JPH07320248A - Ｍｒヘッド用サーボ方法及びハードディスクシステム - Google Patents

Ｍｒヘッド用サーボ方法及びハードディスクシステム

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JPH07320248A
JPH07320248A JP6108781A JP10878194A JPH07320248A JP H07320248 A JPH07320248 A JP H07320248A JP 6108781 A JP6108781 A JP 6108781A JP 10878194 A JP10878194 A JP 10878194A JP H07320248 A JPH07320248 A JP H07320248A
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  • Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)
  • Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 情報の未検出や誤検出を低減する。 【構成】 ＨＤＣ３０のコントローラ本体４０は駆動装
置２８に接続され、アームを所定角度旋回する。アーム
先端に位置するＭＲヘッドとして機能する記録素子及び
再生素子からなる磁気ヘッド２０Ａには本体４０からド
ライバ３６Ａ、スイッチ回路３２Ａを介してバイアス電
流が供給され、スイッチ回路３２Ａを介して検出器３８
Ａにおいてディスク１８Ａの磁界を検出する。スイッチ
回路３２Ａはスキュー角に応じたコントローラ本体４０
からの信号により磁気ヘッド２０Ａに供給する電流の極
性を反転する。従って、バイアス磁界の向きが変化し、
再生素子の実効感度位置が記録素子に近づき、オフトラ
ックを低減させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＭＲヘッド用サーボ方
法及びハードディスクシステムにかかり、特に、磁気抵
抗効果を有するＭＲヘッドを用いて情報を再生するとき
にＭＲヘッドを位置決めするＭＲヘッド用サーボ方法、
及びＭＲヘッドを備えたハードディスクシステムに関す
る。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】コンピ
ュータ等で用いられる膨大な情報を記録するための情報
記録媒体として、ハードディスクドライブユニット（以
下、ＨＤＤ装置という。）が実用化されている。このＨ
ＤＤ装置では、複数の磁気記録円盤（以下、ディスクと
いう。）を備え、このディスクに定められた所望のトラ
ック上に再生・記録ヘッド（以下、磁気ヘッドとい
う。）を位置させて、ディスクへの情報記録またはディ
スクからの情報読み取りを行っている。
【０００３】このＨＤＤ装置には、ディスクの所定位置
に磁気ヘッドを位置決めするために、ボイスコイルモー
ター（ＶＣＭ）を用いたロータリーアクチュエータが、
軽量、高速、低コストという点で広く用いられている。
このロータリーアクチュエータはディスク外に回転軸を
有し、先端部に配置された磁気ヘッドをディスク上に旋
回させて所定位置に位置決めしている。サーボ方式は、
各ディスク面のセクタごとに位置制御に必要なパター
ン、シリンダ番号やセクタ番号が記録されたセクタサー
ボ方式があり、特に小型のＨＤＤ装置に広く用いられて
いる。
【０００４】近年、このコンピュータ等での処理が多岐
に渡る点等を考慮してＨＤＤ装置の大容量化が加速して
いる。このようなＨＤＤ装置の大容量化を促進するた
め、再生・記録ヘッドの小型化が叫ばれており、本出願
人は、情報の記録・再生のための磁気ヘッドとして、Ｍ
Ｒヘッドを用いている。
【０００５】このＭＲヘッドは、再生素子と記録素子が
独立に形成され、再生素子としてＭＲ効果を有するＭＲ
素子と、記録素子としてインダクティブ薄膜ヘッドとか
ら構成されている。ＭＲ素子は、周知のように、磁界ま
たは磁化により電気抵抗が変化する磁気抵抗効果（ＭＲ
効果）を有する素子であり、ＭＲ素子近傍の磁界を検出
することができる。このＭＲ素子は、抵抗値の変化によ
って磁界を検出する際、感度と変化する磁界との直線性
を向上させるためにバイアス磁界を必要とする。このバ
イアス磁界を得るための一般的な方法として、シャント
バイアス方法またはソフトバイアス方法が用いられてい
る。
【０００６】シャントバイアス方式は、ＭＲ素子と平行
な導線（例えば一本）を配設し、この導線に電流を供給
することによって発生する磁界をＭＲ素子に付与する。
すなわち、ＭＲ素子に対しディスク面と垂直方向にバイ
アス磁界を与えるものである。一方、ソフトバイアス方
式は、ＭＲ素子と平行な軟磁性膜を配設し、ＭＲ素子に
再生動作のためのバイアス電流を与えたときに生じる磁
界によって軟磁性膜を磁化し、磁化により生ずる軟磁性
膜の磁界によってＭＲ素子にバイアス磁界を与えるもの
である。
【０００７】ところで、上記のようなＭＲヘッドをロー
タリーアクチュエータ式のＨＤＤ装置に搭載させたとき
には、ＭＲ素子と記録素子が必ずしも同じトラック位置
を通過しないことがある。一般に、記録素子の方が再生
素子（ＭＲ素子）よりトラック幅が大きいため、図示し
ないロータリーアクチュエータを旋回し、図１１（Ａ）
に示すように、ディスクの所定位置（例えば、ディスク
の最内周付近）でＭＲ素子１１０と記録素子１２０とを
略同一トラック上に並ぶように設計すると、再生可能な
トラック幅ＴR の領域が記録可能なトラック幅ＴW の領
域に含まれることになる。一方、ロータリーアクチュエ
ータを（例えば、ディスクの外周へ）旋回させると、旋
回に伴うスキュー角及びＭＲ素子１１０と記録素子１２
０との位置が異なることによって、図１１（Ｂ）に示す
ように、同一トラック上を通過しない、すなわち、再生
可能なトラック幅ＴR の領域が記録可能なトラック幅Ｔ
Wの領域にかかるのみで、含まれない領域を有すること
になる。従って、このようにＭＲ素子１１０と記録素子
１２０とが同一トラック上を通過しない場合には、再生
時と記録時に対応してヘッド位置を変えるサーボコント
ロール（所謂、マイクロジョグ）が必要となる。
【０００８】しかしながら、上記セクタサーボ方式を用
いた場合には、セクタ番号を再生するときに不具合が生
じてしまう。例えば、セクタ構成として、図１２に示す
ように、シリンダ番号、位置制御パターン、フォーマッ
ト時やそれ以後に記録されるセクタ番号及びデータとが
含まれているとすると、セクタ番号は、不良セクタの使
用を停止するために随時、書きかえられると共に、情報
の再生または情報の記録の区別なく、その処理直前に再
生されることが必須である。
【０００９】図１３（Ａ）に示すように、セクタ番号が
データと同一トラックＴrack上に記録されてセクタ領域
ＳＣ及びデータ領域Ｄが同一トラックＴrack上に形成さ
れる場合に、情報を記録しようとすると、記録素子１２
０がトラックＴrack上に位置するように制御されるた
め、ＭＲ素子１１０はトラックＴrackからオフトラック
したままの状態でセクタ領域ＳＣへ至り、データの直前
のセクタ番号が再生される。一方、情報を再生しようと
するときには、ＭＲ素子１１０がトラックＴrack上に位
置するように制御（図１３（Ａ）の想像線で示すよう
に）されるため、オフトラックすることがなく、同一の
トラックＴrackからセクタ番号及びデータを再生でき
る。このように、情報の記録時におけるセクタ番号の再
生時には著しくオフトラックする。
【００１０】また、図１３（Ｂ）に示すように、セクタ
領域ＳＣ及びデータ領域Ｄを記録素子１２０とＭＲ素子
１１０に一致するようにオフセットさせて記録した場合
には、情報の記録時に問題はないが、情報の再生時にＭ
Ｒ素子１１０がトラックＴrack上、すなわち、データ領
域Ｄに位置するように制御（図１３（Ｂ）の想像線で示
すように）されるので、ＭＲ素子１１０はトラックＴra
ckからオフトラックしたままの状態でセクタ領域ＳＣへ
至り、セクタ番号はオフトラックして読まれることにな
る。
【００１１】これを解消するために、図１３（Ｃ）に示
すように、セクタ領域ＳＣを記録素子１２０とＭＲ素子
１１０から等量だけオフトラックするように記録し、最
もオフトラックした状態でも、図１３（Ａ）に示したセ
クタ番号がデータと同一トラックＴrack上に記録された
場合の半分のオフトラックでセクタ番号を再生できるよ
うにした構成が考えられている。
【００１２】このように、記録素子と再生素子とを別個
の素子を有するＭＲヘッドをロータリーアクチュエー
タ、セクタサーボ方式のＨＤＤ装置に用いた場合には、
セクタ番号を、実験的な値として、０．２〜１．０μｍ
程度のずれに相当するオフトラック状態で再生しなけれ
ばならない。このため、セクタ番号の未検出や誤検出が
生じることがある。
【００１３】また、セクタサーボ方式のＨＤＤ装置に限
らず、ＭＲヘッドをＨＤＤ装置に用いた場合には、旋回
に伴うスキュー角及びＭＲ素子１１０と記録素子１２０
との位置が異なることによって、記録時と再生時とのト
ラック位置が異なることがあるため、セクタ番号の未検
出や誤検出が生じることがある。
【００１４】本発明は、上記事実を考慮して、ＭＲヘッ
ドによって未検出や誤検出の低減が可能に情報を再生す
ることができるＭＲヘッド用サーボ方法及びハードディ
スクシステムを得ることが目的である。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１に記載の発明のＭＲヘッド用サーボ方法は、
磁気抵抗効果を有しかつバイアス磁界が付与されると共
に該磁気抵抗効果を用いて情報を再生するための再生素
子と、該情報を記録するための記録素子とから構成され
るＭＲヘッドによって、複数の情報記録再生領域を有す
るトラックを備えた情報記録用ディスクから前記情報を
再生するときに前記再生素子を該当するトラックへ位置
決めするＭＲヘッド用サーボ方法であって、前記トラッ
クと前記再生素子との相対位置に応じて該再生素子に付
与する前記バイアス磁界の方向を変化させることを特徴
としている。
【００１６】請求項２に記載の発明のＭＲヘッド用サー
ボ方法は、磁気抵抗効果を有しかつバイアス磁界が付与
されると共に該磁気抵抗効果を用いて情報を再生するた
めの再生素子と、該情報を記録するための記録素子とか
ら構成されるＭＲヘッドによって、複数の情報記録再生
領域を有するトラックが半径方向に複数配列された情報
記録用ディスクから前記情報を再生するときに前記再生
素子を該当するトラックへ位置決めするＭＲヘッド用サ
ーボ方法であって、前記ＭＲヘッドが位置決めされる前
記半径方向の位置に応じて前記再生素子に付与する前記
バイアス磁界の方向を変化させることを特徴としてい
る。
【００１７】請求項３に記載の発明のＭＲヘッド用サー
ボ方法は、磁気抵抗効果を有しかつバイアス磁界が付与
されると共に該磁気抵抗効果を用いて情報を再生するた
めの再生素子と、該情報を記録するための記録素子とか
ら構成されるＭＲヘッドによって、複数の情報記録再生
領域を有するトラックが半径方向に複数配列された情報
記録用ディスクから前記情報を再生するときに前記再生
素子を該当するトラックへ位置決めするＭＲヘッド用サ
ーボ方法であって、前記トラックと前記再生素子との相
対位置及び前記ＭＲヘッドが位置決めされる前記半径方
向の位置に応じて前記再生素子に付与する前記バイアス
磁界の方向を変化させることを特徴としている。
【００１８】請求項４に記載の発明は、請求項１乃至請
求項３の何れか１項に記載のＭＲヘッド用サーボ方法で
あって、前記再生素子に付与するバイアス磁界として、
前記トラックと前記再生素子との予め定めた基準位置関
係に対応する第１方向のバイアス磁界と、前記基準位置
関係と異なる所定位置関係に対応する前記第１方向と異
なる第２方向のバイアス磁界とを定め、前記再生素子に
付与する前記バイアス磁界の方向を前記第１方向と前記
第２方向との間で変化させることを特徴としている。
【００１９】請求項５に記載の発明は、請求項１乃至請
求項３の何れか１項に記載のＭＲヘッド用サーボ方法で
あって、前記再生素子にバイアス磁界を付与するために
バイアス電流を供給し、該バイアス電流の極性を変化さ
せることによって前記再生素子に付与する前記バイアス
磁界の方向を変化させることを特徴としている。
【００２０】請求項６に記載の発明は、請求項１乃至請
求項３の何れか１項に記載のＭＲヘッド用サーボ方法で
あって、前記再生素子は、磁気抵抗効果を有しかつバイ
アス電流が供給される磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗
効果素子に供給されたバイアス電流によって磁化される
と共に該磁化により生ずる磁界によって該磁気抵抗効果
素子にバイアス磁界を付与する被磁化素子とから構成さ
れることを特徴としている。
【００２１】請求項７に記載の発明は、請求項１乃至請
求項３の何れか１項に記載のＭＲヘッド用サーボ方法で
あって、前記再生素子は、磁気抵抗効果を有する磁気抵
抗効果素子と、バイアス電流が供給されかつ供給された
バイアス電流によって該磁気抵抗効果素子にバイアス磁
界を付与する磁界付与素子とから構成されることを特徴
としている。
【００２２】請求項８に記載の発明のハードディスクシ
ステムは、磁気抵抗効果を有しかつバイアス磁界が付与
されると共に該磁気抵抗効果を用いて情報を再生するた
めの再生素子と、該情報を記録するための記録素子とか
ら構成されるＭＲヘッドと、前記ＭＲヘッドによって、
複数の情報記録再生領域を有するトラックを備えた情報
記録用ディスクから前記情報を再生するときに前記再生
素子を該当するトラックへ位置決めする位置決め手段
と、前記トラックと前記再生素子との相対位置に応じて
該再生素子に付与する前記バイアス磁界の方向を変化さ
せる磁界方向変化手段と、を備えている。
【００２３】請求項９に記載の発明のハードディスクシ
ステムは、磁気抵抗効果を有しかつバイアス磁界が付与
されると共に該磁気抵抗効果を用いて情報を再生するた
めの再生素子と、該情報を記録するための記録素子とか
ら構成されるＭＲヘッドと、前記ＭＲヘッドによって、
複数の情報記録再生領域を有するトラックが半径方向に
複数配列された情報記録用ディスクから前記情報を再生
するときに前記再生素子を該当するトラックへ位置決め
する位置決め手段と、前記ＭＲヘッドが位置決めされる
前記半径方向の位置に応じて前記再生素子に付与する前
記バイアス磁界の方向を変化させる磁界方向変化手段
と、を備えている。
【００２４】請求項１０に記載の発明のハードディスク
システムは、磁気抵抗効果を有しかつバイアス磁界が付
与されると共に該磁気抵抗効果を用いて情報を再生する
ための再生素子と、該情報を記録するための記録素子と
から構成されるＭＲヘッドと、前記ＭＲヘッドによっ
て、複数の情報記録再生領域を有するトラックが半径方
向に複数配列された情報記録用ディスクから前記情報を
再生するときに前記再生素子を該当するトラックへ位置
決めする位置決め手段と、前記トラックと前記再生素子
との相対位置及び前記ＭＲヘッドが位置決めされる前記
半径方向の位置に応じて前記再生素子に付与する前記バ
イアス磁界の方向を変化させる磁界方向変化手段と、を
備えている。
【００２５】請求項１１に記載の発明は、請求項８乃至
請求項１０の何れか１項に記載のハードディスクシステ
ムにおいて、前記磁界方向変化手段は、前記再生素子に
付与するバイアス磁界として、前記トラックと前記再生
素子との予め定めた基準位置関係に対応する第１方向の
バイアス磁界と、前記基準位置関係と異なる所定位置関
係に対応する前記第１方向と異なる第２方向のバイアス
磁界とを定め、前記再生素子に付与する前記バイアス磁
界の方向を前記第１方向と前記第２方向との間で変化さ
せることを特徴としている。
【００２６】請求項１２に記載の発明は、請求項８乃至
請求項１１の何れか１項に記載のハードディスクシステ
ムにおいて、前記再生素子にバイアス磁界を付与するた
めにバイアス電流を供給するバイアス電流供給手段をさ
らに備え、前記磁界方向変化手段は前記バイアス電流供
給手段のバイアス電流の極性を変化させることによって
前記再生素子に付与する前記バイアス磁界の方向を変化
させることを特徴としている。
【００２７】請求項１３に記載の発明は、請求項８乃至
請求項１１の何れか１項に記載のハードディスクシステ
ムにおいて、前記再生素子は、磁気抵抗効果を有しかつ
バイアス電流が供給される磁気抵抗効果素子と、該磁気
抵抗効果素子に供給されたバイアス電流によって磁化さ
れると共に該磁化により生ずる磁界によって該磁気抵抗
効果素子にバイアス磁界を付与する被磁化素子とから構
成されることを特徴としている。
【００２８】請求項１４に記載の発明は、請求項８乃至
請求項１１の何れか１項に記載のハードディスクシステ
ムにおいて、前記再生素子は、磁気抵抗効果を有する磁
気抵抗効果素子と、バイアス電流が供給されかつ供給さ
れたバイアス電流によって該磁気抵抗効果素子にバイア
ス磁界を付与する磁界付与素子とから構成されることを
特徴としている。
【００２９】
【作用】請求項１に記載した発明のＭＲヘッド用サーボ
方法では、複数の情報記録再生領域を有するトラックを
備えた情報記録用ディスクに対して情報を記録または再
生するために該当するトラックへＭＲヘッドを位置決め
する。ＭＲヘッドは、磁気抵抗効果を有しかつバイアス
磁界が付与されると共に該磁気抵抗効果を用いて情報を
再生するための再生素子と、該情報を記録するための記
録素子とから構成されている。情報記録用ディスクから
情報を再生するときには、再生素子を該当するトラック
へ位置決めする。この磁気抵抗効果を有する再生素子
は、付与される磁界の方向によって磁気抵抗効果の感度
が最も敏感になる位置が移動する。このため、位置決め
されたＭＲヘッドの再生素子とトラックとの相対位置に
応じて該再生素子に付与するバイアス磁界の方向を変化
させる。従って、磁気抵抗効果の感度が最も敏感になる
位置が、前記相対位置に応じて移動する。このため、ト
ラックに対して再生素子の位置にずれが生じた場合であ
っても、このずれに応じて再生素子では磁気抵抗効果の
感度が最も敏感になる位置が移動し、情報の読み取り不
良が軽減される。
【００３０】ここで、前記情報記録用ディスクは、一般
に磁気回転円盤で形成され、この磁気回転円盤の円周に
沿ってトラックが設けられている。このような、情報記
録用ディスクに対して円盤の中心以外に回転軸を有する
アーム等のヘッド保持手段によりＭＲヘッドを位置決め
する場合、情報記録用ディスクの外周付近、中腹付近及
び内周付近ではヘッド保持手段とトラックとのなす角度
が異なる。
【００３１】請求項２に記載した発明のＭＲヘッド用サ
ーボ方法では、複数の情報記録再生領域を有するトラッ
クが半径方向に複数配列された情報記録用ディスクから
情報を再生するときには、ＭＲヘッドが位置決めされる
半径方向の位置に応じて再生素子に付与するバイアス磁
界の方向を変化させる。従って、ＭＲヘッドが位置決め
されるトラックの半径方向の位置に応じたＭＲヘッド内
の再生素子と記録素子との相対関係、すなわち、情報記
録用ディスクの位置決めされたトラックに対する再生素
子の位置ずれに応じて磁気抵抗効果の感度が最も敏感に
なる位置が移動されるので、情報記録用ディスクの内周
側と外周側との位置決めされる位置によって情報の読み
取り不良が変化することがない。
【００３２】請求項３に記載の発明では、トラックと再
生素子との相対位置及びＭＲヘッドが位置決めされる半
径方向の位置に応じて再生素子に付与するバイアス磁界
の方向を変化させている。従って、前記請求項１及び請
求項２で説明したように、磁気抵抗効果の感度が最も敏
感になる位置が、前記相対位置に応じて移動し、トラッ
クに対して再生素子の位置にずれが生じた場合であって
も、このずれに応じて再生素子では磁気抵抗効果の感度
が最も敏感になる位置が移動して情報の読み取り不良が
軽減されると共に、情報記録用ディスクの位置決めされ
たトラックに対する再生素子の位置ずれに応じて磁気抵
抗効果の感度が最も敏感になる位置が移動されて情報記
録用ディスクの内周側と外周側との位置決めされる位置
によって情報の読み取り不良が変化することがない。
【００３３】また、前記再生素子に付与するバイアス磁
界として、請求項４に記載したように、前記トラックと
前記再生素子との予め定めた基準位置関係に対応する第
１方向のバイアス磁界と、基準位置関係と異なる所定位
置関係に対応する第１方向と異なる第２方向のバイアス
磁界とを定め、トラックと再生素子との相対位置に応じ
て該再生素子に付与するバイアス磁界の方向を第１方向
または第２方向の一方に変化させてもよい。この予め定
めた基準位置関係には、例えばトラックに対する再生素
子の位置にずれのない関係がある。このように基準位置
関係を定めた場合、この基準位置関係からずれる再生素
子の位置方向を一方向に定め、基準位置関係と異なる位
置関係のときに第２方向のバイアス磁界を付与すれば、
トラックに対する再生素子の位置にずれが生じた場合で
あってもトラックに対する再生素子の位置ずれに応じて
磁気抵抗効果の感度が最も敏感になる位置を移動でき
る。また、半径方向に複数のトラックを備えた情報記録
用ディスクから情報を再生する場合には、情報記録用デ
ィスクに対するＭＲヘッドの半径方向の移動に対して２
領域を設定し、一方の領域で第１方向のバイアス磁界を
再生素子に付与し、他方の領域で第２方向のバイアス磁
界を再生素子に付与すれば、ＭＲヘッドの半径方向の移
動の全ての領域に渡り平均的な磁気抵抗効果の感度を得
ることができる。
【００３４】前記ＭＲヘッドに付与するバイアス磁界を
生成するためには、バイアス電流の供給によってするこ
とが一般的である。このため、前記再生素子に付与する
バイアス磁界として、請求項５にも記載したように、前
記再生素子にバイアス磁界を付与するためのバイアス電
流を供給し、該バイアス電流の極性を変化させることに
よって再生素子に付与する前記バイアス磁界の方向を変
化させてもよい。従って、前記トラックと前記再生素子
との相対位置、及びＭＲヘッドが位置決めされる前記半
径方向の位置の少なくとも一方に応じて前記バイアス電
流の極性を変化させることによって前記再生素子に付与
されるバイアス磁界の方向が定まり、再生素子で磁気抵
抗効果の感度が最も敏感になる位置が移動し、情報の読
み取り不良が軽減される。
【００３５】前記ＭＲヘッドの再生素子は、請求項６に
記載したように、磁気抵抗効果を有しかつバイアス電流
が供給される磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子
に供給されたバイアス電流によって磁化されると共に該
磁化により生ずる磁界によって該磁気抵抗効果素子にバ
イアス磁界を付与する被磁化素子とから構成する、所謂
ソフトバイアス方式のＭＲヘッドを用いることができ
る。また、前記ＭＲヘッドの再生素子は、請求項７に記
載したように、磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子
と、バイアス電流が供給されかつ供給されたバイアス電
流によって該磁気抵抗効果素子に磁界を付与する磁界付
与素子とから構成する、所謂シャントバイアス方式のＭ
Ｒヘッドを用いることができる。
【００３６】前記のＭＲヘッド用サーボ方法は、請求項
８乃至請求項１４に記載したハードディスクシステムで
実現可能である。
【００３７】請求項８に記載したハードディスクシステ
ムのＭＲヘッドは、磁気抵抗効果を有しかつバイアス磁
界が付与されると共に該磁気抵抗効果を用いて情報を再
生するための再生素子と、該情報を記録するための記録
素子とから構成される。このＭＲヘッドによって、複数
の情報記録再生領域を有するトラックを備えた情報記録
用ディスクから情報を再生するときに位置決め手段によ
って再生素子を該当するトラックへ位置決めする。磁界
方向変化手段は、前記トラックと前記再生素子との相対
位置に応じて該再生素子に付与する前記バイアス磁界の
方向を変化させる。また、請求項９に記載したハードデ
ィスクシステムの位置決め手段は、ＭＲヘッドによっ
て、複数の情報記録再生領域を有するトラックが半径方
向に複数配列された情報記録用ディスクから前記情報を
再生するときに再生素子を該当するトラックへ位置決め
する。磁界方向変化手段は、前記ＭＲヘッドが位置決め
される半径方向の位置に応じて前記再生素子に付与する
前記バイアス磁界の方向を変化させる。さらに、請求項
１０に記載したハードディスクシステムの位置決め手段
は、ＭＲヘッドによって、複数の情報記録再生領域を有
するトラックが半径方向に複数配列された情報記録用デ
ィスクから前記情報を再生するときに前記再生素子を該
当するトラックへ位置決めする。磁界方向変化手段は、
トラックと再生素子との相対位置及びＭＲヘッドが位置
決めされる半径方向の位置に応じて再生素子に付与する
バイアス磁界の方向を変化させる。
【００３８】前記のハードディスクシステムにおいて、
請求項１１にも記載したように、前記磁界方向変化手段
は、前記再生素子に付与するバイアス磁界として、前記
トラックと前記再生素子との予め定めた基準位置関係に
対応する第１方向のバイアス磁界と、前記基準位置関係
と異なる所定位置関係に対応する前記第１方向と異なる
第２方向のバイアス磁界とを定め、前記再生素子に付与
する前記バイアス磁界の方向を前記第１方向と前記第２
方向との間で変化させることができる。また、請求項１
２にも記載したように、前記再生素子にバイアス磁界を
付与するためにバイアス電流を供給するバイアス電流供
給手段をさらに備え、前記磁界方向変化手段は前記バイ
アス電流供給手段のバイアス電流の極性を変化させるこ
とによって前記再生素子に付与する前記バイアス磁界の
方向を変化させてもよい。
【００３９】また、前記のハードディスクシステムにお
いて、請求項１３にも記載したように、前記再生素子
は、磁気抵抗効果を有しかつバイアス電流が供給される
磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子に供給された
バイアス電流によって磁化されると共に該磁化により生
ずる磁界によって該磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を
付与する被磁化素子とから構成してもよい。また、請求
項１４にも記載したように、前記再生素子は、磁気抵抗
効果を有する磁気抵抗効果素子と、バイアス電流が供給
されかつ供給されたバイアス電流によって該磁気抵抗効
果素子にバイアス磁界を付与する磁界付与素子とから構
成してもよい。
【００４０】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳
細に説明する。本実施例は、磁気記録円盤（ディスク）
に対して、セクタサーボ法によって磁気ヘッドを位置決
めするＨＤＤ装置１０に本発明を適用したものである。
【００４１】図２に示すように、本実施例に係るＨＤＤ
装置１０はシャフト１２を高速で回転させる駆動装置１
４を備えている。シャフト１２には、互いの軸線が一致
するように円筒状の支持体１６が取付けられており、支
持体１６の外周面には複数枚（図２では２枚）のディス
ク１８Ａ、１８Ｂが各々所定間隔隔てて取付けられてい
る。ディスク１８Ａ，１８Ｂは所定の厚み寸法の円盤状
とされており、各々硬質の材料で製作されかつ両面に磁
性材料が塗布されており、両面が記録面とされている。
ディスク１８Ａ，１８Ｂの中心部には支持体１６の外径
寸法とほぼ同径の孔が穿設されている。孔には支持体１
６が挿入されており、ディスク１８Ａ，１８Ｂは支持体
１６の外周面に固定されている。従って、駆動装置１４
によってシャフト１２が回転されると、ディスク１８
Ａ，１８Ｂは支持体１６と一体的に回転される。
【００４２】ディスク１８Ａ，１８Ｂの各々の記録面に
は、図３に示すようにディスク１８の半径方向に沿って
複数のサーボ領域５０が放射状に形成され、残りの領域
がデータトラック領域５２とされている。サーボ領域５
０には、データトラックの配列方向等を示すためのバー
ストパターン等のサーボ信号が記録され、また、パター
ンの開始を示す特殊コード（１μsec 程度の無信号領域
等）及び各データトラックのアドレス等を表すグレイコ
ード（巡回２進符号）が、データトラックに対応されて
記録されている。なお、サーボ領域５０の回転方向の終
端には、サーボ領域５０の終了を表す（セクタの開始を
表す）セクタパルス信号ＳＰを発生させるための情報が
記録されている。データトラック領域５２には複数のデ
ータトラックが半径方向に沿って同心円状にピッチＰで
形成されており、各データトラックは、後述する磁気ヘ
ッドによってディスク１８Ａ，１８Ｂの回転方向に沿っ
て情報が書き込まれる。
【００４３】上記ＨＤＤ装置１０は、ディスク１８Ａ，
１８Ｂの各々の記録面に対応して設けられた所定ヘッド
ギャップ幅及びギャップ長の磁気ヘッド２０Ａ〜２０Ｄ
を備えている。各磁気ヘッド２０Ａ〜２０Ｄは、ＭＲヘ
ッドとして機能すると共に、情報を読取るための再生素
子２１Ａ〜２１Ｄと、情報を書込むための記録素子１９
Ａ〜１９Ｄとから構成されている（図１参照、詳細は後
述）。磁気ヘッド２０Ａ〜２０Ｄの各々は、対応するア
クセスアーム２２Ａ〜２２Ｄの先端部に取付けられてお
り、ディスク１８Ａ，１８Ｂの対応する記録面から若干
（例えば 0.1〜0.2ミクロン程度）離れた位置に保持さ
れている。アクセスアーム２２Ａ〜２２Ｄのの後端部は
支持部２４に取り付けられている。支持部２４は、シャ
フト２６を介して駆動装置２８に取り付けられており、
駆動装置２８が所定角度だけ回動することによってアク
セスアーム２２Ａ〜２２Ｄが旋回するようになってい
る。このアクセスアーム２２Ａ〜２２Ｈの旋回によっ
て、各磁気ヘッド２０Ａ〜２０Ｄがディスク１８Ａ，１
８Ｂの各記録面上を半径方向（図３参照）に移動し、デ
ィスク１８Ａ〜１８Ｄの記録面上の所定部位に位置され
る。
【００４４】駆動装置２８は、ハードディスクコントロ
ーラ（以下、ＨＤＣという。）３０に接続されている。
このＨＤＣ３０は、後述するように磁気ヘッド２０Ａ〜
２０Ｄの各々にも接続されている（図１参照）。
【００４５】図１に示すように、ＨＤＣ３０はコントロ
ーラ本体４０を有している。コントローラ本体４０は、
デジタルアナログ変換器（Ｄ／Ａ）２８ａ、増幅回路
（ＡＭＰ）２８ｂ、及びボイスコイルモータ（ＶＣＭ）
２８ｃから構成される駆動装置２８に接続されている。
従って、コントローラ本体４０から出力されたデジタル
信号が、Ｄ／Ａ２８ａにおいてアナログ信号に変換さ
れ、ＡＭＰ２８ｂにおいて所定倍率で増幅された後に、
ＶＣＭ２８ｃへ供給される。ＶＣＭ２８ｃは供給された
信号に応じた所定角度だけ回動し、アクセスアーム２２
Ａ〜２２Ｄが所定角度旋回する。
【００４６】また、コントローラ本体４０は、情報記録
用の電流を供給するためのドライバ３４Ａを介して磁気
ヘッド２０Ａの記録素子１９Ａに接続されると共に、バ
イアス電流を供給するためのドライバ３６Ａ及びディス
クに記録された情報に応じた磁界を検出するための検出
器３８Ａ並びにスイッチ回路３２Ａを介して磁気ヘッド
２０Ａの再生素子２１Ａに接続されている。詳細には、
コントローラ本体４０はドライバ３６Ａを介してスイッ
チ回路３２Ａの端子ＳD に接続されると共に、検出器３
８Ａを介してスイッチ回路３２Ａの端子ＳC に接続され
ている。このスイッチ回路３２Ａはコントローラ本体４
０に接続された制御端Ｇを備えている。スイッチ回路３
２Ａは、内部を通過する２回線の経路を切り換えるため
の回路であり、制御端Ｇにローレベル信号が入力されて
いるときに端子ＳA −ＳD 、端子ＳB −ＳC が導通する
経路に設定されている。また、制御端Ｇにハイレベル信
号が入力されると、端子ＳA −ＳC 、端子ＳB −ＳD が
導通する経路に切り替わる。このスイッチ回路３２Ａの
端子ＳA 、ＳB は再生素子２１Ａの両端部に接続されて
いる。なお、スイッチ回路３２Ａ〜３２Ｄは、Ｈブリッ
ジ回路等で構成することができる。
【００４７】同様に、コントローラ本体４０は、ドライ
バ３４Ｂ〜３４Ｄを介して磁気ヘッド２０Ｂ〜２０Ｄの
記録素子１９Ｂ〜１９Ｄに接続されると共に、ドライバ
３６Ｂ〜３６Ｄ及び検出器３８Ｂ〜３８Ｄ並びにスイッ
チ回路３２Ｂ〜３２Ｄを介して磁気ヘッド２０Ｂ〜２０
Ｄの再生素子２１Ｂ〜２１Ｄに接続されている。
【００４８】ここで、磁気ヘッド２０Ａは、ＭＲヘッド
として機能するが、再生素子２１Ａと、記録素子１９Ａ
とが独立して構成されている。記録素子１９Ａはインダ
クティブ薄膜等がスパッタリングで形成されている。一
方、再生素子２１Ａは、後述するように、磁界または磁
化により電気抵抗が変化する磁気抵抗効果（ＭＲ効果）
を有する素子を含み、本実施例では、ソフトバイアス方
法によるバイアス磁界付与によって抵抗値の変化により
磁界を検出するときの感度と変化する磁界との直線性を
向上させて、再生素子近傍の磁界を検出するものであ
る。なお、磁気ヘッド２０Ｂ〜２０Ｄは、磁気ヘッド２
０Ａと同様の構成であるため、以下、磁気ヘッド２０Ａ
についてのみ説明し、磁気ヘッド２０Ｂ〜２０Ｄの詳細
な説明を省略する。
【００４９】図４に示すように、再生素子２１Ａは、Ｍ
Ｒ効果を有する略板状のＭＲ素子６２及び軟磁性（膜）
材料（soft Adjacent Layer 、以下、ＳＡＬという。）
６４を備えている。ＭＲ素子６２の両端部の各々には、
リード線６６が取り付けられており、このリード線６６
はＨＤＣ３０に接続されている。ＳＡＬ６４はＭＲ素子
６２と平行に積層されて構成されており、各々はディス
ク１８Ａに対して水平な位置になるように配設されてい
る。このＳＡＬ６４は軟磁性体であるためＭＲ素子６２
に供給される電流によって磁化される。この磁化により
生ずるＳＡＬ６４の磁界によってＭＲ素子６２にはバイ
アス磁界が付与される。
【００５０】次に、本実施例の作用を再生素子の作動と
共に説明する。図５に示すように、再生素子２１ＡのＭ
Ｒ素子６２に電流を供給しない場合には、ＳＡＬ６４は
磁化されないので、磁化ベクトルの向きは製造時の向き
（図５の矢印Ｈ0 ）である。ＭＲ素子６２にバイアス電
流として所定電流を所定方向（図５の白抜矢印Ｉ方向）
に供給すると、ＳＡＬ６４ではＭＲ素子６２に供給され
た所定電流によって所定方向（図５の矢印Ｕ方向）の垂
直磁界が生じる。このＳＡＬ６４の磁界がＭＲ素子６２
にバイアス磁界として付与され、ＭＲ素子６２における
磁化ベクトルの向きが（図５の矢印ＨD 方向に）変動す
る。
【００５１】一方、ＭＲ素子６２に供給した電流の向き
（極性）を反転（図５の白抜矢印Ｉ方向と逆方向）させ
ると、ＳＡＬ６４では逆方向（図５の矢印Ｕ方向と逆方
向）の垂直磁界が生じる。このため、ＭＲ素子６２にお
ける磁化ベクトルの向きは逆方向（図５の矢印ＨU 方
向）に変動する。
【００５２】従って、ＳＡＬ６４がＭＲ素子６２に付与
する垂直磁界の方向が反転することにより、ＭＲ素子６
２における磁化ベクトルの方向がＭＲ素子６２に供給さ
れたバイアス電流の方向によって方向ＨU または方向Ｈ
D に変動することになる。この磁化ベクトルの方向ＨU
または方向ＨD によって、幾何的な中心位置から磁気的
中心位置は移動する。すなわち、図６（Ａ）に示すよう
に、ＭＲ素子６２にバイアス電流を所定方向Ｉで供給す
ると、磁界の変動検出は図６の右側が敏感になり、その
感度中心が幾何学的中心位置から図６の右側に移動する
ことになる。一方、ＭＲ素子６２にバイアス電流を逆方
向Ｉ’で供給すると（極性反転）、図６（Ｂ）に示すよ
うに、磁界の変動検出は図６の左側が敏感になり、その
感度中心が幾何学的中心位置から図６の左側に移動する
ことになる。このＭＲ素子６２における磁化ベクトルの
向きと略一致する所定方向Ｉのバイアス電流が供給され
る場合を負バイアスと呼ぶ（図６（Ａ）参照）。一方、
磁化ベクトルの向きと逆方向Ｉ’のバイアス電流が供給
される場合を正バイアスと呼ぶ（図６（Ｂ）参照）。
【００５３】このような方向ＨU または方向ＨD による
磁化ベクトルにおいて、ディスク１８Ａから発生する
（記録された情報に応じた）磁界の垂直方向の成分によ
ってＭＲ素子６２の磁化が上下にシフトし抵抗変化とし
て検出される。この検出感度は、バスタブカーブによっ
て表現することができ、幾何的な位置に対してバスタブ
の中心は、０．２〜０．７μｍ程度のずれがある。従っ
て、このずれは、ＭＲ素子６２の磁化ベクトルの方向に
依存する。
【００５４】本実施例のＭＲ素子６２では、バイアス電
流の方向によって磁気的中心位置（実効トラック位置）
を、幾何的中心位置に対してそれぞれ±０．４μｍに移
動するように設定している。このため、図５の白抜矢印
Ｉ方向にバイアス電流を供給する（負バイアス）場合と
逆方向にバイアス電流を供給する（正バイアス）場合と
ではＭＲ素子６２の磁化ベクトルの方向が鏡像的に変化
し、その結果バスタブの中心位置がオフトラック量０を
中心として対称に変化する（図７参照）。
【００５５】次に、図９のフローチャートを参照し、情
報の再生時におけるＭＲ素子に付与するバイアス磁界の
変更を説明する。なお、ここでは、磁気ヘッド２０Ａの
ディスク１８Ａの面上を移動可能な旋回角度を２０°と
して設定する。また、再生素子２１Ａと記録素子１９Ａ
のオフセットが最大スキュー角２０°において０．８μ
ｍとする。
【００５６】図９のステップ１００では、シリンダ番号
を読み取る。シリンダ番号はディスクの半径方向の位置
に対応するため、読み取ったシリンダ番号からスキュー
角θ k を算出することができる。このシリンダ番号は、
図示しないホストコンピュータ等からの指示によるディ
スクシークによりディスク１８Ａ上の磁気ヘッド２０Ａ
の位置から求めてもよく、また、ＨＤＤ装置１０に記憶
された予め定めたテーブル等を参照して定めてもよい。
次のステップ１０２では、スキュー角θk が１０°以下
か否かを判断し、肯定判断の場合には、ステップ１０４
においてロー状態とされ、スイッチ回路３２Ａへローレ
ベル信号を出力し、本ルーチンを終了する。これによ
り、ＭＲ素子６２には所定方向（図５の白抜矢印Ｉ方
向）のバイアス電流が供給され、ＳＡＬ６４からＭＲ素
子６２にバイアス磁界が付与され、ＭＲ素子６２の磁化
ベクトルの向きが製造時の図５の矢印Ｈ0 の向きから図
５の矢印ＨD 方向に変動する。
【００５７】一方、ステップ１０２において否定判断さ
れ、スキュー角θk が１０°を越えた場合には、ステッ
プ１０６においてハイ状態とされ、スイッチ回路３２Ａ
へハイレベル信号を出力し、、本ルーチンを終了する。
これにより、ＭＲ素子６２に供給した電流の向き（極
性）が反転（図５の白抜矢印Ｉ方向と逆方向）し、ＳＡ
Ｌ６４から逆方向のバイアス磁界が付与され、ＭＲ素子
６２における磁化ベクトルの向きは逆方向（図５の矢印
ＨU 方向）に変動する。
【００５８】従って、スキュー角θk が１０°を基準と
して、ＭＲ素子６２の幾何的な中心位置から磁気的中心
位置が移動する（図６参照）。このため、磁界の変動検
出のための感度中心が幾何学的中心位置から移動するこ
とになる。
【００５９】これによって、スキュー角θk を０°〜２
０°まで変化させたときには、図８に示すように、本実
施例のＨＤＤ装置１０では、スキュー角θk ＝１０°に
おいて、ＭＲ素子６２の磁気的中心位置を変更している
ので、スキュー角θk ＝０°〜１０°及び１０°〜２０
°までの特性が略一致した特性７２になる。一方、従来
のＨＤＤ装置では、オフセット量の絶対値が最小となる
ように定めるので、直線的な特性７０となり、スキュー
角θk ＝１０°を中心に±０．８μｍのオフセット量の
変動が生じる。従って、再生素子はバイアス電流の方向
（極性）の反転によって、オフセットの最大値が従来の
０．８μｍから０．４μｍへ半減するので、セクタ領域
ＳＣを記録素子１２０とＭＲ素子１１０から等量だけオ
フトラックするように記録してオフトラック状態を最小
にする構成（図１３（Ｃ）参照）において、セクタ番号
を再生しようとするときには、０．４〜０．２μｍのオ
フトラックへ減少させることができる。
【００６０】このように、本実施例では、ＭＲヘッドに
バイアス磁界を付与するときに、バイアス磁界の方向を
変化させることによって、磁界の変動検出のための感度
中心を変化させることができるので、ロータリーアクチ
ュエーターおよびセクタサーボ方式によって位置決めす
るＨＤＤ装置において不可避である（ＩＤフィールド等
から）セクタ番号を再生するときに、記録素子と再生素
子との間隔によって生じるオフトラックを低減させるこ
とができる。
【００６１】このため、情報の記録及び情報の再生の何
れにも用いるセクタ番号を再生するための領域をディス
クの半径方向に広げることがなくなり、ディスクに形成
するトラックの半径方向の幅を狭くすることができ、記
録密度を向上することがきる。
【００６２】ここで、上記実施例では、ディスクが有す
るトラックの分布がディスク間で略一致する場合を想定
して説明したが、積層したディスクの組付け精度やアク
セスアームへの磁気ヘッドの組付け精度等により、記録
素子及び再生素子のトラック位置に分布が生じる場合が
ある。また、記録素子及び再生素子は一般的にフォトリ
ソグラフィクプロセスによって、その位置が決定される
ため、マスク合わせ精度やエッチンク精度によって一定
のばらつきを有している。
【００６３】このため、上記実施例のように、磁気ヘッ
ド２０Ａ〜２０Ｄの再生素子２１Ａ〜２１Ｄへ供給する
バイアス電流の向き（極性）を一義的に変化させると
（図８の特性７２）、ばらつきの分だけ記録素子及び再
生素子のオフセット量の最大値が増加する。
【００６４】このような場合には、個々の磁気ヘッド毎
に供給するバイアス電流の向き（極性）を変化させる時
期を設定すればよい。すなわち、図１に示したスイッチ
回路３２Ａ〜３２Ｄへ出力するハイレベルまたはローレ
ベルの信号の出力時期を磁気ヘッド２０Ａ〜２０Ｄに対
応する時期に出力するようにすればよい。
【００６５】図１０に示すように、記録素子及び再生素
子のオフセット量に分布がある磁気ヘッド２０Ａ〜２０
Ｄについて、オフセット量の絶対値が最小となるように
ターゲットを設定しスキュー角とオフセット量の関係を
定めると（図８の特性７０参照）、磁気ヘッド２０Ａ〜
２０Ｄの全体としてのオフセット量の分布は特性７４に
なる。この特性７４によるスキュー角とオフセット量の
関係から約０．４μｍだけ異なる位置にターゲットを設
定しスキュー角とオフセット量の関係を定めると、磁気
ヘッド２０Ａ〜２０Ｄの全体としてのオフセット量の分
布は特性７６になる。
【００６６】この特性７６によるターゲットの設定で、
０．４μｍを越えた領域７８（図１０の斜線部）となる
磁気ヘッドのバイアス電流を反転すると、磁気ヘッド２
０Ａ〜２０Ｄの全体としてのオフセット量の分布は特性
８０になる。この０．４μｍの値は、プロセスばらつき
の２ジグマ程度に相当するため、例えば、設計値より
０．４μｍを越えた磁気ヘッドは、従来２シグマとなる
が、本実施例のようにバイアス電流の向き（極性）を磁
気ヘッド毎に変化させれば４シグマとなる。従って、オ
フトラックの量の分布を最適値に集中することができ
る。
【００６７】なお、上記の個々の磁気ヘッド毎に供給す
るバイアス電流の向き（極性）を変化させる時期は、Ｈ
ＤＤ装置１０として形成されたのちに、ディスク毎に記
録素子及び再生素子のトラック位置の分布を計測して設
定してもよく、製造時に特定される設定値によって設定
してもよい。
【００６８】このように、ＭＲ効果を有する再生素子を
用いて、ロータリーアクチュエータを有し、セクタサー
ボ方式であるハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に、Ｍ
Ｒ素子に与えるバイアス電流の極性を変えることによっ
て、再生素子の実効感度位置をそれぞれ記録素子に近づ
けることにより、セクタ番号を再生する時のオフトラッ
クを低減させることができる。このため、再生素子と記
録素子のトラック位置のずれを減少させることができる
ので、トラックミスレジストレーション（ＴＭＲ）を低
減することができる。
【００６９】上記実施例では、ソフトバイアス方法によ
ってＭＲ素子にバイアス磁界を付与する場合について説
明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、Ｍ
Ｒ素子の近傍に導体を配設し導体に電流を供給すること
によって磁界を付与するシャントバイアス方式等によっ
てＭＲ素子にバイアス磁界を付与してもよい。
【００７０】なお、上記実施例では、ＭＲ素子に供給す
るバイアス電流の極性を切り換えてバイアス磁界の方向
を反転させたが、本発明は、極性を変化させることに限
定されるものではなく、ＭＲ素子に付与するバイアス磁
界を連続的に変化させてもよい。
【００７１】また、上記実施例では、セクタサーボ方法
によって磁気ヘッドを位置決めする場合を説明したが、
セクタ領域をディスク上に形成しないノンセクタ方法の
磁気ヘッド位置決め方法にも適用が可能である。この場
合、ディスクの内周、中腹及び外周においてマイクロジ
ョグの量が異なるが、本実施例では再生素子と記録素子
のトラック位置のずれを減少させることができるので、
マイクロジョグの量を減少させることができる。
【００７２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ト
ラックと再生素子との相対位置に応じて再生素子に付与
されるバイアス磁界の方向が変更されるので、トラック
に対する再生素子の位置ずれに応じて磁気抵抗効果の感
度が最も敏感になる位置が移動され、再生精度を向上で
きる、という効果がある。
【００７３】また、再生素子に付与されるバイアス磁界
の方向変更により、トラックに対する再生素子の位置ず
れに応じて磁気抵抗効果の感度が最も敏感になる位置に
移動できるので、再生誤差を考慮した広い幅のトラック
に設定することがないため、狭いトラック幅で情報記録
再生領域を形成することができ、記録密度を向上でき
る、という効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用可能なＨＤＤ装置のハードディス
クコントローラ周辺の概略構成を示すブロック図であ
る。
【図２】本発明が適用可能なＨＤＤ装置の概略構成を示
すブロック図である。
【図３】ＨＤＤ装置のディスクを示すイメージ図であ
る。
【図４】ソフトバイアス方式による再生素子の概念斜視
図である。
【図５】再生素子におけるバイアス磁界を説明するため
の説明図である。
【図６】（Ａ）は所定方向のバイアス電流、（Ｂ）は逆
方向のバイアス電流によるＭＲ素子のバイアス磁界の方
向を説明するための説明図である。
【図７】バイアス磁界に応じたオフトラック量とエラー
レートとの関係を示す特性図である。
【図８】スキュー角とオフセット量との関係を示す特性
図である。
【図９】異なる方向へバイアス磁界を付与するためのバ
イアス電流の極性を反転させる処理の流れを示すフロー
チャートである。
【図１０】オフセット量に分布がある磁気ヘッドのオフ
セット量の分布を示す特性図である。
【図１１】ロータリーアクチュエータを旋回したときの
記録素子と再生素子の関係を示すイメージ図である。
【図１２】セクタ構成を示すイメージ図である。
【図１３】セクタサーボ方式によるセクタ番号の再生を
説明するためのイメージ図であり、 （Ａ）はセクタ領
域及びデータ領域が同一トラック上に形成されたとき、
（Ｂ）はセクタ領域及びデータ領域を記録素子とＭＲ素
子に対応させたとき、（Ｃ）はセクタ領域を記録素子と
ＭＲ素子から等量だけオフトラックさせたときを示して
いる。
【符号の説明】
１０ ハードディスク装置 １８Ａ ディスク １９Ａ 記録素子 ２０Ａ 磁気ヘッド ２１Ａ 再生素子 ２２Ａ アクセスアーム ３０ ハードディスクコントローラ ３２Ａ スイッチ回路 ３４Ａ ドライバ ３６Ａ ドライバ ３８Ａ 検出器 ４０ コントローラ本体 ６２ ＭＲ素子 ６４ 軟磁性材料 ６６ リード線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松井 孝夫 神奈川県藤沢市桐原町１番地 日本アイ・ ビー・エム株式会社 藤沢事業所内

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 磁気抵抗効果を有しかつバイアス磁界が
    付与されると共に該磁気抵抗効果を用いて情報を再生す
    るための再生素子と、該情報を記録するための記録素子
    とから構成されるＭＲヘッドによって、複数の情報記録
    再生領域を有するトラックを備えた情報記録用ディスク
    から前記情報を再生するときに前記再生素子を該当する
    トラックへ位置決めするＭＲヘッド用サーボ方法であっ
    て、 前記トラックと前記再生素子との相対位置に応じて該再
    生素子に付与する前記バイアス磁界の方向を変化させる
    ことを特徴とするＭＲヘッド用サーボ方法。
  2. 【請求項２】 磁気抵抗効果を有しかつバイアス磁界が
    付与されると共に該磁気抵抗効果を用いて情報を再生す
    るための再生素子と、該情報を記録するための記録素子
    とから構成されるＭＲヘッドによって、複数の情報記録
    再生領域を有するトラックが半径方向に複数配列された
    情報記録用ディスクから前記情報を再生するときに前記
    再生素子を該当するトラックへ位置決めするＭＲヘッド
    用サーボ方法であって、 前記ＭＲヘッドが位置決めされる前記半径方向の位置に
    応じて前記再生素子に付与する前記バイアス磁界の方向
    を変化させることを特徴とするＭＲヘッド用サーボ方
    法。
  3. 【請求項３】 磁気抵抗効果を有しかつバイアス磁界が
    付与されると共に該磁気抵抗効果を用いて情報を再生す
    るための再生素子と、該情報を記録するための記録素子
    とから構成されるＭＲヘッドによって、複数の情報記録
    再生領域を有するトラックが半径方向に複数配列された
    情報記録用ディスクから前記情報を再生するときに前記
    再生素子を該当するトラックへ位置決めするＭＲヘッド
    用サーボ方法であって、 前記トラックと前記再生素子との相対位置及び前記ＭＲ
    ヘッドが位置決めされる前記半径方向の位置に応じて前
    記再生素子に付与する前記バイアス磁界の方向を変化さ
    せることを特徴とするＭＲヘッド用サーボ方法。
  4. 【請求項４】 前記再生素子に付与するバイアス磁界と
    して、前記トラックと前記再生素子との予め定めた基準
    位置関係に対応する第１方向のバイアス磁界と、前記基
    準位置関係と異なる所定位置関係に対応する前記第１方
    向と異なる第２方向のバイアス磁界とを定め、前記再生
    素子に付与する前記バイアス磁界の方向を前記第１方向
    と前記第２方向との間で変化させることを特徴とする請
    求項１乃至請求項３の何れか１項に記載のＭＲヘッド用
    サーボ方法。
  5. 【請求項５】 前記再生素子にバイアス磁界を付与する
    ためにバイアス電流を供給し、該バイアス電流の極性を
    変化させることによって前記再生素子に付与する前記バ
    イアス磁界の方向を変化させることを特徴とする請求項
    １乃至請求項３の何れか１項に記載のＭＲヘッド用サー
    ボ方法。
  6. 【請求項６】 前記再生素子は、磁気抵抗効果を有しか
    つバイアス電流が供給される磁気抵抗効果素子と、該磁
    気抵抗効果素子に供給されたバイアス電流によって磁化
    されると共に該磁化により生ずる磁界によって該磁気抵
    抗効果素子にバイアス磁界を付与する被磁化素子とから
    構成されることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何
    れか１項に記載のＭＲヘッド用サーボ方法。
  7. 【請求項７】 前記再生素子は、磁気抵抗効果を有する
    磁気抵抗効果素子と、バイアス電流が供給されかつ供給
    されたバイアス電流によって該磁気抵抗効果素子にバイ
    アス磁界を付与する磁界付与素子とから構成されること
    を特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載
    のＭＲヘッド用サーボ方法。
  8. 【請求項８】 磁気抵抗効果を有しかつバイアス磁界が
    付与されると共に該磁気抵抗効果を用いて情報を再生す
    るための再生素子と、該情報を記録するための記録素子
    とから構成されるＭＲヘッドと、 前記ＭＲヘッドによって、複数の情報記録再生領域を有
    するトラックを備えた情報記録用ディスクから前記情報
    を再生するときに前記再生素子を該当するトラックへ位
    置決めする位置決め手段と、 前記トラックと前記再生素子との相対位置に応じて該再
    生素子に付与する前記バイアス磁界の方向を変化させる
    磁界方向変化手段と、 を備えたハードディスクシステム。
  9. 【請求項９】 磁気抵抗効果を有しかつバイアス磁界が
    付与されると共に該磁気抵抗効果を用いて情報を再生す
    るための再生素子と、該情報を記録するための記録素子
    とから構成されるＭＲヘッドと、 前記ＭＲヘッドによって、複数の情報記録再生領域を有
    するトラックが半径方向に複数配列された情報記録用デ
    ィスクから前記情報を再生するときに前記再生素子を該
    当するトラックへ位置決めする位置決め手段と、 前記ＭＲヘッドが位置決めされる前記半径方向の位置に
    応じて前記再生素子に付与する前記バイアス磁界の方向
    を変化させる磁界方向変化手段と、 を備えたハードディスクシステム。
  10. 【請求項１０】 磁気抵抗効果を有しかつバイアス磁界
    が付与されると共に該磁気抵抗効果を用いて情報を再生
    するための再生素子と、該情報を記録するための記録素
    子とから構成されるＭＲヘッドと、 前記ＭＲヘッドによって、複数の情報記録再生領域を有
    するトラックが半径方向に複数配列された情報記録用デ
    ィスクから前記情報を再生するときに前記再生素子を該
    当するトラックへ位置決めする位置決め手段と、 前記トラックと前記再生素子との相対位置及び前記ＭＲ
    ヘッドが位置決めされる前記半径方向の位置に応じて前
    記再生素子に付与する前記バイアス磁界の方向を変化さ
    せる磁界方向変化手段と、 を備えたハードディスクシステム。
  11. 【請求項１１】 前記磁界方向変化手段は、前記再生素
    子に付与するバイアス磁界として、前記トラックと前記
    再生素子との予め定めた基準位置関係に対応する第１方
    向のバイアス磁界と、前記基準位置関係と異なる所定位
    置関係に対応する前記第１方向と異なる第２方向のバイ
    アス磁界とを定め、前記再生素子に付与する前記バイア
    ス磁界の方向を前記第１方向と前記第２方向との間で変
    化させることを特徴とする請求項８乃至請求項１０の何
    れか１項に記載のハードディスクシステム。
  12. 【請求項１２】 前記再生素子にバイアス磁界を付与す
    るためにバイアス電流を供給するバイアス電流供給手段
    をさらに備え、前記磁界方向変化手段は前記バイアス電
    流供給手段のバイアス電流の極性を変化させることによ
    って前記再生素子に付与する前記バイアス磁界の方向を
    変化させることを特徴とする請求項８乃至請求項１１の
    何れか１項に記載のハードディスクシステム。
  13. 【請求項１３】 前記再生素子は、磁気抵抗効果を有し
    かつバイアス電流が供給される磁気抵抗効果素子と、該
    磁気抵抗効果素子に供給されたバイアス電流によって磁
    化されると共に該磁化により生ずる磁界によって該磁気
    抵抗効果素子にバイアス磁界を付与する被磁化素子とか
    ら構成されることを特徴とする請求項８乃至請求項１１
    の何れか１項に記載のハードディスクシステム。
  14. 【請求項１４】 前記再生素子は、磁気抵抗効果を有す
    る磁気抵抗効果素子と、バイアス電流が供給されかつ供
    給されたバイアス電流によって該磁気抵抗効果素子にバ
    イアス磁界を付与する磁界付与素子とから構成されるこ
    とを特徴とする請求項８乃至請求項１１の何れか１項に
    記載のハードディスクシステム。
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