JPH07315926A - 耐湿性に優れたセラミックフィルタ素子用圧電磁器組成物 - Google Patents
耐湿性に優れたセラミックフィルタ素子用圧電磁器組成物Info
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- JPH07315926A JPH07315926A JP6133750A JP13375094A JPH07315926A JP H07315926 A JPH07315926 A JP H07315926A JP 6133750 A JP6133750 A JP 6133750A JP 13375094 A JP13375094 A JP 13375094A JP H07315926 A JPH07315926 A JP H07315926A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＰＺＴとは異なる組成を基本とし、Ｋrが高く
且つ高湿度下でもＱmが小さいセラミックフィルタ素子
用圧電磁器組成物を提供する。 【構成】一般式がｘＰｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−ｙＰ
ｂＴｉＯ3−ｚＰｂＺｒＯ3で示され、０．０５≦ｘ≦
０．５０、０．２５≦ｙ≦０．５０、０≦ｚ≦０．６２
５からなる基本組成物に対して、ＮｉＯを５重量％以下
（ただし０を除く）含有することを特徴とする。
且つ高湿度下でもＱmが小さいセラミックフィルタ素子
用圧電磁器組成物を提供する。 【構成】一般式がｘＰｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−ｙＰ
ｂＴｉＯ3−ｚＰｂＺｒＯ3で示され、０．０５≦ｘ≦
０．５０、０．２５≦ｙ≦０．５０、０≦ｚ≦０．６２
５からなる基本組成物に対して、ＮｉＯを５重量％以下
（ただし０を除く）含有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、耐湿性に優れたセラ
ミックフィルタ素子用圧電磁器組成物に関する。この圧
電磁器組成物は、セルラー用超薄型フィルタ、ページャ
用薄型フィルタなどのように、中間周波数が４５５ｋＨ
ｚであるラダーフィルタに好適に利用され得る。
ミックフィルタ素子用圧電磁器組成物に関する。この圧
電磁器組成物は、セルラー用超薄型フィルタ、ページャ
用薄型フィルタなどのように、中間周波数が４５５ｋＨ
ｚであるラダーフィルタに好適に利用され得る。
【０００２】
【従来の技術】この種の圧電磁器組成物としては、位相
歪が小さく、かつ誘電率εrと径方向電気機械結合係数
Ｋrができるだけ高く、更に耐湿負荷試験に対する機械
的品質係数Ｑm及びその変化率ができるだけ小さいもの
が望まれている。これらの要望のいくつかを達成する目
的で相転移境界線（ＭＰＢ）近傍の組成を有するチタン
酸ジルコン酸鉛Ｐｂ（ＴｉxＺｒ1-x）Ｏ3（以下、ＰＺ
Ｔと略記する。ただし、ｘ＝０．４〜０．６である。）
を基本組成とし、種々の添加物によって各々の特性を微
調整しようとする提案がなされている。
歪が小さく、かつ誘電率εrと径方向電気機械結合係数
Ｋrができるだけ高く、更に耐湿負荷試験に対する機械
的品質係数Ｑm及びその変化率ができるだけ小さいもの
が望まれている。これらの要望のいくつかを達成する目
的で相転移境界線（ＭＰＢ）近傍の組成を有するチタン
酸ジルコン酸鉛Ｐｂ（ＴｉxＺｒ1-x）Ｏ3（以下、ＰＺ
Ｔと略記する。ただし、ｘ＝０．４〜０．６である。）
を基本組成とし、種々の添加物によって各々の特性を微
調整しようとする提案がなされている。
【０００３】例えば、特開平５−９０７２号公報には、
酸化クロムと酸化鉛の反応生成物の内、Ｐｂ2ＣｒＯ5よ
りもＰｂ5ＣｒＯ8の多いＰＺＴ組成物とすることにより
耐湿性を向上させたセラミックフィルタ素子用圧電磁器
組成物が記載されている。また、特開平５−１４８０１
６号公報には、ＰＺＴのＰｂ原子の一部をＢａ等で置換
してＭＰＢよりも正方晶系強誘電体相側の領域を基本組
成とし、これにＳｂ等のソフト化剤及びＣｏ等のハード
化剤を微量添加することにより、Ｋrを大きく且つ高温
でのＫrの劣化率を小さくしたセラミックフィルタ素子
用圧電磁器組成物が記載されている。
酸化クロムと酸化鉛の反応生成物の内、Ｐｂ2ＣｒＯ5よ
りもＰｂ5ＣｒＯ8の多いＰＺＴ組成物とすることにより
耐湿性を向上させたセラミックフィルタ素子用圧電磁器
組成物が記載されている。また、特開平５−１４８０１
６号公報には、ＰＺＴのＰｂ原子の一部をＢａ等で置換
してＭＰＢよりも正方晶系強誘電体相側の領域を基本組
成とし、これにＳｂ等のソフト化剤及びＣｏ等のハード
化剤を微量添加することにより、Ｋrを大きく且つ高温
でのＫrの劣化率を小さくしたセラミックフィルタ素子
用圧電磁器組成物が記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特開平５−９
０７２号公報に記載のものは、Ｋrについての検討がな
されていない。また、特開平５−１４８０１６号公報に
記載のものは、耐湿性の検討がなされていない。更にい
ずれもＰＺＴを基本組成としているので、圧電特性に関
してＰＺＴを越えるものではない。
０７２号公報に記載のものは、Ｋrについての検討がな
されていない。また、特開平５−１４８０１６号公報に
記載のものは、耐湿性の検討がなされていない。更にい
ずれもＰＺＴを基本組成としているので、圧電特性に関
してＰＺＴを越えるものではない。
【０００５】この発明の目的は、ＰＺＴとは異なる組成
を基本とし、Ｋrが高く且つ高湿度下でもＱmが小さいセ
ラミックフィルタ素子用圧電磁器組成物を提供すること
にある。
を基本とし、Ｋrが高く且つ高湿度下でもＱmが小さいセ
ラミックフィルタ素子用圧電磁器組成物を提供すること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】その目的を達成するため
に、この発明のセラミックフィルタ素子用圧電磁器組成
物は、一般式がｘＰｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−ｙＰｂ
ＴｉＯ3−ｚＰｂＺｒＯ3で示され、０．０５≦ｘ≦０．
５０、０．２５≦ｙ≦０．５０、０≦ｚ≦０．６２５か
らなる基本組成物に対して、ＮｉＯを５重量％以下（た
だし０を除く）含有することを特徴とする。ただし、一
般式中、ｘ、ｙ及びｚは、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を充足する数
である。
に、この発明のセラミックフィルタ素子用圧電磁器組成
物は、一般式がｘＰｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−ｙＰｂ
ＴｉＯ3−ｚＰｂＺｒＯ3で示され、０．０５≦ｘ≦０．
５０、０．２５≦ｙ≦０．５０、０≦ｚ≦０．６２５か
らなる基本組成物に対して、ＮｉＯを５重量％以下（た
だし０を除く）含有することを特徴とする。ただし、一
般式中、ｘ、ｙ及びｚは、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を充足する数
である。
【０００７】
【作用】上記基本組成物は、Ｑmが低く、Ｋrが高い。し
かもＭＰＢ上でεrが変化するので、例えばラダーフィ
ルタにおいて並列用、直列用等その用途に応じて基本組
成を変えることにより適当なεrを選択することができ
る。そして、この基本組成物にＮｉＯを所定量添加する
と、Ｑmを下げながらεrとＫrを向上させ、更にＱmの耐
湿特性も向上させることができる。尚、本発明の一般式
中、ｘ，ｙ，ｚをそれぞれ上記の特定範囲に限定した理
由は次の通りである。
かもＭＰＢ上でεrが変化するので、例えばラダーフィ
ルタにおいて並列用、直列用等その用途に応じて基本組
成を変えることにより適当なεrを選択することができ
る。そして、この基本組成物にＮｉＯを所定量添加する
と、Ｑmを下げながらεrとＫrを向上させ、更にＱmの耐
湿特性も向上させることができる。尚、本発明の一般式
中、ｘ，ｙ，ｚをそれぞれ上記の特定範囲に限定した理
由は次の通りである。
【０００８】即ち、ｘが０．０５に満たないと焼結性が
悪く、０．５０を越えると高いＴcが得られない。ま
た、ｙが０．２５に満たないと高いＴcが得られず、
０．５０を越えると高いεr，Ｋrが得られない。更にｚ
はゼロでも実用上問題ないが、０．６２５を越えると高
いＴcが得られない。更にこれら基本組成に添加するＮ
ｉＯは、その添加量が増えるに従いＴcが低下するので
最大５重量％までとした。
悪く、０．５０を越えると高いＴcが得られない。ま
た、ｙが０．２５に満たないと高いＴcが得られず、
０．５０を越えると高いεr，Ｋrが得られない。更にｚ
はゼロでも実用上問題ないが、０．６２５を越えると高
いＴcが得られない。更にこれら基本組成に添加するＮ
ｉＯは、その添加量が増えるに従いＴcが低下するので
最大５重量％までとした。
【０００９】
−実施例１− 本例は、基本組成の範囲を確定するとともに、この発明
の圧電磁器組成物の製造方法とＮｉＯの添加効果を例示
するものである。
の圧電磁器組成物の製造方法とＮｉＯの添加効果を例示
するものである。
【００１０】［基本組成の確定及び製造方法］純度９
９．３％の酸化鉛ＰｂＯ、純度９９．４％の酸化マグネ
シウムＭｇＯ、純度９９．５％の酸化ニオブＮｂ2Ｏ5、
純度９８．５％の酸化チタンＴｉＯ2及び純度９９．０
％の酸化ジルコニウムＺｒＯ2を表１及び図１に示す組
成Ｎｏ．１〜１３の組成に対応する調合割合でそれぞれ
調合し、アルミナ玉石とともに振動ミルにて乾式混合粉
砕し、混合物を８５０℃で２時間仮焼した後、ポット回
転機にてアルミナ玉石のほかイオン交換水、有機質結合
剤等とともに９０ｒｐｍで２３時間湿式混合することに
よってスラリーを得た。なお、図１中、Ｔは強誘電正方
晶（ferroelectric tetragonal）、Ｒは強誘電菱面体晶
（ferroelectric rhombohedral）、ＰＣは強誘電擬立方
晶（ferroelectric pseudocubic）の省略記号である。
９．３％の酸化鉛ＰｂＯ、純度９９．４％の酸化マグネ
シウムＭｇＯ、純度９９．５％の酸化ニオブＮｂ2Ｏ5、
純度９８．５％の酸化チタンＴｉＯ2及び純度９９．０
％の酸化ジルコニウムＺｒＯ2を表１及び図１に示す組
成Ｎｏ．１〜１３の組成に対応する調合割合でそれぞれ
調合し、アルミナ玉石とともに振動ミルにて乾式混合粉
砕し、混合物を８５０℃で２時間仮焼した後、ポット回
転機にてアルミナ玉石のほかイオン交換水、有機質結合
剤等とともに９０ｒｐｍで２３時間湿式混合することに
よってスラリーを得た。なお、図１中、Ｔは強誘電正方
晶（ferroelectric tetragonal）、Ｒは強誘電菱面体晶
（ferroelectric rhombohedral）、ＰＣは強誘電擬立方
晶（ferroelectric pseudocubic）の省略記号である。
【００１１】スラリーを０．４Ｔｏｒｒ以下の真空中、
−４０℃で凍結乾燥し、孔径５００μｍの篩いを通過さ
せた後、１ｔ／ｃｍ2の圧力で直径２５ｍｍ×厚さ２ｍ
ｍの円板状に成形し、１３００℃で２時間焼成した。続
いて焼成体を厚さ１ｍｍになるまで研磨した後、Ａｇペ
ーストにてその両主面に直径１８ｍｍの電極パターンを
スクリーン印刷し、７２０℃で焼き付けた。そして、こ
れを１００℃〜１５０℃のシリコンオイル中に浸漬し、
電極間に３０ｋＶ／ｃｍの直流電圧を３０分印加するこ
とによって分極し、セラミックフィルタ素子用圧電磁器
とした。以上の製造工程は、後述の各々の例において
も、調合段階で添加物が追加されることを除いて同様で
ある。得られた圧電磁器についてεr、Ｑm、Ｋr及びＴc
を測定した結果を表１に示す。
−４０℃で凍結乾燥し、孔径５００μｍの篩いを通過さ
せた後、１ｔ／ｃｍ2の圧力で直径２５ｍｍ×厚さ２ｍ
ｍの円板状に成形し、１３００℃で２時間焼成した。続
いて焼成体を厚さ１ｍｍになるまで研磨した後、Ａｇペ
ーストにてその両主面に直径１８ｍｍの電極パターンを
スクリーン印刷し、７２０℃で焼き付けた。そして、こ
れを１００℃〜１５０℃のシリコンオイル中に浸漬し、
電極間に３０ｋＶ／ｃｍの直流電圧を３０分印加するこ
とによって分極し、セラミックフィルタ素子用圧電磁器
とした。以上の製造工程は、後述の各々の例において
も、調合段階で添加物が追加されることを除いて同様で
ある。得られた圧電磁器についてεr、Ｑm、Ｋr及びＴc
を測定した結果を表１に示す。
【００１２】
【表１】 表１にみられるように本発明の基本組成範囲、特にその
ＭＰＢ付近の組成Ｎｏ．５，６において、Ｑmが小さ
く、Ｋrが高く、εrも高い。また、組成Ｎｏ．６と組成
Ｎｏ．７との間でεrが急変していることも判った。従
って、この２点を結ぶ線上の組成のうち、Ｎｏ．６に近
い側を並列共振子用、Ｎｏ．７に近い側を直列共振子用
として選択すれば、Ｑmをできるだけ小さく、Ｋrをでき
るだけ高く維持しながら、所望のεrを具備する磁器が
得られることが明らかである。
ＭＰＢ付近の組成Ｎｏ．５，６において、Ｑmが小さ
く、Ｋrが高く、εrも高い。また、組成Ｎｏ．６と組成
Ｎｏ．７との間でεrが急変していることも判った。従
って、この２点を結ぶ線上の組成のうち、Ｎｏ．６に近
い側を並列共振子用、Ｎｏ．７に近い側を直列共振子用
として選択すれば、Ｑmをできるだけ小さく、Ｋrをでき
るだけ高く維持しながら、所望のεrを具備する磁器が
得られることが明らかである。
【００１３】［ＮｉＯの添加例］上記の組成Ｎｏ．６と
なるように秤量した原料１００％に対して、純度９７％
のＮｉＯを所定量添加した以外は、上記と同様の方法に
てセラミックフィルタ素子用圧電磁器を製造した。この
セラミックフィルタ素子用圧電磁器について、εr、Ｋ
r、Ｑm及びキュリー点Ｔcを測定した結果を表２に示
す。
なるように秤量した原料１００％に対して、純度９７％
のＮｉＯを所定量添加した以外は、上記と同様の方法に
てセラミックフィルタ素子用圧電磁器を製造した。この
セラミックフィルタ素子用圧電磁器について、εr、Ｋ
r、Ｑm及びキュリー点Ｔcを測定した結果を表２に示
す。
【００１４】また、６０℃、相対湿度９５％の雰囲気中
でのＱmの初期値に対する経時変化率（％）を測定した
結果を表３、図２及び図３に示す。図中、「６無添加」
とは、組成Ｎｏ．６に何も添加していないことを現し、
「６＋ＮｉＯ」とは、組成Ｎｏ．６にＮｉＯを添加した
ことを現す。尚、図２のデータを表記しなかったが、初
期値に対して２０％減少したところで定常状態となって
いることが図２から明らかである。
でのＱmの初期値に対する経時変化率（％）を測定した
結果を表３、図２及び図３に示す。図中、「６無添加」
とは、組成Ｎｏ．６に何も添加していないことを現し、
「６＋ＮｉＯ」とは、組成Ｎｏ．６にＮｉＯを添加した
ことを現す。尚、図２のデータを表記しなかったが、初
期値に対して２０％減少したところで定常状態となって
いることが図２から明らかである。
【００１５】
【表２】
【表３】 表２、表３、図２及び図３にみられるように、基本組成
Ｎｏ．６にＮｉＯを所定量添加しただけで、Ｑmを下げ
ながらεrとＫrを向上させ、更に高湿度下でのＱmの経
時変化を抑制することができた。
Ｎｏ．６にＮｉＯを所定量添加しただけで、Ｑmを下げ
ながらεrとＫrを向上させ、更に高湿度下でのＱmの経
時変化を抑制することができた。
【００１６】−実施例２− 本例は、実施例１の基本組成Ｎｏ．７にＮｉＯを添加し
たセラミックフィルタ素子用圧電磁器について、その諸
特性を評価したものである。すなわち、前記表１及び図
１の組成Ｎｏ．７となるように秤量した原料１００％に
対して、純度９７％のＮｉＯを所定量添加した以外は、
実施例１と同様の方法にてセラミックフィルタ素子用圧
電磁器を製造した。このセラミックフィルタ素子用圧電
磁器について、εr、Ｋr、Ｑm及びキュリー点Ｔcを測定
した結果を表４に示す。
たセラミックフィルタ素子用圧電磁器について、その諸
特性を評価したものである。すなわち、前記表１及び図
１の組成Ｎｏ．７となるように秤量した原料１００％に
対して、純度９７％のＮｉＯを所定量添加した以外は、
実施例１と同様の方法にてセラミックフィルタ素子用圧
電磁器を製造した。このセラミックフィルタ素子用圧電
磁器について、εr、Ｋr、Ｑm及びキュリー点Ｔcを測定
した結果を表４に示す。
【００１７】また、６０℃、相対湿度９５％の雰囲気中
でのＱmの初期値に対する経時変化率（％）を測定した
結果を表５、図４及び図５に示す。図中、「７無添加」
とは、組成Ｎｏ．７に何も添加していないことを現し、
「７＋ＮｉＯ」とは、組成Ｎｏ．７にＮｉＯを添加した
ことを現す。尚、図４のデータを表記しなかったが、初
期値に対して２０％減少したところで定常状態となって
いることが図４から明らかである。
でのＱmの初期値に対する経時変化率（％）を測定した
結果を表５、図４及び図５に示す。図中、「７無添加」
とは、組成Ｎｏ．７に何も添加していないことを現し、
「７＋ＮｉＯ」とは、組成Ｎｏ．７にＮｉＯを添加した
ことを現す。尚、図４のデータを表記しなかったが、初
期値に対して２０％減少したところで定常状態となって
いることが図４から明らかである。
【００１８】
【表４】
【表５】 表４、表５、図４及び図５にみられるように、基本組成
Ｎｏ．７に対してもＮｉＯを所定量添加しただけで、Ｑ
mを下げながらεrとＫrを向上させ、更に高湿度下での
Ｑmの経時変化を抑制することができた。
Ｎｏ．７に対してもＮｉＯを所定量添加しただけで、Ｑ
mを下げながらεrとＫrを向上させ、更に高湿度下での
Ｑmの経時変化を抑制することができた。
【００１９】−比較例１− 本例は、実施例１の基本組成Ｎｏ．６またはＮｏ．７に
ＭｎＯ2を添加したセラミックフィルタ素子用圧電磁器
について、その諸特性を評価したものである。すなわ
ち、前記表１及び図１の組成Ｎｏ．６またはＮｏ．７と
なるように秤量した原料１００％に対して、純度９４％
のＭｎＯ2を所定量添加した以外は、実施例１と同様の
方法にてセラミックフィルタ素子用圧電磁器を製造し
た。このセラミックフィルタ素子用圧電磁器について、
εr、Ｋr、Ｑm及びキュリー点Ｔcを測定した結果を表６
（基本組成Ｎｏ．６）及び表８（基本組成Ｎｏ．７）に
示す。
ＭｎＯ2を添加したセラミックフィルタ素子用圧電磁器
について、その諸特性を評価したものである。すなわ
ち、前記表１及び図１の組成Ｎｏ．６またはＮｏ．７と
なるように秤量した原料１００％に対して、純度９４％
のＭｎＯ2を所定量添加した以外は、実施例１と同様の
方法にてセラミックフィルタ素子用圧電磁器を製造し
た。このセラミックフィルタ素子用圧電磁器について、
εr、Ｋr、Ｑm及びキュリー点Ｔcを測定した結果を表６
（基本組成Ｎｏ．６）及び表８（基本組成Ｎｏ．７）に
示す。
【００２０】また、基本組成Ｎｏ．６にＭｎＯ2を添加
した磁器につき、６０℃、相対湿度９５％の雰囲気中で
のＱmの初期値に対する経時変化率（％）を測定した結
果を表７及び図６に示し、基本組成Ｎｏ．７にＭｎＯ2
を添加した磁器につき、同様に測定した結果を表９及び
図７に示す。図中、「６＋ＭｎＯ2」とは、組成Ｎｏ．
６にＭｎＯ2を添加したことを現し、「７＋ＭｎＯ2」と
は、組成Ｎｏ．７にＭｎＯ2を添加したことを現す。
した磁器につき、６０℃、相対湿度９５％の雰囲気中で
のＱmの初期値に対する経時変化率（％）を測定した結
果を表７及び図６に示し、基本組成Ｎｏ．７にＭｎＯ2
を添加した磁器につき、同様に測定した結果を表９及び
図７に示す。図中、「６＋ＭｎＯ2」とは、組成Ｎｏ．
６にＭｎＯ2を添加したことを現し、「７＋ＭｎＯ2」と
は、組成Ｎｏ．７にＭｎＯ2を添加したことを現す。
【００２１】
【表６】
【表７】
【表８】
【表９】 表６〜９及び図６，７にみられるように、基本組成Ｎ
ｏ．６及びＮｏ．７のいずれに対してＭｎＯ2を添加し
ても、初期Ｑmがかえって大きくなるばかりか、εrとＫ
rの向上も認められず、更に高湿度下でのＱmの経時変化
を抑制することもできなかった。
ｏ．６及びＮｏ．７のいずれに対してＭｎＯ2を添加し
ても、初期Ｑmがかえって大きくなるばかりか、εrとＫ
rの向上も認められず、更に高湿度下でのＱmの経時変化
を抑制することもできなかった。
【００２２】−比較例２− 本例は、実施例１の基本組成Ｎｏ．６またはＮｏ．７に
ＣｏＯを添加したセラミックフィルタ素子用圧電磁器に
ついて、その諸特性を評価したものである。すなわち、
前記表１及び図１の組成Ｎｏ．６またはＮｏ．７となる
ように秤量した原料１００％に対して、純度９７．８％
のＣｏＯを所定量添加した以外は、実施例１と同様の方
法にてセラミックフィルタ素子用圧電磁器を製造した。
このセラミックフィルタ素子用圧電磁器について、ε
r、Ｋr、Ｑm及びキュリー点Ｔcを測定した結果を表１０
（基本組成Ｎｏ．６）及び表１２（基本組成Ｎｏ．１
３）に示す。
ＣｏＯを添加したセラミックフィルタ素子用圧電磁器に
ついて、その諸特性を評価したものである。すなわち、
前記表１及び図１の組成Ｎｏ．６またはＮｏ．７となる
ように秤量した原料１００％に対して、純度９７．８％
のＣｏＯを所定量添加した以外は、実施例１と同様の方
法にてセラミックフィルタ素子用圧電磁器を製造した。
このセラミックフィルタ素子用圧電磁器について、ε
r、Ｋr、Ｑm及びキュリー点Ｔcを測定した結果を表１０
（基本組成Ｎｏ．６）及び表１２（基本組成Ｎｏ．１
３）に示す。
【００２３】また、基本組成Ｎｏ．６にＣｏＯを添加し
た磁器につき、６０℃、相対湿度９５％の雰囲気中での
Ｑmの初期値に対する経時変化率（％）を測定した結果
を表１１及び図８に示し、基本組成Ｎｏ．７にＣｏＯを
添加した磁器につき、同様に測定した結果を表１３及び
図９に示す。図中、「６＋ＣｏＯ」とは、組成Ｎｏ．６
にＣｏＯを添加したことを現し、「７＋ＣｏＯ」とは、
組成Ｎｏ．７にＣｏＯを添加したことを現す。
た磁器につき、６０℃、相対湿度９５％の雰囲気中での
Ｑmの初期値に対する経時変化率（％）を測定した結果
を表１１及び図８に示し、基本組成Ｎｏ．７にＣｏＯを
添加した磁器につき、同様に測定した結果を表１３及び
図９に示す。図中、「６＋ＣｏＯ」とは、組成Ｎｏ．６
にＣｏＯを添加したことを現し、「７＋ＣｏＯ」とは、
組成Ｎｏ．７にＣｏＯを添加したことを現す。
【００２４】
【表１０】
【表１１】
【表１２】
【表１３】 表１０〜１３及び図８，９にみられるように、基本組成
Ｎｏ．６及びＮｏ．７のいずれに対してＣｏＯを添加し
ても、初期Ｑmがかえって大きくなるばかりか、εrとＫ
rの向上も認められず、更に高湿度下でのＱmの経時変化
を抑制することもできなかった。
Ｎｏ．６及びＮｏ．７のいずれに対してＣｏＯを添加し
ても、初期Ｑmがかえって大きくなるばかりか、εrとＫ
rの向上も認められず、更に高湿度下でのＱmの経時変化
を抑制することもできなかった。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、この発明の圧電磁器組成
物は、機械的品質係数が小さく、誘電率と電気機械結合
係数が高いので、これをセラミックフィルタ素子に適用
すれば、位相歪が小さく、群遅延時間特性に優れたもの
となり、しかも耐湿性が著しく改善されているので、長
期間その特性を維持することができる。
物は、機械的品質係数が小さく、誘電率と電気機械結合
係数が高いので、これをセラミックフィルタ素子に適用
すれば、位相歪が小さく、群遅延時間特性に優れたもの
となり、しかも耐湿性が著しく改善されているので、長
期間その特性を維持することができる。
【図１】この発明の圧電磁器組成物の基本組成物の範囲
を示す３成分系組成図である。
を示す３成分系組成図である。
【図２】基本組成物Ｎｏ．６のみからなる圧電磁器組成
物のＱmの高湿度下における経時変化を示すグラフであ
る。
物のＱmの高湿度下における経時変化を示すグラフであ
る。
【図３】基本組成物Ｎｏ．６にＮｉＯを添加した圧電磁
器組成物のＱmの高湿度下における経時変化を示すグラ
フである。
器組成物のＱmの高湿度下における経時変化を示すグラ
フである。
【図４】基本組成物Ｎｏ．７のみからなる圧電磁器組成
物のＱmの高湿度下における経時変化を示すグラフであ
る。
物のＱmの高湿度下における経時変化を示すグラフであ
る。
【図５】基本組成物Ｎｏ．７にＮｉＯを添加した圧電磁
器組成物のＱmの高湿度下における経時変化を示すグラ
フである。
器組成物のＱmの高湿度下における経時変化を示すグラ
フである。
【図６】基本組成物Ｎｏ．６にＭｎＯ2を添加した圧電
磁器組成物のＱmの高湿度下における経時変化を示すグ
ラフである。
磁器組成物のＱmの高湿度下における経時変化を示すグ
ラフである。
【図７】基本組成物Ｎｏ．７にＭｎＯ2を添加した圧電
磁器組成物のＱmの高湿度下における経時変化を示すグ
ラフである。
磁器組成物のＱmの高湿度下における経時変化を示すグ
ラフである。
【図８】基本組成物Ｎｏ．６にＣｏＯを添加した圧電磁
器組成物のＱmの高湿度下における経時変化を示すグラ
フである。
器組成物のＱmの高湿度下における経時変化を示すグラ
フである。
【図９】基本組成物Ｎｏ．７にＣｏＯを添加した圧電磁
器組成物のＱmの高湿度下における経時変化を示すグラ
フである。
器組成物のＱmの高湿度下における経時変化を示すグラ
フである。
Claims (3)
- 【請求項１】 一般式がｘＰｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3
−ｙＰｂＴｉＯ3−ｚＰｂＺｒＯ3で示され、０．０５≦
ｘ≦０．５０、０．２５≦ｙ≦０．５０、０≦ｚ≦０．
６２５からなる基本組成物に対して、ＮｉＯを５重量％
以下（ただし０を除く）含有することを特徴とする耐湿
性に優れたセラミックフィルタ素子用圧電磁器組成物。
ただし、一般式中、ｘ、ｙ及びｚは、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を
充足する数である。 - 【請求項２】 フィルタがラダーフィルタである請求項
１に記載の耐湿性に優れたセラミックフィルタ素子用圧
電磁器組成物。 - 【請求項３】 ｘ＝０．３７５、ｙ＝０．３７５、ｚ＝
０．２５０からなる第一の組成と、ｘ＝０．２５０、ｙ
＝０．３７５、ｚ＝０．３７５からなる第二の組成とで
挟まれる相転移境界線上であって、第一の組成に近い組
成物を並列共振子、第二の組成に近い他の組成物を直列
共振子とする請求項２に記載の耐湿性に優れたセラミッ
クフィルタ素子用圧電磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6133750A JPH07315926A (ja) | 1994-05-23 | 1994-05-23 | 耐湿性に優れたセラミックフィルタ素子用圧電磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6133750A JPH07315926A (ja) | 1994-05-23 | 1994-05-23 | 耐湿性に優れたセラミックフィルタ素子用圧電磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07315926A true JPH07315926A (ja) | 1995-12-05 |
Family
ID=15112068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6133750A Pending JPH07315926A (ja) | 1994-05-23 | 1994-05-23 | 耐湿性に優れたセラミックフィルタ素子用圧電磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07315926A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6565997B2 (en) | 2000-09-20 | 2003-05-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric element and process for production thereof |
| US6610427B2 (en) | 2000-09-20 | 2003-08-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric element and process for production thereof |
| US6731049B2 (en) | 2000-09-20 | 2004-05-04 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric element and process for production thereof |
| US6888292B2 (en) | 2002-02-08 | 2005-05-03 | Ngk Insulators, Ltd. | Multi-layered type piezoelectric device and process for production thereof |
| US7161284B2 (en) | 2003-05-21 | 2007-01-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Multilayered piezoelectric/electrostrictive device |
| US7176155B2 (en) | 2003-12-08 | 2007-02-13 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive ceramic composition, piezoelectric/electrosrictive material, and piezoelectric/electrostrictive film device |
-
1994
- 1994-05-23 JP JP6133750A patent/JPH07315926A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6565997B2 (en) | 2000-09-20 | 2003-05-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric element and process for production thereof |
| US6610427B2 (en) | 2000-09-20 | 2003-08-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric element and process for production thereof |
| US6652905B2 (en) | 2000-09-20 | 2003-11-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric element and process for production thereof |
| US6713123B2 (en) | 2000-09-20 | 2004-03-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric element and process for production thereof |
| US6731049B2 (en) | 2000-09-20 | 2004-05-04 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric element and process for production thereof |
| US7052732B2 (en) | 2000-09-20 | 2006-05-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for producing a piezoelectric element |
| US6888292B2 (en) | 2002-02-08 | 2005-05-03 | Ngk Insulators, Ltd. | Multi-layered type piezoelectric device and process for production thereof |
| EP1473783A4 (en) * | 2002-02-08 | 2008-05-28 | Ngk Insulators Ltd | MULTILAYER PIEZOELECTRIC ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
| US7484278B2 (en) | 2002-02-08 | 2009-02-03 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of manufacturing a multi-layered piezoelectric |
| US7161284B2 (en) | 2003-05-21 | 2007-01-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Multilayered piezoelectric/electrostrictive device |
| US7176155B2 (en) | 2003-12-08 | 2007-02-13 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive ceramic composition, piezoelectric/electrosrictive material, and piezoelectric/electrostrictive film device |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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