JPS6181679A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
半導体発光素子の製造方法Info
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- JPS6181679A JPS6181679A JP59203669A JP20366984A JPS6181679A JP S6181679 A JPS6181679 A JP S6181679A JP 59203669 A JP59203669 A JP 59203669A JP 20366984 A JP20366984 A JP 20366984A JP S6181679 A JPS6181679 A JP S6181679A
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- light emitting
- emitting device
- semiconductor light
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
- H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
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- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高出力、高速応答等の優れた性能を有する半導
体発光素子の製造方法に関する。
体発光素子の製造方法に関する。
従来の技術
従来Ｇ ａ Ａ ｅ Ａ ｓ半導体発光素子を製造する
場合には、ｐ型Ｇ ａ Ａ ＠単結晶を基板として多層
スライドＬＰＥ成長装置等を用い、先ずＧ＆ＡｇＡａに
ｎ型不純物を添加したｎメルトを接触させて３１／ｉ！
を形成し、次いでｎ層面ＹＣＧ ａ Ａ １１ Ａ ｇ
にｐ型不純物を添加したｐメルトを接触させてｐ層を形
成する液相エピタキシャル成長法によってｐ−ユ接合を
得ている。
場合には、ｐ型Ｇ ａ Ａ ＠単結晶を基板として多層
スライドＬＰＥ成長装置等を用い、先ずＧ＆ＡｇＡａに
ｎ型不純物を添加したｎメルトを接触させて３１／ｉ！
を形成し、次いでｎ層面ＹＣＧ ａ Ａ １１ Ａ ｇ
にｐ型不純物を添加したｐメルトを接触させてｐ層を形
成する液相エピタキシャル成長法によってｐ−ユ接合を
得ている。
ところで、上記従来のエピタキシャル成長では、ｎメル
トを接触させるｐ層表面が一度ガス雰囲気に−Ｆらされ
、しかる後ｎ層が形成寧れるので、ｐ −ｎ接触面が波
打ち、均一な接合面を形成することは困難であった。
トを接触させるｐ層表面が一度ガス雰囲気に−Ｆらされ
、しかる後ｎ層が形成寧れるので、ｐ −ｎ接触面が波
打ち、均一な接合面を形成することは困難であった。
そのため性能面でバラつきの大きなものとなり、信頼性
に乏しく、低発光出力、或いは低応答速度等性能の悪い
ものも多く出来る欠点がある。さらに、液相エピタキシ
ャル成長法による多層成長は、ｐ又はｎメルトを貯留す
る複数のメタル溜めを必要とするので、その分、ウェハ
ー１枚が使用する治具の面積が大きくなり、量産性が劣
る欠点がある。
に乏しく、低発光出力、或いは低応答速度等性能の悪い
ものも多く出来る欠点がある。さらに、液相エピタキシ
ャル成長法による多層成長は、ｐ又はｎメルトを貯留す
る複数のメタル溜めを必要とするので、その分、ウェハ
ー１枚が使用する治具の面積が大きくなり、量産性が劣
る欠点がある。
発明が よう る ・
本発明が解決しようとする問題点は、ｐ −ｎ接合部が
均一な状態で形成され、常に高出力、高速応答の性能に
優れた半導体発光素子が得られ、かつ液相エピタキシャ
ル成長による量産性の低ざを改善するようにした点にあ
る。
均一な状態で形成され、常に高出力、高速応答の性能に
優れた半導体発光素子が得られ、かつ液相エピタキシャ
ル成長による量産性の低ざを改善するようにした点にあ
る。
問題点を解決するための手段
本発明はかかる問題点を解決するため、Ｑ＆Ａ１１基板
表面に液相エピタキシャル成長法によりユ型ＧａＡ＃Ａ
ｓ＋層を形成した後、Ｑ ａ Ａ ｓ基板を除去し、残
ったｎ厘ＧａＡｇＡａ表面ＫＺｎを拡散づせ、該ｎ型Ｇ
＆ Ａ Ｉ Ａ ｔｘ層内にｐ −ｎ接合を形成する
ものである。
表面に液相エピタキシャル成長法によりユ型ＧａＡ＃Ａ
ｓ＋層を形成した後、Ｑ ａ Ａ ｓ基板を除去し、残
ったｎ厘ＧａＡｇＡａ表面ＫＺｎを拡散づせ、該ｎ型Ｇ
＆ Ａ Ｉ Ａ ｔｘ層内にｐ −ｎ接合を形成する
ものである。
Ｋ１図■〜０は本発明に係る半導体発光素子の製造方法
の一実施例をｆｔに示す図で、■図はＧ＆ＡＩ基板１で
ある。このＧ ＆ Ａ−基板１０表面に液相エピタキシ
ャル成長によって０図に示すＬう忙層厚雫２５０〜５０
０ ｐ ｍのｎ型Ｇ ａ Ａ ｌｌ Ａ ａ層Ｃｎ層）
２を形成する。このｎ層２のドーパントとしては、Ｔｏ
、Ｓ、Ｓｅ等が用いられ、濃度ＮＤ’：；： Ｉ Ｑ
１ｍ （（ｇ−３に調整される。次いで、エッチャント
として、ＮＨ，０Ｈ−Ｈ，Ｏ，系を用いるエツチングお
よびラッピング等の併用Ｋ１って、■図に示すようにＧ
ａ Ａ ｓ基板ｌを除去してｎ層２のみとするととも
に１これをポリッシングして表面をミラー面とし、ミラ
ーウェハーに仕上げられたｎＩ鱒２′とする。このｎ層
２′の表面に、塗布法、ＣＶＤ等によって０図に示すよ
うに膜厚：２０００Ａの５ｉｎｔ膜３を形成して４層２
中のＡ８８介の分解、Ｚｎ化合物との反応を防止する。
の一実施例をｆｔに示す図で、■図はＧ＆ＡＩ基板１で
ある。このＧ ＆ Ａ−基板１０表面に液相エピタキシ
ャル成長によって０図に示すＬう忙層厚雫２５０〜５０
０ ｐ ｍのｎ型Ｇ ａ Ａ ｌｌ Ａ ａ層Ｃｎ層）
２を形成する。このｎ層２のドーパントとしては、Ｔｏ
、Ｓ、Ｓｅ等が用いられ、濃度ＮＤ’：；： Ｉ Ｑ
１ｍ （（ｇ−３に調整される。次いで、エッチャント
として、ＮＨ，０Ｈ−Ｈ，Ｏ，系を用いるエツチングお
よびラッピング等の併用Ｋ１って、■図に示すようにＧ
ａ Ａ ｓ基板ｌを除去してｎ層２のみとするととも
に１これをポリッシングして表面をミラー面とし、ミラ
ーウェハーに仕上げられたｎＩ鱒２′とする。このｎ層
２′の表面に、塗布法、ＣＶＤ等によって０図に示すよ
うに膜厚：２０００Ａの５ｉｎｔ膜３を形成して４層２
中のＡ８８介の分解、Ｚｎ化合物との反応を防止する。
このＳ１０゜［３の表面１ｃＺ）ｌの有機化合物を含む
液を接触させ、■図に示すように膜厚＋ ２０（１０〜
５０ＧＯＡ （７）ｚｒＬを含んだＳ ｉＯｘ （Ｚｎ
＋Ｓ ｉｏｔ ）膜４を形成する。さら忙このＺｎ＋
Ｓｉ、Ｏ＊膜４の表面にプラズマＣＶＤ、ＣＶＤなどＫ
よって、■図に示すようＫｌ［ｄ厚：２［１００〜５０
００Ａの５ｉＯＮｘ膜５を形成し、上記Ｚｎ＋Ｓ ＬＯ
ｔ 膜中のＺｎの蒸発を防止する。
液を接触させ、■図に示すように膜厚＋ ２０（１０〜
５０ＧＯＡ （７）ｚｒＬを含んだＳ ｉＯｘ （Ｚｎ
＋Ｓ ｉｏｔ ）膜４を形成する。さら忙このＺｎ＋
Ｓｉ、Ｏ＊膜４の表面にプラズマＣＶＤ、ＣＶＤなどＫ
よって、■図に示すようＫｌ［ｄ厚：２［１００〜５０
００Ａの５ｉＯＮｘ膜５を形成し、上記Ｚｎ＋Ｓ ＬＯ
ｔ 膜中のＺｎの蒸発を防止する。
次いで、上記り層？、、Ｓ １０．Ｎ３、Ｚｎ＋ＳｉＯ
。
。
膜４、ＳｉＳ１０Ｎｘ工りなるｆＲ）＃１体６を〜８、
Ａｒ等の不活性雰囲気中で、温度＝８００〜９００”Ｃ
Ｋ３０〜１２０分間保持する。この熱処理によってＺｎ
＋５ｉ０１膜４中のＺｎは８１０．ｔＪ３を透過してｎ
層２′中に拡散し、０図に示すように表部に９層７＆が
形成され、下部Ｋｎ層７ｂが残留したウェハー７が得ら
れる。この場合、ＩＬ層２′中のＡｓ＋は、Ｖ族物質特
有の分散し易い性質を有するが、Ｓ１０を膜３くよって
分散が抑制されるので組成が変ることなく、またＺｕ＋
ＳｉＯ，膜４中のＺｎはＳ ＬＯＮｘ膜５に二ってその
蒸発が防止される。従って、ｎ層２の組成は一定に保持
はれ、ｚ！Ｌは熱処理条件を一定とすれば常忙同じ状態
でユ層２表面に拡散し、厚さ２５〜１０μｍ、Ｚｎの表
面濃度：１５〜２ Ｘ １０”ｃｒ” 、平均濃度４５
Ｘ１ Ｇ”Ｃｍ−”ｆ）ＩＩ層７ａが形成され、ｐ−ｎ
接合も波打つことなく均一なものが得られる。
Ａｒ等の不活性雰囲気中で、温度＝８００〜９００”Ｃ
Ｋ３０〜１２０分間保持する。この熱処理によってＺｎ
＋５ｉ０１膜４中のＺｎは８１０．ｔＪ３を透過してｎ
層２′中に拡散し、０図に示すように表部に９層７＆が
形成され、下部Ｋｎ層７ｂが残留したウェハー７が得ら
れる。この場合、ＩＬ層２′中のＡｓ＋は、Ｖ族物質特
有の分散し易い性質を有するが、Ｓ１０を膜３くよって
分散が抑制されるので組成が変ることなく、またＺｕ＋
ＳｉＯ，膜４中のＺｎはＳ ＬＯＮｘ膜５に二ってその
蒸発が防止される。従って、ｎ層２の組成は一定に保持
はれ、ｚ！Ｌは熱処理条件を一定とすれば常忙同じ状態
でユ層２表面に拡散し、厚さ２５〜１０μｍ、Ｚｎの表
面濃度：１５〜２ Ｘ １０”ｃｒ” 、平均濃度４５
Ｘ１ Ｇ”Ｃｍ−”ｆ）ＩＩ層７ａが形成され、ｐ−ｎ
接合も波打つことなく均一なものが得られる。
次いでＨＦ系エッチャントを用いてＳ１０．膜３、Ｚｎ
＋５ｉＯ１膜４．５ＬＯＮｘ膜５をエツチング除去し、
０図に示すように９層７ｈ、ｎＮ７ｂ工りなる１枚のウ
ェハー７とする。
＋５ｉＯ１膜４．５ＬＯＮｘ膜５をエツチング除去し、
０図に示すように９層７ｈ、ｎＮ７ｂ工りなる１枚のウ
ェハー７とする。
この２層７区の表面に、０図に示すようにＡＩを１．５
ｐ ｍの厚さに蒸着し、Ａｌｔ！、甑８を形成し、４
００〜５００℃の温度で５〜１０分熱処理してＡｌｔ極
８を９層７＆に強固に密着させる。次いで、電層７ｂ面
Ｋ Ａ ｕ −Ｇ・を１μ禦の厚さに蒸着して、＠図忙
示すようにＡ ｕ −（３ｅ電極９を形成し、これを４
００〜５００℃の温度で５〜１０分熱処哩して、Ａｕ−
Ｇｅ電極９を３層７ｂに強固に密着させる。
ｐ ｍの厚さに蒸着し、Ａｌｔ！、甑８を形成し、４
００〜５００℃の温度で５〜１０分熱処理してＡｌｔ極
８を９層７＆に強固に密着させる。次いで、電層７ｂ面
Ｋ Ａ ｕ −Ｇ・を１μ禦の厚さに蒸着して、＠図忙
示すようにＡ ｕ −（３ｅ電極９を形成し、これを４
００〜５００℃の温度で５〜１０分熱処哩して、Ａｕ−
Ｇｅ電極９を３層７ｂに強固に密着させる。
ｐ電極形成、１１１１Ｌ極形成の為の熱処理は上記のご
とく各工種ごとに行っても良く、また、ｐ′ｙＬ極とｎ
＊極について同時に行っても良い。
とく各工種ごとに行っても良く、また、ｐ′ｙＬ極とｎ
＊極について同時に行っても良い。
上記ｐ層に密着したＡＪｉＥ極８に、フォトレジストを
塗布し、フォトマスクを透し″′Ｃ紫外線を照射し、現
像液によって７オトレジストｒｅ７オトマスクのパター
ンに除去した後エツチングする通常のフォトリゾグラフ
ィによって、０図に示すような所定のパターンのＡＪ電
極８を形成し、しかる後、０図に示すようにダイシング
し、これを分層して、０図に示す半導体発光素子が得ら
れる。
塗布し、フォトマスクを透し″′Ｃ紫外線を照射し、現
像液によって７オトレジストｒｅ７オトマスクのパター
ンに除去した後エツチングする通常のフォトリゾグラフ
ィによって、０図に示すような所定のパターンのＡＪ電
極８を形成し、しかる後、０図に示すようにダイシング
し、これを分層して、０図に示す半導体発光素子が得ら
れる。
上記方法においてＺｎの拡散け、固本拡教を例として説
明したがアンプル内にＧ ａ Ａ ａ又けＧ ａ Ａ
Ｉ Ａ ｔｒ基板を入れてＺｎ蒸気２介してＺｎを拡散
ζせる通常の気相拡散法を使用しても良い。
明したがアンプル内にＧ ａ Ａ ａ又けＧ ａ Ａ
Ｉ Ａ ｔｒ基板を入れてＺｎ蒸気２介してＺｎを拡散
ζせる通常の気相拡散法を使用しても良い。
上記半導体発光素子１０は均一なｐ −ｎ接合を有し、
発光波長のバラつきが少なく、農品に対する信頼性があ
り、高出力で、かつ応答速度は従来のものが５０ｎｓｅ
ｃ程度であるのに対し１０ｎＳｅｃ程度の高応答速度を
有し、波長も可視（６６０皿）から赤外（９４０ｎｍ）
までＡぎの混晶比を変えることにより自由に選択出来る
など極めて優れた性能を有し、高速フォトカプラー用と
して最適なものである。
発光波長のバラつきが少なく、農品に対する信頼性があ
り、高出力で、かつ応答速度は従来のものが５０ｎｓｅ
ｃ程度であるのに対し１０ｎＳｅｃ程度の高応答速度を
有し、波長も可視（６６０皿）から赤外（９４０ｎｍ）
までＡぎの混晶比を変えることにより自由に選択出来る
など極めて優れた性能を有し、高速フォトカプラー用と
して最適なものである。
実施例
次に実施例を示して本発明の方法の優れていることを具
体的に示す。
体的に示す。
ａ）ＧａＡｓ基板上にＴｅｔｔα５×１０′？〜ｌＸ１
０”の濃度でドーグしたユ型ＧａＡ久８層を液相エピタ
キシャル成長法によって層厚：３００μｍに形成した。
０”の濃度でドーグしたユ型ＧａＡ久８層を液相エピタ
キシャル成長法によって層厚：３００μｍに形成した。
ｂ）エピタキシャル成長面を約２０〜３０μｍラップし
て平滑にした後、Ｇ ａ Ａ ｇ基板を、ＮＨ４ＯＨ＋
Ｈ，Ｏ，混合液をエッチャントとしてエツチング除去し
た。残ったＧ＆ＡＪＡａ表面をポリッシングしてミラー
面状に加工した。
て平滑にした後、Ｇ ａ Ａ ｇ基板を、ＮＨ４ＯＨ＋
Ｈ，Ｏ，混合液をエッチャントとしてエツチング除去し
た。残ったＧ＆ＡＪＡａ表面をポリッシングしてミラー
面状に加工した。
ａ）上記ミラー面に５ｉＯｔ膜をスピンナー法で厚さ：
１０００Ａに塗布した。
１０００Ａに塗布した。
ｄ）上記Ｓ１０！膜面上ＫＺｎを含んだＳ１０゜をスピ
ンナー法で厚さ：２０００ＡＫ塗布した。
ンナー法で厚さ：２０００ＡＫ塗布した。
ｅ）ζらに上記ｚｎ＋５ｉｏｔｌｌＪ面ＫＳｉＯＮ：ｃ
膜をブラ、（？ＣＶＤＫ！Ｊ厚−ｇ：２０００Ａく形成
した。
膜をブラ、（？ＣＶＤＫ！Ｊ厚−ｇ：２０００Ａく形成
した。
ｆ）次に上記ＧａＡＪＡｇ−８１０，−（Ｚｎ＋Ｓ １
０． ）−８ｉＯＮｘの積層体をＮ、気流中で、９００
°Ｃ１１時間熱処理し、ｎ型Ｇ＆ＡｅＡｓ層表面に２ユ
を拡散ブせ、層厚：１０μｍのｐｍＧ＆ｋｌＡＩ層を形
成した。
０． ）−８ｉＯＮｘの積層体をＮ、気流中で、９００
°Ｃ１１時間熱処理し、ｎ型Ｇ＆ＡｅＡｓ層表面に２ユ
を拡散ブせ、層厚：１０μｍのｐｍＧ＆ｋｌＡＩ層を形
成した。
ｇ）Ｚｎの拡散した積層体を、ＨＦ系（フッ竣２０％の
水溶液）エッチャントによってエツチングして上記Ｓ
ｉ Ｏｘ ４ｚｎ＋ Ｓ ｉ ｏ、）−ｓ ｉ ＯＮ
ｘ膜を除去した。
水溶液）エッチャントによってエツチングして上記Ｓ
ｉ Ｏｘ ４ｚｎ＋ Ｓ ｉ ｏ、）−ｓ ｉ ＯＮ
ｘ膜を除去した。
ｈ）次いでｐ層表面にＡＪを厚さ２１．５μｍに蒸着し
てＡ／ｉＩＣ極を形成する。
てＡ／ｉＩＣ極を形成する。
１） また、ｎ層にＡ ｕ −Ｇ ｅを厚さ： ’ ｌ
’ ｍ Ｋ蒸着。
’ ｍ Ｋ蒸着。
ｊ）５ｏｏ℃、１０分熱処理してｎ層および２層に電極
を密着させた。
を密着させた。
ｋ） 通常の７オトリゾグラフイーによって、上記Ａｅ
電極に電極パターンを形成し、ダイシングして半導体発
光素子を作った。
電極に電極パターンを形成し、ダイシングして半導体発
光素子を作った。
上記発光素子を用いて各種測定を行なった。結果を纂１
表に示す。
表に示す。
ｌ＠１ 表
上記測定は、同じウェハーより分割したチップは勿論、
同じ条件で作成した他のウェハーのチップにおりても極
めて再現性のよい数値が得られた。
同じ条件で作成した他のウェハーのチップにおりても極
めて再現性のよい数値が得られた。
発明の効果
以上述べたように本発明の方法によってつくられた半導
体発光素子は、ｎ型Ｑ ａ Ａ ｅ Ａ ｎ層の表面Ｋ
Ｚｎを拡散させてｎ層を形成し、残りをｎ層として、１
枚のウェハーによって均一なｐ −ｎ接合を形成してい
るため、品質のバラつきが少なく、製品の信頼性が高く
、高出力、高応答速度等の優れた性能を有し、さらに液
相成長時のＡｅ濃度を制御すれば波長は可視から赤外ま
での広い幅の波長から自由に選択出来る等の長所を有す
る。
体発光素子は、ｎ型Ｑ ａ Ａ ｅ Ａ ｎ層の表面Ｋ
Ｚｎを拡散させてｎ層を形成し、残りをｎ層として、１
枚のウェハーによって均一なｐ −ｎ接合を形成してい
るため、品質のバラつきが少なく、製品の信頼性が高く
、高出力、高応答速度等の優れた性能を有し、さらに液
相成長時のＡｅ濃度を制御すれば波長は可視から赤外ま
での広い幅の波長から自由に選択出来る等の長所を有す
る。
ｇｔ図■〜０は、本発明に係る半導体発光素子の製造方
法の一例を示すもので、その製造過程を１＠に示した図
である。 １・・・・・・Ｇ ａ Ａ ａ基板、２・・・・・・１
層、２′・・・・・・ミラーウェハーに仕上げられたｎ
層（ｎ層）、３・・・・・・Ｓ１０．膜、４ ”・Ｚ
！１ ＋ Ｓ Ｌ ０ｐｊ４．５ ＝ ・・・Ｓ １Ｏ
Ｎｘ膜、６・・・・・・積層体、７・・・・・・ｐ −
ｎｊ−エリなるウエバー、７ａ・・・・・・１層、７ｂ
・・・・・・ｎ層、８・・・・・・Ａ６電極、９・・・
・・・Ａ ｕ −Ｇ ｌ ＠、極、１０・・・・・・発
光素子。 ■ ■
法の一例を示すもので、その製造過程を１＠に示した図
である。 １・・・・・・Ｇ ａ Ａ ａ基板、２・・・・・・１
層、２′・・・・・・ミラーウェハーに仕上げられたｎ
層（ｎ層）、３・・・・・・Ｓ１０．膜、４ ”・Ｚ
！１ ＋ Ｓ Ｌ ０ｐｊ４．５ ＝ ・・・Ｓ １Ｏ
Ｎｘ膜、６・・・・・・積層体、７・・・・・・ｐ −
ｎｊ−エリなるウエバー、７ａ・・・・・・１層、７ｂ
・・・・・・ｎ層、８・・・・・・Ａ６電極、９・・・
・・・Ａ ｕ −Ｇ ｌ ＠、極、１０・・・・・・発
光素子。 ■ ■
Claims (1)
- ＧａＡｓ基板表面に液相エピタキシャル成長法により
ｎ型ＧａＡｌＡｓ層を形成した後、ＧｌＡｓ基板を除去
し、残つたｎ型ＧａＡｌＡｓ層表面にＺｎを拡散させて
、該ｎ型ＧａＡｌＡｓ層内にｐ−ｎ接合を形成すること
を特徴とする半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59203669A JPS6181679A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59203669A JPS6181679A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 半導体発光素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6181679A true JPS6181679A (ja) | 1986-04-25 |
Family
ID=16477889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59203669A Pending JPS6181679A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6181679A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61136223A (ja) * | 1984-12-06 | 1986-06-24 | Sony Corp | 熱拡散法 |
| US5501990A (en) * | 1994-05-09 | 1996-03-26 | Motorola, Inc. | High density LED arrays with semiconductor interconnects |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP59203669A patent/JPS6181679A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61136223A (ja) * | 1984-12-06 | 1986-06-24 | Sony Corp | 熱拡散法 |
| US5501990A (en) * | 1994-05-09 | 1996-03-26 | Motorola, Inc. | High density LED arrays with semiconductor interconnects |
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