以外のト
ラックからの信号を読出し、ノイズの増加を引き起こし
てしまう。そこで、本実施例においては上記角度θを３
０゜とした。また、トラック幅規制溝２２の深さは２０
０〜３００μｍとした。なお、本実施例においては、ト
ラック幅規制溝２２の形状を断面略半円状としている
が、該トラック幅規制溝２２の形状は、断面略半円状の
他、断面略Ｖ字状や、断面が様々な多角形を呈するもの
でも良い。

【００３５】次に、図７に示すように、基板２１の一主
面２１ａにトラック幅規制溝２２と直交する方向にコイ
ルの巻線を行うための巻線溝２３を形成する。続いて、
上記一主面２１ａを表面粗度が２０〜１００オングスト
ロームとなるように研磨する。

【００３６】次いで、図８に拡大して示すように、基板
２１の一主面２１ａ上に下地膜２４を形成する。この
際、トラック幅規制溝２２内及び図示しない巻線溝内に
も下地膜２４を形成する。本実施例においては、スパッ
タリングにより膜厚４５オングストロームのＳｉＯ₂ 膜
を形成した。なお、下地膜の形成手段としては、上記ス
パッタリングの他、蒸着，ＭＢＥ等のＰＶＣ法（Ｐｈｉ
ｓｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｍｅｔ
ｈｏｄ）やＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒ
ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｍｅｔｈｏｄ）等も挙げられ
る。

【００３７】次に、図９に拡大して示すように、下地膜
２４の上に金属磁性膜を構成する１層目の結晶質磁性材
料膜２５を形成する。本実施例のように、下地膜２４と
してＳｉＯ_X （１≦Ｘ≦２）の化学式で表されるケイ素
酸化物よりなる膜を用いた場合、上記１層目の結晶質磁
性材料膜２５の異方性は制御されない。従って、上記１
層目の結晶質磁性材料膜２５の膜厚はなるべく薄くし、
該結晶質磁性材料膜２５の金属磁性膜中の容量比を少な
くすることが好ましい。なお、本実施例においては、上
記結晶質磁性材料膜２５として飽和磁束密度１．１Ｔの
Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金膜を膜厚０．６μｍで成
膜した。

【００３８】次いで、図１０に示すように、１層目の結
晶質磁性材料膜２５上に１層目の分断膜を構成する第２
の層２６を形成する。なお、本実施例においては、上記
第２の層２６として、膜厚２０オングストロームのＳｉ
Ｏ₂ 膜を形成した。

【００３９】次に、図１１に示すように、１層目の分断
膜を構成するべく、第２の層２６上に第１の層２７を形
成する。この際、上記第１の層２７の膜厚があまり薄い
と、トラック幅規制溝２２形成部分における下地効果が
薄れ、後述の２層目の結晶質磁性材料膜の磁気特性を損
なってしまう。そこで、本実施例においては、上記第１
の層２７として、膜厚２０オングストロームのＰｔ膜を
スパッタリングにより形成した。その結果、１層目の結
晶質磁性材料膜２５上に１層目の分断膜２８が形成され
ることとなる。

【００４０】次いで、図１２に示すように、１層目の分
断膜２８上に２層目の結晶質磁性材料膜２９を形成す
る。なお、本実施例においては、２層目の結晶質磁性材
料膜２９として、飽和磁束密度１．１ＴのＦｅ−Ｇａ−
Ｓｉ−Ｒｕ系合金膜を膜厚０．６μｍで成膜した。従っ
て、上記２層目の結晶質磁性材料膜２９は、１層目の分
断膜２８の第２の層２６の作用を受け、結晶粒の粗大化
が抑制されて優れた配向性を示し、結果として優れた軟
磁性と異方性を有するものとなる。また、必要とされる
記録磁界も十分に確保される。

【００４１】そして、１層目の分断膜２８と同様の２層
目の分断膜，２層目の結晶質磁性材料膜２９と同様の３
層目の結晶質磁性材料膜と順次積層し、結晶質磁性材料
膜を分断膜を介して６層積層し、図１３に示すように、
基板２１上に金属磁性膜３０を形成（下地膜２４の図示
は省略する。）した。

【００４２】続いて、図１４に示すように、金属磁性膜
３０上に所定のギャップ長を形成するギャップ膜３１を
形成する。上記ギャップ膜３１としては、一般的なＳｉ
Ｏ_X（１≦Ｘ≦２）の化学式で表されるケイ素酸化物よ
りなる膜の他、結晶質磁性材料と融着ガラス中の酸素と
の反応を防ぐべく、ＳｉＯ₂ 膜とＣｒ膜の積層膜等も使
用される。なお、本実施例においては、ギャップ膜３１
としてＳｉＯ₂ 膜を形成した。その結果、第１の磁気コ
ア半体ブロック３２が形成される。

【００４３】次に、図１５に示すように、第１の磁気コ
ア半体ブロック３２とこれと同様の第２の磁気コア半体
ブロック５２を接合一体化する。すなわち、第１の磁気
コア半体ブロック３２，第２の磁気コア半体ブロック５
２の金属磁性膜３０，５０同士を突き合わせ（ギャップ
膜３１の図示は省略する。）、トラック幅規制溝２２，
４２同士、巻線溝２３，４３同士の位置合わせを行う。
そして、上記トラック幅規制溝２２，４２間、巻線溝２
３，４３間に融着ガラス等の非磁性材５３を充填し、第
１の磁気コア半体ブロック３２と第２の磁気コア半体ブ
ロック５２の接合一体化を行う。その結果、磁気ヘッド
ブロック５４が形成されることとなる。続いて、上記磁
気ヘッドブロック５４の媒体対接面５４ａを円筒研削す
る。

【００４４】そして、上記磁気ヘッドブロック５４を磁
気ギャップｇに所定のアジマス角を付与する図中Ｘ−Ｙ
線でスライシングして複数の磁気ヘッドに分割して、図
１及び図２に示したような磁気ヘッドを完成する。

【００４５】本実施例の磁気ヘッドの再生特性を測定し
たところ、特に５ＭＨｚ以上の周波数での再生特性が向
上しており、分断膜をＰｔよりなる第１の層のみで形成
した従来の磁気ヘッドと比較して１０ＭＨｚで１ｄＢの
向上が見られた。

【００４６】上述の実施例においては、分断膜１７の第
２の層１７ｂとして、ＳｉＯ₂ 膜を使用したが、該第２
の層１７ｂとしては上述のような各種金属膜も使用可能
である。そこで、分断膜１７の第２の層１７ｂとして膜
厚２０オングストロームのＳｎ膜を用い、結晶質磁性材
料膜１６を分断膜１７を介して１０層積層した構造の金
属磁性膜５を有する磁気ヘッドを製造し、再生特性を測
定した。

【００４７】その結果、従来の磁気ヘッドのように分断
膜を膜厚４５オングストロームのＰｔ膜のみで形成した
磁気ヘッドと比較して、周波数５〜１０ＭＨｚ程度の帯
域で０．５ｄＢ改善されていることがわかった。これ
は、第２の層１７ｂとしてＳｎ膜を用いることにより、
分断膜１７による結晶質磁性材料膜１６に対する分断効
果が高まるため、金属磁性膜５全体の膜厚が約６μｍと
比較的厚くなっても、結晶質磁性材料膜１６の結晶粒の
粗大化が起こり難くなり、軟磁性の低下が防止され、再
生特性が良好なものとなるためと考えられる。

【００４８】このような本実施例の磁気ヘッドは、記録
磁界を向上させるために結晶質磁性材料膜の膜厚を厚く
する必要のある磁気ヘッドに適用して好適である。

【００４９】上述の実施例においては、分断膜１７が２
層構造とされる例について述べてきたが、上記分断膜１
７は、例えばＰｔよりなる層，ＳｉＯ₂ よりなる層，金
属よりなる層の積層される３層構造となされても良い。

【００５０】また、上述の実施例においては、磁気ギャ
ップｇがアジマス角を有する例について述べてきたが、
本発明が磁気ギャップがアジマス角を有しない磁気ヘッ
ドに対しても適用可能であることは言うまでもない。

【００５１】さらに、上述の実施例においては、一対の
磁気コア半体の両方に巻線溝が形成される例について述
べてきたが、本発明が一対の磁気コア半体の一方に巻線
溝が形成される磁気ヘッドに対しても適用可能であるこ
とは言うまでもない。

【００５２】そして、上述の磁気ヘッドの製造方法の実
施例においては、基板２１に巻線溝２３を形成した後に
下地膜２４や金属磁性膜３０を形成する例について述べ
たが、基板２１上に先に下地膜２４や金属磁性膜３０を
形成するようにしても良い。

【００５３】また、本発明は、磁気コア基板がＺｒＯ₂
等の非磁性材料よりなり、該磁気コア基板上に金属磁性
膜の形成される構成の磁気ヘッドに対しても適用可能で
ある。

【００５４】さらに、本発明は、金属磁性膜内の飽和磁
束密度が磁気ギャップｇに近づくにつれ高くなっている
構成の磁気ヘッドに対しても適用可能である。

【００５５】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明は、一対の磁気コア半体が磁気ギャップ形成面を突き
合わせて接合一体化され、これら一対の磁気コア半体の
うち少なくとも一方の磁気コア半体の磁気ギャップ形成
面に金属磁性膜が成膜されてなる磁気ヘッドにおいて、
上記金属磁性膜が、結晶質磁性材料膜が分断膜を介して
２層以上積層された多層膜とされ、上記分断膜が、少な
くとも、白金或いは白金を主とする合金よりなる層と、
非磁性層よりなる多層膜とされている。上記白金或いは
白金を主とする合金よりなる層は、この上に結晶質磁性
材料膜を形成すれば、該結晶質磁性材料膜の透磁率を向
上させ、保磁力を低下させる機能を有する。従って、本
発明の磁気ヘッドにおいては、金属磁性膜としての軟磁
性が改善され、良好な再生特性が得られる。

【００５６】さらに、本発明の磁気ヘッドにおいて、上
記白金或いは白金を主とする合金よりなる層の下層の非
磁性層を、結晶質磁性材料膜を構成する結晶質磁性材料
と結晶構造の異なるもの、格子定数が結晶質磁性材料膜
と異なるもの、拡散係数が小さいため拡散し難いものと
すれば、結晶質磁性材料の結晶成長の分断効果を高める
ことができ、結晶質磁性材料の結晶粒の粗大化や渦電流
損失による軟磁性の低下が防止され、良好な再生特性が
得られる。また、上記非磁性層として比電気抵抗の高い
膜を用いても、同様に軟磁性の低下が防止され、良好な
再生特性が得られる。そして、上記白金或いは白金を主
とする合金よりなる層は、この上に形成される結晶質磁
性材料膜との界面との拡散反応を有効に防止する機能も
有し、疑似ギャップとして作用する反応層の発生が抑え
られ、本発明の磁気ヘッドの特性は向上する。

【００５７】また、本発明の磁気ヘッドにおいて、金属
磁性膜中の個々の結晶質磁性材料膜の膜厚を、０．１μ
ｍ以上，２．０μｍ以下とすれば、必要とされる記録磁
界が確保され、良好な記録特性が得られる。

【００５８】なお、本発明の磁気ヘッドにおいては、金
属磁性膜の下地膜として、白金或いは白金を主とする合
金からなる膜、またはＳｉＯ_X （１≦Ｘ≦２）の化学式
で表されるケイ素酸化物よりなる膜を形成すれば良く、
特にＳｉＯ_X （１≦Ｘ≦２）の化学式で表されるケイ素
酸化物を用いれば、磁気コア基板と金属磁性膜間の界面
剥離が良好に防止され、良好な強度を得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した磁気ヘッドを示す斜視図であ
る。

【図２】本発明を適用した磁気ヘッドを示す平面図であ
る。

【図３】本発明を適用した磁気ヘッドの金属磁性膜近傍
を拡大して示す断面図である。

【図４】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法を工程
順に示すものであり、基板を用意する工程を示す斜視図
である。

【図５】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法を工程
順に示すものであり、基板にトラック幅規制溝を形成す
る工程を示す斜視図である。

【図６】トラック幅規制溝近傍を示す要部拡大斜視図で
ある。

【図７】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法を工程
順に示すものであり、基板に巻線溝を形成する工程を示
す斜視図である。

【図８】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法を工程
順に示すものであり、基板上に下地膜を形成する工程を
示す要部拡大斜視図である。

【図９】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法を工程
順に示すものであり、下地膜上に１層目の結晶質磁性材
料膜を形成する工程を示す要部拡大斜視図である。

【図１０】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法を工
程順に示すものであり、１層目の結晶質磁性材料膜上に
第２の層を形成する工程を示す要部拡大斜視図である。

【図１１】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法を工
程順に示すものであり、第２の層上に第１の層を形成
し、１層目の分断膜を形成する工程を示す要部拡大斜視
図である。

【図１２】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法を工
程順に示すものであり、１層目の分断膜上に２層目の結
晶質磁性材料膜を形成する工程を示す要部拡大斜視図で
ある。

【図１３】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法を工
程順に示すものであり、基板上に金属磁性膜を形成する
工程を示す斜視図である。

【図１４】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法を工
程順に示すものであり、金属磁性膜上にギャップ膜を形
成する工程を示す斜視図である。

【図１５】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法を工
程順に示すものであり、第１の磁気コア半体ブロックと
第２の磁気コア半体ブロックを接合一体化する工程を示
す斜視図である。

【符号の説明】

１，２磁気コア半体５，６，３０金属磁性膜１４，１５，２４下地膜１６，２５，２９結晶質磁性材料膜１７，２８分断膜１７ａ，２７第１の層１７ｂ，２６第２の層２１基板２１ａ一主面２３，５２磁気コア半体ブロック５３非磁性材

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の磁気コア半体が磁気ギャップ形成
面を突き合わせて接合一体化され、これら一対の磁気コ
ア半体のうち少なくとも一方の磁気コア半体の磁気ギャ
ップ形成面に金属磁性膜が成膜されてなる磁気ヘッドに
おいて、上記金属磁性膜が、結晶質磁性材料膜が分断膜を介して
２層以上積層された多層膜であり、上記分断膜が、少なくとも、白金或いは白金を主とする
合金よりなる層と、非磁性層よりなる多層膜であること
を特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】金属磁性膜中の個々の結晶質磁性材料膜
の膜厚が、０．１μｍ以上，２．０μｍ以下であること
を特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項３】金属磁性膜の下地膜として、白金或いは
白金を主とする合金からなる膜、またはＳｉＯ_X （１≦
Ｘ≦２）の化学式で表されるケイ素酸化物よりなる膜が
形成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘ
ッド。
【請求項４】一対の磁気コア基板上に下地膜を形成し
た後、結晶質磁性材料膜と分断膜を順次所定数積層した
金属磁性膜を形成して一対の磁気コア半体を形成し、こ
れら一対の磁気コア半体をギャップ接合する磁気ヘッド
の製造方法において、上記分断膜を非磁性層と白金或いは白金を主とする合金
よりなる層を順次積層して形成し、上記白金或いは白金
を主とする合金よりなる層の上に結晶質磁性材料膜を形
成することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。