JPH0569080B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0569080B2 JPH0569080B2 JP62213141A JP21314187A JPH0569080B2 JP H0569080 B2 JPH0569080 B2 JP H0569080B2 JP 62213141 A JP62213141 A JP 62213141A JP 21314187 A JP21314187 A JP 21314187A JP H0569080 B2 JPH0569080 B2 JP H0569080B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- substrate
- melt
- liquid phase
- phase epitaxial
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は結晶の成長方法に関し、特に、液相エ
ピタキシヤル法による結晶の成長方法に関するも
のである。
ピタキシヤル法による結晶の成長方法に関するも
のである。
（従来の技術）
非磁性ガーネツト基板上に結晶を成長させる液
相エピタキシヤル法（LPE法）は、磁気光学素
子、バブル記憶素子、マイクロ波デバイス用とし
て最近注目されている。
相エピタキシヤル法（LPE法）は、磁気光学素
子、バブル記憶素子、マイクロ波デバイス用とし
て最近注目されている。
これらに用いられている磁性ガーネツトを結晶
成長させる方法は、第２図に示されるように縦型
炉１（LPE炉本体）の中心部に、融液２の入つ
たるつぼ３がおかれ、白金治具５とアルミナ棒６
で保持された非磁性ガーネツト基板４をるつぼ３
に上部から挿入し、融液２の中に浸し、該基板４
を回転させることによつて結晶成長が行なわれる
ようになつている。７はヒータ、８はるつぼ支持
台である。
成長させる方法は、第２図に示されるように縦型
炉１（LPE炉本体）の中心部に、融液２の入つ
たるつぼ３がおかれ、白金治具５とアルミナ棒６
で保持された非磁性ガーネツト基板４をるつぼ３
に上部から挿入し、融液２の中に浸し、該基板４
を回転させることによつて結晶成長が行なわれる
ようになつている。７はヒータ、８はるつぼ支持
台である。
（発明が解決しようとする問題点）
この方法によつて結晶成長を行う場合、LPE
炉の上部から挿入した非磁性ガーネツト基板４
は、第３図に示されるように白金治具５に１〜数
枚取り付けられ融液に浸される。この方法による
と多数枚の結晶育成を行う場合、基板４を融液中
に完全な浸さなければならないため、１枚の基板
４の両面に結晶成長が行なわれる。基板の両面に
結晶成長が行なわれると、融液中に含まれている
結晶成分（ガーネツト成分）の減る度合が速くな
るため、結晶成長中に、結晶成長速度が低下し、
膜厚の制御が難しくなるという欠点があつた。
炉の上部から挿入した非磁性ガーネツト基板４
は、第３図に示されるように白金治具５に１〜数
枚取り付けられ融液に浸される。この方法による
と多数枚の結晶育成を行う場合、基板４を融液中
に完全な浸さなければならないため、１枚の基板
４の両面に結晶成長が行なわれる。基板の両面に
結晶成長が行なわれると、融液中に含まれている
結晶成分（ガーネツト成分）の減る度合が速くな
るため、結晶成長中に、結晶成長速度が低下し、
膜厚の制御が難しくなるという欠点があつた。
本発明の目的は、上述した欠点を除去するため
に、１枚の基板の片面のみに結晶成長が行なわれ
るようにした液相エピタキシヤル法を提供するこ
とにある。
に、１枚の基板の片面のみに結晶成長が行なわれ
るようにした液相エピタキシヤル法を提供するこ
とにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明によれば、るつぼ底部に融液を収容した
るつぼを用いて液相エピタキシヤル法により基板
上に単結晶膜を得る結晶成長方法において、前記
るつぼの前記るつぼ底部より上方に位置するるつ
ぼ上端部の内周面に前記基板を取り付け、前記る
つぼを回転させることにより、前記融液を遠心力
により前記るつぼ上端部の前記内周面まで移動さ
せて前記基板に接触させ、該基板上に単結晶膜を
成長させることを特徴とする液相エピタキシヤル
育成法が得られる。本発明では、多数枚の基板を
育成する場合でも、基板の片面へ均一に単結晶膜
を成長させることができる。
るつぼを用いて液相エピタキシヤル法により基板
上に単結晶膜を得る結晶成長方法において、前記
るつぼの前記るつぼ底部より上方に位置するるつ
ぼ上端部の内周面に前記基板を取り付け、前記る
つぼを回転させることにより、前記融液を遠心力
により前記るつぼ上端部の前記内周面まで移動さ
せて前記基板に接触させ、該基板上に単結晶膜を
成長させることを特徴とする液相エピタキシヤル
育成法が得られる。本発明では、多数枚の基板を
育成する場合でも、基板の片面へ均一に単結晶膜
を成長させることができる。
（実施例）
次に本発明の実施例について図面を参照して説
明する。
明する。
第１図は本発明に用いる液相エピタキシヤル炉
の断面図である。
の断面図である。
図において、７はヒータ、１０は炉心管であ
る。１１は本発明に用いられる白金るつぼであ
り、るつぼ上端部１１ａの内周面に基板４が取り
付けられる。るつぼ底部には融液２が入つてお
り、るつぼ１１を高速で回転させることにより遠
心力によつて融液２を基板４まで移動させ、基板
４上に結晶成長を行つた。この際、るつぼ１１の
回転は、回転棒１５を矢印方向Ｄに回転させるこ
とにより行なう。
る。１１は本発明に用いられる白金るつぼであ
り、るつぼ上端部１１ａの内周面に基板４が取り
付けられる。るつぼ底部には融液２が入つてお
り、るつぼ１１を高速で回転させることにより遠
心力によつて融液２を基板４まで移動させ、基板
４上に結晶成長を行つた。この際、るつぼ１１の
回転は、回転棒１５を矢印方向Ｄに回転させるこ
とにより行なう。
具体的には、原料のフラツクス成分として
PBO、B2O3を用い、ガーネツト成分として
Y2O3、Gd2O3、Fe2O3を用いた。基板は
Gd3Ga5O12の直径３インチ、厚さ380μｍのものを
使つた。結晶成長温度は、890℃、結晶成長速度
0.35μｍ／min、るつぼ回転速度400rpmにおいて
育成を行つた。この結果、目標とする膜厚15μｍ
を得るのに45分間で育成が終了し、計算値の時間
とほぼ同等であつた。また、片面のみに均一な膜
（±0.1μｍ）が得られた。
PBO、B2O3を用い、ガーネツト成分として
Y2O3、Gd2O3、Fe2O3を用いた。基板は
Gd3Ga5O12の直径３インチ、厚さ380μｍのものを
使つた。結晶成長温度は、890℃、結晶成長速度
0.35μｍ／min、るつぼ回転速度400rpmにおいて
育成を行つた。この結果、目標とする膜厚15μｍ
を得るのに45分間で育成が終了し、計算値の時間
とほぼ同等であつた。また、片面のみに均一な膜
（±0.1μｍ）が得られた。
（発明の効果）
以上、説明したごとく本発明に、液相エピタキ
シヤル法により結晶成長を行う方法において、る
つぼの上端部の内周面に基板を取りつけ、るつぼ
内の融液を遠心力により前記基板に接着させるこ
とにより、多数枚の基板を育成する場合でも、基
板の片面へ均一に単結晶膜を成長させることがで
きる。
シヤル法により結晶成長を行う方法において、る
つぼの上端部の内周面に基板を取りつけ、るつぼ
内の融液を遠心力により前記基板に接着させるこ
とにより、多数枚の基板を育成する場合でも、基
板の片面へ均一に単結晶膜を成長させることがで
きる。
更に、本願発明では、るつぼ上端部の内周面に
基板を取り付けるので、基板を取り付けるための
基板取り付け治具（第３図の５）や、該基板取り
付け治具の上下を行う機構が不要となる。又、本
願発明では、るつぼ上端部の内周面に基板を取り
付けるので、るつぼ内の融液と基板との間の温度
差が少なく、基板と融液とが接触する際の温度変
化が少なくなり、温度変化による品質の良い結晶
を得ることができる。加えて、第３図の従来例の
場合、融液は、前記基板取り付け治具にも接触す
るが、本願発明では、融液は、るつぼとしか接触
しないので、不純物の混入がない。
基板を取り付けるので、基板を取り付けるための
基板取り付け治具（第３図の５）や、該基板取り
付け治具の上下を行う機構が不要となる。又、本
願発明では、るつぼ上端部の内周面に基板を取り
付けるので、るつぼ内の融液と基板との間の温度
差が少なく、基板と融液とが接触する際の温度変
化が少なくなり、温度変化による品質の良い結晶
を得ることができる。加えて、第３図の従来例の
場合、融液は、前記基板取り付け治具にも接触す
るが、本願発明では、融液は、るつぼとしか接触
しないので、不純物の混入がない。
第１図は本発明に用いる液相エピタキシヤル炉
の断面図、第２図は従来の液相エピタキシヤル炉
の断面図、第３図は従来の基板の白金治具に対す
る取り付け状態を示した図である。 １は炉本体、２は融液、３はるつぼ、４はガー
ネツト基板、５は白金治具、７はヒータ、８はる
つぼ支持台、１０は炉心管、１１はるつぼ、１５
は回転棒である。
の断面図、第２図は従来の液相エピタキシヤル炉
の断面図、第３図は従来の基板の白金治具に対す
る取り付け状態を示した図である。 １は炉本体、２は融液、３はるつぼ、４はガー
ネツト基板、５は白金治具、７はヒータ、８はる
つぼ支持台、１０は炉心管、１１はるつぼ、１５
は回転棒である。
Claims (1)
- １ るつぼ底部に融液を収容したるつぼを用いて
液相エピタキシヤル法により基板上に単結晶膜を
得る結晶成長方法において、前記るつぼの前記る
つぼ底部より上方に位置するるつぼ上端部の内周
面に前記基板を取り付け、前記るつぼを回転させ
ることにより、前記融液を遠心力により前記るつ
ぼ上端部の前記内周面まで移動させて前記基板に
接触させ、該基板上に単結晶膜を成長させること
を特徴とする液相エピタキヤル育成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21314187A JPS6456396A (en) | 1987-08-28 | 1987-08-28 | Liquid phase epitaxial growth method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21314187A JPS6456396A (en) | 1987-08-28 | 1987-08-28 | Liquid phase epitaxial growth method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6456396A JPS6456396A (en) | 1989-03-03 |
| JPH0569080B2 true JPH0569080B2 (ja) | 1993-09-30 |
Family
ID=16634255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21314187A Granted JPS6456396A (en) | 1987-08-28 | 1987-08-28 | Liquid phase epitaxial growth method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6456396A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5186079A (en) * | 1975-01-27 | 1976-07-28 | Hitachi Ltd | Ekisoseichohoho oyobi sochi |
-
1987
- 1987-08-28 JP JP21314187A patent/JPS6456396A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6456396A (en) | 1989-03-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4293371A (en) | Method of making magnetic film-substrate composites | |
| JPH0569080B2 (ja) | ||
| Shick et al. | Liquid‐Phase Homoepitaxial Growth of Rare‐Earth Orthoferrites | |
| US4191365A (en) | Horizontal/inclined substrate holder for liquid phase epitaxy | |
| Blank et al. | Single Crystal Growth of Yttrium Orthoferrite by a Seeded Bridgman Technique | |
| JPH10338594A (ja) | 引き上げ法による単結晶育成装置 | |
| JPH01230498A (ja) | ガーネット膜の形成方法 | |
| JPS5812228B2 (ja) | 結晶育成装置と結晶成長方法 | |
| JPS63144189A (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS6360195A (ja) | 液晶エピタキシヤル成長方法 | |
| JPS61202411A (ja) | 液相エピタキシヤル成長法 | |
| JPH05330979A (ja) | 液相エピタキシャル成長装置 | |
| JPH0556319B2 (ja) | ||
| JP3806966B2 (ja) | 磁性ガーネット単結晶の製造方法 | |
| JPS61174192A (ja) | 結晶成長方法 | |
| JPS62275089A (ja) | 結晶成長法 | |
| JPS61151090A (ja) | ガ−ネツト膜の結晶成長方法 | |
| JPH068239B2 (ja) | 液相エピタキシヤル育成法 | |
| JPH11171690A (ja) | 酸化物単結晶育成用ホルダー | |
| JPH08253394A (ja) | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶育成用の液相エピタキシャル装置 | |
| JPH03109288A (ja) | ガーネット厚膜の育成方法 | |
| JPH05229893A (ja) | 液相エピタキシャル成長装置 | |
| JPS63233094A (ja) | 液相エピタキシヤル育成方法 | |
| JPH06157189A (ja) | 単結晶育成装置 | |
| JPH06345589A (ja) | 液相エピタキシャル成長装置 |