JPH07318619A - Ｉｃ不良解析装置及び荷電粒子ビームテスタ - Google Patents
Ｉｃ不良解析装置及び荷電粒子ビームテスタInfo
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- JPH07318619A JPH07318619A JP6111214A JP11121494A JPH07318619A JP H07318619 A JPH07318619 A JP H07318619A JP 6111214 A JP6111214 A JP 6111214A JP 11121494 A JP11121494 A JP 11121494A JP H07318619 A JPH07318619 A JP H07318619A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 荷電粒子ビームテスタによってＩＣ内の電位
コントラスト像を取得し、電位コントラスト像からＩＣ
内の欠陥個所を特定するＩＣ不良解析装置において、欠
陥個所の発見を迅速にしかも容易に行うことができるＩ
Ｃ不良解析装置を提供する。 【構成】 電位コントラスト像を取得する画像データ取
得装置に試験パターンのアドレス情報を取り込む手段を
設け、このアドレス情報取得手段によって取得したアド
レス情報をステージ位置情報と共に電位コントラスト像
に付加して大容量記憶手段に記憶し、必要に応じて読み
出すことができる構成とした。
コントラスト像を取得し、電位コントラスト像からＩＣ
内の欠陥個所を特定するＩＣ不良解析装置において、欠
陥個所の発見を迅速にしかも容易に行うことができるＩ
Ｃ不良解析装置を提供する。 【構成】 電位コントラスト像を取得する画像データ取
得装置に試験パターンのアドレス情報を取り込む手段を
設け、このアドレス情報取得手段によって取得したアド
レス情報をステージ位置情報と共に電位コントラスト像
に付加して大容量記憶手段に記憶し、必要に応じて読み
出すことができる構成とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はＩＣ内部の不良位置を
解析することができるＩＣ不良解析装置及び荷電粒子ビ
ームテスタに関する。
解析することができるＩＣ不良解析装置及び荷電粒子ビ
ームテスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ試験装置はＩＣのパッチージの外側
に導出された各端子ピンに接続されている回路が正常に
動作するか否かを試験する。従ってＩＣ試験装置で不良
と判定されたＩＣはどの端子ピンが不良であるかが解
る。しかしながらＩＣの内部において、どこの部分に欠
陥が有るかを知ることはできない。ＩＣ内部において、
どの部分に欠陥が有るか否かを調べるには、一般に荷電
粒子ビームテスタが用いられる。荷電粒子ビームテスタ
は例えば電子ビームのような荷電粒子ビームを被試験素
子のチップに照射し、その照射点を走査させて面走査さ
せ、各照射点で放出される２次電子の量で得られる信号
を電位コントラスト像として取り込み、この電位コント
ラスト像を例えばハードディスクのような大容量記憶手
段に記憶させ、必要に応じて読み出すことにより、所望
のチップ内位置の電位コントラスト像を表示することが
できる。
に導出された各端子ピンに接続されている回路が正常に
動作するか否かを試験する。従ってＩＣ試験装置で不良
と判定されたＩＣはどの端子ピンが不良であるかが解
る。しかしながらＩＣの内部において、どこの部分に欠
陥が有るかを知ることはできない。ＩＣ内部において、
どの部分に欠陥が有るか否かを調べるには、一般に荷電
粒子ビームテスタが用いられる。荷電粒子ビームテスタ
は例えば電子ビームのような荷電粒子ビームを被試験素
子のチップに照射し、その照射点を走査させて面走査さ
せ、各照射点で放出される２次電子の量で得られる信号
を電位コントラスト像として取り込み、この電位コント
ラスト像を例えばハードディスクのような大容量記憶手
段に記憶させ、必要に応じて読み出すことにより、所望
のチップ内位置の電位コントラスト像を表示することが
できる。
【０００３】図２に従来のこの種のＩＣ不良解析装置の
概略の構成を示す。図中１００はＩＣ不良解析装置の全
体を示す。ＩＣ不良解析装置１００は大きく分けて、試
験パターン発生器２００と、荷電粒子ビームテスタ３０
０とによって構成される。荷電粒子ビームは一般に電子
ビームを用いるが、その他の荷電粒子ビームを用いる場
合もある。
概略の構成を示す。図中１００はＩＣ不良解析装置の全
体を示す。ＩＣ不良解析装置１００は大きく分けて、試
験パターン発生器２００と、荷電粒子ビームテスタ３０
０とによって構成される。荷電粒子ビームは一般に電子
ビームを用いるが、その他の荷電粒子ビームを用いる場
合もある。
【０００４】試験パターン発生器２００は荷電粒子ビー
ムテスタ３００に装着した被試験素子ＤＵＴに試験パタ
ーン信号を与える。試験パターン発生器２００は試験パ
ターンの発生を開始させるスタートスイッチ２０１と、
任意の時点で試験パターンの発生を停止させることに用
いるストップスイッチ２０２と、特定した試験パターン
が発生したとき試験パターンの更新を停止させるための
停止パターン設定手段２０３と、この停止パターン設定
手段２０３に設定した試験パターンが発生したことを検
出して試験パターンの更新を停止させるパターン保持手
段２０４とを具備し、試験パターン信号の発生開始制御
と、停止制御及び特定の試験パターンにおいて試験パタ
ーンの更新動作を停止させる制御を行うことができるよ
うに構成されている。
ムテスタ３００に装着した被試験素子ＤＵＴに試験パタ
ーン信号を与える。試験パターン発生器２００は試験パ
ターンの発生を開始させるスタートスイッチ２０１と、
任意の時点で試験パターンの発生を停止させることに用
いるストップスイッチ２０２と、特定した試験パターン
が発生したとき試験パターンの更新を停止させるための
停止パターン設定手段２０３と、この停止パターン設定
手段２０３に設定した試験パターンが発生したことを検
出して試験パターンの更新を停止させるパターン保持手
段２０４とを具備し、試験パターン信号の発生開始制御
と、停止制御及び特定の試験パターンにおいて試験パタ
ーンの更新動作を停止させる制御を行うことができるよ
うに構成されている。
【０００５】一方、荷電粒子ビームテスタ３００は被試
験素子ＤＵＴに荷電粒子ビームＥＢを照射する鏡筒部３
０１と、この鏡筒部３０１の下部に設けられ、被試験素
子ＤＵＴを真空中に配置するチャンバ３０２と、このチ
ャンバ３０２の内部に設けられ、被試験素子ＤＵＴの位
置をＸ−Ｙ方向に移動させるステージ３０３と、被試験
素子ＤＵＴから発生する２次電子の量を計測するための
センサ３０４と、センサ３０４によって検出した電気信
号をパターン発生器２００が発生する試験パターンが所
定の試験パターンに達したとき画像データとして取り込
む画像データ取得装置３０５と、画像データ取得装置３
０５で取り込んだ画像データを電位コントラスト像とし
て表示するモニタ３０６と、荷電粒子ビームＥＢの出射
及びその出射量（電流値）、加速電圧、走査速度、走査
面積等を制御する鏡筒制御器３０７と、画像データ取得
装置３０５で取り込んだ画像データを１画面ずつ記憶す
る例えばハードディスクのような大容量記憶手段３０８
と、チャンバ３０２の内部に配置したステージ３０３を
移動させるステージ制御器３０９と、ステージ位置情報
取得手段３１０とによって構成される。
験素子ＤＵＴに荷電粒子ビームＥＢを照射する鏡筒部３
０１と、この鏡筒部３０１の下部に設けられ、被試験素
子ＤＵＴを真空中に配置するチャンバ３０２と、このチ
ャンバ３０２の内部に設けられ、被試験素子ＤＵＴの位
置をＸ−Ｙ方向に移動させるステージ３０３と、被試験
素子ＤＵＴから発生する２次電子の量を計測するための
センサ３０４と、センサ３０４によって検出した電気信
号をパターン発生器２００が発生する試験パターンが所
定の試験パターンに達したとき画像データとして取り込
む画像データ取得装置３０５と、画像データ取得装置３
０５で取り込んだ画像データを電位コントラスト像とし
て表示するモニタ３０６と、荷電粒子ビームＥＢの出射
及びその出射量（電流値）、加速電圧、走査速度、走査
面積等を制御する鏡筒制御器３０７と、画像データ取得
装置３０５で取り込んだ画像データを１画面ずつ記憶す
る例えばハードディスクのような大容量記憶手段３０８
と、チャンバ３０２の内部に配置したステージ３０３を
移動させるステージ制御器３０９と、ステージ位置情報
取得手段３１０とによって構成される。
【０００６】電位コントラスト像の取得は例えば次のよ
うにして行われる。不良品と特定された被試験素子は不
良ピン番号から、チップ内の電極位置を特定することが
できる。チップ内の欠陥個所の検索は多くの場合、この
電位位置から始められる。ステージ３０３をステージ制
御器３０９で制御し、その特定された電極１が荷電粒子
ビームＥＢの照射領域に入る位置にステージ３０３を移
動させる。
うにして行われる。不良品と特定された被試験素子は不
良ピン番号から、チップ内の電極位置を特定することが
できる。チップ内の欠陥個所の検索は多くの場合、この
電位位置から始められる。ステージ３０３をステージ制
御器３０９で制御し、その特定された電極１が荷電粒子
ビームＥＢの照射領域に入る位置にステージ３０３を移
動させる。
【０００７】図３に示すＡ１はチップ内の電極部分で取
得した電位コントラスト像を示す。１はチップに形成さ
れた電極、２はこの電極１とパッチージ側に植設した端
子ピンとの間を電気的に接続するボンディングワイヤを
示す。電位コントラスト像Ａ１を取得した状態のステー
ジ３０３のステージ位置情報（ＸA ，ＹA ）をステージ
位置情報取得手段３１０で取得し、このステージ位置情
報取得手段３１０で取得したステージ位置情報（ＸA ，
ＹA ）を画像データ取得装置３０５で電位コントラスト
像Ａ１に付加した大容量記憶手段３０８に記憶する。な
お、ステージ位置情報は例えばステージ３０３を移動さ
せるパルスモータに与えるパルスの数で取得することが
できる。
得した電位コントラスト像を示す。１はチップに形成さ
れた電極、２はこの電極１とパッチージ側に植設した端
子ピンとの間を電気的に接続するボンディングワイヤを
示す。電位コントラスト像Ａ１を取得した状態のステー
ジ３０３のステージ位置情報（ＸA ，ＹA ）をステージ
位置情報取得手段３１０で取得し、このステージ位置情
報取得手段３１０で取得したステージ位置情報（ＸA ，
ＹA ）を画像データ取得装置３０５で電位コントラスト
像Ａ１に付加した大容量記憶手段３０８に記憶する。な
お、ステージ位置情報は例えばステージ３０３を移動さ
せるパルスモータに与えるパルスの数で取得することが
できる。
【０００８】被試験素子ＤＵＴに試験パータン発生器２
００から試験パターンを順次与え、被試験素子ＤＵＴを
動作させる。このとき被試験素子ＤＵＴに与える試験パ
ターンを数１００パターン程度与えて或るは特定した試
験パターンで停止させると共に、試験パータンの起動・
停止ごとに電源電圧を、例えば正規の５Ｖを４Ｖに切り
換える操作を行う、５Ｖの動作時と４Ｖの動作時とで同
一の動作を行っている配線パターンは灰色になって電位
コントラスト像として見え難くなる。これに対し、５Ｖ
時と４Ｖ時とで電位に違いが生じた配線パターンは電位
の違いが例えばＨからＬに変化した場合、ＬからＨに変
化した場合によって白か黒かに強調して見えて来る。停
止する試験パターンを各種選択すると、強調の度合いが
変わるため停止パターン設定手段２０３に設定する試験
パターンを各種変更して良く見えるパターンを選択す
る。この現象を利用したＩＣ試験装置は既に本出願人に
より「特願平５−３０１６１８号」により提案されてい
る。
００から試験パターンを順次与え、被試験素子ＤＵＴを
動作させる。このとき被試験素子ＤＵＴに与える試験パ
ターンを数１００パターン程度与えて或るは特定した試
験パターンで停止させると共に、試験パータンの起動・
停止ごとに電源電圧を、例えば正規の５Ｖを４Ｖに切り
換える操作を行う、５Ｖの動作時と４Ｖの動作時とで同
一の動作を行っている配線パターンは灰色になって電位
コントラスト像として見え難くなる。これに対し、５Ｖ
時と４Ｖ時とで電位に違いが生じた配線パターンは電位
の違いが例えばＨからＬに変化した場合、ＬからＨに変
化した場合によって白か黒かに強調して見えて来る。停
止する試験パターンを各種選択すると、強調の度合いが
変わるため停止パターン設定手段２０３に設定する試験
パターンを各種変更して良く見えるパターンを選択す
る。この現象を利用したＩＣ試験装置は既に本出願人に
より「特願平５−３０１６１８号」により提案されてい
る。
【０００９】従って白か黒かに見えて来る配線パターン
３を追って電位コントラスト像をＡ２，Ａ３，Ａ４の順
に取得し、欠陥個所をつきとめる。各電位コントラスト
像Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４の取得時のステージ停止情報
を（ＸA ，ＹA ），（ＸB ，ＹB ），（ＸC ，ＹC ），
（ＸD ，ＹD ）としてステージ位置情報取得手段３１０
で取得し、各電位コントラスト像の画像データに付加し
て大容量記憶手段３０８に記憶する。
３を追って電位コントラスト像をＡ２，Ａ３，Ａ４の順
に取得し、欠陥個所をつきとめる。各電位コントラスト
像Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４の取得時のステージ停止情報
を（ＸA ，ＹA ），（ＸB ，ＹB ），（ＸC ，ＹC ），
（ＸD ，ＹD ）としてステージ位置情報取得手段３１０
で取得し、各電位コントラスト像の画像データに付加し
て大容量記憶手段３０８に記憶する。
【００１０】このように各電位コントラスト像を取得す
るごとに、ステージ３０３の停止位置情報も取り込んで
記憶しておくことにより、例えば良品について同一の配
線パターン３の電位コントラスト像を取得する場合に、
このステージ位置情報を利用すれば良品と不良品につい
て同一位置で電位コントラスト像Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ
４を取得することができる。よって各電位コントラスト
像を良品と不良品に関して比較することにより容易に欠
陥部分を見つけることができる。
るごとに、ステージ３０３の停止位置情報も取り込んで
記憶しておくことにより、例えば良品について同一の配
線パターン３の電位コントラスト像を取得する場合に、
このステージ位置情報を利用すれば良品と不良品につい
て同一位置で電位コントラスト像Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ
４を取得することができる。よって各電位コントラスト
像を良品と不良品に関して比較することにより容易に欠
陥部分を見つけることができる。
【００１１】また他の利用方法としては不良と疑わしい
配線パターン３に沿って順次電位コントラスト像を取得
していく過程において、配線パターン３がＢ点で分岐し
たとすると、その分岐点Ｂから一方に分岐して電位コン
トラスト像Ａ４……のように欠陥部分を探した結果、欠
陥部分が見つからなかった場合には分岐点Ｂに戻らなけ
ればならないが、分岐点Ｂを含む電位コントラスト像Ａ
３は既に取得してあり、その場合のステージ位置情報を
（ＸC ，ＹC ）として記憶してあるから、ステージ３０
３を直ちにこの分岐点Ｂに戻すことができる。
配線パターン３に沿って順次電位コントラスト像を取得
していく過程において、配線パターン３がＢ点で分岐し
たとすると、その分岐点Ｂから一方に分岐して電位コン
トラスト像Ａ４……のように欠陥部分を探した結果、欠
陥部分が見つからなかった場合には分岐点Ｂに戻らなけ
ればならないが、分岐点Ｂを含む電位コントラスト像Ａ
３は既に取得してあり、その場合のステージ位置情報を
（ＸC ，ＹC ）として記憶してあるから、ステージ３０
３を直ちにこの分岐点Ｂに戻すことができる。
【００１２】従って電位コントラスト像を取得するごと
に、ステージ位置情報を記憶しておくことにより、欠陥
個所を探す作業を簡素化することができる利点が得られ
る。
に、ステージ位置情報を記憶しておくことにより、欠陥
個所を探す作業を簡素化することができる利点が得られ
る。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】従来は電位コントラス
ト像に付加するデータはステージ３０３の位置情報だけ
であった。このため不良品の電位コントラスト像を順次
取得した後、良品の電位コントラスト像をそれぞれ同一
のステージ位置で取得する場合、取得条件の一つとなる
試験パターンを同一の試験パターンに合致させることが
できない不都合が生じる。つまり電位コントラスト像を
取得する場合に印加されている試験パターンが良品と不
良品で一致していない場合は、配線パターンに与えられ
る電位が良品と不良品との間で一致しないため、不良と
疑わしい配線パターンの白と黒の強調表示も一致しなく
なるため、不良の判定がむずかしくなる不都合がある。
ト像に付加するデータはステージ３０３の位置情報だけ
であった。このため不良品の電位コントラスト像を順次
取得した後、良品の電位コントラスト像をそれぞれ同一
のステージ位置で取得する場合、取得条件の一つとなる
試験パターンを同一の試験パターンに合致させることが
できない不都合が生じる。つまり電位コントラスト像を
取得する場合に印加されている試験パターンが良品と不
良品で一致していない場合は、配線パターンに与えられ
る電位が良品と不良品との間で一致しないため、不良と
疑わしい配線パターンの白と黒の強調表示も一致しなく
なるため、不良の判定がむずかしくなる不都合がある。
【００１４】この発明の目的は良品と不良品について同
一ステージ位置でしかも同一試験パターンによって良品
と不良品の電位コントラスト像を取得することができる
ＩＣ不良解析装置を提供しようとするものである。
一ステージ位置でしかも同一試験パターンによって良品
と不良品の電位コントラスト像を取得することができる
ＩＣ不良解析装置を提供しようとするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この発明では、大容量記
憶手段に順次電位コントラスト像を取り込む際に、ステ
ージ位置情報の外に、試験パターンに関するアドレス情
報をも電位コントラスト像に付加して記憶する構成とす
るものである。この発明の構成によれば、例えば不良品
の不良と疑われる配線パターンに沿って順次電位コント
ラスト像を取得する際に、各電位コントラスト像に、そ
の取得時のステージ位置情報と試験パターンのアドレス
情報を記憶する。この結果、ステージに良品を載せ、良
品から同一ステージ位置ごとに電位コントラスト像を取
得する際に、そのとき与える試験パターン信号も同一の
試験パターン信号とすることができるから、良品と不良
品の電位コントラスト像の比較を容易に行うことができ
る利点が得られる。
憶手段に順次電位コントラスト像を取り込む際に、ステ
ージ位置情報の外に、試験パターンに関するアドレス情
報をも電位コントラスト像に付加して記憶する構成とす
るものである。この発明の構成によれば、例えば不良品
の不良と疑われる配線パターンに沿って順次電位コント
ラスト像を取得する際に、各電位コントラスト像に、そ
の取得時のステージ位置情報と試験パターンのアドレス
情報を記憶する。この結果、ステージに良品を載せ、良
品から同一ステージ位置ごとに電位コントラスト像を取
得する際に、そのとき与える試験パターン信号も同一の
試験パターン信号とすることができるから、良品と不良
品の電位コントラスト像の比較を容易に行うことができ
る利点が得られる。
【００１６】また不良と疑われる配線パターンが分岐し
ている場合に、分岐点に戻る際も、分岐点で電位コント
ラスト像を取得した際の試験パターンを知ることができ
るから、分岐点から他に分岐する配線パターンに沿って
電位コントラスト像を取得する際の出発点の試験パター
ンを直ちに特定できるから、分岐点で先に取得した電位
コントラスト像の試験パターンを調べる必要がない。よ
って不良個所を探す作業を迅速に行うことができる。
ている場合に、分岐点に戻る際も、分岐点で電位コント
ラスト像を取得した際の試験パターンを知ることができ
るから、分岐点から他に分岐する配線パターンに沿って
電位コントラスト像を取得する際の出発点の試験パター
ンを直ちに特定できるから、分岐点で先に取得した電位
コントラスト像の試験パターンを調べる必要がない。よ
って不良個所を探す作業を迅速に行うことができる。
【００１７】
【実施例】図１にこの発明の一実施例を示す。この発明
ではステージ制御器３０９から出力されるステージ位置
情報をステージ位置情報取得手段３１０で取得して画像
データ取得装置３０５に入力し、各ステージ位置で取得
される電位コントラスト像にステージ位置情報を付加す
ると共に、試験パターン発生器２００から出力されるパ
ターンアドレス信号をアドレス情報取得手段３１１で取
得して画像データ取得装置３０５に入力し、ステージ位
置情報と共にパターンアドレス情報をも電位コントラス
ト像に付加して大容量記憶手段３０８に記憶するように
構成する。
ではステージ制御器３０９から出力されるステージ位置
情報をステージ位置情報取得手段３１０で取得して画像
データ取得装置３０５に入力し、各ステージ位置で取得
される電位コントラスト像にステージ位置情報を付加す
ると共に、試験パターン発生器２００から出力されるパ
ターンアドレス信号をアドレス情報取得手段３１１で取
得して画像データ取得装置３０５に入力し、ステージ位
置情報と共にパターンアドレス情報をも電位コントラス
ト像に付加して大容量記憶手段３０８に記憶するように
構成する。
【００１８】なお、その他の付加データとしては、被試
験素子に付した番号、良品、不良品を表す符号、電位コ
ントラスト像の取得順位を表す番号、鏡筒制御器３０７
から出力される荷電粒子ビームＥＢの走査幅で決まる倍
率データ及び電位コントラスト像を取得する際に解像度
を向上させるために行う画像平均化処理に要した各種定
数等を記憶することができる。
験素子に付した番号、良品、不良品を表す符号、電位コ
ントラスト像の取得順位を表す番号、鏡筒制御器３０７
から出力される荷電粒子ビームＥＢの走査幅で決まる倍
率データ及び電位コントラスト像を取得する際に解像度
を向上させるために行う画像平均化処理に要した各種定
数等を記憶することができる。
【００１９】大容量記憶手段３０８に記憶した各電位コ
ントラスト像にはステージ位置情報と試験パターンのア
ドレス情報を付加してあるから、例えば図３に示した分
岐点Ｂあるいは最初の電極１の位置に戻る際に、電位コ
ントラスト像Ａ１に付加されているステージ位置情報を
ステージ制御器３０９に与えることにより、ステージ３
０３をその目標位置に戻すことができる。また読み出し
た試験パターンのアドレス情報は画像データ取得手段３
０５から停止パターン設定手段２０３に転送し、この停
止パターン設定手段２０３に停止パターンとして記憶さ
せることにより、自動的に目標位置における試験パター
ンの停止パターンを設定することができる。
ントラスト像にはステージ位置情報と試験パターンのア
ドレス情報を付加してあるから、例えば図３に示した分
岐点Ｂあるいは最初の電極１の位置に戻る際に、電位コ
ントラスト像Ａ１に付加されているステージ位置情報を
ステージ制御器３０９に与えることにより、ステージ３
０３をその目標位置に戻すことができる。また読み出し
た試験パターンのアドレス情報は画像データ取得手段３
０５から停止パターン設定手段２０３に転送し、この停
止パターン設定手段２０３に停止パターンとして記憶さ
せることにより、自動的に目標位置における試験パター
ンの停止パターンを設定することができる。
【００２０】よって例えば先に不良品の電位コントラス
ト像を不良と疑わしい配線パターンに沿って順次取得
し、その後、ステージ３０３に良品を搭載して良品も同
一位置の電位コントラスト像を取得する際に、不良品の
電位コントラスト像にステージ位置情報と試験パターン
のアドレス情報を記憶してあるから、これらの情報を利
用することによって良品の電位コントラスト像を同一取
得条件で取り込むことができる。
ト像を不良と疑わしい配線パターンに沿って順次取得
し、その後、ステージ３０３に良品を搭載して良品も同
一位置の電位コントラスト像を取得する際に、不良品の
電位コントラスト像にステージ位置情報と試験パターン
のアドレス情報を記憶してあるから、これらの情報を利
用することによって良品の電位コントラスト像を同一取
得条件で取り込むことができる。
【００２１】また、鏡筒制御器３０７の制御条件となる
倍率、電位コントラスト像の画質を向上させるための平
均化処理に要する係数等も合わせて記憶することによ
り、これらの条件も自動的に合致させることができる。
倍率、電位コントラスト像の画質を向上させるための平
均化処理に要する係数等も合わせて記憶することによ
り、これらの条件も自動的に合致させることができる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
被試験素子の欠陥部分の検索が容易に行えるようにな
り、また短時間に欠陥部分を特定することができるか
ら、ＩＣの開発期間の短縮あるいは大量生産ラインでの
大量不良発生原因の特定等を迅速に行うことができる利
点が得られる。
被試験素子の欠陥部分の検索が容易に行えるようにな
り、また短時間に欠陥部分を特定することができるか
ら、ＩＣの開発期間の短縮あるいは大量生産ラインでの
大量不良発生原因の特定等を迅速に行うことができる利
点が得られる。
【図１】この発明の一実施例を示すブロック図。
【図２】従来の技術を説明するためのブロック図。
【図３】従来の技術の動作を説明するための平面図。
１００ ＩＣ不良解析装置 ２００ 試験パターン発生器 ２０３ 停止パターン設定手段 ２０４ パターン保持手段 ３００ 荷電粒子ビームテスタ ３０１ 鏡筒部 ３０２ チャンバ ３０３ ステージ ３０４ センサ ３０５ 画像データ取得装置 ３０６ モニタ ３０７ 鏡筒制御器 ３０８ 大容量記憶手段 ３０９ ステージ制御器 ３１０ ステージ位置情報取得手段 ３１１ アドレス情報取得手段 Ａ１〜Ａ４ 電位コントラスト像
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｃ 7630−4Ｍ
Claims (3)
- 【請求項１】 被試験素子に荷電粒子ビームを照射し、
照射点を面走査させ、走査領域内に存在する配線パータ
ンから放出される２次電子の量を画像信号として取り込
むことにより、各配線パターンの電位を電位コントラス
ト像として取得すると共に、上記被試験素子を搭載して
ステージを移動させて電位コントラスト像の取得位置を
移動させ、被試験素子内の所望の位置の電位コントラス
ト像を取得することができる。構造のＩＣ不良解析装置
において、 電位コントラスト像を取得するごとに、各電位コントラ
スト像にステージの停止位置を表すステージ位置情報
と、電位コントラスト像取得時の試験パターンのアドレ
ス情報とから成る取得条件データを付加して大容量記憶
手段に記憶することを特徴とするＩＣ不良解析装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の大容量記憶手段に記憶し
た電位コントラスト像の何れかを指定することにより、
指定された電位コントラスト像に付加されている取得条
件データによりステージの位置、被試験素子に与える試
験パターンを、その電位コントラスト像の取得時と同一
条件に設定可能としたことを特徴とするＩＣ不良解析装
置。 - 【請求項３】 請求項１記載のＩＣ不良解析装置は被試
験素子に試験パターンを与える試験パターン発生器と、
荷電粒子ビームテスタとによって構成され、荷電粒子ビ
ームテスタに電位コントラスト像の取得ごとに上記試験
パターン発生器が出力する試験パターンのアドレス信号
を取得するパターンアドレス取得手段と、ステージ制御
器から出力されるステージ位置情報取得手段とを設けた
ことを特徴とする荷電粒子ビームテスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6111214A JPH07318619A (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | Ｉｃ不良解析装置及び荷電粒子ビームテスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6111214A JPH07318619A (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | Ｉｃ不良解析装置及び荷電粒子ビームテスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07318619A true JPH07318619A (ja) | 1995-12-08 |
Family
ID=14555423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6111214A Pending JPH07318619A (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | Ｉｃ不良解析装置及び荷電粒子ビームテスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07318619A (ja) |
-
1994
- 1994-05-25 JP JP6111214A patent/JPH07318619A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030624 |