JPH07307488A - 半導体相互接続を有する高密度ｌｅｄアレイ - Google Patents

半導体相互接続を有する高密度ｌｅｄアレイ

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JPH07307488A
JPH07307488A JP11907495A JP11907495A JPH07307488A JP H07307488 A JPH07307488 A JP H07307488A JP 11907495 A JP11907495 A JP 11907495A JP 11907495 A JP11907495 A JP 11907495A JP H07307488 A JPH07307488 A JP H07307488A
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carrier encapsulation
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JP11907495A
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Paige Holm
ペイジ・ホルム
Benjamin W Gable
ベンジャミン・ダブリュ・ゲーブル
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Motorola Inc
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体相互接続を有する高密度ＬＥＤアレイ
を提供する。 【構成】 半導体相互接続を有する高密度ＬＥＤアレイ
は、導電層１６，１６’と、第１キャリア封入層１７，
１７’と、活性層１８，１８’と、第２キャリア封入層
１９，１９’とを含む、基板１５，１５’上に積層され
た材料の複数の層を含む。これらの層は、ロウおよびカ
ラムのマトリクスにおいて分離されたＬＥＤに分離（２
６，２７，２５’，３０’）され、導電層は、カラムに
おける各ＬＥＤの第１電極を前記カラムにおける各他の
ＬＥＤの第１電極に接続する。ロウ導体３５，３５’
は、ロウにおける各ＬＥＤの第２電極を前記ロウにおけ
る各他のＬＥＤの第２電極に接続し、カラム導体３４は
各カラムの導電層に接続される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光ダイオード・アレ
イに関し、さらに詳しくは、利用する表面積が小さい発
光ダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオード（ＬＥＤ）はさまざまな
ディスプレイ、特に像源としてＬＥＤのアレイを採用す
る新規な小型仮想ディスプレイ(virtual display) にお
いて有用である。像源は、高画素密度（２４カラムｘ１
４４ロウの総画素数３４，５６０）２次元アレイのＬＥ
Ｄからなる。ＬＥＤのアレイは、ピクチャ（グラフィッ
ク）および／または英数字を含む完全な画像を形成する
ために用いられる。次に、この完全な画像は拡大され、
オペレータにとって少なくとも標準的な用紙のサイズと
して現れる虚像を生成する。
【０００３】実像または虚像にかかわらず、与えられた
ディスプレイ上で見られる画像の画質における重要な要
因の１つとして、発光領域内の画素のフィル・ファクタ
(fill factor) がある。高画質の画像を得るためには、
高いフィル・ファクタが望ましい。ＣＲＴの場合、隣接
画素の発光分布は実際に重複し、単体よりも大きい有効
フィル・ファクタを与え、きわめてなめらかな（粗くな
い）画像が得られる。しかし、マトリクスＬＥＤディス
プレイでは、画素間で分離を設ける必要があるので、単
位フィル・ファクタを達成することは不可能である。さ
らに、従来のロウ／カラム・マトリクス・アドレシング
方式は金属のロウおよびカラム相互接続を用いるので、
画素を通過し、かつ画素を構成するダイオードの各電極
と接触するため、カラムおよびロウ相互接続バスの余地
を設ける必要がある。カラムの場合、この相互接続要素
は、相互接続バス／コンタクト処理に伴う最小ライン幅
および整合許容差のために、画素間で必要なスペースに
おいて大きな要素となる。本出願と同じ日付に出願さ
れ、本譲受人に譲渡された同時係属出願"Electro-optic
Integrated Circuit and Method of Fabrication"にお
いて、メサ・エッチング処理技術を利用するＬＥＤアレ
イの製造方法について開示される。この同時係属出願の
図面からわかるように、分離用に１つの最小寸法が必要
であり、カラム・バス／陰極コンタクト用に別の最小寸
法が必要であり、金属の配置用に２つの整合許容差が必
要とされる。一般に、この半導体製造方法を利用して、
２ミクロンの最小ライン幅，スペースおよび整合許容差
と、各ダイオードの１０ミクロンの発光面積とにより、
最小線形フィル・ファクタは０．５、すなわち面積フィ
ル・ファクタは（０．５）2 ＝０．２５となる。このデ
ィスプレイによって生成される画像は、この比較的低い
フィル・ファクタのために幾分ざらついた感じになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の同時係属出願の
エッチングされたメサＬＥＤアレイを製品化する際に、
現時点で生じる別の問題点は、それによって得られる構
造の非平坦性(nonplanarity)である。効率的な光電式光
エミッタは、基板に成長された比較的厚いエピタキシャ
ル材料の層を必要とする。エピタキシャル成長された材
料の比較的厚い層のため、メサ・エッチングは非平坦性
を生じ、これは１ミクロン以上になる傾向がある。この
ように大きな非平坦性は、リソリュート・フォトリソグ
ラフィ(resolute photolithography) ，均等な誘電カバ
レッジ，金属ステップ・カバレッジまたは金属カラムお
よびロウ・コネクタで問題が生じることがある。
【０００５】よって、これらの問題を克服するＬＥＤを
製造する方法を提供することは望ましい。
【０００６】本発明の目的は、ＬＥＤアレイを製造する
新規な改善された方法を提供することである。
【０００７】本発明の別の目的は、実質的に改善された
フィル・ファクタを有する新規な改善されたＬＥＤアレ
イを提供することである。
【０００８】本発明のさらに別の目的は、従来の方法よ
りも簡単かつ効率的で、大量生産に容易に適用可能なＬ
ＥＤを製造する新規な改善された方法を提供することで
ある。
【０００９】本発明の別の目的は、実質的に平坦な半導
体チップを設けるＬＥＤアレイを製造する新規な改善さ
れた方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の問題等は、半導体
相互接続を有する高密度発光ダイオード・アレイにおい
て少なくとも部分的に解決され、上記の目的等は実現さ
れ、この高密度発光ダイオード・アレイは、基板の主面
によって支持された少なくとも導電材料層を含む、基板
上に形成された複数の材料層と、前記導電層上の第１キ
ャリア封入層と、前記第１キャリア封入層上の活性層
と、前記活性層上の第２キャリア封入層とを含む。複数
の材料層は、ロウおよびカラムのマトリクスに配置され
た複数の分離された発光ダイオードに分離され、導電層
は、カラムにおける各ダイオードの第１電極をこのカラ
ムにおける各別のダイオードの第１電極に接続する。各
ロウに対して１つある複数のロウ導体は、ロウにおける
各ダイオードの第２電極をこのロウにおける各別のダイ
オードの第２電極に接続し、各カラムに対して１つある
複数のカラム導体は、各カラムの端部に隣接する導電層
にそれぞれ接続される。
【００１１】上記の問題等は、半導体相互接続を有する
高密度発光ダイオード・アレイを製造する方法において
少なくとも部分的に解決され、上記の目的等は実現さ
れ、この方法は、主面を有する非導電材料の基板と、前
記基板の前記主面上の導電材料層と、前記導電層上の第
１キャリア封入層と、前記第１キャリア封入層上の活性
層と、前記活性層上の第２キャリア封入層とを設ける段
階を含む。この方法はさらに、前記第２キャリア封入
層，前記活性層および前記第１キャリア封入層の部分を
ロウおよびカラムに配置された複数の発光ダイオードに
分離し、またカラムにおける各発光ダイオードの第１コ
ンタクトを前記カラムにおける各別の第１コンタクトに
接続する複数のカラムに前記導電層を分離する段階を含
む。最後に、各カラムの端部において前記導電層に接続
されたカラム・コンタクトを形成し、各発光ダイオード
のキャップ層上にロウ・コンタクトを形成する段階と、
ロウにおけるすべての発光ダイオードのロウ・コンタク
トを接続する段階とが行われる。
【００１２】
【実施例】図１を参照して、発光ダイオードのアレイの
製造プロセスにおける第１構造を、一部を切り欠いた簡
略断面図で示す。この構造は、上面を有する基板１５を
含み、この上面上に、以下の順序で、導電層１６，第１
キャリア封入層１７，活性層１８，第２キャリア封入層
１９および導電キャップ層２０が配置される。
【００１３】この製造プロセスの特定の実施例では、基
板１５は、半絶縁性の半導体となるようにドーピングさ
れていないガリウム砒素（ＧａＡｓ）からなる。導電層
１６は、基板１５の表面にエピタキシャル成長されたＧ
ａＡｓの層であり、セレニウム，シリコンなどのドーパ
ントで高濃度（１０18またはそれ以上）にドーピングさ
れ、比較的良好なＮ＋型導体となる。この特定の例で
は、導電層１６は、約１０００〜１０，０００オングス
トロウムの範囲の厚さに成長される。第１キャリア封入
層１７は、導電層１６の表面にエピタキシャル成長さ
れ、シリコンでＮ型半導体にドーピング（１０17〜１０
18）されたリン化インジウム・ガリウム・アルミニウム
の層である。この特定の実施例では、キャリア封入層１
７は約１０００〜８０００オングストロウムの範囲の厚
さに成長される。活性層１８は、約１００〜１０００オ
ングストロウムの範囲の厚さでキャリア封入層１７の表
面上にエピタキシャル成長されたリン化インジウム・ガ
リウム・アルミニウムのドーピングされていない層であ
る。第２キャリア封入層１９は、活性層１８の表面上に
エピタキシャル成長され、亜鉛でＰ型半導体にドーピン
グ（１０16〜１０18）されたリン化インジウム・ガリウ
ム・アルミニウムの層である。この特定の実施例では、
キャリア封入層１９は、約１０００〜８０００オングス
トロウムの範囲の厚さに成長される。導電キャップ層２
０は、約２００〜１０００オングストロウムの範囲の厚
さにキャリア封入層１９の表面にエピタキシャル成長さ
れ、亜鉛によって高濃度（１０19）にドーピングされ、
良好なＰ＋型導体となる。キャリア封入層１７，１９に
おけるアルミニウムの分子率は約０．７〜１．０の範囲
で、活性領域１８では約０．０〜０．２４である。開示
される特定の実施例における製造を簡単にするため、層
１６〜２０は、基板１５全体の上にブランケット層とし
てエピタキシャル成長されるが、マスキングおよび選択
的成長または選択的エッチングを含む他の方法を利用し
て、以下の段階で必要な領域を設けられることが理解さ
れる。
【００１４】図２を参照して、キャップ層２０，キャリ
ア封入層１９，活性層１８およびキャリア封入層１７の
部分をエッチングして、ロウおよびカラムの２次元アレ
イまたはマトリクスに整理されたメサ（便宜上１つのメ
サのみを示す）を形成または分離する第２構造を示す。
図３はアレイのロウから見た断面図を示し、図４はアレ
イのカラムから見た断面図を示す。アレイにおける各メ
サの上面は、発光ダイオードの発光領域を定める。
【００１５】カラム分離段階（図２参照）は、キャップ
層２０，キャリア封入層１９，活性層１８，キャリア封
入層１７，導電層１６を介し、部分的に基板１５内にト
レンチ２７をエッチングすることによって行われる。ト
レンチ２７は各カラムの全長に延在し、導電層１６は複
数のカラムに分離され、導電層１６の各カラムはメサの
１つのカラムにのみと関連し、メサの各カラムはトレン
チ２７によってメサの各他のカラムから電気的に分離さ
れる。
【００１６】同様に、メサは、図４に示すように、キャ
ップ層２０，キャリア封入層１９，活性層１８を介し
て、アレイの各ロウ間で部分的にキャリア封入層１７内
にトレンチ２６をエッチングすることによって定められ
る。各トレンチ２６はロウの全長に延在し、カラムにお
ける隣接発光ダイオード間のクロストークを防ぐととも
に、カラムにおける各発光ダイオードの下部端子を同じ
カラムにおける各別の発光ダイオードの下部端子に接続
できる。
【００１７】次に、この特定の実施例ではＳｉ3 Ｎ4 で
ある誘電材料の層２８がウェハ上に被着され、図３およ
び図４に示すように、エッチング表面のパッシベーショ
ンを行い、金属層間の分離を行う。ウェハ表面は、ポリ
イミドの層２９によって再平坦化される。次に、各メサ
の上の層２９および層２８において穴(via) がエッチン
グされ、導電キャップ層２０に達する。Ｐコンタクト金
属３５は、標準的なリフトオフ法を利用して導電キャッ
プ層２０の露出面に被着され、図６に示すように、ロウ
における各発光ダイオードの上部端子とのオーム接触を
形成し、その間にロウ電流バスを形成する。
【００１８】図５を参照して、発光ダイオードのアレイ
の第２構造または実施例を、一部を切り欠いた簡略断面
図で示す。この第２構造は、上面を有する基板１５’を
含み、この上面上に、以下の順序で、導電層１６’，第
１キャリア封入層１７’，活性層１８’，第２キャリア
封入層１９’および導電キャップ層２０’が配置され
る。各層を複数の発光ダイオードに分離することは、不
純物材料を注入して、複数の定められた発光領域２１’
のそれぞれの周りに分離用の抵抗体積またはモート(moa
t)２５’を形成することによって達成される。抵抗モー
ト２５’は各発光ダイオードのＰＮ接合（キャリア封入
層１９’，活性層１８’およびキャリア封入層１７’）
における電流を横方向に封入し、従って、各発光ダイオ
ードの発光領域を定める。
【００１９】キャップ層２０’は一般に除去または選択
的に被着され、露出領域２２’を形成することが理解さ
れる。この実施例では、露出ロウ領域および露出カラム
領域は、ダイオード発光領域２１’のマトリクスを定め
る。また、上記実施例では、キャリア封入層１７’およ
び導電層１６’は、各発光ダイオードに共通である。こ
れにより、各カラムにおける各発光ダイオードの下部端
子（キャリア封入層１７’）を便宜的に共通に接続でき
る。しかし、この実施例では、発光ダイオードのカラム
を互いに分離して、その間のクロストークを防ぐ必要が
ある。
【００２０】カラム分離は、キャリア封入層１９’，活
性層１８’，キャリア封入層１７’および導電層１６’
を介して下方向に延在する分離注入によって行われ、隣
接カラムを互いに電気的に分離する。図示の特定の実施
例において、抵抗モート２５’がＰ型層（キャリア封入
層１９’および活性層１８’）を分離するので、絶縁注
入３０’はＮ型層（キャリア封入層１７’および導電層
１６’）のみを分離するだけでよい。
【００２１】製造プロセスの残りは、相互接続メタライ
ゼーションをパターニングすることを含む。本実施例で
は陰極である、各カラムにおける各発光ダイオードの下
部端子は、導電層１６’を介して、このカラムにおける
各他の発光ダイオードの下部端子に接続される。外部コ
ンタクト３４（図６参照）は、その端部に隣接する導電
層１６’に接続される。同様に、各ロウにおける各ダイ
オードの上部端子（キャップ層２０’の発光領域２
１’）は、ロウ・バス（図６参照）としても機能する接
続３５’によって接続される。従って、ロウにおける各
発光ダイオードの上部端子は、このロウにおける各他の
発光ダイオードの上部端子に接続される。
【００２２】図５に示すアレイと同様なアレイおよびこ
のアレイの製造プロセスのより詳しい説明は、本出願と
同じ日付に出願され、本譲受人に譲渡された同時係属出
願"Implanted LED Array and Method of Fabrication"
において開示され、この出願は参考として含まれる。
【００２３】よって、カラムにおける各画素の共通のカ
ラム相互接続および陰極コンタクトとして、発光ダイオ
ード・ダブル・ヘテロ構造の下に高濃度にドーピングさ
れた埋設層１６または１６’のみを用いる新規なアレイ
および画素設計が開示される。この接続は、カラム・バ
ス・メタライゼーションおよびその形成に要する最小寸
法および整合許容差の必要性を省く。図６においてわか
るように、画素間のスペースは、２最小ライン幅と２整
合許容差から、分離用に保持される１最小ライン幅へ低
減する。前述の２ミクロン設計ルールおよび発光寸法で
は、線形フィル・ファクタは１０／１２＝０．８３３に
増加し、面積フィル・ファクタは（０．８３３）2 ＝
０．６９４に増加する。これは、面積フィル・ファクタ
では３倍の増加であり、表示画像の画質を大幅に向上さ
せる。
【００２４】さらに、画素間の狭く、縦横比の高いトレ
ンチ２６，２７は、前述の同時係属出願"Electro-optic
Integrated Circuit and Method of Fabrication"で用
いられるメタライゼーション相互接続から得られる形状
よりもさらに容易に再平坦化できる。この簡単な再平坦
化により、製造プロセスの複雑さは低減し、再現性およ
び信頼性は向上する。
【００２５】一般に、半導体層は金属相互接続よりもは
るかに導電性が低く、そのためこの設計では高いカラム
抵抗が期待される。埋設半導体層１６または１６’は、
できるだけ厚くし、かつ高濃度にドーピングし、また実
際的には、例えば、ｎ型ＧａＡｓを用いて最大のキャリ
ア移動度を達成することにより、最大の導電性となるよ
うに設計しなければならない。なお、導電性は、金属相
互接続よりも一般に低い。しかし、標準的な走査型アレ
イでは、カラム相互接続は、１つの発光ダイオード用の
電流（〜５０マイクロアンペア）のみを流すので、カラ
ム相互接続における電圧降下は、発光ダイオードの順方
向電圧（〜２．０ボルト）に比べて小さい。１０ミクロ
メートル幅，１．０ミクロメートル厚，１０18ｃｍ3 ま
でｎ型にドーピングされ、３０００ｃｍ2 ／ボルト秒の
電子移動度を有する層１６または１６’では、抵抗は、
（２ミクロメートル×０．５ミクロメートルのＡｕスト
リップのわずか２４４オーム／ｃｍに比べて）２０．８
Ｋオーム／ｃｍである。しかし、１２ミクロメートルの
画素ピッチと、５０ミクロアンペアの画素電流ドライブ
を有する１４４ロウの発光ダイオードを備えたディスプ
レイでは、半導体カラム相互接続（層１６または１
６’）における電圧降下は０．１８ボルトにすぎず、こ
れは発光ダイオードの順方向電圧の１０％未満である。
従って、カラム相互接続の高い抵抗は問題にならない。
【００２６】本説明全体において、ロウおよびカラムに
対する言及は開示を簡単にするためであり、マトリクス
のロウおよびカラムは一般に物理的な方向に依存し、例
えば装置を単純に９０度回転することによって変更され
るので、これらの用語は完全に入れ替えることができる
ことが当業者に理解される。さらに、工程の特定の順序
を開示し説明してきたが、これらの工程の多くは入れ替
え可能であり、利用される厳密な順序は、薬品，温度な
どを含む採用される特定の方法に依存することが当業者
に理解される。さらに、開示または請求される順序は、
本発明を特定の工程順序に制限するものではないことが
理解される。
【図面の簡単な説明】
【図１】発光ダイオードのアレイの製造プロセスにおけ
る各段階を示す簡略断面図であり、その一部を切り欠い
た図である。
【図２】発光ダイオードのアレイの製造プロセスにおけ
る各段階を示す簡略断面図であり、その一部を切り欠い
た図である。
【図３】本発明を具現する発光ダイオードのアレイのカ
ラムから見た簡略断面図であり、その一部を切り欠いた
図である。
【図４】図３の発光ダイオードのアレイのロウから見た
簡略断面図であり、その一部を切り欠いた図である。
【図５】本発明を具現する発光ダイオードのアレイの別
の実施例の簡略断面図である。
【図６】図３または図５のアレイの一部の上面図であ
る。
【符号の説明】
１５，１５’ 基板 １６，１６’ 導電層 １７，１７’ 第１キャリア封入層 １８，１８’ 活性層 １９，１９’ 第２キャリア封入層 ２０，２０’ 導電キャップ層 ２６，２７ トレンチ ２８ 誘電材料層 ２９ ポリイミド層 ３４ 外部コンタクト ３５ Ｐコンタクト金属 ２１’ 発光領域 ２２’ 露出領域 ２５’ モート ３０’ 絶縁注入

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体相互接続を有する高密度発光ダイ
    オードを製造する方法であって：主面を有する非導電材
    料の基板（１５，１５’）と、前記基板の前記主面上の
    材料の導電層（１６，１６’）と、前記導電層上の第１
    キャリア封入層（１７，１７’）と、前記第１キャリア
    封入層上の活性層（１８，１８’）と、前記活性層上の
    第２キャリア封入層（１９，１９’）とを設ける段階；
    前記第２キャリア封入層，前記活性層および前記第１キ
    ャリア封入層の部分を、ロウおよびカラムに配置された
    複数の発光ダイオードに分離し、かつ前記導電層を複数
    のカラムに分離（２８，３０’）して、カラムにおける
    各発光ダイオードの第１コンタクトを前記カラムにおけ
    る各他の発光ダイオードの第１コンタクトに接続する段
    階；各カラムの端部において前記導電層（１６）に接続
    されたカラム・コンタクト（３４）を形成する段階；お
    よび各発光ダイオードのキャップ層上に第２コンタクト
    （３５，３５’）を形成し、ロウにおける各発光ダイオ
    ードの第２コンタクトを前記ロウにおける他のすべての
    発光ダイオードの第２コンタクトに接続する段階；によ
    って構成されることを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 半導体相互接続を有する高密度発光ダイ
    オードを製造する方法であって：主面を有する非導電材
    料の基板（１５）と、前記基板の前記主面上の材料の導
    電層（１６）と、前記導電層上の第１キャリア封入層
    （１７）と、前記第１キャリア封入層上の活性層（１
    ８）と、前記活性層上の第２キャリア封入層（１９）と
    を設ける段階；前記第２キャリア封入層，前記活性層お
    よび前記第１キャリア封入層の部分を、ロウおよびカラ
    ムに配置された複数の発光ダイオードに分離する段階で
    あって、前記第２キャリア封入層および前記活性層を介
    して前記第１キャリア封入層内に選択的にエッチング
    （２６）して複数のロウを形成し、前記第２キャリア封
    入層，前記活性層，前記第１キャリア封入層，前記導電
    層を介して前記基板内に選択的にエッチングして複数の
    カラムを形成することを含む段階；各カラムの端部にお
    いて前記導電層に接続されたカラム・コンタクト（３
    ４）を形成する段階；および各発光ダイオードのキャッ
    プ層上にロウ・コンタクト（３５）を形成し、ロウにお
    けるすべての発光ダイオードのロウ・コンタクトを接続
    する段階；によって構成されることを特徴とする方法。
  3. 【請求項３】 半導体相互接続を有する高密度発光ダイ
    オードを製造する方法であって：主面を有する非導電材
    料の基板（１５’）を設ける段階前記基板の前記主面上
    に導電層（１６’）を形成する段階；前記導電層上に第
    １キャリア封入層（１７’）を形成する段階；前記第１
    キャリア封入層上に活性層（１８’）を形成する段階；
    前記活性層上に第２キャリア封入層（１９’）を形成す
    る段階；前記第２キャリア封入層上に導電キャップ層
    （２０’）を選択的に形成して、ダイオード発光領域
    （２１’）のマトリクスがその間のロウおよびカラムに
    配置された前記導電キャップによって覆われた、露出ロ
    ウ領域および露出カラム領域を定める前記第２封入層の
    露出表面領域（２２’）を設ける段階；前記第２キャリ
    ア封入層，前記活性層および前記第１キャリア封入層の
    部分を、ロウおよびカラムに配置された複数の発光ダイ
    オードに分離する段階であって、前記第２キャリア封入
    層を介し、および少なくとも前記活性層を介して不純物
    （２５’）を前記露出ロウおよびカラム領域に注入し
    て、分離用の抵抗体積を各ダイオード発光領域の周りに
    形成し、かつ前記第２キャリア封入層，前記活性層，前
    記第１キャリア封入層，前記導電層を介して少なくとも
    前記基板内に別の不純物（３０’）を注入して、ダイオ
    ード発光領域の各カラムの間に分離用の抵抗体積を形成
    する段階；各カラムの端部において前記導電層と接触し
    て第１メタライゼーション層（３４）を選択的に被着さ
    せ、前記導電層がカラムにおける各発光ダイオードの第
    １電極を接続する段階；および各メサの一部において第
    ２メタライゼーション層（３５’）を選択的に被着さ
    せ、各発光ダイオードの第２電極を形成し、ロウにおい
    て前記第２電極を接続する段階；によって構成されるこ
    とを特徴とする方法。
  4. 【請求項４】 主面を有する基板（１５，１５’）；前
    記基板の前記主面によって支持された材料の少なくとも
    導電層（１６，１６’）と、前記導電層上の第１キャリ
    ア封入層（１７，１７’）と、前記第１キャリア封入層
    上の活性層（１８，１８’）と、前記活性層上の第２キ
    ャリア封入層（１９，１９’）とを含む、前記基板上に
    形成された材料の複数の層；ロウおよびカラムのマトリ
    ックスに配置された複数の分離された発光ダイオードに
    分離された前記材料の複数の層であって、前記導電層
    （１６，１６’）は、カラムに分離され、カラムにおけ
    る各ダイオードの第１電極を前記カラムにおける各他の
    ダイオードの第１電極に接続する前記材料の複数の層；
    複数のロウ導体（３５，３５’）であって、各ロウに１
    つのロウ導体は、ロウにおける各ダイオードの第２電極
    を前記ロウにおける各他のダイオードの第２電極に接続
    する複数のロウ導体（３５，３５’）；および複数のカ
    ラム導体（３４）であって、各カラムに１つのカラム導
    体は、各カラムの端部に隣接する前記導電層に接続され
    る複数のカラム導体（３４）；によって構成されること
    を特徴とする半導体相互接続を有する高密度発光ダイオ
    ード。
  5. 【請求項５】 主面を有する基板（１５’）；前記基板
    の前記主面によって支持された材料の少なくとも導電層
    （１６’）と、前記導電層上の第１キャリア封入層（１
    ７’）と、前記第１キャリア封入層上の活性層（１
    ８’）と、前記活性層上の第２キャリア封入層（１
    ９’）とを含む、前記基板上に形成された材料の複数の
    層；前記材料の複数の層を、ロウおよびカラムのマトリ
    クスに配置された複数の分離された発光ダイオードに分
    離するように、前記材料の複数の層にある不純物（２
    ５’，３０’）であって、前記導電層は、カラムに分離
    され（３０’）、カラムにおける各ダイオードの第１電
    極を前記カラムにおける各他のダイオードの第１電極に
    接続する不純物（２５’，３０’）；複数のロウ導体
    （３５’）であって、各ロウに１つのロウ導体は、ロウ
    における各ダイオードの第２電極を前記ロウにおける各
    他のダイオードの第２電極に接続する複数のロウ導体
    （３５’）；および複数のカラム導体（３４）であっ
    て、各カラムに１つのカラム導体は、各カラムの端部に
    隣接する前記導電層に接続される複数のカラム導体（３
    ４）；によって構成されることを特徴とする半導体相互
    接続を有する高密度発光ダイオード。
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