JPH07315996A - 磁性ガーネット単結晶の基板固定治具 - Google Patents
磁性ガーネット単結晶の基板固定治具Info
- Publication number
- JPH07315996A JPH07315996A JP13830894A JP13830894A JPH07315996A JP H07315996 A JPH07315996 A JP H07315996A JP 13830894 A JP13830894 A JP 13830894A JP 13830894 A JP13830894 A JP 13830894A JP H07315996 A JPH07315996 A JP H07315996A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- magnetic
- single crystal
- fixing jig
- jig
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガーネット結晶を液相エピタキシャルにより
成長する場合の単結晶育成に有効な、容易に非磁性基板
をホールドする取り付け治具と、クラック，結晶欠陥の
ない膜成長を得ることができる基板ホールド固定治具を
提供する。 【構成】 非磁性基板７（Gd3Ga5Ｏ12（ＧＧＧ）又はCa
MgZr置換型Gd3Ga5Ｏ12（ＳＧＧＧ））を、すくなくとも
３本以上の基板ホールド用保持体９で保持し、この基板
保持体９が非磁性基板７回転用丸棒８に固定された基板
支持体６に脱着可能な構造で装着されている液相エピタ
キシャル装置により、磁性ガーネット単結晶を成長させ
るようにする。
成長する場合の単結晶育成に有効な、容易に非磁性基板
をホールドする取り付け治具と、クラック，結晶欠陥の
ない膜成長を得ることができる基板ホールド固定治具を
提供する。 【構成】 非磁性基板７（Gd3Ga5Ｏ12（ＧＧＧ）又はCa
MgZr置換型Gd3Ga5Ｏ12（ＳＧＧＧ））を、すくなくとも
３本以上の基板ホールド用保持体９で保持し、この基板
保持体９が非磁性基板７回転用丸棒８に固定された基板
支持体６に脱着可能な構造で装着されている液相エピタ
キシャル装置により、磁性ガーネット単結晶を成長させ
るようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ファラデー効果を利用
した光アイソレータに用いられる磁気光学ガーネットに
関するものであり、光サーキュレータ、光・磁界センサ
ー、光スイッチ用としての光学素子としても応用が期待
される磁気光学素子の製造方法に関するものである。
した光アイソレータに用いられる磁気光学ガーネットに
関するものであり、光サーキュレータ、光・磁界センサ
ー、光スイッチ用としての光学素子としても応用が期待
される磁気光学素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術および課題】光アイソレータ、光センサ
ー、光スイッチなどには、ファラデー素子として磁性ガ
ーネットが用いられている。磁性ガーネットの製造方法
としては液相エピタキシャル成長法（ＬＰＥ法）が幅広
く知られている。ＬＰＥ法はPbＯ−Bi2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3をフ
ラックスとして、磁性ガーネット（（ＲBi）3（FeＭ）5
Ｏ12（Ｒ：Ｙを含む希土類元素、Ｍ：Ti、Mn、Al、G
a））を溶融後、800℃前後に冷却してガーネットの過飽
和を作り成長させる単結晶育成技術である。
ー、光スイッチなどには、ファラデー素子として磁性ガ
ーネットが用いられている。磁性ガーネットの製造方法
としては液相エピタキシャル成長法（ＬＰＥ法）が幅広
く知られている。ＬＰＥ法はPbＯ−Bi2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3をフ
ラックスとして、磁性ガーネット（（ＲBi）3（FeＭ）5
Ｏ12（Ｒ：Ｙを含む希土類元素、Ｍ：Ti、Mn、Al、G
a））を溶融後、800℃前後に冷却してガーネットの過飽
和を作り成長させる単結晶育成技術である。
【０００３】図４は、従来のガーネット結晶のＬＰＥ成
長装置の模式断面図、図５は、その要部の基板保持体の
基板を装着した状態を示す斜視図である。
長装置の模式断面図、図５は、その要部の基板保持体の
基板を装着した状態を示す斜視図である。
【０００４】ＬＰＥ成長装置は、図４に示すように、断
熱構造体１と電気炉ヒータ２、および引上げ機構３を主
体に構成され、４は坩堝、５は育成材料の融液（以下メ
ルトという）である。また、図５において６は基板支持
体であり、図４の引上げ機構３の先端に装着され、非磁
性基板７を図のように保持する。
熱構造体１と電気炉ヒータ２、および引上げ機構３を主
体に構成され、４は坩堝、５は育成材料の融液（以下メ
ルトという）である。また、図５において６は基板支持
体であり、図４の引上げ機構３の先端に装着され、非磁
性基板７を図のように保持する。
【０００５】従来ＬＰＥ法においては、非磁性基板７を
ホールドする方法として、回転治具の丸棒８と非磁性基
板７の取り付け治具である基板支持体６が一体型で、板
材（厚み0.5mm〜1.0mm）の先端を３分割して非磁性基板
７を挟み込んでホールドする方法が取られていた。
ホールドする方法として、回転治具の丸棒８と非磁性基
板７の取り付け治具である基板支持体６が一体型で、板
材（厚み0.5mm〜1.0mm）の先端を３分割して非磁性基板
７を挟み込んでホールドする方法が取られていた。
【０００６】つまり、基板取り付け治具である基板支持
体６は回転丸棒８に固定されていて、非磁性基板７をホ
ールド後、白金ワイヤー等で外周を巻回して基板固定を
サポートしていた。
体６は回転丸棒８に固定されていて、非磁性基板７をホ
ールド後、白金ワイヤー等で外周を巻回して基板固定を
サポートしていた。
【０００７】しかしながら、この方法は板材で挟み込む
ためワイヤーの締め付け力の加減で基板に対しての応力
が発生変化し、育成時の基板クラックの原因となってい
た。又、板材の断面形状が四角（長方形）であるため、
単結晶育成時に基板を回転（正逆）した際、メルト中の
フラックスがホールド部の一部に堆積し、成長時単結晶
の結晶欠陥（ピット、スワール）の原因となっていた。
ためワイヤーの締め付け力の加減で基板に対しての応力
が発生変化し、育成時の基板クラックの原因となってい
た。又、板材の断面形状が四角（長方形）であるため、
単結晶育成時に基板を回転（正逆）した際、メルト中の
フラックスがホールド部の一部に堆積し、成長時単結晶
の結晶欠陥（ピット、スワール）の原因となっていた。
【０００８】又、育成後フラックス除去の酸洗浄によっ
て、治具が消耗し一体型治具を作りなおす必要があった
ため、結果として単結晶育成のコストアップにつながっ
ていた。
て、治具が消耗し一体型治具を作りなおす必要があった
ため、結果として単結晶育成のコストアップにつながっ
ていた。
【０００９】本発明の目的は、上記のような欠点を解決
し、ガーネット結晶を液相エピタキシャルにより成長す
る場合の単結晶育成に有効な、容易に非磁性基板をホー
ルドする取り付け治具と、クラック，結晶欠陥のない膜
成長を得ることができる磁性ガーネット単結晶の基板固
定治具を提供するものである。
し、ガーネット結晶を液相エピタキシャルにより成長す
る場合の単結晶育成に有効な、容易に非磁性基板をホー
ルドする取り付け治具と、クラック，結晶欠陥のない膜
成長を得ることができる磁性ガーネット単結晶の基板固
定治具を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記従来の課
題を解決するためになされたもので、実施例に対応する
図１〜図３で説明すると、本発明の磁性ガーネット単結
晶の製造方法は、非磁性基板７（Gd3Ga5Ｏ12（ＧＧＧ）
又はCaMgZr置換型Gd3Ga5Ｏ12（ＳＧＧＧ））を、少なく
とも３本以上の基板保持体９で保持し、この基板保持体
９が非磁性基板７回転用丸棒８に固定された基板支持体
６の先端に設けられた角穴の取付部6aに、基板保持体９
に設けられたフック部9aを差し込んで装着される構造と
なっているものである。
題を解決するためになされたもので、実施例に対応する
図１〜図３で説明すると、本発明の磁性ガーネット単結
晶の製造方法は、非磁性基板７（Gd3Ga5Ｏ12（ＧＧＧ）
又はCaMgZr置換型Gd3Ga5Ｏ12（ＳＧＧＧ））を、少なく
とも３本以上の基板保持体９で保持し、この基板保持体
９が非磁性基板７回転用丸棒８に固定された基板支持体
６の先端に設けられた角穴の取付部6aに、基板保持体９
に設けられたフック部9aを差し込んで装着される構造と
なっているものである。
【００１１】また、非磁性基板７ホールド用基板保持体
９のホールド部9bの断面形状が丸又は半円となっている
磁性ガーネット単結晶の基板固定治具を使用するもので
ある。
９のホールド部9bの断面形状が丸又は半円となっている
磁性ガーネット単結晶の基板固定治具を使用するもので
ある。
【００１２】
【作用】本発明は、脱着可能な治具を提案するものであ
り、基板保持体９を固定する基板支持体６の取付部6aが
角穴になっているため、成膜時の基板回転に対しても角
穴で固定されるため基板保持体９から基板７が落下する
ことがない。又、酸洗浄によって基板保持体９が消耗し
ても基板保持体９のみ交換するためコストダウンにな
る。
り、基板保持体９を固定する基板支持体６の取付部6aが
角穴になっているため、成膜時の基板回転に対しても角
穴で固定されるため基板保持体９から基板７が落下する
ことがない。又、酸洗浄によって基板保持体９が消耗し
ても基板保持体９のみ交換するためコストダウンにな
る。
【００１３】さらに、液面との接触において治具先端で
あるホールド部9bの断面形状が丸又は半円であるため、
基板回転に対してのメルトの流れが治具部で変化するこ
となく対流するため、治具先端部にフラックスが堆積し
ないので結晶欠陥（ピット、スワール）が抑制される。
あるホールド部9bの断面形状が丸又は半円であるため、
基板回転に対してのメルトの流れが治具部で変化するこ
となく対流するため、治具先端部にフラックスが堆積し
ないので結晶欠陥（ピット、スワール）が抑制される。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
して説明する。図１は本発明の実施例の脱着式基板固定
治具を示す斜視図である。図２は本発明の実施例の脱着
式基板固定治具の構造を説明する図である。図３は本発
明の実施例の基板ホールド部の形状を説明する図であ
る。
して説明する。図１は本発明の実施例の脱着式基板固定
治具を示す斜視図である。図２は本発明の実施例の脱着
式基板固定治具の構造を説明する図である。図３は本発
明の実施例の基板ホールド部の形状を説明する図であ
る。
【００１５】本発明の実施例による磁性ガーネット単結
晶の製造方法は、非磁性基板７（Gd3Ga5Ｏ12（ＧＧＧ）
又はCaMgZr置換型Gd3Ga5Ｏ12（ＳＧＧＧ））を、少なく
とも３本以上の基板ホールド用保持体９で保持するが、
この基板保持体９にはフック部9aとホールド部9bが設け
られており、非磁性基板７回転用丸棒８に固定された基
板支持体６の取付部6aの角穴にフック部9aを差し込むこ
とにより脱着可能な構造で装着される。
晶の製造方法は、非磁性基板７（Gd3Ga5Ｏ12（ＧＧＧ）
又はCaMgZr置換型Gd3Ga5Ｏ12（ＳＧＧＧ））を、少なく
とも３本以上の基板ホールド用保持体９で保持するが、
この基板保持体９にはフック部9aとホールド部9bが設け
られており、非磁性基板７回転用丸棒８に固定された基
板支持体６の取付部6aの角穴にフック部9aを差し込むこ
とにより脱着可能な構造で装着される。
【００１６】また、非磁性基板７ホールド用保持体９の
ホールド部9bの断面形状は丸又は半円とすることによ
り、基板回転に対してのメルトの流れが治具部で変化す
ることなく対流するため、治具先端部にフラックスが堆
積しないので結晶欠陥（ピット、スワール）が抑制され
ている。
ホールド部9bの断面形状は丸又は半円とすることによ
り、基板回転に対してのメルトの流れが治具部で変化す
ることなく対流するため、治具先端部にフラックスが堆
積しないので結晶欠陥（ピット、スワール）が抑制され
ている。
【００１７】ここで、基板保持体９を、Zr添加Pt材料で
構成すれば、熱による変形も少なくなり、非磁性ガーネ
ット基板７の固定が確実となる。
構成すれば、熱による変形も少なくなり、非磁性ガーネ
ット基板７の固定が確実となる。
【００１８】実施例による、磁性ガーネット単結晶の製
造方法において、本発明の治具と、従来の治具の両方を
用いて、PbＯ−Bi2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3をフラックス成分として
構成元素の酸化物を調合、メルト後800℃前後まで冷却
しガーネットの過冷却を作り、ＬＰＥ法によりBi置換型
磁性ガーネット単結晶を育成した後、クラック，結晶欠
陥を観察した結果を表１に示す。但し、使用基板として
ＧＧＧ、ＳＧＧＧ基板を用いた。
造方法において、本発明の治具と、従来の治具の両方を
用いて、PbＯ−Bi2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3をフラックス成分として
構成元素の酸化物を調合、メルト後800℃前後まで冷却
しガーネットの過冷却を作り、ＬＰＥ法によりBi置換型
磁性ガーネット単結晶を育成した後、クラック，結晶欠
陥を観察した結果を表１に示す。但し、使用基板として
ＧＧＧ、ＳＧＧＧ基板を用いた。
【００１９】
【表１】
【００２０】表１より明らかなように、従来の治具に比
べ、結晶性も良好で、得られるチップ枚数も多くなっ
た。
べ、結晶性も良好で、得られるチップ枚数も多くなっ
た。
【００２１】
【発明の効果】本発明によると、実施例で詳細に説明し
たとおり、基板保持体９を固定する基板支持体６の取付
部6aが角穴になっているため、成膜時の基板回転に対し
ても角穴で固定されるため基板保持体９から基板７が落
下することがない。又、酸洗浄によって基板保持体９が
消耗しても、基板保持体９のみ交換するためコストダウ
ンになる。
たとおり、基板保持体９を固定する基板支持体６の取付
部6aが角穴になっているため、成膜時の基板回転に対し
ても角穴で固定されるため基板保持体９から基板７が落
下することがない。又、酸洗浄によって基板保持体９が
消耗しても、基板保持体９のみ交換するためコストダウ
ンになる。
【００２２】さらに、液面との接触において治具先端で
あるホールド部9bの断面形状が丸又は半円であるため、
基板回転に対してのメルトの流れが治具部で変化するこ
となく対流し、治具先端部にフラックスが堆積しないの
で、クラック、ピット、スワールの結晶欠陥の少ない磁
性ガーネット単結晶の製造が可能となり、低コスト，再
現性良好なガーネット結晶を提供できる。
あるホールド部9bの断面形状が丸又は半円であるため、
基板回転に対してのメルトの流れが治具部で変化するこ
となく対流し、治具先端部にフラックスが堆積しないの
で、クラック、ピット、スワールの結晶欠陥の少ない磁
性ガーネット単結晶の製造が可能となり、低コスト，再
現性良好なガーネット結晶を提供できる。
【図１】本発明の実施例の脱着式基板固定治具を示す斜
視図。
視図。
【図２】本発明の実施例の脱着式基板固定治具の構造を
説明する図。
説明する図。
【図３】本発明の実施例の基板ホールド部の形状を説明
する図。
する図。
【図４】従来のガーネット結晶のＬＰＥ成長装置の模式
断面図。
断面図。
【図５】従来の基板を基板保持体に装着して示す斜視
図。
図。
１ 断熱構造体 ２ 電気炉ヒータ ３ 引上げ機構 ４ 坩堝 ５ エッチング材料の融液（メルト） ６ 基板支持体 6a 取付部 ７ 非磁性ガーネット基板 ８ 丸棒 ９ 基板保持体 9a フック部 9b ホールド部
Claims (2)
- 【請求項１】 非磁性基板（Gd3Ga5Ｏ12（ＧＧＧ）又は
CaMgZr置換型Gd3Ga5Ｏ12（ＳＧＧＧ））を、少なくとも
３本以上の基板保持体で保持し、前記基板保持体が非磁
性基板回転用丸棒に固定された基板支持体の先端に設け
られた角穴に、前記基板保持体に設けられたフック部を
差し込んで装着される構造となっていることを特徴とす
る磁性ガーネット単結晶の基板固定治具。 - 【請求項２】 非磁性基板保持体のホールド部の断面形
状が丸又は半円となっていることを特徴とする磁性ガー
ネット単結晶の基板固定治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13830894A JPH07315996A (ja) | 1994-05-26 | 1994-05-26 | 磁性ガーネット単結晶の基板固定治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13830894A JPH07315996A (ja) | 1994-05-26 | 1994-05-26 | 磁性ガーネット単結晶の基板固定治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07315996A true JPH07315996A (ja) | 1995-12-05 |
Family
ID=15218848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13830894A Withdrawn JPH07315996A (ja) | 1994-05-26 | 1994-05-26 | 磁性ガーネット単結晶の基板固定治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07315996A (ja) |
-
1994
- 1994-05-26 JP JP13830894A patent/JPH07315996A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4293371A (en) | Method of making magnetic film-substrate composites | |
| CN1186483C (zh) | 掺钕钇铝石榴石和钇铝石榴石复合激光晶体的制备方法 | |
| JPH07315996A (ja) | 磁性ガーネット単結晶の基板固定治具 | |
| JPH08165193A (ja) | 基板固定治具 | |
| Shick et al. | Liquid‐Phase Homoepitaxial Growth of Rare‐Earth Orthoferrites | |
| JPH07315997A (ja) | 磁性ガーネット単結晶の製造方法 | |
| JP4253220B2 (ja) | 磁性ガーネット単結晶膜の製造方法 | |
| JP3484738B2 (ja) | 表面静磁波素子用磁性ガーネット単結晶膜およびその製造方法 | |
| JP3806966B2 (ja) | 磁性ガーネット単結晶の製造方法 | |
| JP3250365B2 (ja) | 液相エピタキシャル成長装置 | |
| JPH09142992A (ja) | ガーネット結晶厚膜の製造方法 | |
| JPH068239B2 (ja) | 液相エピタキシヤル育成法 | |
| JPH07215799A (ja) | ガーネット結晶の成長方法 | |
| JP4253221B2 (ja) | 磁性ガーネット単結晶膜の製造方法 | |
| JPH06316485A (ja) | 液相エピタキシャル成長法 | |
| JPH05330979A (ja) | 液相エピタキシャル成長装置 | |
| JP2818343B2 (ja) | 単結晶成長用基板ホルダー | |
| JP2612921B2 (ja) | 酸化物ガーネット単結晶の製造方法 | |
| JPS61151090A (ja) | ガ−ネツト膜の結晶成長方法 | |
| JPH06206794A (ja) | 液相エピタキシャル成長装置 | |
| JPH05330983A (ja) | 液相エピタキシャル成長装置 | |
| JPH01230498A (ja) | ガーネット膜の形成方法 | |
| JPH0569080B2 (ja) | ||
| JP2005298234A (ja) | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法 | |
| JPS6317287A (ja) | 単結晶育成用治具 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010731 |