JPH07311989A - 光ピックアップと光学素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 Ｃ／Ｎ比が高い良質な光ディスク盤からの再
生信号と安定なフォーカスエラー信号、トラッキング信
号を得ることができかつ小型で安価な光ピックアップを
提供する。 【構成】 発光素子からの光を偏光ビームスプリッター
を透過させて集光手段に導くとともに、集光手段からの
光を偏光ビームスプリッターで反射させて検光子入射光
偏光変換素子に導いた後、検光子へ導くことでＣ／Ｎ比
の高いＲＦ再生信号及び安定なフォーカスエラー信号及
びトラッキングエラー信号を検出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光素子、光ディスクへの
情報の記録または再生を行う光ピックアップと光学素子
及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、レーザ光を利用して情報の記録や
再生を行う光ディスク装置の小型化が望まれており、光
学部品点数の削減等により光ピックアップの小型化及び
軽量化の試みが行われている。光ピックアップの小型・
軽量化は、装置全体の小型化だけでなく、アクセス時間
の短縮などの性能向上に有利となる。近年、光ピックア
ップの小型・軽量化の手段としてホログラム光学素子の
利用が挙げられており、一部実用化に供している。

【０００３】以下に図２６から図２９を参照しながらホ
ログラム光学素子を利用した光ピックアップの従来例を
説明する。図２６（ａ）は従来例における光ピックアッ
プの平面図、図２６（ｂ）は従来例における光ピックア
ップの側面図である。

【０００４】まず、発光素子である半導体レーザから、
光ディスク盤に至る往路の光路について説明する。図２
６（ｂ）においてセンサー基板１上に水平にマウントさ
れた半導体レーザチップ２から水平に放出されたレーザ
光３は、同じくセンサー基板１上に反射面を半導体レー
ザチップ２に対向するようにマウントされた台形状の反
射プリズム４により、透明な光ガイド部材５の第２面５
ｂの入射窓６から光ガイド部材５内部に入射し拡散光７
になる。光ガイド部材の第１面５ａにはホログラム８が
形成されていていて、拡散光７はホログラム８から光ガ
イド部材５外部に出射し拡散光９になる。拡散光９は対
物レンズ１０に入射し、光ディスク盤１１の情報記録層
１１ａにスポット１２として集光する往路集束光１３に
変換される。

【０００５】次に光ディスク盤から受光センサーに至る
復路について説明する。光ディスク盤１１の情報記録層
１１ａで反射された反射光１４は対物レンズ１０に再び
入射し復路集束光１５に変換された後、ホログラム８に
入射する。

【０００６】ホログラム８は図２７のような、光ディス
ク盤１１のトラック方向と同一方向の分割線を境界とし
て、各々異なるパターンを持つ２つの等面積の領域を有
し、復路集束光１５を、半導体レーザチップ２の偏光方
向に対して例えば４５゜と１３５゜等の（２ｎ＋１）π
／４のいずれかの角度を有する異なった方向に回折する
第１回折光１６と第２回折光１７に変換する。

【０００７】光ガイド部材５の第２面５ｂには、両回折
光１６、１７のＰ偏光成分を透過し、Ｓ偏光成分を反射
する復路偏光分離膜がコーティングされた第１復路偏光
分離部１８及び第２復路偏光分離部１９が形成してあ
る。

【０００８】図２６（ａ）においてホログラム８に入射
する拡散光７の偏光状態を矢印で表すような直線偏光２
３とすると、両回折光１６、１７の回折方向が直線偏光
２３の偏光方向に対して（２ｎ＋１）π／４に設定して
あるので、両復路偏光分離部１８、１９に入射する両回
折光１６、１７は両復路偏光分離部１８、１９に対して
Ｐ偏光成分、Ｓ偏光成分が各々約半分となり、両復路偏
光分離部１８、１９からの第１透過光２４及び第２透過
光２５の光量は各々第１回折光１６及び第２回折光１７
の約半分になる。両透過光２４、２５は各々センサー基
板１に形成された第１受光センサー２６及び第２受光セ
ンサー２７を照射する。両復路偏光分離部１８、１９で
反射された両回折光１６、１７の残りの約半分である第
１反射光２８、第２反射光２９は、各々第１面５ａの第
１復路反射部３０及び第２復路反射部３１で反射され再
び第２面５ｂへ向かう第３反射光３２及び第４反射光３
３となる。この第３反射光３２及び第４反射光３３は、
各々第２面５ｂの第１透過窓３４及び第２透過窓３５を
透過した後、各々第３透過光３６及び第４透過光３７と
なり、両透過光３６，３７は各々第３受光センサー３８
及び第４受光センサー３９を照射する。両回折光１６、
１７は各々両復路偏光分離部１８、１９と第３、第４受
光センサー３８、３９間に焦点が存在するように設計さ
れている。

【０００９】図２８を用いて詳細に光磁気信号検出原理
を説明する。図２８において２３は前述のようにホログ
ラム８に入射する直線偏光の偏光方向である。ホログラ
ム８は偏光面には影響を与えないから、光ディスク盤１
１の情報記録面１１ａに情報が記録されていなければ
（情報記録面１１ａが磁化されていなければ）、スポッ
ト１２の反射光である両回折光１６、１７も直線偏光２
３と同じ偏光方向を有する。このような状態の両回折光
１６、１７の偏光方向を、Ｐ偏光成分をほぼ１００％透
過させ、Ｓ偏光成分をほぼ１００％反射する両復路偏光
分離部１８、１９に対し、図２６に示すように方位４５
゜と１３５゜で入射するように両回折光１５、１６の回
折方向を直線偏光２３の偏光方向に対して各々４５゜と
１３５゜に設定する。直線偏光２３は光ディスク盤１１
の磁化された情報ピットで反射すると、磁化の極性と磁
化の強さによって回転方向は±θｋの範囲で変化する
（カー効果）。

【００１０】いま直線偏光２３の状態からθｋ回転した
状態を直線偏光４０、−θｋ回転した状態を直線偏光４
１とする。直線偏光４０から直線偏光４１まで変調され
た光磁気信号を両偏光分離部１８、１９の偏光分離膜に
入射する場合を考える。

【００１１】復路集束光１５の偏光状態が前記直線偏光
２３の状態からθｋ回転した場合、前記第１回折光１６
の偏光状態は直線偏光４０に、前記第２回折光１７の偏
光状態は直線偏光４１に変調される。また復路集束光１
５の偏光状態が前記直線偏光２３の状態から−θｋ回転
した場合、前記第１回折光１６の偏光状態は直線偏光４
１に前記第２回折光１７の偏光状態は直線偏光４０に変
調される。従って前記第２回折光１７のＰ偏光成分は前
記第１回折光１６のＳ偏光成分と等しく、前記第２回折
光１７のＳ偏光成分は前記第１回折光１６のＰ偏光成分
と等しくなる。従ってＲＦ再生信号は前記第１回折光１
６のＰ偏光成分の信号と第２回折光１７のＳ偏光成分の
信号の和信号と前記第１回折光１６のＳ偏光成分の信号
と第２回折光１７のＰ偏光成分の信号の和信号との差動
つまり以下の数式１により信号成分は２倍となり、また
同位相成分のノイズはキャンセルされるから結果的に高
Ｃ／Ｎ比の信号が得られる。

【００１２】半導体レーザチップ２およびの受光センサ
ー群等が形成されているセンサー基板１への各種信号の
入出力は、リードフレーム４４を介して行われる。

【００１３】次に、図２９を用いて第１受光センサー２
６、第２受光センサー２７、第３受光センサー３８およ
び第４受光センサー３９の形状と、信号検出原理につい
て説明する。

【００１４】第２受光センサー２７および第４受光セン
サー３９は３分割センサーで、それぞれ２７ａ、２７
ｂ、２７ｃおよび３９ａ、３９ｂ、３９ｃに分割されて
いる。ここで、第１受光センサー２６および第３受光セ
ンサー３８からの出力を、各々Ｉ２６およびＩ３８で表
し、また第２受光センサー２７および第４受光センサー
３９の各部分２７ａ、２７ｂ、２７ｃおよび３９ａ、３
９ｂ、３９ｃからの出力を、それぞれＩ２７ａ、Ｉ２７
ｂ、Ｉ２７ｃおよびＩ３９ａ、Ｉ３９ｂ、Ｉ３９ｃで表
す。

【００１５】まず、各種信号の内ＲＦ再生信号（Ｒ．
Ｆ．）について説明する。前述のように回折光１６のＰ
偏光成分と回折光１７のＳ偏光成分との和信号と回折光
１６のＳ偏光成分と回折光１７のＰ偏光成分との和信号
との差動により得られるから、図２９の回路図の回路構
成からわかるように以下の数式１により得られる。

【００１６】（数式１） Ｒ．Ｆ．＝［Ｉ２６−（Ｉ２７ａ＋Ｉ２７ｂ＋Ｉ２７
ｃ）］−［Ｉ３８−（Ｉ３９ａ＋Ｉ３９ｂ＋Ｉ３９
ｃ）］ 次にフォーカスエラー信号（Ｆ．Ｅ．）についてに説明
する。Ｆ．Ｅ．は図２９の回路図の回路構成からわかる
ように以下の数式２により得られる。

【００１７】（数式２） Ｆ．Ｅ．＝［（Ｉ２７ａ＋Ｉ２７ｃ）＋Ｉ３９ｂ］−
［（Ｉ３９ａ＋Ｉ３９ｃ）＋Ｉ２７ｂ］ いま光ディスク盤１１の情報記録層１１ａに、対物レン
ズ１０のスポット１２が正確に合焦しており、この合焦
状態における第２受光センサー２７および第４受光セン
サー３９上のレーザ光の照射形状をそれぞれ４５ａ、４
６ａとすると、次の数式３になるようにレーザ光の照射
強度分布と、受光センサーの位置関係が調整されてい
る。

【００１８】（数式３） Ｆ．Ｅ．＝０ 次に、光ディスク盤１１と対物レンズ１０との間の距離
が合焦状態から近接した場合、第２受光センサー２７お
よび第４受光センサー３９上のレーザ光の照射形状はそ
れぞれ４５ｃ、４６ｃとなり、Ｆ．Ｅ．は数式４の様に
変化する。

【００１９】（数式４） Ｆ．Ｅ．＞０ 逆に、光ディスク盤１１と対物レンズ１０との間の距離
が合焦状態から離れた場合、第２受光センサー２７およ
び第２受光センサー３９上のレーザ光の照射形状は４５
ｂ、４６ｂとなり、Ｆ．Ｅ．は数式５の様に変化する。

【００２０】（数式５） Ｆ．Ｅ．＜０ 以上のようなフォーカスエラー検出方式はスポットサイ
ズ法として知られている。

【００２１】次にトラッキングエラー信号（Ｔ．Ｅ．）
について説明する。ホログラム８のパターンの異なる２
つの等面積の領域の境界がトラック方向と同一方向であ
るため、光ディスク盤１１からの反射光が含んでいるト
ラック情報はホログラム８によりスポット１２のトラッ
ク方向の中心線で分割される左右のトラック情報の２つ
に分けられ、その２つのトラック情報は第１回折光１６
と第２回折光１７とに分離される。さらに、第１回折光
１６と第２回折光１７についてのホログラム８の各々の
領域の第１回折光１６と第２回折光１７についての回折
効率が同等になるようにホログラムは設計されている。
従ってＴ．Ｅ．は図２９の回路図の回路構成よりわかる
ように以下の数式６に得られる。

【００２２】（数式６） Ｔ．Ｅ．＝［（Ｉ２７ａ＋Ｉ２７ｂ＋Ｉ２７ｃ）＋（Ｉ
３９ａ＋Ｉ３９ｂ＋Ｉ３９ｃ）］−（Ｉ２６＋Ｉ３８） スポット１２がトラック中心を照射している場合、ホロ
グラムの２つの領域に入射する復路集束光１５の光量は
等しいため、第１回折光１６と第２回折光１７の光量は
等しく、両回折光１６、１７の各々の光量である第１受
光センサーの信号と第３受光センサー信号の和信号及び
第２受光センサーの信号と第４受光センサー信号の和信
号とが等しくなるためＴ．Ｅ．は以下の数式７のように
なる。

【００２３】（数式７） Ｔ．Ｅ．＝０ また、光ディスク盤面のスポット１２がトラック中心か
らトラックに対して９０゜方向に偏心した場合は、ホロ
グラム８に入射する復路集束光１５の光量がホログラム
８の２つの領域で異なるため、第１回折光１６の光量で
ある第１受光センサーの信号と第３受光センサー信号の
和信号と、第２回折光１７の光量である第２受光センサ
ーの信号と第４受光センサー信号の和信号は等しくなく
なり、Ｔ．Ｅ．は以下の数式８あるいは数式９のように
なる。

【００２４】（数式８） Ｔ．Ｅ．＞０ （数式９） Ｔ．Ｅ．＜０ このトラッキングエラー検出方法はプッシュプル法とし
て知られている。

【００２５】このように、ホログラム８をトラック方向
と同一方向の分割線を境界として、パターンの異なる２
つの等面積の領域に分け、ホログラム８の２つの領域の
各々両回折光１６、１７に対する回折効率が同等になる
ように設計することでトラッキングエラー信号を得るこ
とができる。

【００２６】また特開平５−２５８３８２や特開平５−
２５８３８６の光ピックアップの製造に際しては、各境
界に具備される光学機能素子を形成した光ガイド部材を
張り合わせ集合ブロック体を形成した後斜面形成さらに
偏光膜の成膜を行い所定の幅を持って切断され、光ピッ
クアップ素子が形成される

【００２７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の構
成では以下のような問題点によりＲＦ信号のＣ／Ｎの悪
化が生じる。

【００２８】・往復路分離用としてホログラムを用いて
いるが、往路では０次回折光を復路光では１次光を利用
し、かつ偏光分離部への入射角の制限よりホログラムの
ピッチが小さくブレーズ化による−１次回折光発生の抑
制が難しくまたＳ偏光成分の１次回折効率がＰ偏光成分
の１次回折効率より低いため、ホログラムの往復路光利
用効率（往路０次回折効率×復路１次回折効率）を向上
させるのに限界があり、ホログラムでの光量損失が大き
い。

【００２９】・フォーカスエラー信号を検出する分割さ
れた受光センサーでＲＦ信号も検出するため、分割部の
不感帯での光量損失が生じる。

【００３０】・偏光選択性のあるビームスプリッターを
使用しないため見かけのカー回転角を拡大するエンハン
ス効果が得られない。

【００３１】また以下の問題点によりフォーカスエラー
信号とトラッキングエラー信号の悪化が生じる。

【００３２】・受光センサー上でのＰ偏光のスポットサ
イズとＳ偏光のスポットサイズでフォーカスエラー信号
を検出するため、複屈折及びカー回転等で回折光のＰ偏
光とＳ偏光の光量比が変化するとフォーカスエラー信号
にオフセットが生じる。

【００３３】・トラッキングエラー信号をプッシュプル
で検出するため光ディスク盤のピットや溝の深さの影響
を受け易い。

【００３４】・回折格子を用い３ビーム法でトラッキン
グエラー信号を検出する場合、受光センサー上でのスポ
ットサイズが大きいためメインビームとサイドビームの
クロストークが発生する。

【００３５】また特開平５−２５８３８２号公報や特開
平５−２５８３８６号公報の光ピックアップの製造に際
して集合ブロック体にあっては光ガイド部材の長手方向
で１つの集合ブロック体からの素子取れ数が決定され、
また斜面を有するため短手方向に同一素子の配列は困難
で素子取れ数が少なく生産性が低い。

【００３６】

【課題を解決するための手段】本発明は以上のような従
来例の問題点を解決すべく考案されたもので、発光素子
と、前記発光素子からの光をディスク盤上に結像する結
像手段と、偏光選択性のあるビームスプリッター膜と、
偏光分離機能を有する検光子と、検光子への入射光の偏
光状態を約４５゜の直線偏光に変換する検光子入射光偏
光変換素子と、焦点検出手段としての機能を有する焦点
誤差検出素子と、センサー基板上に設置された直線偏光
を発する発光素子と複数の受光センサーからなる受光素
子を有し、前記結像手段を通過したディスク盤からの復
路光を前記偏光ビームスプリッター膜で前記発光素子か
らの光と分離した後、分離されたディスク盤からの復路
光を前記焦点誤差検出素子と前記検光子入射光偏光変換
素子とに入射させる。前記検光子入射光偏光変換素子を
通過した光を前記検光子に入射させＰ偏光成分の光とＳ
偏光成分の光に分離した後各成分の光を各々受光センサ
ーで受光させ差動増幅でＲＦ信号を検出する。一方前記
焦点誤差検出素子に入射した光は焦点検出用の光に変換
され受光センサーで受光させる。

【００３７】基板上に光学薄膜を設けた構成体を形成
し、前記構成体を複数用意し、前記光学薄膜を基盤同士
で挟むように接合して集合構成体を形成し、前記集合構
成体を接合面に対して傾斜して切断する。

【００３８】

【作用】本発明は上記構成により、検光子入射光偏光変
換素子の作用で偏光分離手段に入射するディスク盤から
の復路光の偏光状態は約４５゜の直線偏光でＰ偏光成分
とＳ偏光成分が各々約５０％の光となり、各成分をが受
光する受光センサーに各々５０％の割合で分光し、両受
光センサーの差動増幅により光磁気信号以外の同位相ノ
イズ成分が除去するとともに、ＲＦ信号を検出する受光
センサーはＲＦ信号のみを検出するため両受光センサー
は分割させる必要がなく不感帯による光量損失をなくす
ことや、発光素子からの光とディスク盤からの復路光を
分離するために偏光選択性のあるビームスプリッター膜
を用いることで見かけのカー回転角を増加させることに
よりＣ／Ｎ比の高いＲＦ再生信号を得ることができる。
またＰ偏光成分とＳ偏光成分に分離せずに焦点検出手段
としての機能を有する焦点誤差検出素子にディスク盤か
らの復路光を導きフォーカスエラー信号を検出するため
複屈折及びカー回転等でディスク盤からの復路光のＰ偏
光とＳ偏光の光量比が変化してもフォーカスエラー信号
にオフセットが生じることはない。また３ビーム法でト
ラッキングエラー信号を検出する場合もセンサー上での
スポットサイズを小さくすることができ、メインビーム
とサイドビームのクロストークの発生を抑制できる。

【００３９】また構成体を複数個接合して集合構成体を
形成し接合面に対して傾斜して切断することにより工数
が低減でき生産性の向上が図れる。

【００４０】

【実施例】以下本発明の第１実施例について、図面を参
照しながら説明する。図１（ａ）は本発明の第１実施例
における光ピックアップの正面図、図１（ｂ）は本発明
の第１実施例における図１（ａ）における側面図であ
る。

【００４１】図１（ｂ）において基板１０１上にサブマ
ウント１０２を介して水平にマウントされた半導体レー
ザチップ１０３から水平に放出されたレーザ光は、同じ
く基板１０１上にマウントされた台形状のプリズム１０
４によって反射し光路を曲げられ拡散光になる。この拡
散光は光ガイド部材１０５の第２の面１０５ｂに形成さ
れた透過型の回折格子１０６によって０次回折光（メイ
ンビーム）と±１次回折光（サイドビーム）とに分けら
れる。

【００４２】メインビーム及びサイドビームは光ガイド
部材の第１斜面１０７ａに形成された第１偏光選択性の
ある第１偏光ビームスプリッター膜１０８を透過し、光
ガイド部材の第１の面１０５ａを透過、対物レンズ１０
９に入射し、対物レンズの集光作用によって光ディスク
盤１１０の情報記録面１１１に結像される。この時、情
報記録面１１１上において２つのサイドビームの結像ス
ポット１１２及び１１４はメインビームの結像スポット
１１３を中心として対称な位置に結像される。情報記録
面１１１に対してメインビーム及びサイドビームの結像
スポット１１３及び１１２、１１４により情報の記録ま
たは再生信号及びトラッキング、フォーカシングいわゆ
るサーボ信号の読みだしを行う。光ディスク盤１１０の
情報記録面１１１によって反射されたメインビーム及び
サイドビームの復路光は対物レンズ１０９、光ガイド部
材１０５の第１面１０５ａを再び通過し、再び光ガイド
部材の第１斜面１０７ａに形成された第１偏光ビームス
プリッター膜１０８に入射する。

【００４３】第１偏光ビームスプリッター膜１０８は入
射面に対して平行な振動成分を有する光（以下単にＰ偏
光成分と呼ぶ）に対して一定の透過率を有し、垂直な振
動成分（以下単にＳ偏光成分と呼ぶ）に対してはほぼ１
００％の反射率を有する。

【００４４】第１偏光ビームスプリッター膜１０８から
の反射光は光ガイド部材１０５の第１斜面１０７ａに平
行な第２斜面１０７ｂ上に形成された第２偏光ビームス
プリッター膜１１７（第２の偏光選択性のあるビームス
プリッター膜）に入射する。

【００４５】ここで第２偏光ビームスプリッター膜１１
７に入射した光束の内、反射光１２２に関して説明す
る。

【００４６】反射光１２２は光ガイド部材１０５の第１
斜面１０７ａ上の第１偏光ビームスプリッター膜１０８
と同一平面上に形成された平行光変換素子１２５に入射
し、平行光１２３に変換された後に第２斜面１０７ｂ上
に積層された１／２波長板１２６を透過する。透過光は
１／２波長板１２６によって偏光面が４５°回転し光ガ
イド部材１０５の第１斜面１０７ａに平行な第３斜面１
０７ｃ上に形成された偏光分離膜１２４によってＳ偏光
成分はＳ偏光光束１１５で光ガイド部材第２面１０５ｂ
を透過し基板１０１上に形成されたセンサー基板１１６
に達する。またＰ偏光成分で透過光１２８は光ガイド部
材１０５の第１斜面１０７ａに平行な光ガイド部材第４
斜面１０７ｄ上に形成された反射膜１１８によって反射
されＰ偏光光束１１９として光ガイド部材第２面１０５
ｂを透過し基板１０１上に形成されたセンサー基板１１
６に達する。

【００４７】図２〜図３を用いて更に詳細に光磁気信号
検出原理を説明する。良質なＲＦ再生信号を得、Ｃ／Ｎ
を上げるためにカー回転角θkを見かけ上増幅させるエ
ンハンス構造を設ける構造が探られている。本実施例で
はこの第１斜面１０７ａ上にエンハンス構造を有する第
１偏光ビームスプリッター膜１０８、第１斜面に平行な
第２の斜面１０７ｂ上に第２偏光ビームスプリッター膜
１１７を設けている。

【００４８】図２において矢印１５０は図１の光ディス
ク盤１１０の情報記録面１１１に入射する前の直線偏光
の偏光方向である。光ディスク盤１１０の情報記録面１
１１に情報が記録されていれば、光ディスク盤１１０か
らの反射光の偏光状態は記録情報面１１１の磁化方向に
応じて偏光方向が±θk回転する。θkをカー回転角と呼
ぶ。

【００４９】今直線偏光１５０の状態からθk回転した
状態を直線偏光１５１、-θk回転した状態を１５２とす
る。反射光は光ガイド部材第１面１０５ａを透過した後
第１の斜面１０７ａに形成された第１偏光ビームスプリ
ッター膜１０８に入射する。第１偏光ビームスプリッタ
ー膜１０８はＰ偏光に対して一定の透過率を有し、Ｓ偏
光に対してはほぼ１００％の反射率を有する、従って図
２の直線偏光方向はθk回転した状態の直線偏光１５１
はθk’回転した状態、１５３となり、また-θk回転し
た直線偏光１５２は-θk’回転した状態１５４となりカ
ー回転角θkは見かけ上大きくなる。さらに第２斜面１
０７ｂ上に形成された第２偏光ビームスプリッター１１
７を反射した反射光１２２に対しても同様のことが発生
し直線偏光方向はθk’回転した状態の直線偏光１５３
はθk’’回転した状態、１５５となり、また-θk’回
転した直線偏光１５４は-θk’’回転した状態１５６と
なりカー回転角θkはさらに見かけ上大きくなる。これ
によって前述の平行光変換素子１２５を反射し、さらに
１／２波長板１２６に入射した光は１／２波長板１２６
によって図２の偏光方向は図３に示すように４５°旋光
し前述の光路を経てセンサー基板１１６上に達する。

【００５０】図４は本発明の第１実施例における光ピッ
クアップの受光センサー形状及び信号処理回路説明図を
示したものである。第１受光センサー１７０は前記Ｐ偏
光光束１１９が受光されＰ偏光成分は図３のＰ偏光成分
信号１６１の様になり、また第２受光センサー１７１は
前記Ｓ偏光光束１１５が受光されＳ偏光成分は図３のＳ
偏光信号１６２の様になる。このＳ偏光信号１６２とＰ
偏光信号１６１は位相が１８０°ずれている。両信号の
差動増幅を取る事によって信号成分は２倍となり同位相
成分のノイズがキャンセルされたＲＦ再生信号を得るこ
とができる。

【００５１】従ってＲＦ再生信号（Ｒ．Ｆ）は第１受光
センサー１７０で検出される光電流Ｉ１７０と第２受光
センサー１７１で検出される光電流Ｉ１７１とすれば以
下の数式１０で検出される。

【００５２】（数式１０） Ｒ．Ｆ＝Ｉ１７０−Ｉ１７１ 次に第２偏光ビームスプリッター１１７に入射した光束
の内透過光に関して説明する。透過光１２０は第４斜面
１０７ｄ上の焦点誤差検出素子１２１に入射する。本実
施例では焦点誤差検出素子１２１として非点収差発生素
子を形成した。なお非点収差発生素子はホログラムで
も、レンズでも良い。

【００５３】図４、図５を用いて非点収差法によるフォ
ーカスエラー信号検出と本実施例における非点収差の様
子について説明する。

【００５４】図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々光ディ
スク盤１１０が合焦位置にある場合、光ディスク盤１１
０が合焦点位置より近づいた場合、光ディスク盤１１０
が合焦位置より遠ざかった場合の非点収差光束の外観図
である。また図５（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）各々図５
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の場合の焦点誤差検出素子１２
１によって発生した光の第３受光センサー１７２ａ、１
７２ｂ、１７２ｃ、１７２ｄ上のスポット形状を示した
ものである。

【００５５】焦点誤差検出素子１２１は光ディスク盤１
１０が合焦位置にある場合第３受光センサー１７２に対
して上流に第１焦点１７７を第３受光センサー１７２に
対して下流に第２焦点１７８を発生させ、図５（ｄ）、
（ｅ）、（ｆ）に示すようにｘ軸方向とｙ軸方向をとる
と、第１焦点１７７の位置ではｙ軸方向の線像を結び第
２焦点１７８の位置ではｘ軸上の線像結ぶことになる。
また光ディスク盤１１０が合焦位置にある場合、非点収
差によって発生したｘ軸ｙ軸方向のそれぞれの結像径が
等しくなり円形のスポット形状になる位置に焦点誤差検
出素子１２１は設計される。

【００５６】フォーカスエラー信号は第３受光センサー
１７２ａ、１７２ｂ、１７２ｃ、１７２ｄからの光電流
をそれぞれＩ１７２ａ、Ｉ１７２ｂ、Ｉ１７２ｃ、Ｉ１
７２ｄとすれば図４の回路図からもわかるように以下の
数式１１で表すことができる。

【００５７】（数式１１） Ｆ．Ｅ．＝（Ｉ１７２ａ＋Ｉ１７２ｂ）−（Ｉ１７２ｃ
＋Ｉ１７２ｄ） 光ディスク盤１１０が合焦位置にある場合、図５
（ａ）、（ｄ）からもわかるようにｘ軸ｙ軸方向のそれ
ぞれの結像径が等しくなり円形のスポット形状になるた
め１７２ａと１７０ｂでの合計受光量と１７２ｃと１７
０ｄでの合計受光量が等しくなるためフォーカスエラー
信号は以下の数式１２となる。

【００５８】（数式１２） Ｆ．Ｅ．＝０ 光ディスク盤１１０が合焦位置より近づいた場合、図５
（ｂ）に示すように焦点誤差検出素子１２１で発生した
第１焦点１７７と第２焦点１７８は焦点誤差検出素子１
２１から遠ざかるため第３受光センサー１７２ａ、１７
２ｂ、１７２ｃ、１７２ｄ上のスポット形状は図５
（ｅ）に示したようにｙ軸方向に長軸を有する楕円光束
となりフォーカス検出センサー１７２ａ、１７２ｂの受
光量がフォーカス受光センサー１７２ｃ、１７２ｄの受
光量に比べ多くなりフォーカスエラー信号は以下の数式
１３となる。

【００５９】（数式１３） Ｆ．Ｅ＞０ 光ディスク盤１１０が合焦位置より離れた場合、図５
（ｃ）に示すように焦点誤差検出素子１２１で発生した
第１焦点１７７と第２焦点１７８は焦点誤差検出素子１
２１に近づくため第３受光センサー１７２ａ、１７２
ｂ、１７２ｃ、１７２ｄ上のスポット形状は図５（ｆ）
に示したようにｘ軸方向に長軸を有する楕円光束となり
フォーカス検出センサー１７２ｃ、１７２ｄの受光量が
フォーカス受光センサー１７２ａ、１７２ｂの受光量に
比べ多くなりフォーカスエラー信号は以下の数式１４と
なる。

【００６０】（数式１４） Ｆ．Ｅ＜０ 以上のようなフォーカスエラー信号は非点収差法として
知られている。さらにトラッキング検出方法について図
４、図６を用いて説明する。

【００６１】図６は光ディスク盤上の結像スポットと情
報トラック１８０の位置関係を示した図である。図６
（ｂ）に示したように２つのサイドビームの結像スポッ
ト１８１、１８３はメインビームの結像スポット１８２
を中心にトラック方向に対して対称に位置しており、さ
らに情報トラック１８０に対して互いに反対の方向に僅
かにずれている。今図６のサイドビームスポット１８
１、１８３は前記非点収差法の光路と同様にセンサー基
板１１６上に到達しそれぞれ図４の第４受光センサーの
１７６ａ、１７６ｂに入射する。この時第４受光センサ
ー上に発生する光電流をそれぞれＩ１７６ａ、Ｉ１７６
ｂとする。今、情報トラック１８０が結像スポット１８
２に対して図６（ａ）に示すように左にずれたときは、
結像スポット１８３はほぼ情報トラックの上に位置する
のでその反射光の強度は低下する。これに対して、結像
スポット１８１は情報トラックから外れ、反射光は増加
する。一方、情報トラック１８０が結像スポットに対し
て図６（ｃ）に示すように右にずれたときは、上記とは
逆の現象となり、結像スポット１８１の反射光量は減少
し、結像スポット１８３の反射光量は増加する。

【００６２】したがって、図４の回路図からもわかるよ
うに以下の数式１４に示されるような回路を構成すれば
トラッキングエラー信号（Ｔ．Ｅ．）が得られる。

【００６３】（数式１５） Ｔ．Ｅ．＝Ｉ１７６ａ−Ｉ１７６ｂ 次にプッシュプル法によるトラッキング検出方法につい
て説明する。

【００６４】プッシュプル法は対物レンズ１１０による
結像スポットのトラックずれの情報を光ディスク盤１１
０表面の案内トラックおよび記録ピットで発生する＋１
次回折光１８４と−１次回折光１８５の光量のバランス
を捕らえることによりトラッキングエラー信号を得るも
のである。

【００６５】図６中の結像スポット１８２からの反射光
は前述非点収差法の光路と同様にセンサー基板１１６上
に結像される。図４中の第３受光センサー１７２上の結
像スポット１８２に於て＋１次回折光１８４を第３受光
センサー１７２ｄで受光し発生光電流をＩ１７２ｄ、−
１次回折光１８５を第３受光センサー１７２ｃで受光し
発生光電流をＩ１７２ｃとすれば、トラッキングエラー
信号（Ｔ．Ｅ．）は第３受光センサー１７２ｃと１７２
ｄの出力より以下の数式１６で得られる。

【００６６】（数式１６） Ｔ．Ｅ．＝Ｉ１７２ｃ−Ｉ１７２ｄ 次に本素子の製造方法に関する実施例を図７〜１０を用
いて説明する。

【００６７】本製造方法は本発明による光ピックアップ
を最小構成ブロックとし、これを２次元平面Ｘ’−Ｙ’
平面に複数含む平面ブロックを更に複数含む集合構成体
を第１〜第３の光ガイド部材１０５、１３０、１３１と
その平面上に形成された各光学機能素子と１／２波長板
１２６で形成される集合ブロックから形成する事を特徴
としている。

【００６８】図７（ａ）は第１集合ブロックを形成する
第１〜第３の光ガイド部材１０５、１３０、１３１と１
／２波長板１２６を張り合わせる前の側面図を示したも
のである。

【００６９】第１光ガイド部材１０５の第５面１０７ｅ
上に第５接合基準マーカー２２０ｅ、光ガイド部材１０
５の第１面１０７ａ上に第１偏光ビームスプリッター膜
１０８、平行光変換素子１２５、第１接合基準マーカー
２２０ａを形成し、第２光ガイド部材１３０の第２面１
０７ｂ上に第２の偏光ビームスプリッター１０９及び第
２接合基準マーカー２２０ｂを形成し第１光ガイド部材
１０５と第２光ガイド部材１３０を第１接合基準マーカ
ー２２０ａと第２接合基準マーカー２２０ｂを用いて張
り合わせ位置を決め接合する。第３の光ガイド部材１３
１には１／２波長板１２６との接合面側、即ち第３面１
０７ｃに偏光分離膜１２４及び第３接合基準マーカー２
２０ｃを形成した後１／２波長板１２６を張り合わせ第
３接合基準マーカー２２０ｃと第１接合基準マーカー２
２０ａによって張り合わせ位置を決め接合する。さらに
第４面１０７ｄ上に焦点誤差検出素子１２１、反射膜１
１８、カッティングマーカー２２１及び第４接合基準マ
ーカー２２０ｄを形成し第１集合ブロックを作成する。

【００７０】図７（ｂ）は第１集合ブロックの平面図、
図７（ｃ）はその側面図を示したものである。

【００７１】第１集合ブロック内の各素子は図７
（ｂ）、（ｃ）に示すように同一平面上に複数形成され
る。

【００７２】この第１集合ブロックを複数用意し、それ
らを張り合わせ集合構成体を形成する方法を説明する。

【００７３】図８（ａ）は第１光ガイド部材１０５の第
５面１０７ｅ面上に形成した第５接合基準マーカー２２
０ｅと張り合わせる他の集合ブロックの第４面１０７ｄ
上に形成された第４接合基準マーカー２２０ｄによって
張り合わせるようすを示した外観図である。

【００７４】これらをｎ個の集合ブロックに対して張り
合わせることで図８（ｂ）に示すような集合構成体が形
成できる。

【００７５】図１中の第１偏光ビームスプリッター膜１
０８への中心光線軸の入射角をθとし各平面１０７ａ、
１０７ｂ、１０７ｃ、１０７ｄに対してθ傾斜させた方
向をＸ’として、図８に示す様にＸ’軸、Ｙ’軸をとる
と、Ｘ’−Ｙ’面を含む面は図１中の光ガイド部材１０
５の第１面１０５ａあるいは第２面１０５と平行にな
り、図１中の光ガイド部材１０５の長さＬ、幅Ｗ、厚さ
ｄ、で決定されるブロックを最小構成ブロック２００と
すれば図１の光ピックアップがＸ’−Ｙ’平面に多数整
列させることができる。即ちＸ’−Ｙ’面に対してθ傾
斜させて複数の集合ブロックを各面に形成された接合基
準マーカーによって張り合わせることで最小構成ブロッ
ク２００を多数形成させることができる。

【００７６】従って接合された集合構成体をＸ’−Ｙ’
平面に平行な方向に切り出せばの多数の最小構成ブロッ
ク２００を含む平面ブロックを同じ形状で切り出すこと
ができる。切断に際しては集合構成体を形成する第ｎ集
合ブロックの第４面１０７ｄ上に形成されたカッティン
グマーカー２２１によって切断を行なう。

【００７７】図９（ａ）は切り出された平面ブロックの
平面図を示したものである。切り出された平面ブロック
を鏡面加工し平面ブロックの厚みを前記最小構成ブロッ
ク２００の厚みｄとなる様に仕上げる。図９（ｂ）は鏡
面加工された平面ブロックの側面図である。基準面２０
１ａ面上に透過型の回折格子１０６を形成し、更に基準
面２０１ａ面及び他方の面２０１ｂにそれぞれ第１反射
防止膜１２７ａ、第２反射防止膜１２７ｂを形成する。
図９（ｃ）は透過型回折格子１０６及び第１、第２反射
防止膜１２７ａ、１２７ｂが形成された平面ブロックの
側面図である。

【００７８】ここで平面ブロックをＸ’、Ｙ’方向に切
り出せば前記最小構成ブロック２００を得ることができ
る。Ｘ’方向のカッティング位置決めは図９（ａ）中の
第１面２０１ｂ面と第１斜面１０７ａ面の交線２３０を
基準としてカッティング位置を決定する。

【００７９】Ｙ’方向切断に際しては集合構成体を形成
する第ｎ集合ブロックの第４面１０７ｄ上に形成された
カッティングマーカー２２１によって位置を決定し切断
を行なう。

【００８０】図１０に前記Ｘ’、Ｙ’カッティング位置
決めによって決定されたカッティングされた最小構成ブ
ロック２００をしめす。

【００８１】以下本発明の第２実施例について、図面を
参照しながら説明する。図１１（ａ）は本発明の第２実
施例における光ピックアップの正面図、図１１（ｂ）は
本発明第２実施例における側面図である。

【００８２】本発明の第２実施例における光ピックアッ
プは基板３０１、サブマウント３０２、半導体レーザー
チップ３０３、プリズム３０４、平行な複数の斜面を有
する光ガイド部材３０５、回折格子３０６、対物レンズ
３０９、第１偏光ビームスプリッター膜３０８、第２偏
光ビームスプリッター膜３１７、平行光変換素子３２
５、１／２波長板３２６、偏光分離膜３２４、反射膜３
１８、センサー基板３１６、第１受光センサー３７０、
第２受光センサー３７１等から構成されており本発明の
第１実施例と同様に配置されている。

【００８３】本発明の第２実施例において光磁気信号検
出方法は光ディスク盤からの復路光を本発明の第１実施
例と同経路で導き本発明の第１実施例と同様にＰ偏光成
分を第１受光センサー３７０でＳ偏光成分を第２受光セ
ンサー３７１で受光し第１受光センサー３７０と第２受
光センサー３７１の差動で検出する。

【００８４】次に本発明の第２実施例におけるフォーカ
スエラー信号検出方法及びトラッキングエラー信号検出
方法について説明する。本発明の第２実施例ではフォー
カス検出手段としての機能を有する焦点誤差検出素子と
して分割ホログラム３２１を形成した。光ディスク盤３
１０からの復路光のうち第１偏光ビームスプリッター膜
３０８で反射し第２偏光ビームスプリッター膜３０９を
透過した光は光ガイド部材３０５の第４斜面３０７ｄに
形成された少なくとも２つに分割された分割ホログラム
３２１に入射する。

【００８５】分割ホログラム３２１は図１２に示すよう
に入射する光の光軸と交差する直線を境界線として少な
くとも２つの異なったパターンを有する領域３２１ａと
３２１ｂを持つ反射型ホログラムである。

【００８６】分割ホログラム３２１の一方の領域３２１
ｂに入射した光は少なくとも２つに分割された第４受光
センサー３７６に到達する回折光に変換され、本発明の
第１実施例と同様に３ビーム法でトラッキングエラー信
号を検出する。

【００８７】一方分割ホログラム３２１の他方の領域３
２１ａに入射した光は図１３に示すようなすくなくとも
２つに分割された第３受光センサー３７２の分割線上に
結像する回折光に変換される。

【００８８】第３受光センサー３７２ａ、３７２ｂから
の出力を各々Ｉ３７２ａ、Ｉ３７２ｂとすれば図１３の
回路図からもわかるようにフォーカスエラー信号（Ｆ．
Ｅ．）は以下の数式１７で表すことができる。

【００８９】（数式１７） Ｆ．Ｅ．＝Ｉ３７２ａ−Ｉ３７２ｂ 図１３を用いてディスク盤と対物レンズの距離と第３受
光センサー３７２上のスポット形状及びフォーカスエラ
ー信号について説明する。

【００９０】図１３（ａ）は光ディスク盤３１０の情報
記録層３１１に、対物レンズ３０９のスポットが正確に
合焦している場合の第３受光センサー３７２上のスポッ
ト形状を示したものである。第３受光センサー３７２上
のスポットは分割線上にありかつ結像しているためフォ
ーカスエラー信号は以下の数式１８となる。

【００９１】（数式１８） Ｆ．Ｅ．＝０ 図１３（ｂ）は光ディスク盤３１０と対物レンズ３０９
との間の距離が合焦状態から近接した場合の第３受光セ
ンサー３７２上のスポット形状を示したものである。分
割ホログラム３２１の領域３２１ａの回折光は第３受光
センサー３７２の下流に結像するため第３受光センサー
３７２上のスポットは半円形となり第３受光センサー３
７２の３７２ａ上にくる。従ってフォーカスエラー信号
は以下の数式１９となる。

【００９２】（数式１９） Ｆ．Ｅ．＞０ 図１３ｃは光ディスク盤３１０と対物レンズ３０９との
間の距離が合焦状態から離れた場合の第３受光センサー
３７２上のスポット形状を示したものでる。分割ホログ
ラム３２１の領域３２１ａの回折光は第３受光センサー
の上流に結像するため第３受光センサー３７２上のスポ
ットは半円形となり第３受光センサー３７２の３７２ｂ
上にくる。従ってフォーカスエラー信号は以下の数式２
０となる。

【００９３】（数式２０） Ｆ．Ｅ．＜０ 以上の様な方法はフォーカスエラー信号はナイフエッジ
法として知られている。

【００９４】また本発明の第２実施例では分割ホログラ
ム３２１を使用してディスク盤からの復路光を分割セン
サー上に結像させてナイフエッジ法でフォーカスエラー
信号を検出したが、ディスク盤からの復路光を分割ホロ
グラムまたは反射膜で受光センサーより上流に結像する
ように設計し、結像位置にナイフエッジを設けナイフエ
ッジ法で検出しても良い。

【００９５】また本発明の第２実施例ではフォーカス検
出手段としての機能を有する焦点誤差検出素子として分
割ホログラム３２１を用いたが、分割ホログラム３２１
の代わりにレンズ等を用いて結像させてナイフエッジ法
でフォーカスエラー信号を検出しても良い。

【００９６】また本発明の第２実施例のトラッキングエ
ラー信号は回折格子３０６を用い回折格子３０６で発生
するサイドビームを使用し３ビーム法で検出したが、本
発明の第１実施例同様回折格子３０６を用いずに少なく
との２つに分割された第４受光センサー３７６でプッシ
ュプル法により検出しても良い。

【００９７】以下本発明の第３実施例について、図面を
参照しながら説明する。図１４（ａ）は本発明の第３実
施例における光ピックアップの正面図、図１４（ｂ）は
本発明の第３実施例における側面図である。

【００９８】本発明の第３実施例における光ピックアッ
プは基板４０１、サブマウント４０２、半導体レーザー
チップ４０３、プリズム４０４、平行な複数の斜面を有
する光ガイド部材４０５、回折格子４０６、対物レンズ
４０９、第１偏光ビームスプリッター膜４０８、第２偏
光ビームスプリッター膜４１７、平行光変換素子４２
５、１／２波長板４２６、偏光分離膜４２４、反射膜４
１８、センサー基板４１６、第１受光センサー４７０、
第２受光センサー４７１等から構成されており本発明の
第１実施例と同様に配置されている。

【００９９】本発明の第３実施例において光磁気信号は
光ディスク盤からの復路光を本発明の第１実施例と同経
路で導き本発明の第１実施例と同様にＰ偏光成分を第１
受光センサー４７０でＳ偏光成分を第２受光センサー４
７１で受光し第１受光センサー４７０と第２受光センサ
ー４７１の差動で検出する。

【０１００】次に本発明の第３実施例におけるフォーカ
スエラー信号検出方法及びトラッキングエラー信号検出
方法について説明する。本実施例では焦点検出手段とし
ての機能を有する焦点誤差検出素子として少なくとも２
分割された分割ホログラム４２１を形成した。光ディス
ク盤４１０からの復路光のうち第１偏光ビームスプリッ
ター膜４０８で反射し第２偏光ビームスプリッター膜４
０９を透過した光は光ガイド部材４０５の第４斜面４０
７ｄに形成された分割ホログラム４２１に入射する。

【０１０１】分割ホログラム４２１は図１５に示すよう
に入射する光の光軸と交差する直線を境界線として少な
くとも２つの異なったパターンを有する領域４２１ａ、
４２１ｂを持つ反射型ホログラムであり、分割ホログラ
ム４２１に入射した光は分割ホログラム４２１により図
１４に示すように少なくとも４つに分割された第３受光
センサー４７２の分割線上に結像する２つの回折光に変
換される。

【０１０２】第３受光センサー４７２の４７２ａ、４７
２ｂ、４７２ｃ、４７２ｄからの出力を各々Ｉ４７２
ａ、Ｉ４７２ｂ、Ｉ４７２ｃ、Ｉ４７２ｄとすれば図１
６の回路図からもわかるようにフォーカスエラー信号
（Ｆ．Ｅ．）は以下の数式２１で表すことができる。

【０１０３】（数式２１） Ｆ．Ｅ．＝（Ｉ４７２ａ−Ｉ４７２ｂ）−（Ｉ４７２ｃ
−Ｉ４７２ｄ） 図１６を用いてディスク盤４１０と対物レンズ４０９の
距離と第３受光センサー４７２上のスポット形状及びフ
ォーカスエラー信号について説明する。

【０１０４】図１６（ａ）は光ディスク盤４１０の情報
記録層４１１に、対物レンズ４０９のスポットが正確に
合焦している場合の第３受光センサー４７２上のスポッ
ト形状を示したものである。分割ホログラム４２１で発
生する両回折光とも第３受光センサー４７２上でのスポ
ットは分割線上にありかつ結像しているためフォーカス
エラー信号は以下の数式２２となる。

【０１０５】（数式２２） Ｆ．Ｅ．＝０ 図１６（ｂ）は光ディスク盤４１０と対物レンズ４０９
との間の距離が合焦状態から近接した場合の第３受光セ
ンサー４７２上のスポット形状を示したものである。分
割ホログラム４２１の両回折光は第３受光センサー４７
２の下流で結像するため第３受光センサー４７２上での
スポットはともに半円形で各々第３受光センサー４７２
の４７２ａ上と４７２ｄ上にくる。従ってフォーカスエ
ラー信号は以下の数式２３となる。

【０１０６】（数式２３） Ｆ．Ｅ．＞０ 図１６（ｃ）は光ディスク盤４１０と対物レンズ４０９
との間の距離が合焦状態から離れた場合の第３受光セン
サー４７２上のスポット形状を示したものである。分割
ホログラム４２１の両回折光は第３受光センサー４７２
の上流で結像するため第３受光センサー３７２上のスポ
ットはともに半円形で各々第３受光センサー４７２の４
７２ｂ上と４７２ｃ上にくる。従ってフォーカスエラー
信号は以下の数式２４となる。

【０１０７】（数式２４） Ｆ．Ｅ．＜０ 以上の様な方法はフォーカスエラー信号はフーコー法と
して知られている。

【０１０８】また本発明の第３実施例では分割ホログラ
ム４２１を使用してディスク盤４１０からの復路光を分
割センサー上に結像させてフーコー法でフォーカスエラ
ー信号を検出したが、ディスク盤からの復路光を分割ホ
ログラムまたは反射膜で受光センサーより上流に結像す
るように設計し、結像位置にプリズムを設けフーコー法
で検出しても良い。

【０１０９】また本発明の第３実施例ではフォーカス検
出手段としての機能を有する焦点誤差検出素子として分
割ホログラム４２１を用いたが、分割ホログラム４２１
の代わりにレンズ等を用いて結像させてフーコー法でフ
ォーカスエラー信号を検出しても良い。

【０１１０】本発明の第３実施例においてトラッキング
エラー信号は分割ホログラム４２１に入射した光ディス
ク盤４１０からの復路光を使用して本発明の第１実施例
と同様に３ビーム法またはプッシュプル法で検出する。

【０１１１】３ビーム法の場合、回折格子４０６で発生
したサイドビームの光ディスク盤からの復路光を分割ホ
ログラムで少なくとも４つに分割された第４受光センサ
ー４７６に受光させる。

【０１１２】またプッシュプル法の場合、分割ホログラ
ムの分割線を光ディスク盤からの復路光をディスクのト
ラック方向で分割するような方向でとることで第３受光
センサー４７２の出力により以下の数式２５でトラッキ
ングエラー信号（Ｔ．Ｅ．）を検出することができる。

【０１１３】（数式２５） Ｔ．Ｅ．＝（Ｉ４７２ａ＋Ｉ４７２ｂ）−（Ｉ４７２ｃ
＋Ｉ４７２ｄ） 以下本発明の第４実施例について、図面を参照しながら
説明する。図１７（ａ）は本発明の第４実施例における
光ピックアップの正面図、図１７（ｂ）は本発明第４実
施例における側面図である。

【０１１４】基板上５０１にサブマウント５０２を介し
てマウントされた半導体レーザーチップ５０３からのレ
ーザー光は、基板５０１上にマウントされたプリズム５
０４によって反射し拡散光になる。拡散光は光ガイド部
材５０５の第２面５０５ｂに形成された回折格子５０６
によりメインビームと２つのサイドビームに分けられ
る。

【０１１５】メインビームとサイドビームは光ガイド部
材５０５の第１斜面５０７ａに形成された偏光ビームス
プリッター膜５０８を透過し、光ガイド部材５０５の第
１面５０５ａから光ガイド部材を出射し、対物レンズ５
０９で集光され光ディスク盤５１０の記録情報面５１１
に結像される。

【０１１６】光ディスク盤５１０からの復路光は対物レ
ンズ５０９、光ガイド部材５０５の第１面５０５ａを通
過した後、再度偏光ビームスプリッター膜５０８に入射
する。

【０１１７】光ディスク盤５１０からの復路光のうち偏
光ビームスプリッター膜５０８からの反射光は光ガイド
部材５０５の第１斜面５０７ａに平行な第２斜面５０７
ｂ上に形成された反射膜５１７で反射され、光ガイド部
材５０５の第１斜面５０７ａに形成された焦点誤差検出
素子である反射型ホログラム５２１で回折された後、第
２の斜面５０７ｂ上に積層された１／２波長板５２６を
透過する。透過光は偏光面が４５゜回転し光ガイド部材
５０５の第１斜面５０７ａに平行な第３斜面５０７ｃ上
に形成された偏光分離膜５２４によりＳ偏光成分は反射
され、基板５０１上のセンサー基板５１６上に達しメイ
ンビームは第２受光センサー５７１でサイドビームは第
３受光センサー５７６で受光され、Ｐ偏光成分は偏光分
離膜５２４を透過し、光ガイド部材５０５の第１斜面５
０７ａと平行な第４斜面５０７ｄ上に形成された反射膜
５１８により反射されセンサー基板５１６に達しメイン
ビームは第１受光センサー５７０でサイドビームは第３
受光センサー５７６で受光される。

【０１１８】またホログラム５２１の回折光は偏光分離
膜５２４と第１受光センサー５７０間に焦点が存在する
ように設計されている。

【０１１９】次に各信号検出原理について図１８を用い
て説明する。図１８は本発明の第４実施例における光ピ
ックアップのセンサー及び信号処理回路の説明図ある。

【０１２０】第１受光センサー５７０と第２受光センサ
ー５７１は各々少なくとも３つに分割された分割センサ
ーであり、第３受光センサーは少なくとも２つに分割さ
れた分割センサーである。第１受光センサー５７０、第
２受光センサー５７１、第３受光センサー５７６の分割
された各領域をそれぞれ図１８に示すように５７０ａ、
５７０ｂ、５７０ｃ、５７１ａ、５７１ｂ、５７１ｃ、
５７６ａ、５７６ｂとし各領域の出力を各々Ｉ５７０
ａ、Ｉ５７０ｂ、Ｉ５７０ｃ、Ｉ５７１ａ、Ｉ５７１
ｂ、Ｉ５７１ｃ、Ｉ５７６ａ、Ｉ５７６ｂとする。

【０１２１】ＲＦ再生信号（Ｒ．Ｆ．）はＰ偏光成分と
Ｓ偏光成分が各々第１受光センサー５７０と第２受光セ
ンサー５７１で受光されるため本発明の第１実施例と同
様に第１受光センサー５７０と第２受光センサー５７１
の差動で得られるため以下の数式２６で検出される。

【０１２２】（数式２６） Ｒ．Ｆ．＝（Ｉ５７０ａ＋Ｉ５７０ｂ＋Ｉ５７０ｃ）−
（Ｉ５７１ａ＋Ｉ５７１ｂ＋Ｉ５７１ｃ） トラッキングエラー信号（Ｔ．Ｅ．）も本発明の第１実
施例と同様に各サイドビームが各々第３受光センサー５
７６の５７６ａと５７６ｂで受光されるため図１８の回
路図からも分かるように以下の数式２７により得られ
る。

【０１２３】（数式２７） Ｔ．Ｅ．＝Ｉ５７６ａ−Ｉ５７６ｂ 本発明の第４実施例では３ビーム法でトラッキングエラ
ー信号を検出したが本発明の第１実施例同様プッシュプ
ル法で検出しても良い。プッシュプル法の場合、トラッ
キングエラー信号は第１受光センサー５７０と第２受光
センサー５７１の各領域の出力より図１８の回路図から
も分かるように以下の数式２８により得られる。

【０１２４】（数式２８） Ｔ．Ｅ．＝（Ｉ５７０ａ−Ｉ５７０ｃ）−（Ｉ５７１ａ
−Ｉ５７１ｃ） 次にフォーカスエラー信号（Ｆ．Ｅ．）についてに説明
する。Ｆ．Ｅ．は図１８の回路図の回路構成からわかる
ように以下の数式２９により得られる。

【０１２５】（数式２９） Ｆ．Ｅ．＝［（Ｉ５７０ａ＋Ｉ５７０ｃ）−Ｉ５７０
ｂ］−［（Ｉ５７１ａ＋Ｉ５７１ｃ）−Ｉ５７１ｂ］ いま光ディスク盤５１０の情報記録層５１１に、対物レ
ンズ５０９のスポットが正確に合焦しており、この合焦
状態における第１受光センサー５７０および第２受光セ
ンサー５７１上のレーザ光の照射形状をそれぞれ５１９
ａ、５１５ａとすると、以下の数式３０になるようにレ
ーザ光の照射強度分布と、受光センサーの位置関係等が
調整されている。

【０１２６】（数式３０） Ｆ．Ｅ．＝０ 次に、光ディスク盤５１０と対物レンズ５０９との間の
距離が合焦状態から近接した場合、第１受光センサー５
７０および第２受光センサー５７１上のレーザ光の照射
形状はそれぞれ５１９ｂ、５１５ｂとなり、Ｆ．Ｅ．は
以下の数式３１の様に変化する。

【０１２７】（数式３１） Ｆ．Ｅ．＞０ 逆に、光ディスク盤５１０と対物レンズ５０９との間の
距離が合焦状態から離れた場合、第１受光センサー５７
０および第２受光センサー５７１上のレーザ光の照射形
状は５１９ｃ、５１５ｃとなり、Ｆ．Ｅ．は以下の数式
３２の様に変化する。

【０１２８】（数式３２） Ｆ．Ｅ．＜０ 以上のようなフォーカスエラー検出方式はスポットサイ
ズ法として知られている。

【０１２９】また本発明の第４実施例ではフォーカス検
出手段としての機能を有する焦点誤差検出素子としてホ
ログラム５２１を用いたが、ホログラム５２１の代わり
にレンズ等を用いてスポットサイズ法でフォーカスエラ
ー信号を検出しても良い。

【０１３０】以下本発明の第５実施例について、図面を
参照しながら説明する。図１９（ａ）は本発明の第５実
施例における光ピックアップの正面図、図１９（ｂ）は
本発明第５実施例における側面図である。

【０１３１】基板上６０１にサブマウント６０２を介し
てマウントされた半導体レーザーチップ６０３からのレ
ーザー光は、基板６０１上にマウントされたプリズム６
０４によって反射し拡散光になる。拡散光は光ガイド部
材６０５の第２面６０５ｂに形成された回折格子により
メインビームと２つのサイドビームに分けられる。

【０１３２】メインビームとサイドビームは光ガイド部
材６０５の第１斜面６０７ａに形成された第１偏光ビー
ムスプリッター膜６０８ａ及び第１斜面に平行な第２斜
面６０７ｂに形成された第２偏光ビームスプリッター膜
６０８ｂを透過し、光ガイド部材６０５の第１面６０５
ａから光ガイド部材を出射し、対物レンズ６０９で集光
され光ディスク盤６１０の記録情報面６１１に結像され
る。

【０１３３】光ディスク盤６１０からの復路光は対物レ
ンズ６０９、光ガイド部材６０５の第１面６０５ａを通
過した後、再度第２偏光ビームスプリッター膜６０８ｂ
に入射する。

【０１３４】光ディスク盤６１０からの復路光のうち第
２偏光ビームスプリッター膜６０８ｂからの反射光は光
ガイド部材６０５の第１斜面６０７ａに平行な第３斜面
６０７ｃ上に形成された反射膜６１７で反射され、光ガ
イド部材６０５の第２斜面６０７ｂに形成されたホログ
ラムやレンズ等の平行光変換素子６２５に入射し平行光
に変換された後第３斜面６０７ｃ上に積層された１／２
波長板６２６を透過する。１／２波長板６２６の透過光
は１／２波長板６２６により偏光面が４５゜回転し光ガ
イド部材６０５の第１斜面６０５ａに平行な第４斜面６
０７ｄ上に形成された偏光分離膜６２４によりＳ偏光成
分は反射され、基板６０１上のセンサー基板６１６上に
達し第２受光センサー６７１で受光され、Ｐ偏光成分は
偏光分離膜６２４を透過し、光ガイド部材６０５の第１
斜面６０７ａと平行な第５斜面６０７ｅ上に形成された
反射膜６１８により反射されセンサー基板６０１に達し
第１受光センサー６７０で受光される。

【０１３５】従って光磁気信号（Ｒ．Ｆ．）はＰ偏光成
分とＳ偏光成分が各々第１受光センサー６７０と第２受
光センサー６７１で受光されるため本発明の第１実施例
と同様に第１受光センサー６７０と第２受光センサー６
７１の差動で得られるため以下の数式３３で検出され
る。

【０１３６】（数式３３） Ｒ．Ｆ．＝Ｉ６７０−Ｉ６７１ 一方光ディスク盤６１０からの復路光のうち第２偏光ビ
ームスプリッター膜６０８ｂからの透過光は第１偏光ビ
ームスプリッター膜６０８ａに再度入射する。第１偏光
ビームスプリッター膜６０８ａからの反射光は第２斜面
６０７ｂに形成された反射膜やホログラムやレンズ等で
形成されたフォーカス検出手段としての機能を有する焦
点誤差検出素子６２１に入射した後基板６０１上のセン
サー基板６１６に達する。

【０１３７】フォーカスエラー信号は本発明の第１実施
例や本発明の第２実施例や本発明の第３実施例と同様に
非点収差法やナイフエッジ法やフーコー法により検出す
る。

【０１３８】またトラッキングエラー信号も本発明の第
１実施例と同様に回折格子で発生したサイドビームを用
いて３ビーム法で検出したり、回折格子を用いずにプッ
シュプル法で検出する。

【０１３９】以下本発明の第６実施例について、図面を
参照しながら説明する。図２０（ａ）は本発明の第４実
施例における光ピックアップの上面図、図２０（ｂ）は
本発明第６実施例における正面図、図２０（ｃ）は本発
明第６実施例における側面図である。

【０１４０】基板上７０１にサブマウント７０２を介し
てマウントされた半導体レーザーチップ７０３からのレ
ーザー光は、基板７０１上にマウントされたプリズム７
０４によって反射し拡散光になる。拡散光は光ガイド部
材７０５の第２面７０５ｂに形成された回折格子７０６
によりメインビームと２つのサイドビームに分けられ
る。

【０１４１】メインビームとサイドビームは光ガイド部
材７０５の第１斜面７０７ａに形成された偏光ビームス
プリッター膜７０８を透過し、光ガイド部材７０５の第
１面７０５ａから光ガイド部材を出射し、対物レンズ７
０９で集光され光ディスク盤７１０の記録情報面７１１
に結像される。

【０１４２】光ディスク盤７１０からの復路光は対物レ
ンズ７０９、光ガイド部材７０５の第１面７０５ａを通
過した後、再度偏光ビームスプリッター膜７０８に入射
する。

【０１４３】光ディスク盤７１０からの復路光のうち偏
光ビームスプリッター膜７０８からの反射光は光ガイド
部材７０５の第１斜面７０７ａに平行な第２斜面７０７
ｂ上に形成されたホログラム７２１に入射し復路回折光
に変換される。

【０１４４】このとき、復路回折光は、ｎを整数とした
場合に半導体レーザーチップ７０３からの光の偏光方向
に対して（２ｎ＋１）π／４の方向に回折し、光ガイド
部材７０５の第１斜面７０７ａに形成された偏光分離膜
７２４によりＰ偏光成分は透過し、基板７０１上のセン
サー基板７１６上に達しメインビームは第１受光センサ
ー７７０でサイドビームは第３受光センサー７７６で受
光され、Ｓ偏光成分は偏光分離膜７２４を反射し、光ガ
イド部材７０５の第２斜面７０７ｂ上に形成された反射
膜７１８により反射されセンサー基板７１６に達しメイ
ンビームは第２受光センサー７７１でサイドビームは第
３受光センサー７７６で受光される。

【０１４５】ホログラム７２１ににより変換された回折
光の回折方向がｎを整数とした場合に半導体レーザーチ
ップ７０３からの光の偏光方向に対して（２ｎ＋１）π
／４の方向に設定してあるので、偏光分離膜７２４に入
射する光は偏光分離膜７２４に対してＰ偏光成分、Ｓ偏
光成分が各々約半分となり、偏光分離膜７２４からの透
過光及び反射光の光量は各々回折光の約半分になる。

【０１４６】またホログラム７２１の回折光は偏光分離
膜７２４と第２受光センサー７７１間に焦点が存在する
ように設計されている。

【０１４７】次に各信号検出原理について図２１を用い
て説明する。図２１は本発明の第６実施例における光ピ
ックアップのセンサー及び信号処理回路説明図である。

【０１４８】第１受光センサー７７０と第２受光センサ
ー７７１は各々少なくとも３つに分割された分割センサ
ーであり、第３受光センサーは少なくとも２つに分割さ
れた分割センサーである。第１受光センサー７７０、第
２受光センサー７７１、第３受光センサー７７６の分割
された各領域をそれぞれ図２１に示すように７７０ａ、
７７０ｂ、７７０ｃ、７７１ａ、７７１ｂ、７７１ｃ、
７７６ａ、７７６ｂとし各領域の出力を各々Ｉ７７０
ａ、Ｉ７７０ｂ、Ｉ７７０ｃ、Ｉ７７１ａ、Ｉ７７１
ｂ、Ｉ７７１ｃ、Ｉ７７６ａ、Ｉ７７６ｂとする。

【０１４９】光磁気信号（Ｒ．Ｆ．）はＰ偏光成分とＳ
偏光成分が各々第１受光センサー７７０と第２受光セン
サー７７１で受光されるため本発明の第１実施例と同様
に第１受光センサー７７０と第２受光センサー７７１の
差動で得られる。

【０１５０】図２２、図２３を用いて更に詳細に光磁気
信号検出原理を説明する。図２２において矢印７５０は
図２０の光ディスク盤７１０の情報記録面７１１に入射
する前の直線偏光の偏光方向である。光ディスク盤７１
０の情報記録面７１１に情報が記録されていれば、光デ
ィスク盤７１０からの反射光の偏光状態は直線偏光７５
１あるいは直線偏光７５２の状態になる。この状態の光
ディスク盤７１０からの反射光は光ガイド部材７０５の
第１斜面７０７ａに形成された偏光ビームスプリッター
膜７０８に入射すると、偏光ビームスプリッター膜７０
８で反射された反射光の偏光状態はは直線偏光７５３あ
るいは直線偏光７５４の状態となり見かけのカー回転角
は大きくなる。さらにホログラムでｎを整数とした場合
に半導体レーザーチップ７０３からの光の偏光方向に対
して（２ｎ＋１）π／４の方向に回折するため偏光分離
膜７１８に入射する光の偏光状態は図２３に示すように
図２２の偏光方向が４５゜回転した状態になる。第１受
光センサー７７０で受光するＰ偏光成分は図２３の信号
７６１のように第２受光センサー７７１で受光するＳ偏
光成分は図２３の信号７６２のようになる。両信号７６
１と７６２は位相が１８０゜ずれているため差動増幅に
より信号成分は２倍となり同位相成分のノイズがキャン
セルされたＲＦ信号を得ることができる。

【０１５１】従ってＲＦ信号（Ｒ．Ｆ．）は以下の数式
３４で検出される。 （数式３４） Ｒ．Ｆ．＝（Ｉ７７０ａ＋Ｉ７７０ｂ＋Ｉ７７０ｃ）−
（Ｉ７７１ａ＋Ｉ７７１ｂ＋Ｉ７７１ｃ） トラッキングエラー信号（Ｔ．Ｅ．）は本発明の第１実
施例と同様に回折格子７０６で発生した両サイドビーム
が各々第３受光センサー７７６の７７６ａと７７６ｂで
受光されるため図２１の回路図からも分かるように以下
の数式３５により得られる。

【０１５２】（数式３５） Ｔ．Ｅ．＝Ｉ７７６ａ−Ｉ７７６ｂ 本発明の第６実施例では３ビーム法でトラッキングエラ
ー信号を検出したが本発明の第１実施例同様プッシュプ
ル法で検出しても良い。プッシュプル法の場合、トラッ
キングエラー信号は第１受光センサー７７０と第２受光
センサー７７１の各領域の出力より図２１の回路図から
も分かるように以下の数式３６により得られる。

【０１５３】（数式３６） Ｔ．Ｅ．＝（Ｉ７７０ａ−Ｉ７７０ｃ）−（Ｉ７７１ａ
−Ｉ７７１ｃ） 次にフォーカスエラー信号（Ｆ．Ｅ．）についてに説明
する。Ｆ．Ｅ．は図２１の回路図の回路構成からわかる
ように以下の数式３７により得られる。

【０１５４】（数式３７） Ｆ．Ｅ．＝−［（Ｉ７７０ａ＋Ｉ７７０ｃ）−Ｉ７７０
ｂ］＋［（Ｉ７７１ａ＋Ｉ７７１ｃ）−Ｉ７７１ｂ］ いま光ディスク盤７１０の情報記録層７１１に、対物レ
ンズ７０９のスポット７１３が正確に合焦しており、こ
の合焦状態における第１受光センサー７７０および第２
受光センサー７７１上のレーザ光の照射形状をそれぞれ
７１９ａ、７１５ａとすると、以下の数式３８になるよ
うにレーザ光の照射強度分布と、受光センサーの位置関
係が調整されている。

【０１５５】（数式３８） Ｆ．Ｅ．＝０ 次に、光ディスク盤７１０と対物レンズ７０９との間の
距離が合焦状態から近接した場合、第１受光センサー７
７０および第２受光センサー７７１上のレーザ光の照射
形状はそれぞれ７１９ｂ、７１５ｂとなり、Ｆ．Ｅ．は
以下の数式３９の様に変化する。

【０１５６】（数式３９） Ｆ．Ｅ．＞０ 逆に、光ディスク盤７１０と対物レンズ７０９との間の
距離が合焦状態から離れた場合、第１受光センサー７７
０および第２受光センサー７７１上のレーザ光の照射形
状は７１９ｃ、７１５ｃとなり、Ｆ．Ｅ．は以下の数式
４０の様に変化する。

【０１５７】（数式４０） Ｆ．Ｅ．＜０ 以上のようなフォーカスエラー検出方式はスポットサイ
ズ法として知られている。

【０１５８】また本発明の第６実施例ではホログラム７
２１を用いたが、ホログラム７２１の代わりにレンズ等
を用いてスポットサイズ法でフォーカスエラー信号を検
出しても良い。

【０１５９】以下本発明の第７実施例について、図面を
参照しながら説明する。図２４（ａ）は本発明の第７実
施例における光ピックアップの上面図、図２４（ｂ）は
本発明の第７実施例における正面図、図２４（ｃ）は本
発明の第７実施例における側面図である。

【０１６０】基板上８０１にサブマウント８０２を介し
てマウントされた半導体レーザーチップ８０３からのレ
ーザー光は、基板８０１上にマウントされたプリズム８
０４によって反射し拡散光になる。拡散光は光ガイド部
材８０５の第２面８０５ｂに形成された回折格子８０６
によりメインビームと２つのサイドビームに分けられ
る。

【０１６１】メインビームとサイドビームは光ガイド部
材８０５の第１斜面８０７ａに形成された第１偏光ビー
ムスプリッター膜８０８を透過し、光ガイド部材８０５
の第１面８０５ａから光ガイド部材を出射し、対物レン
ズ８０９で集光され光ディスク盤８１０の記録情報面８
１１に結像される。

【０１６２】光ディスク盤８１０からの復路光は対物レ
ンズ８０９、光ガイド部材８０５の第１面８０５ａを通
過した後、再度第１偏光ビームスプリッター膜８０８に
入射する。

【０１６３】光ディスク盤８１０からの復路光のうち第
１偏光ビームスプリッター膜８０８からの反射光は光ガ
イド部材８０５の第１斜面８０７ａに平行な第２斜面８
０７ｂ上に形成された第２偏光ビームスプリッター８１
７に入射する。

【０１６４】第２偏光ビームスプリッター８１７からの
反射光について説明する。第２偏光ビームスプリッター
８１７からの反射光は光ガイド部材８０５の第１斜面８
０７ａ上に形成されたホログラム８２５に入射し復路回
折光に変換される。

【０１６５】このとき、復路回折光は、ｎを整数とした
場合に半導体レーザーチップ８０３からの光の偏光方向
に対して（２ｎ＋１）π／４の方向に回折し、光ガイド
部材８０５の第２斜面８０７ｂ形成された偏光分離膜８
２４によりＳ偏光成分は反射され、基板８０１上のセン
サー基板８１６上に達しメインビームは第２受光センサ
ー８７１でサイドビームは第３受光センサー８７６で受
光され、Ｐ偏光成分は偏光分離膜８２４を透過し、光ガ
イド部材８０５の第１斜面８０７ａに平行な第３斜面８
０７ｃ上に形成された反射膜８１８により反射されセン
サー基板８７１６に達しメインビームは第１受光センサ
ー８７１でサイドビームは第３受光センサー８７６で受
光される。

【０１６６】ホログラム８２５により変換された回折光
の回折方向がｎを整数とした場合に半導体レーザーチッ
プ８０３からの光の偏光方向に対して（２ｎ＋１）π／
４の方向に設定してあるので、偏光分離膜８２４に入射
する光は偏光分離膜８２４に対してＰ偏光成分、Ｓ偏光
成分が各々約半分となり、偏光分離膜８２４からの透過
光及び反射光の光量は各々回折光の約半分になる。

【０１６７】光磁気信号（Ｒ．Ｆ．）は本発明の第６実
施例と同様の検出原理で第１受光センサー８７０と第２
受光センサー８７１の差動で得られため、第１受光セン
サー８７０の出力Ｉ８７０、第２受光センサー８７１の
出力をＩ８７１とすれば以下の数式４１で検出される。

【０１６８】（数式４１） Ｒ．Ｆ．＝Ｉ８７０−Ｉ８７１ 次に第２偏光ビームスプリッター８１７の透過光につい
て説明する。

【０１６９】第２偏光ビームスプリッター８１７の透過
光は光ガイド部材８０５の第３斜面８０７ｃに形成され
たフォーカス検出手段としての機能を有する焦点誤差検
出素子８２１に入射する。

【０１７０】焦点誤差検出素子８２１に入射した光の内
メインビームはフォーカス検出用の光に変換され少なく
とも２つに分割された第３受光センサー８７２で受光さ
れる。焦点誤差検出素子８２１は本発明の第１実施例、
第２実施例、第３実施例と同様に非点収差用やナイフエ
ッジ法用やフーコー法用のホログラムまたはレンズのい
ずれでも良く、フォーカスエラー信号は第３受光センサ
ーの出力により非点収差法やナイフエッジ法やフーコー
法で検出される。

【０１７１】また焦点誤差検出素子８２１に入射した光
の内サイドビームは少なくとも２つに分割された第４受
光センサー８７６で受光されトラッキングエラー信号は
本発明の第１実施例と同様に第４受光センサー８７６の
出力により３ビーム法で検出される。

【０１７２】本発明の第７実施例では回折格子を用いて
３ビーム法でトラッキングエラー信号を検出したが本発
明の第１実施例同様プッシュプル法で検出しても良い。

【０１７３】以下本発明の第８実施例に関して説明す
る。図２５（ａ）は第１、第２光ガイド部材９０１、９
０３を張り合わせる前の側面図である。

【０１７４】第１光ガイド部材９０１の第１面９０１ａ
面に第１接合基準マーカー９０７ａ、前記光ガイド部材
９０１の第２面９０１ｂ面にビームスプリッター膜９０
５及び第２接合基準マーカー９０７ｂを形成し、第２光
ガイド部材の第１面９０３ａ面に第３接合基準マーカー
９０７ｃ、第２光ガイド部材９０３の第２面に焦点検出
誤差検出素子９０６及び第４接合基準マーカー９０７ｄ
を形成し、前記第２接合基準マーカー９０７ｂと前記第
３９０７ｃによって張り合わせ位置を決め接合面９０２
を得、第１集合ブロックを形成する。同様にｎ個の集合
ブロックを形成し、第１接合基準マーカー９０７ａ及び
接合する他の集合構成ブロックの第４接合基準マーカー
によって集合ブロックを接合し接合面９０４を得、集合
構成体を形成する。第１実施例同様、第１集合ブロック
及びその集合構成体を形成の後平面ブロックを形成し、
最小構成ブロック９００に形成した。

【０１７５】図２５（ｂ）は実施例１の製造方法によっ
て作成させた最小構成ブロック９００を再生専用光ピッ
クアップとする集合構成体側面図及び図２５（ｃ）は前
記最小構成ブロック９００再生専用光ピックアップの側
面図である。

【０１７６】

【発明の効果】発光素子と、前記発光素子からの光をデ
ィスク盤上に結像する結像手段と、偏光選択性のあるビ
ームスプリッター膜と、偏光分離機能を有する検光子
と、検光子への入射光の偏光状態を約４５゜の直線偏光
に変換する検光子入射光偏光変換素子と、焦点検出手段
としての機能を有する焦点誤差検出素子と、センサー基
板上に設置された直線偏光を発する発光素子と複数の受
光センサーからなる受光素子を有し、前記結像手段を通
過したディスク盤からの復路光を前記偏光ビームスプリ
ッター膜で前記発光素子からの光と分離した後、分離さ
れたディスク盤からの復路光を前記焦点誤差検出素子と
前記検光子入射光偏光変換素子とに入射させる。前記検
光子入射光偏光変換素子を通過した光を前記検光子に入
射させＰ偏光成分の光とＳ偏光成分の光に分離した後各
成分の光を各々受光センサーで受光させ差動増幅でＲＦ
信号を検出する。一方前記焦点誤差検出素子に入射した
光は焦点検出用の光に変換され受光センサーで受光させ
ることにより検光子入射光偏光変換素子の作用で偏光分
離手段に入射するディスク盤からの復路光の偏光状態は
約４５゜の直線偏光でＰ偏光成分とＳ偏光成分が各々約
５０％の光となり、各成分をが受光する受光センサーに
各々５０％の割合で分光し、両受光センサーの差動増幅
により光磁気信号以外の同位相ノイズ成分が除去すると
ともに、ＲＦ信号を検出する受光センサーはＲＦ信号の
みを検出するため両受光センサーは分割させる必要がな
く不感帯による光量損失をなくすことや、発光素子から
の光とディスク盤からの復路光を分離するために偏光選
択性のあるビームスプリッター膜を用いることで見かけ
のカー回転角を増加させることによりＣ／Ｎ比の高いＲ
Ｆ再生信号を得ることができる。またＰ偏光成分とＳ偏
光成分に分離せずに焦点検出手段としての機能を有する
焦点誤差検出素子にディスク盤からの復路光を導きフォ
ーカスエラー信号を検出するため複屈折及びカー回転等
でディスク盤からの復路光のＰ偏光とＳ偏光の光量比が
変化してもフォーカスエラー信号にオフセットが生じる
ことはない。また３ビーム法でトラッキングエラー信号
を検出する場合もセンサー上でのスポットサイズを小さ
くすることができ、メインビームとサイドビームのクロ
ストークの発生を抑制できる。

【０１７７】基板上に光学薄膜を設けた構成体を形成
し、前記構成体を複数用意し、前記光学薄膜を基盤同士
で挟むように接合して集合構成体を形成し、前記集合構
成体を接合面に対して傾斜して切断することにより工数
が低減でき生産性の向上が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例における光ピックアップを
示す図

【図２】本発明の第１実施例における光ピックアップの
エンハンス効果の第１説明図

【図３】本発明の第１実施例における光ピックアップの
光磁気信号検出原理の第１説明図

【図４】本発明の第１実施例における光ピックアップの
受光センサー形状及び信号処理回路説明図

【図５】本発明の第１実施例における光ピックアップの
非点収差法によるフォーカスエラー信号検出原理説明図

【図６】本発明の一実施例における光ピックアップの製
造方法を示す図

【図７】本発明の一実施例における光ピックアップの製
造方法を示す図

【図８】本発明の一実施例における光ピックアップの製
造方法を示す図

【図９】本発明の一実施例における光ピックアップの製
造方法を示す図

【図１０】本発明の一実施例における光ピックアップの
製造方法を示す図

【図１１】本発明の第２実施例における光ピックアップ
を示す図

【図１２】本発明の第２実施例における光ピックアップ
の焦点誤差検出素子としてのホログラムの説明図

【図１３】本発明の第２実施例における光ピックアップ
のナイフエッジ法によるフォーカスエラー信号検出原理
説明図

【図１４】本発明の第３実施例における光ピックアップ
を示す図

【図１５】本発明の第３実施例における光ピックアップ
の焦点誤差検出素子としてのホログラムのパターン説明
図

【図１６】本発明の第３実施例における光ピックアップ
のフーコー法によるフォーカスエラー信号検出原理説明
図

【図１７】本発明の第４実施例における光ピックアップ
を示す図

【図１８】本発明の第４実施例における光ピックアップ
のセンサー及び信号処理回路説明図

【図１９】本発明の第５実施例における光ピックアップ
を示す図

【図２０】本発明の第６実施例における光ピックアップ
を示す図

【図２１】本発明の第６実施例における光ピックアップ
の受光センサー形状及び信号処理回路説明図

【図２２】本発明の第６実施例における光ピックアップ
のエンハンス効果の第２説明図

【図２３】本発明の第６実施例における光ピックアップ
の光磁気信号検出原理の第２説明図

【図２４】本発明の第７実施例における光ピックアップ
を示す図

【図２５】本発明の第８実施例における製造方法の説明
図

【図２６】従来の光ピックアップを示す図

【図２７】従来の光ピックアップのホログラムのパター
ン説明図

【図２８】従来の光ピックアップの光磁気信号検出原理
図

【図２９】従来の光ピックアップの受光センサー形状及
び信号処理回路説明図

【符号の説明】

１ センサー基盤 ２ 半導体レーザチップ ４ 反射プリズム ５ 光ガイド部材 ６ 入射窓 ８ ホログラム １０ 対物レンズ １１ 光ディスク盤 １８ 第１復路偏光分離部 １９ 第２復路偏光分離部 ２６ 第１受光センサー ２７ 第２受光センサー ３０ 第１復路反射部 ３１ 第２復路反射部 ３４ 第１透過窓 ３５ 第２透過窓 ３８ 第３受光センサー ３９ 第４受光センサー ４４ リードフレーム １０１ 基板 １０２ サブマウント １０３ 半導体レーザチップ １０４ 反射プリズム １０５ 光ガイド部材 １０６ 回折格子 １０８ 第１偏光ビームスプリッター膜 １０９ 対物レンズ １１０ 光ディスク盤 １１６ センサー基板 １１７ 第２偏光ビームスプリッター膜 １１８ 反射膜 １２１ 焦点誤差検出素子 １２４ 偏光分離膜 １２５ 平行光変換素子 １２６ １／２波長板 １３０ 第２光ガイド部材 １３１ 第３光ガイド部材 １７０ 第１受光センサー １７１ 第２受光センサー １７２ 第３受光センサー １７６ 第４受光センサー １８０ 情報トラック ２００ 最小構成ブロック ２０１ａ 平面ブロック基準面 ２０１ｂ ２０１ａの他方の面 ２２０ａ 第１接合基準マーカー ２２０ｂ 第２接合基準マーカー ２２０ｃ 第３接合基準マーカー ２２０ｄ 第４接合基準マーカー ２２２ カッティングマーカー ２３０ １０５の第１面と平面ブロック基準面の交線 ３０１ 基板 ３０２ サブマウント ３０３ 半導体レーザチップ ３０４ 反射プリズム ３０５ 光ガイド部材 ３０６ 回折格子 ３０８ 第１偏光ビームスプリッター膜 ３０９ 対物レンズ ３１０ 光ディスク盤 ３１６ センサー基板 ３１７ 第２偏光ビームスプリッター膜 ３１８ 反射膜 ３２１ 分割ホログラム ３２４ 偏光分離膜 ３２５ 平行光変換素子 ３２６ １／２波長板 ３７０ 第１受光センサー ３７１ 第２受光センサー ３７２ 第３受光センサー ３７６ 第４受光センサー ４０１ 基板 ４０２ サブマウント ４０３ 半導体レーザチップ ４０４ 反射プリズム ４０５ 光ガイド部材 ４０６ 回折格子 ４０８ 第１偏光ビームスプリッター膜 ４０９ 対物レンズ ４１０ 光ディスク盤 ４１６ センサー基板 ４１７ 第２偏光ビームスプリッター膜 ４１８ 反射膜 ４２１ 分割ホログラム ４２４ 偏光分離膜 ４２５ 平行光変換素子 ４２６ １／２波長板 ４７０ 第１受光センサー ４７１ 第２受光センサー ４７２ 第３受光センサー ４７６ 第４受光センサー ５０１ 基板 ５０２ サブマウント ５０３ 半導体レーザチップ ５０４ 反射プリズム ５０５ 光ガイド部材 ５０６ 回折格子 ５０８ 偏光ビームスプリッター膜 ５０９ 対物レンズ ５１０ 光ディスク盤 ５１６ センサー基板 ５１７ 反射膜 ５１８ 反射膜 ５２１ ホログラム ５２４ 偏光分離膜 ５２６ １／２波長板 ５７０ 第１受光センサー ５７１ 第２受光センサー ５７６ 第３受光センサー ６０１ 基板 ６０２ サブマウント ６０３ 半導体レーザチップ ６０４ 反射プリズム ６０５ 光ガイド部材 ６０６ 回折格子 ６０８ａ 第１偏光ビームスプリッター膜 ６０８ｂ 第２偏光ビームスプリッター膜 ６０９ 対物レンズ ６１０ 光ディスク盤 ６１６ センサー基板 ６１７ 反射膜 ６１８ 反射膜 ６２１ 焦点誤差検出素子 ６２４ 偏光分離膜 ６７０ 第１受光センサー ６７１ 第２受光センサー ６７２ 第３受光センサー ６７６ 第４受光センサー ７０１ 基板 ７０２ サブマウント ７０３ 半導体レーザチップ ７０４ 反射プリズム ７０５ 光ガイド部材 ７０６ 回折格子 ７０８ 偏光ビームスプリッター膜 ７０９ 対物レンズ ７１０ 光ディスク盤 ７１６ センサー基板 ７１８ 反射膜 ７２１ ホログラム ７２４ 偏光分離膜 ７７０ 第１受光センサー ７７１ 第２受光センサー ７７６ 第３受光センサー ８０１ 基板 ８０２ サブマウント ８０３ 半導体レーザチップ ８０４ 反射プリズム ８０５ 光ガイド部材 ８０６ 回折格子 ８０８ 第１偏光ビームスプリッター膜 ８０９ 対物レンズ ８１０ 光ディスク盤 ８１６ センサー基板 ８１７ 第２偏光ビームスプリッター膜 ８１８ 反射膜 ８２１ 焦点誤差検出素子 ８２４ 偏光分離膜 ８２５ ホログラム ８７０ 第１受光センサー ８７１ 第２受光センサー ８７２ 第３受光センサー ８７６ 第４受センサー ９００ 最小構成ブロック ９０１ 第１光ガイド部材 ９０１ａ 第１光ガイド部材の第１面 ９０１ｂ 第１光ガイド部材の第２面 ９０２ 第１接合面 ９０３ 第２光ガイド部材 ９０３ａ 第２光ガイド部材の第１面 ９０３ｂ 第２光ガイド部材の第２面 ９０４ 第２接合面 ９０５ ビームスプリッター ９０６ 焦点誤差検出素子 ９０７ａ 第１接合基準マーカー ９０７ｂ 第２接合基準マーカー ９０７ｃ 第３接合基準マーカー ９０７ｄ 第４接合基準マーカー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 7/135 Ａ 7247−5Ｄ 7/22 7247−5Ｄ (72)発明者 肥後 一彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 古賀 稔浩 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 上鶴 忍 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (33)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】発光素子と、受光素子と、偏光選択性のあ
   るビームスプリッター（以下偏光ビームスプリッター）
   と、光を光ディスク盤の情報記録面上に集光する集光手
   段と、偏光分離機能を有する検光子と、検光子への入射
   光の偏光状態を約４５゜の直線偏光に変換する検光子入
   射光偏光変換素子を備え、発光素子からの光を前記偏光
   ビームスプリッターを透過させて前記集光手段に導くと
   ともに、前記集光手段からの光を前記偏光ビームスプリ
   ッターで反射させて前記検光子入射光偏光変換素子に導
   いた後、検光子へ導く光ピックアップであって、前記偏
   光ビームスプリッターと前記検光子入射光偏光変換素子
   が略平行である事を特徴とする光ピックアップ。
2. 【請求項２】前記検光子入射光偏光変換素子として旋光
   素子を用いる事を特徴とする請求項１記載の光ピックア
   ップ。
3. 【請求項３】前記旋光素子として１／２波長板を用いる
   事を特徴とする請求項２記載の光ピックアップ。
4. 【請求項４】前記検光子入射光偏光変換素子としてホロ
   グラムを用いる事を特徴とする請求項１記載の光ピック
   アップ。
5. 【請求項５】前記ホログラムが反射型である事を特徴と
   する請求項４記載の光ピックアップ。
6. 【請求項６】前記検光子入射光偏光変換素子としてレン
   ズを用いる事を特徴とする請求項１記載の光ピックアッ
   プ。
7. 【請求項７】前記レンズが反射型である事を特徴とする
   請求項６記載の光ピックアップ。
8. 【請求項８】前記検光子として偏光分離膜を用いる事を
   特徴とする請求項１記載の光ピックアップ。
9. 【請求項９】前記偏光ビームスプリッターからの光を平
   行光変換素子により平行光に変換した後に前記旋光子へ
   光を入射させる事を特徴とする請求項２記載の光ピック
   アップ。
10. 【請求項１０】前記平行光変換素子と前記偏光分離膜は
    前記偏光ビームスプリッターに略平行である事を特徴と
    する請求項９記載の光ピックアップ。
11. 【請求項１１】前記偏光ビームスプリッターからの光を
    前記偏光ビームスプリッターと平行に配設された焦点誤
    差検出素子により受光センサーへ導く事を特徴とする請
    求項１記載の光ピックアップ。
12. 【請求項１２】前記焦点誤差検出素子としてホログラム
    を用い、非点収差法でフォーカスエラー信号を検出する
    事を特徴とする請求項１１記載の光ピックアップ。
13. 【請求項１３】前記焦点誤差検出素子として用いたホロ
    グラムが反射型である事を特徴とする請求項１２記載の
    光ピックアップ。
14. 【請求項１４】前記焦点誤差検出素子としてレンズを用
    い、非点収差法でフォーカスエラー信号を検出する事を
    特徴とする請求項１１記載の光ピックアップ。
15. 【請求項１５】前記焦点誤差検出素子として用いたレン
    ズが反射型である事を特徴とする請求項１４記載の光ピ
    ックアップ。
16. 【請求項１６】前記焦点誤差検出素子としてホログラム
    を用い、ナイフエッジ法でフォーカスエラー信号を検出
    する事を特徴とする請求項１１記載の光ピックアップ。
17. 【請求項１７】前記焦点誤差検出素子として用いたホロ
    グラムが反射型である事を特徴とする請求項１６記載の
    光ピックアップ。
18. 【請求項１８】焦点誤差検出素子としてレンズを用い、
    ナイフエッジ法でフォーカスエラー信号を検出する事を
    特徴とする請求項１１記載の光ピックアップ。
19. 【請求項１９】前記焦点誤差検出素子として用いたレン
    ズが反射型である事を特徴とする請求項１８記載の光ピ
    ックアップ。
20. 【請求項２０】焦点誤差検出素子として少なくとも２つ
    の異なったパターンを有する領域を持つホログラムを用
    い、フーコー法でフォーカスエラー信号を検出する事を
    特徴とする請求項１１記載の光ピックアップ。
21. 【請求項２１】前記焦点誤差検出素子として用いたホロ
    グラムが反射型である事を特徴とする請求項２０記載の
    光ピックアップ。
22. 【請求項２２】焦点誤差検出素子としてレンズを用い、
    フーコー法でフォーカスエラー信号を検出する事を特徴
    とする請求項１１記載の光ピックアップ。
23. 【請求項２３】前記焦点誤差検出素子として用いたレン
    ズが反射型である事を特徴とする請求項２２記載の光ピ
    ックアップ。
24. 【請求項２４】焦点誤差検出素子としてのレンズを２Ｐ
    法で形成する事を特徴とする請求項１４、１５、１８、
    １９、２２あるいは２３いずれか１項記載の光ピックア
    ップ。
25. 【請求項２５】回折格子を備え３ビーム法でトラッキン
    グエラー信号を検出する事を特徴とする請求項１記載の
    光ピックアップ。
26. 【請求項２６】プッシュプル法でトラッキングエラー信
    号を検出する事を特徴とする請求項１記載の光ピックア
    ップ。
27. 【請求項２７】基板上に光学薄膜を形成し前記光学薄膜
    上に他の基板を接合した接合ブロックを形成し前記接合
    ブロックを前記接合面に対して傾斜して切断する事を特
    徴とする光学素子の製造方法。
28. 【請求項２８】基板上に光学薄膜及び透明部材を積層
    し、更に前記光学薄膜上に他の基板を接合した接合ブロ
    ックを形成し前記接合ブロックを前記接合面に対して傾
    斜して切断する事を特徴とする光学素子の製造方法。
29. 【請求項２９】基板上に第１の偏光選択性のあるビーム
    スプリッター膜と平行光変換素子を別々に形成し、前記
    基板上に第１の透明部材を積層し、前記透明部材上に第
    ２の偏光選択性のあるビームスプリッター膜を形成し、
    前記第１の透明部材上に旋光子を積層し前記旋光子上に
    偏光分離膜を形成し、前記旋光子の上に第２の透明部材
    を積層し前記第２の透明部材上に焦点誤差検出素子及び
    反射膜を形成し前記第２の透明部材の上に他の基板を接
    合した接合ブロックを形成し前記接合ブロックを前記接
    合面に対して傾斜して切断する事を特徴とする光ピック
    アップの製造方法。
30. 【請求項３０】基板上に光学薄膜を設けた構成体を形成
    し、前記構成体を複数用意し、前記光学薄膜を前記基板
    同士で挟む様に互いに接合して集合構成体を形成し、前
    記集合構成体を接合面に対して傾斜して切断する事を特
    徴とする光学素子の製造方法。
31. 【請求項３１】積層方向に対して直角な長手方向の長さ
    が同じ構成体を用いたことを特徴とする請求項３０記載
    の光学素子の製造方法。
32. 【請求項３２】構成体の端面が同一平面上に並ばない様
    に接合し前記集合構成体を形成する事を特徴とする請求
    項３０記載の光学素子の製造方法。
33. 【請求項３３】基板上に第１のビームスプリッター膜を
    形成し、前記基板上に第１の透明部材を積層し、前記透
    明部材上に焦点検出素子及び反射膜を形成し、前記第１
    の透明部材の上に他の基板を接合した接合ブロックを形
    成し前記接合ブロックを前記接合面に対して傾斜して切
    断する事を特徴とする光ピックアップの製造方法。