JPH07312311A - 微弱電流保持型ソレノイド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 磁気回路が形成される部材であるヨークやプ
ランジャ等を、鉄等の比較的安価な磁性材料で形成して
も、プランジャの吸引動作の立上がり時に生じる残留磁
気を小さくでき、以て上記部材を残留磁気の小さな高コ
ストの磁性材料で形成した場合と同様に、吸引状態保持
時の通電量の低減を図ることが可能な微弱電流保持型ソ
レノイドを提供する。 【構成】 コイル１の励磁開始時には、コイルスプリン
グ７の付勢力を上回る大きさの吸引力が生じるように大
きな第１電流が通電される。このとき切欠部２９はヨー
ク１３から離間した位置にあるので、発生した磁束は、
ヨーク１３の全幅ａ1を通る。これによりプランジャ５
は、図１の一点鎖線より右側の領域で示す位置から上方
に吸引され、図１の一点鎖線より左側の領域で示す位置
へと変位する。プランジャ５が上記位置に達すると、切
欠部２９は、ヨーク１３と対向する位置にくることとな
るので、第１電流の通電による残留磁気は、前記幅ａ2
を通ることとなるので、絞り込まれる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は一般に微弱電流保持型ソ
レノイドに係り、より詳しくは自動水栓、自動便器洗浄
装置等の洗浄水流路開閉弁に取付けられる微弱電流保持
型ソレノイドの改良に係るものである。

【０００２】

【従来の技術】この種の微弱電流保持型ソレノイドは、
図９に示すように、円環状コイル１０１の貫通空間に、
円筒状プランジャガイド１０３がヨーク１１３によって
支持されて設けられており、このプランジャガイド１０
３の貫通空間上部には、ポールコア１０９が嵌挿されて
いる。そして、このプランジャガイド１０３の貫通空間
内には、円柱状プランジャ１０５が摺動自在に設けられ
ており、このプランジャ１０５の中空部には、図９の下
方に付勢されたコイルスプリング１０７が一端側をポー
ルコア１０９に、又、他端側をプランジャ１０５に夫々
当接された状態で設けられている。更に、上記プランジ
ャ１０５の図９下端部には、自動水栓、自動便器洗浄装
置等の洗浄水流路開閉弁として用いられるダイヤフラム
ユニット１１７と圧接する弁座パッキン１１１が設けら
れている。

【０００３】上述したヨーク１１３、プランジャ１０５
及びポールコア１０９等の各部材は、例えば、鉄等の安
価な磁性材料によって構成される。

【０００４】なお、ポールコア１０９とプランジャ１０
５とは、プランジャ１０５が図９の一点鎖線より右側の
領域で示す位置にあるときに、図示のようにエアギャッ
プ１３０を形成する。このエアギャップ１３０は、プラ
ンジャ１０５が図９の一点鎖線より左側の領域で示す位
置にあるときは消滅する。

【０００５】上記構成の微弱電流保持型ソレノイドで
は、プランジャ１０５を、図９の一点鎖線より右側の領
域で示す位置からその左側の領域で示す位置にまで吸引
するに際しては、吸引動作の立上がり時に比較的大きな
第１の電流が、コイル１０１に通電される。この第１の
電流の通電によって生じたプランジャ１０５の吸引状態
は、上記第１の電流と異なる微弱な第２の電流がコイル
１０１に通電されている間保持され、第２の電流の通電
が停止されることによって解消される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構成の
従来の微弱電流保持型ソレノイドでは、上記第２の電流
の値は、コイル１０１に第１の電流を通電することによ
り生じた残留磁気や反吸引方向に付勢されたコイルスプ
リング１０７のバネ力により決定される。そのため、上
記第２の電流の値を小さくして消費電力の低減を図るに
は、上記バネ力を小さなものとする必要がある。

【０００７】しかしながら、上記バネ力の大きさは、上
述した残留磁気の大きさにより決定されるため、結局残
留磁気を減少させることができなければ、上記第２の電
流の値を減少させることはできない。

【０００８】そこで、上記第１の電流によって生じた残
留磁気を減少させるために、透磁率が高く（即ち、ヒス
テリシスの立上がりが急峻）且つ残留磁気の小さな磁性
材料を用いてヨーク１１３やプランジャ１０５等を形成
することが提案されたが、上記のような磁性材料は高価
であるので製品のコスト高を招来するという問題点があ
った。

【０００９】従って本発明の目的は、磁気回路が形成さ
れる部材であるヨークやプランジャ等を、鉄等の比較的
安価な磁性材料で形成しても、プランジャの吸引動作の
立上がり時に生じる残留磁気を小さくでき、以て上記部
材を残留磁気の小さな高コストの磁性材料で形成した場
合と同様に、吸引状態保持時の通電量の低減を図ること
が可能な微弱電流保持型ソレノイドを提供することにあ
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、電磁石の磁気回路内に、一方向に付勢され
たプランジャを含み、電磁石へプランジャを付勢と逆方
向に吸引するための駆動電流の通電と、これに続く前記
駆動電流よりも小さな電流の通電とによりプランジャを
吸引完了位置に保持するようにしたソレノイドにおい
て、前記プランジャは、他の部分より透磁率の低い低透
磁率部分を有し、前記低透磁率部分のプランジャにおけ
る位置は、少なくともプランジャが前記吸引完了位置に
あるとき、保持及び吸引に寄与する前記磁気回路内に含
まれるように選定されている構成とした。

【００１１】

【作用】上記構成によれば、電磁石への駆動電流の通電
によりプランジャの低透磁率部分は、少なくともプラン
ジャの保持及び吸引に寄与する前記磁気回路内に含まれ
る位置に達する。そのため、上記駆動電流の通電により
生じた残留磁気は、上記低透磁率部分にて絞られること
となる。よって、磁気回路が形成される部材を、鉄等の
比較的安価な磁性材料で形成しても、プランジャの吸引
動作の立上がり時に生じる残留磁気を小さくすることが
できる。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面により詳細に
説明する。

【００１３】図１は、本発明の一実施例に係る微弱電流
保持型ソレノイドを示した図である。

【００１４】上記微弱電流保持型ソレノイドは、円環状
コイル１、円筒状プランジャガイド３、円柱状プランジ
ャ５、コイルスプリング７、ポールコア９、弁座パッキ
ン１１及びヨーク１３を備え、例えば、自動水栓、自動
便器洗浄装置等の洗浄水流路開閉弁として用いられるダ
イヤフラムのバルブ本体１９に取付けられる。このバル
ブ本体１９は、ダイヤフラム押え部材１５及びダイヤフ
ラムユニット１７を備えている。

【００１５】ヨーク１３は、鉄等の比較的安価な磁性材
料により図示のように断面がロ字形状を呈するように形
成された枠体である。図１で示す底部に位置する矩形状
の平板の略中心部には、円形穴（貫通孔）２２が形成さ
れており、該平板の周縁部には、複数個のボルト取付孔
が形成されている。これらボルト取付孔には、上記微弱
電流保持型ソレノイドをバルブ本体１９に取付固定する
ために夫々ボルト２１等の締結部材が挿入されている
（図２参照）。

【００１６】更に、ヨーク１３は、その底部方向からバ
ルブ本体１９と共に、ダイヤフラム押え部材１５及びダ
イヤフラムユニット１７をボルト２１により押圧固定
し、水流路の水漏れを防止している。ヨーク１３には、
図２の符号２７で示す配線を介して電源からコイル１に
励磁電流（後述する第１電流及び第２電流）が通電され
ることにより磁気回路が形成される。

【００１７】円筒状プランジャガイド３は、非磁性の金
属材料によって形成されており、その一端部（図１では
下端部）近傍部位が、上記ヨーク１３の円形穴（貫通
孔）２２に嵌挿された状態で、円環状コイル１の貫通空
間２内に設けられている。これにより、上記プランジャ
ガイド３の図１下端部は、上記ダイヤフラム押え部材１
５が有するフランジ部の内周方向に突出した段部と対向
することとなる。上記プランジャガイド３の下端部の外
周側と、ダイヤフラム押え部材１５の段部とによって形
成される空隙部には、Ｏリング２３（図２も併せて参
照）が介装されている。

【００１８】上記プランジャガイド３の貫通空間４内の
他端部（図１では上方の端部）寄りの部位には、鉄等の
比較的安価な磁性材料から成る円柱状のポールコア９が
嵌挿されており、このポールコア９の外周部には、Ｏリ
ング２５が介装されている。このポールコア９は、図１
に示すように、断面が凸字状に形成されており、ポール
コア９とともにプランジャガイド３の貫通空間４内に設
けられたプランジャ５の空隙部６に介装されている、プ
ランジャ５を図１下方に付勢するためのコイルスプリン
グ７の一端側が取付けられている。ポールコア９とプラ
ンジャ５とは、プランジャ５が図１の一点鎖線より右側
の領域で示す位置にあるときに、図示のようにエアギャ
ップ３０を形成するが、このエアギャップ３０は、プラ
ンジャ５が図１の一点鎖線より左側の領域で示す位置に
あるときは消滅する。

【００１９】円柱状プランジャ５は、プランジャガイド
３の貫通空間４内を、図１上下方向に摺動自在に設けら
れているもので、鉄等の比較的安価な磁性材料により形
成されている。上記プランジャ５は、既述のように、図
１上端（図３では左端）に開口部を持つ同心状の空隙部
６を有し、この空隙部６には、前記コイルスプリング７
が、その他端部を固定された状態で介装されている。上
記プランジャ５の外周部の図１下端（図３では右端）寄
りの部位には、前記空隙部６と連通する一対の突抜孔２
８が形成されている。これらの突抜孔２８は、上記プラ
ンジャ５と前記プランジャガイド３とのクリアランス
に、水、ゴミ、その他不純物が溜まるのを防止するため
に設けられたものである。プランジャ５の図１下端部
（図３では右端部）には、凹部が形成されており、この
凹部には、図２に示したような形状を呈するダイヤフラ
ムユニット１７と当接する弁座パッキン１１が設けられ
ている。

【００２０】上記プランジャ５の外周部には、図４で示
すような先端が滑らかな曲線状に形成された複数個の突
条部、又は、図５で示すような先端が直線状に形成され
た複数個の突条部が略等間隔で形成されている。プラン
ジャ５の外周部を、このような形状とすることにより、
上記空隙部６と、プランジャ５とプランジャガイド３の
クリアランスとの間で水の循環を生じさせることが可能
となる。

【００２１】なお、プランジャ５の外周部の符号Ｃで示
す角部は、図６に拡大して示すように角切りが施されて
いる。

【００２２】更に、本実施例に係るプランジャ５では、
その図１下端部（図３では右端部）に、プランジャ５の
軸線方向と平行な方向にｃ1、プランジャ５の半径方向
にｂ2の長さを有した断面が矩形状の切欠部２９が形成
されている。この切欠部２９は、プランジャ５がダイヤ
フラムユニット１５と圧接し、ダイヤフラムバルブが自
動水栓、自動便器洗浄装置等の洗浄水流路を閉じている
状態（即ち、プランジャ５の下端部がプランジャガイド
３から突出している状態）では、図１の一点鎖線より右
側の領域で示すようにヨーク１３から離間した位置に存
在する。従って、この状態でコイル１から磁束が発生す
ると、この磁束は、ヨーク１３の全幅ａ1を通ることと
なり、ヨーク１３の全幅ａ1に亘る幅を有した磁気回路
が形成される。

【００２３】一方、上記切欠部２９は、プランジャ５が
ダイヤフラムユニット１７から離間し、ダイヤフラムバ
ルブが上記洗浄水流路を開いている状態（即ち、プラン
ジャ５の下端部とヨーク１３の底面とが面一の状態）で
は、図１の一点鎖線より左側の領域で示すようにヨーク
１３と対向する位置に存在している。従って、この状態
でコイル１から磁束が発生すると、この磁束は、ヨーク
１３の全幅ａ1から切欠部２９の前記長さｃ1を差し引い
た幅ａ2を通ることとなるので磁束が絞り込まれること
となり、ヨーク１３中の幅ａ2に亘る幅を有した磁気回
路が形成される。よって、磁気抵抗が等価的に増加した
こととなる。

【００２４】上記構成の微電流保持型ソレノイドにおい
ても、図９に示した従来の微電流保持型ソレノイドにお
けると同様な通電が行われる。まず、時刻ｔ1で、図７
の符号３１で示す第１電流をコイル１に通電すると、前
記切欠部２９は、ヨーク１３から離間した位置にあるの
で、コイル１から発生した磁束は、ヨーク１３の全幅ａ
1を通ることとなる。これによってプランジャ５は、図
１の一点鎖線より右側の領域で示す位置から上方に吸引
され、図１の一点鎖線より左側の領域で示す位置へと変
位する。

【００２５】プランジャ５が上記位置に達すると、前記
切欠部２９は、ヨーク１３と対向する位置にくることと
なるので、コイル１から発生した磁束は、前記幅ａ2を
通ることとなる。

【００２６】プランジャ５が上記位置へと変位した時点
（ｔ2）で、コイル１への通電を上記第１電流３１から
図７の符号３３で示す第２電流に切換える。この第２電
流の値は、コイルスプリング７の付勢力に対抗できる大
きさの保持力をコイル１から得られるように設定されて
いる。

【００２７】次に、時刻ｔ3で上記第２電流の通電を停
止すれば、コイルスプリング７の付勢力により、プラン
ジャ５は、上記位置（即ち、図１の一点鎖線より左側の
領域で示す位置）から元の位置（即ち、図１の一点鎖線
より右側の領域で示す位置）へと復帰する。

【００２８】〔１〕プランジャ５が、上記第２電流の通
電によって、図１の一点鎖線より左側の領域で示す位置
にて保持されているときには、下記の式で示す関係が
成立する。

【００２９】Ｆi＋Ｆr＋Ｆf＞Ｆs＋Ｆg……（1） 但し、Ｆi：第２電流により発生するプランジャ５を吸
引する力 Ｆr：第１電流により発生した残留磁気によるプランジ
ャ５を吸引する力 Ｆf：プランジャ５とプランジャガイド３との間に生ず
る摩擦力 Ｆs：ラッチ時（ダイヤフラムバルブが上記洗浄水流路
を閉じているとき）におけるコイルスプリング７のバネ
力 Ｆg：プランジャ５の自重 ここで、本実施例に係る微電流保持ソレノイドが、図１
に示すように、垂直方向に動作するダイヤフラムバルブ
に取付けられており、プランジャ５が垂直方向に動作す
るときは、Ｆf＝０となる。

【００３０】又、本実施例に係る微電流保持ソレノイド
が、水平方向に動作するダイヤフラムバルブに取付けら
れていて、プランジャ５が水平方向に動作するときは、
Ｆg＝０となる。

【００３１】〔２〕プランジャ５が、図１の一点鎖線よ
り右側の領域で示す位置にあるときには、下記の（2）
式で示す関係が成立するようなバネ力Ｆsの設定が必要
である。

【００３２】Ｆr＋Ｆf＜Ｆs＋Ｆg……（2） 一般に、Ｆr》Ｆf、Ｆr》Ｆgであるため、Ｆf≒０、Ｆg
≒０と考えれば、上記式は、 Ｆi＋Ｆr＞Ｆs……（3） と簡単化できる。

【００３３】ここで、上記吸引力Ｆrとともにバネ力Ｆs
に対抗してプランジャ５の上記吸引状態の保持が可能な
吸引力Ｆiの最小値が得られる第２電流の値（即ち、第
２電流の最小値のこと。以下、「限界電流Ｉh」とい
う）を求めるために、 Ｆi＋Ｆr＝Ｆs （即ち、Ｆi＝Ｆs−Ｆr）……（4） と想定する。

【００３４】次に、バネ力Ｆsの、上記吸引力Ｆrに対す
るマージンをｍ倍に設定すると、 Ｆs＝ｍＦr………………（5） で表現することができる。（5）式を（4）式のＦsに代
入して整理すると、 Ｆi＝Ｆs−Ｆr＝（ｍ−１）Ｆr……（6） が得られる。

【００３５】ここで、Ｆi及びＦrは、

【数１】

【数２】 のように表現される。

【００３６】上記（6）式のＦiに（7）式を代入し、且
つ上記（6）式のＦrに（8）式を代入すると、

【数３】 が成立する。上記（9）式は、本実施例に係る微弱電流
保持型ソレノイドのような前記切欠部２９を備えた微弱
電流保持型ソレノイドに対して適用される関係式であ
る。

【００３７】一方、例えば、図９で示した従来の微弱電
流保持型ソレノイドのような、前記切欠部２９のない微
弱電流保持型ソレノイドに対しては、限界電流をＩh
´、磁気抵抗をＱ´、残留磁束密度をＢr´と表すこと
により,上記（9）式と同様な

【数４】 で表現することができる。

【００３８】上記（9）式をＩhについて解き、

【数５】 を得る。

【００３９】同様に、上記（10）式をＩh´について解
き、

【数６】 を得る。

【００４０】ここで、切欠部２９があるときの残留磁束
密度Ｂrと、切欠部がないときの残留磁束密度Ｂr´との
比をとり、 Ｂr／Ｂr´＝ｂ……（13） とし、切欠部２９があるときの磁気抵抗Ｑと、切欠部が
ないときの磁気抵抗Ｑ´との比、換言すれば、切欠部２
９があるときの透磁率μと、切欠部がないときの透磁率
μ´との比をとり、 Ｑ／Ｑ´＝μ´／μ＝ｑ……（14） とする。

【００４１】上記（11）式によって求められたＩhを、
上記（12）式によって求められたＩh´で除算し、その
商に対して（13）式のｂ及び（14）式のｑを夫々代入す
ると、 Ｉh／Ｉh´＝（ＱＢr）／（Ｑ´Ｂr´）＝ｑｂ……（15） が得られる。上記（15）式を解くことによってＩh／Ｉh
´が求まる。ここで、上記（14）式で表現されたμ´
は、図８に示すように、磁界強度Ｈ1において生じる従
来の微電流保持型ソレノイドのＢ（磁束密度）−Ｈ（磁
界強度）特性曲線３５と、該特性曲線３５における最大
磁束密度を示す点４７とを結ぶ線分４８の横軸に対する
傾き（−tanθ´）で表現される。又、上記（14）式で
表現されたμは、上記と同様に磁界強度Ｈ1において生
じる本実施例の微電流保持型ソレノイドのＢ−Ｈ特性曲
線３７と、該特性曲線３７における最大磁束密度を示す
点４９とを結ぶ線分５０の横軸に対する傾き（−tan
θ）で表現される。

【００４２】上記（13）式で表現されたＢr´は、図８
に示すように、上記線分４８を原点Ｏまで平行移動して
得られた線分５２と上記特性曲線３５との交点の縦軸の
座標値で表され、同様にＢrは、上記線分５０を原点Ｏ
まで平行移動して得られた線分５４と上記特性曲線３７
との交点の縦軸の座標値で表される。ここで、上記Ｉh
／Ｉh´（即ち、プランジャに切欠部を備えた微弱電流
保持型ソレノイドにおける限界電流値Ｉhと、プランジ
ャに切欠部を備えていない微弱電流保持型ソレノイドに
おける限界電流値Ｉh´との比）が１より小さいか否
か、即ち、Ｉh＜Ｉh´であるか否かを、図８により確認
する。

【００４３】上記（14）式より、ｑ＝μ´／μであるか
ら、ｑ＝μ´／μ＝−tanθ´／−tanθとなり、図８よ
り｜−tanθ´｜＞｜−tanθ｜であるから、｜−tanθ
´｜／｜−tanθ｜＞１である。これは、前記最大磁束
密度を示す点４９が、前記Ｂ−Ｈ特性曲線３５によって
囲まれた領域内に存在し、前記Ｂ−Ｈ特性曲線３７が前
記Ｂ−Ｈ特性曲線３５によって囲まれた領域内に存在す
ることをも示している。又、図８よりＢr＜Ｂr´、即
ち、ｂ＝Ｂr／Ｂr´＜１である。つまり、図８のような
不飽和領域では、１／ｑ＞ｂであるため、１＞ｑｂとな
り、（15）式より、Ｉh／Ｉh´＜１が成立する。

【００４４】よって、本実施例に係る微弱電流保持型ソ
レノイドに通電する限界電流値Ｉhも、従来の微弱電流
保持型ソレノイドに通電する限界電流値Ｉh´より小さ
くすることが可能である。

【００４５】従って、プランジャ５に切欠部２９を設け
た方が、第１電流の通電により生じた残留磁気を抑制す
ることができ、それにより、コイルスプリング７の付勢
力を小さくできる。よって、第２電流を小さくできるの
で、消費電力量を低減することが可能となる。

【００４６】上記内容は、あくまでも本発明の一実施例
に係るものであって、本発明が上記内容にのみ限定され
ることを意味するものではない。本実施例では、プラン
ジャ５の先端部に形成される切欠部２９の形状を矩形状
として説明したが、テーパ形状としてもよい。いずれに
しても切欠部分を設けることにより、材料コストが軽減
する。又、切欠部２９に、透磁率の小さな材料を充填す
ることとしても差支えない。

【００４７】この場合は上述した実施例のように、プラ
ンジャ５の上端面２０１と符号２０２で示す部位との間
がプランジャガイド３に当接してなくても、上記プラン
ジャ５の上端面２０１からその近傍にかけての部位をプ
ランジャガイド３に当接させ、且つ、切欠部２９に透磁
率の小さな材料をプランジャガイド３に当接可能な状態
で充填させることによってガタ防止効果を向上させるこ
とができる。なお、上記実施例では、切欠部２９が吸引
開始時にはヨーク１３に対向する位置い達する構造とし
たが、吸引開始時に少々ヨーク１３に達しても、前述し
た条件Ｉh／Ｉh´を成立させることができる。

【００４８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
磁気回路が形成される部材であるヨークやプランジャ等
を、鉄等の比較的安価な磁性材料で形成しても、プラン
ジャの吸引動作の立上がり時に生じる残留磁気を小さく
でき、以て上記部材を残留磁気の小さな高コストの磁性
材料で形成した場合と同様に、吸引状態保持時の通電量
の低減を図ることが可能な微弱電流保持型ソレノイドを
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る微弱電流保持型ソレノ
イドを示す説明図。

【図２】図１の微弱電流保持型ソレノイドと、自動水
栓、自動便器洗浄装置等の洗浄水流路開閉弁として用い
られるダイヤフラムバルブとを示した説明図。

【図３】本発明の一実施例に係るプランジャの断面図。

【図４】図３のＡ−Ａ線方向から見たプランジャの部分
断面図。

【図５】図３のＢ−Ｂ線方向から見たプランジャの部分
断面図。

【図６】図３の符号Ｃで示す部位の部分拡大断面図。

【図７】コイルに通電する励磁電流を示した説明図。

【図８】本実施例に係る微弱電流保持型ソレノイドのＢ
−Ｈ特性と、従来の微弱電流保持型ソレノイドのＢ−Ｈ
特性とを比較した図。

【図９】従来の微弱電流保持型ソレノイドを示す説明
図。

【符号の説明】

１ 円環状コイル ２ 貫通空間 ３ 円筒状プランジャガイド ５ 円柱状プランジャ １３ ヨーク ２２ 貫通孔 ２９ 切欠部

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電磁石の磁気回路内に、一方向に付勢さ
   れたプランジャを含み、電磁石へプランジャを付勢と逆
   方向に吸引するための駆動電流の通電と、これに続く前
   記駆動電流よりも小さな電流の通電とによりプランジャ
   を吸引完了位置に保持するようにしたソレノイドにおい
   て、 前記プランジャは、他の部分より透磁率の低い低透磁率
   部分を有し、 前記低透磁率部分のプランジャにおける位置は、少なく
   ともプランジャが前記吸引完了位置にあるとき、保持及
   び吸引に寄与する前記磁気回路内に含まれるように選定
   されていることを特徴とする微弱電流保持型ソレノイ
   ド。
2. 【請求項２】 請求項１記載の微弱電流保持型ソレノイ
   ドにおいて、 前記低透磁率部分が、切欠部であることを特徴とする微
   弱電流保持型ソレノイド。
3. 【請求項３】 請求項１記載の微弱電流保持型ソレノイ
   ドにおいて、 前記低透磁率部分が、プランジャを形成する磁性材料よ
   りも透磁率の低い材料により形成されることを特徴とす
   る微弱電流保持型ソレノイド。
4. 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のいずれかの項記
   載の微弱電流保持型ソレノイドにおいて、 前記低透磁率部分のプランジャでの位置が、プランジャ
   が吸引開始時の位置にあるとき、前記磁気回路内に前記
   低透磁率部分が含まれないように選定されていることを
   特徴とする微弱電流保持型ソレノイド。