JPH07324059A - ベンジジン誘導体およびそれを用いた電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 一般式： 【化１】 （式中、Ｒ¹ 〜Ｒ⁶ 、ｍおよびｎは明細書に記載のとお
りである。）などで表されるベンジジン誘導体電子およ
びこれを含有した感光層を有する写真感光体である。 【効果】 上記ベンジジン誘導体は、高い正孔輸送能を
維持しつつ、これを含有した膜の耐久性、耐熱性を向上
させる。そのため、このベンジジン誘導体を含有した感
光層を有する電子写真感光体は感度が高く、耐久性、耐
熱性に優れている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、たとえば太陽電池、エ
レクトロルミネッセンス素子、電子写真感光体等におい
て、電荷輸送材料、とくに正孔輸送材料として好適に使
用される新規なベンジジン誘導体と、それを用いた電子
写真感光体に関する。

【０００２】

【従来の技術】電荷輸送材料としては、カルバゾール系
化合物、オキサジアゾール系化合物、ピラゾリン系化合
物、ヒドラゾン系化合物、スチルベン系化合物、フェニ
レンジアミン系化合物、ベンジジン系化合物等の種々の
有機化合物が知られている。これら電荷輸送材料は、通
常、適当な結着樹脂からなる膜中に分散された状態で使
用される。たとえば電子写真感光体の場合は、上記電荷
輸送材料を、光照射により電荷を発生させる電荷発生材
料とともに結着樹脂中に分散した単層型の感光層を備え
た単層型感光体や、上記電荷輸送材料を含有する電荷輸
送層と、電荷発生材料を含有する電荷発生層とを備えた
積層型感光体等の、いわゆる有機感光体（ＯＰＣ）が多
く使用されている。かかる有機感光体は、加工性がよ
く、製造が容易であるとともに、機能設計の自由度が大
きいという利点がある。

【０００３】これらの化合物の中でもとくに、ベンジジ
ン系化合物に属する、下記一般式：

【０００４】

【化９】

【０００５】〔式中Ｒ^a ，Ｒ^b ，Ｒ^c およびＲ^d は同一
または異なって水素原子、低級アルキル基、低級アルコ
キシ基または塩素原子を示す。〕で表される３，３′−
ジメチルベンジジン誘導体が、高い正孔輸送能を有する
とともに、結着樹脂に対する相溶性にもすぐれているた
め、正孔輸送材料として好適に使用される（特公平５−
２１０９９号公報参照）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記３，
３′−ジメチルベンジジン誘導体は総じて融点が低い
（およそ１８０℃以下程度）ため、これを結着樹脂中に
分散させた膜はガラス転移温度（Ｔｇ）が低くなり、耐
久性、耐熱性等が不十分になるという問題がある。電子
写真感光体の場合、コロナ放電等による感光体表面の
帯電、露光による静電潜像の形成、トナー付着によ
る静電潜像の顕像化、トナー像の紙への転写、転写
後の感光体表面に残留するトナーの除去の各工程が繰り
返される。そのうちトナーの除去には、感光体表面に圧
接されたクリーニングブレードが使用される。そのた
め、従来のベンジジン誘導体を使用した感光体では、画
像形成装置の停止時に、クリーニングブレードが圧接さ
れていた部分に圧接痕が生じ、種々の画像不良の原因と
なる。また画像形成装置の運転時には、当該装置内部が
５０℃程度まで温度上昇するため、感光体表面に凹みが
生じて、やはり種々の画像不良の原因となる。

【０００７】本発明の主たる目的は、高い正孔輸送能を
維持しつつ、結着樹脂に対する相溶性に優れ、かつ結着
樹脂中に分散させて形成される膜の耐久性、耐熱性等が
向上した新規なベンジジン誘導体を提供することにあ
る。本発明の他の目的は、上記ベンジジン誘導体を正孔
輸送材料として用いた、高感度でかつ耐久性、耐熱性に
すぐれた高性能な電子写真感光体を提供することにあ
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段および作用】上記課題を解
決するため、発明者らは、ベンジジン誘導体の融点を高
くすることを検討し、その方針に沿って分子設計を行っ
た。その結果、以下の条件のうち少なくとも１つを充足
すると、高い正孔輸送能と結着樹脂に対する良好な相溶
性を維持したまま、ベンジジン誘導体の融点を高くでき
ることを見いだし、本発明を完成するに至った。 ベンジジン誘導体の外側の４つのフェニル基のう
ち、少なくとも２つにアルキル基を２つまたは３つ置換
すること。 ベンジジン誘導体の外側の４つのフェニル基のう
ち、２つのフェニル基に炭素数３〜５の直鎖状または分
岐状アルキル基を置換すること。 ベンジジン誘導体の中心骨格であるビフェニルの
３，３′位と５，５′位にアルキル基などの置換基を導
入すること。 ベンジジン誘導体の中心骨格であるビフェニルの
２，２′位と５，５′位にアルキル基などの置換基を導
入すること。 ベンジジン誘導体の外側の２つまたは４つのフェニ
ル基のパラ位にフェニル基を結合させてビフェニリル基
とし、π電子共役系に空間的な広がりを持たせること。

【０００９】すなわち、本発明のベンジジン誘導体は、
以下の一般式(1) 〜(5) で表される。 Ｉ．一般式(1) ：

【００１０】

【化１０】

【００１１】〔式中、Ｒ¹ およびＲ² は同一または異な
って水素原子またはアルキル基を示し、Ｒ³ およびＲ⁴
は同一または異なってアルキル基、アルコキシ基または
ハロゲン原子を示し、Ｒ⁵ およびＲ⁶ は同一または異な
って炭素数３〜５のアルキル基または置換基を有するこ
とのあるアリール基を示す。ｍおよびｎは同一または異
なって２または３を示す。）好ましくは、一般式(1')：

【００１２】

【化１１】

【００１３】（式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、Ｒ⁵ 、
ｍおよびｎは前記と同じである。） II．一般式(2) ：

【００１４】

【化１２】

【００１５】（式中、Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ ，Ｒ⁹ ，Ｒ¹⁰，Ｒ¹¹，
Ｒ¹²，Ｒ¹³，Ｒ¹⁴，Ｒ¹⁵およびＲ¹⁶は同一または異なっ
てアルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示
す。） III．一般式(3) ：

【００１６】

【化１３】

【００１７】（式中、Ｒ¹⁷，Ｒ¹⁸，Ｒ¹⁹およびＲ²⁰は同
一または異なってアルキル基またはアルコキシ基を示
し、Ｒ²¹およびＲ²²は同一または異なって水素原子、ア
ルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示し、Ｒ
²³およびＲ²⁴は同一または異なって水素原子、アルキル
基または置換基を有することのあるアリール基を示
す。）好ましくは、一般式(3') ：

【００１８】

【化１４】

【００１９】（式中、Ｒ¹⁷，Ｒ¹⁸，Ｒ¹⁹およびＲ²⁰は前
記と同じ、Ｒ²⁵およびＲ²⁶は同一または異なって水素原
子またはアルキル基を示し、Ｒ²⁷およびＲ²⁸は同一また
は異なって炭素数が３〜５のアルキル基または置換基を
有することのあるアリール基を示す。） IV．一般式(4) ：

【００２０】

【化１５】

【００２１】（式中、Ｒ²⁹，Ｒ³⁰，Ｒ³¹およびＲ³²は同
一または異なってアルキル基またはアルコキシ基を示
し、Ｒ³³およびＲ³⁴は同一または異なってアルキル基、
アルコキシ基またはハロゲン原子を示し、Ｒ³⁵およびＲ
³⁶は同一または異なって炭素数が３〜５のアルキル基を
示す。） Ｖ．一般式(5) ：

【００２２】

【化１６】

【００２３】（式中、Ｒ³⁷，Ｒ³⁸，Ｒ³⁹およびＲ⁴⁰は同
一または異なって水素原子またはアルキル基を示し、Ｒ
⁴¹およびＲ⁴²は同一または異なってアルキル基を示
す。） 本発明の電子写真感光体は、導電性基体上に、前記一般
式(1) 〜(5) で表されるベンジジン誘導体の少なくとも
１種を正孔輸送材料として含有する感光層を備えてい
る。

【００２４】本発明の他の電子写真感光体は、導電性基
体上に単層の感光層を設けたものであって、下記一般式
(6) で表されるベンジジン誘導体を正孔輸送材料として
含有する単層の感光層を備えた、正帯電型の感光体であ
る。

【００２５】

【化１７】

【００２６】（式中、Ｒ⁴³，Ｒ⁴⁴，Ｒ⁴⁵，Ｒ⁴⁶，Ｒ⁴⁷お
よびＲ⁴⁸は同一または異なって水素原子、アルキル基、
アルコキシ基またはハロゲン原子を示す。） 以下に本発明を詳細に説明する。上記一般式(1) 、
(3′) および(4) 中の基Ｒ⁵ 、Ｒ⁶ 、Ｒ²⁷、Ｒ²⁸、Ｒ³⁵
およびＲ³⁶によって表されるアルキル基の炭素数は、前
記のように３〜５に限定される。アルキル基の炭素数が
３未満では、結着樹脂に対する良好な相溶性を確保でき
ない。またアルキル基の炭素数が５を超えた場合には、
正孔輸送能の妨げとなる。

【００２７】炭素数３〜５のアルキル基としては、例え
ばプロピル基（ｎ−Ｐｒ）、イソプロピル基（ｉ−Ｐ
ｒ）、ブチル基（ｎ−Ｂｕ）、イソブチル基（ｉ−Ｂ
ｕ）、tert−ブチル基（ｔ−Ｂｕ）、ペンチル基等の直
鎖状または分枝状のアルキル基があげられる。また、炭
素数が特に限定されない他のアルキル基としては、例え
ばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、
ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基等の炭素数１〜６の低級アルキル基があ
げられ、とくにメチル基またはエチル基が好適に採用さ
れる。

【００２８】一般式(1) 中の置換基数を規定するｍ，ｎ
は、前記のように２または３に限定される。Ｒ³ および
Ｒ⁴ の置換基数が１では、ベンジジン誘導体の融点を向
上できず、また置換数が４以上では、結着樹脂に対する
良好な相溶性を確保できない。また、前記アルコキシ基
としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、tert- ブトキシ
基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基などの炭素数
が１〜６の直鎖状または分枝状のアルコキシ基があげら
れる。

【００２９】前記アリール基としては、例えばフェニル
基、トリル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントリル
基、フェナントリル基などがあげられる。また、アリー
ル基に置換してもよい置換基としては、例えばアルキル
基、アルコキシ基、ハロゲン原子などがあげられる。前
記ハロゲン原子としては、塩素、臭素、沃素、フッ素が
あげられる。

【００３０】一般式(1) で表されるベンジジン誘導体と
しては、たとえば下記の式(1-a) 〜(1-j) で表される化
合物があげられる。

【００３１】

【化１８】

【００３２】

【化１９】

【００３３】

【化２０】

【００３４】一般式(2) で表されるベンジジン誘導体と
しては、たとえば下記の式(2-a) 〜(2-f) で表される化
合物があげられる。

【００３５】

【化２１】

【００３６】

【化２２】

【００３７】一般式(3) で表されるベンジジン誘導体と
しては、基Ｒ²¹〜Ｒ²⁴が同一でかつ置換位置が同じであ
り、しかも基Ｒ¹⁷〜Ｒ²⁰が同一である対称型の化合物も
包含されるが、結着樹脂との相溶性、電荷輸送能等の、
電荷輸送材料としての性能を考慮すると、非対称型の化
合物がより好ましい。ここでいう非対称型の化合物と
は、 基Ｒ²¹〜Ｒ²⁴が異なる、 基Ｒ²¹〜Ｒ²⁴の置換位置が異なる、および 基Ｒ¹⁷〜Ｒ²⁰が異なる、 のうち少なくとも１つを満たすものを指すが、とくに
の基Ｒ²¹〜Ｒ²⁴が異なるという条件を満たすものが、前
記正孔輸送材料としての性能の点、製造の容易さ等の点
で好ましい。

【００３８】上記非対称型のベンジジン誘導体の具体例
としては、基Ｒ¹⁷〜Ｒ²⁰がいずれもメチル基であるとと
もに、基Ｒ²¹〜Ｒ²⁴がいずれもフェニル基の４位に置換
しており、そのうち基Ｒ²¹，Ｒ²²が水素原子または同じ
アルキル基で、かつ基Ｒ²³，Ｒ²⁴が同じアルキル基で上
記基Ｒ²¹，Ｒ²²と異なっている化合物があげられる。一
般式(3) で表されるベンジジン誘導体の具体例として
は、下記の式(3-a) 〜(3-c) で表される化合物があげら
れる。これらの式から明らかなように、基Ｒ²¹，Ｒ²²が
水素原子で、基Ｒ²³、Ｒ²⁴がメチル基等のアルキル基で
ある化合物や、あるいは基Ｒ²¹，Ｒ²²がメチル基で、基
Ｒ²³，Ｒ²⁴がtert−ブチル基、ｎ−ブチル基等の炭素数
２以上のアルキル基である化合物があげられる。とくに
電荷輸送能や結着樹脂への相溶性等を考慮すると、基Ｒ
²¹〜Ｒ²⁴がいずれもアルキル基で、しかも基Ｒ²¹，Ｒ²²
のアルキル基と基Ｒ²³，Ｒ²⁴のアルキル基の炭素数の差
が大きいほど好ましい。なお、式(3-c) 中の−Ｃ₄ Ｈ₉
はｎ−ブチル基を表す。

【００３９】

【化２３】

【００４０】これらの条件を勘案すると、式(3-b) で表
されるＮ，Ｎ′−ジ（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′
−ジ（４−tert−ブチルフェニル）−３，３′，５，
５′−テトラメチルベンジジンが、最も好適なベンジジ
ン誘導体としてあげられる。また、一般式(3) で表され
るベンジジン誘導体の他の具体例としては、下記の式(3
-d) 〜(3-f) で表される化合物があげられる。

【００４１】

【化２４】

【００４２】一般式(4) で表されるベンジジン誘導体と
しては、たとえば下記の式(4-a) および(4-b) で表され
る化合物があげられる。

【００４３】

【化２５】

【００４４】一般式(5) で表されるベンジジン誘導体と
しては、たとえば下記の式(5-a) 〜(5-c) で表される化
合物があげられる。

【００４５】

【化２６】

【００４６】

【化２７】

【００４７】一般式(6) で表されるベンジジン誘導体お
いて、ベンジジン骨格の窒素原子に結合したフェニル基
では、基Ｒ⁴⁵およびＲ⁴⁶は４位（パラ位）に置換してい
るのが好ましい。また、ビフェニリル基では、窒素原子
は２′乃至４′位の任意の位置に結合することができる
が、４′位に結合しているのが好ましい。ビフェニリル
基に置換する基Ｒ⁴⁷およびＲ⁴⁸はビフェニリル基の２〜
６位に結合できるが、４位に結合しているのが好まし
い。

【００４８】本発明のベンジジン誘導体は、種々の方法
で合成することができる。たとえば上記式(1-a) のベン
ジジン誘導体は、下記反応工程式にしたがって合成する
ことができる。まず、下記式(7) で表されるＮ，Ｎ′−
ジアセチル−３，３′−ジメチルベンジジンと、式(8)
で表される３，４−ジメチルヨードベンゼンとを、モル
比で１：２の割合で、銅粉、酸化銅あるいはハロゲン化
銅などとともに混合し、塩基性物質の存在下で反応させ
て、式(9) で表されるＮ，Ｎ′−ジアセチル−Ｎ，Ｎ′
−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−３，３′−ジメ
チルベンジジンを得る。

【００４９】

【化２８】

【００５０】つぎに上記式(9) のＮ，Ｎ′−ジアセチル
−Ｎ，Ｎ′−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−３，
３′−ジメチルベンジジンを、酸等のアミド分解触媒の
存在下で脱アセチル化反応を行い、下記式(10)で表され
るＮ，Ｎ′−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−３，
３′−ジメチルベンジジンを得、それを、式(11)で表さ
れる４−ｎ−ブチルヨードベンゼンとモル比で１：２の
割合で、上記と同様の方法によって反応させると、式(1
-a) のベンジジン誘導体が合成される。

【００５１】

【化２９】

【００５２】また、上記合成法に代えて、下記の反応工
程式によっても本発明のベンジジン誘導体を合成するこ
とができる。下記の反応工程式は式(1-d) のベンジジン
誘導体の合成法を例示したものである。まず、下記式
(7′) で表される４，４′−ジヨードビフェニルと、式
(8′) で表されるｐ−イソプロピルアセトアニリドと
を、モル比で１：２の割合で、銅粉、酸化銅あるいはハ
ロゲン化銅などとともに混合し、塩基性物質の存在下で
反応させて、式(9′) で表されるＮ，Ｎ′−ジアセチル
−Ｎ，Ｎ′−ビス（４−イソプロピルフェニル）ベンジ
ジンを得る。

【００５３】

【化３０】

【００５４】つぎに上記式(9′) のＮ，Ｎ′−ジアセチ
ル−Ｎ，Ｎ′−ビス（４−イソプロピルフェニル）ベン
ジジンを脱アセチル化反応させて、下記式(10 ′) で表
されるＮ，Ｎ′−ビス（４−イソプロピルフェニル）ベ
ンジジンを得、それを、式(11 ′) で表される２，４−
ジメチルヨードベンゼンと、モル比で１：２の割合で、
上記と同様の方法によって反応させると、式(1-d) のベ
ンジジン誘導体が合成される。

【００５５】

【化３１】

【００５６】上記本発明のベンジジン誘導体は、前述の
ように、太陽電池、エレクトロルミネッセンス素子、電
子写真感光体等の電荷輸送材料、とくに正孔輸送材料と
して好適に使用される他、その他の種々の分野での利用
が可能である。本発明の電子写真感光体は、導電性基体
上に、前記一般式(1) 〜(6) で表されるベンジジン誘導
体の１種または２種以上を含有した感光層を備えたもの
である。感光層には、いわゆる単層型と積層型とがある
が、本発明の構成は、このいずれにも適用可能である。
ただし、一般式(6) のベンジジン誘導体は単層の感光体
にのみ使用される。

【００５７】単層型の感光層を得るには、一般式(1) 〜
(6) で表されるベンジジン誘導体の少なくとも１種を正
孔輸送材料として、電荷発生材料、結着樹脂等とともに
適当な溶媒に溶解または分散した塗布液を、塗布等の手
段によって導電性基体上に塗布し、乾燥させればよい。
また積層型の感光層を得るには、まず導電性基体上に、
蒸着または塗布等の手段によって、電荷発生材料を含有
する電荷発生層を形成し、ついでこの電荷発生層上に、
一般式(1) 〜(5) で表されるベンジジン誘導体の少なく
とも1 種と結着樹脂とを含む塗布液を、塗布等の手段に
よって塗布し、乾燥させて電荷輸送層を形成すればよ
い。また上記とは逆に、導電性基体上に電荷輸送層を形
成し、その上に電荷発生層を形成してもよい。

【００５８】電荷発生材料としては、たとえばセレン、
セレン−テルル、セレン−ヒ素、硫化カドミウム、α−
シリコン等の無機光導電材料の粉末、アゾ系顔料、ペリ
レン系顔料、アンサンスロン系顔料、フタロシアニン系
顔料、インジゴ系顔料、トリフェニルメタン系顔料、ス
レン系顔料、トルイジン系顔料、ピラゾリン系顔料、キ
ナクリドン系顔料、ジチオケトピロロピロール系顔料等
があげられるが、これらに限定されるものではない。こ
れらの電荷発生材料は、電子写真感光体の感度領域等に
合わせて、それぞれ単独で使用される他、２種以上を併
用することもできる。

【００５９】正孔輸送材料である一般式(1) 〜(6) で表
されるベンジジン誘導体は、単独で使用できる他、従来
公知の他の電荷輸送材料と組み合わせて使用することも
できる。他の電荷輸送材料としては、種々の電子輸送材
料および正孔輸送材料があげられる。

【００６０】電子輸送材料としては、たとえばジフェノ
キノン系化合物、ベンゾキノン系化合物、ナフトキノン
系化合物、マロノニトリル、チオピラン系化合物、テト
ラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、クロル
アニル、ブロモアニル、２，４，７−トリニトロ−９−
フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フ
ルオレノン、２，４，７−トリニトロ−９−ジシアノメ
チレンフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキ
サントン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、ジ
ニトロベンゼン、ジニトロアントラセン、ジニトロアク
リジン、ニトロアントラキノン、ジニトロアントラキノ
ン、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロモ無水マレ
イン酸等の電子吸引性材料や、これら電子吸引性材料を
高分子化したもの等があげられる。

【００６１】また、正孔輸送材料としては、たとえば、
一般式(1) 〜(6) で表されるベンジジン誘導体以外のジ
アミン系化合物、２，５−ビス（４−メチルアミノフェ
ニル）−１，３，４−オキサジアゾール等のジアゾール
系化合物、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アント
ラセン等のスチリル系化合物、ポリビニルカルバゾール
等のカルバゾール系化合物、１−フェニル−３−（ｐ−
ジメチルアミノフェニル）ピラゾリン等のピラゾリン系
化合物、ヒドラゾン系化合物、トリフェニルアミン系化
合物、インドール系化合物、オキサゾール系化合物、イ
ソオキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、チアジ
アゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾール
系化合物、トリアゾール系化合物等で代表される含窒素
環式化合物、縮合多環式化合物などの電子供与性材料等
があげられる。

【００６２】なお、ポリビニルカルバゾール等の成膜性
を有する電荷輸送材料を用いる場合には、結着樹脂は必
ずしも必要ではない。結着樹脂としては、たとえばスチ
レン系重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレ
ン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−マレイン酸
共重合体、アクリル系重合体、スチレン−アクリル系共
重合体、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合
体、塩素化ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリプロピ
レン、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステ
ル、アルキッド樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、ポリ
カーボネート、ポリアリレート、ポリスルホン、ジアリ
ルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール
樹脂、ポリエーテル樹脂等の熱可塑性樹脂や、シリコー
ン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メ
ラミン樹脂その他架橋性の熱硬化性樹脂、さらにエポキ
シ−アクリレート、ウレタン−アクリレート等の光硬化
性樹脂等があげられる。これら結着樹脂は単独で使用で
きるほか、２種以上を併用することもできる。

【００６３】感光層には、上記各成分の他に、たとえば
増感剤、フルオレン系化合物、酸化防止剤、紫外線吸収
剤、可塑剤、界面滑性剤、レベリング剤等の種々の添加
剤を添加することもできる。また感光体の感度を向上さ
せるために、たとえばターフェニル、ハロナフトキノン
類、アセナフチレン等の増感剤を、電荷発生材料と併用
してもよい。

【００６４】積層感光体において、電荷発生層を構成す
る電荷発生材料と結着樹脂とは、種々の割合で使用する
ことができるが、結着樹脂１００重量部に対して、電荷
発生材料５〜１０００重量部、とくに３０〜５００重量
部の割合で用いるのが好ましい。電荷輸送層を構成する
正孔輸送材料と結着樹脂とは、電荷の輸送を阻害しない
範囲および結晶化しない範囲で、種々の割合で使用する
ことができるが、光照射により電荷発生層で生じた電荷
が容易に輸送できるように、結着樹脂１００重量部に対
して、一般式(1) 〜(5) で表されるベンジジン誘導体を
含む正孔輸送材料は１０〜５００重量部、とくに２５〜
２００重量部の割合で使用するのが好ましい。

【００６５】また、積層型の感光層の厚さは、電荷発生
層が０．０１〜５μｍ程度、とくに０．１〜３μｍ程度
に形成されるのが好ましく、電荷輸送層が２〜１００μ
ｍ、とくに５〜５０μｍ程度に形成されるのが好まし
い。単層型の感光体においては、結着樹脂１００重量部
に対して電荷発生材料は０．１〜５０重量部、とくに
０．５〜３０重量部、一般式(1) 〜(6) で表されるベン
ジジン誘導体を含む正孔輸送材料は１０〜５００重量
部、とくに２５〜２００重量部であるのが適当である。
また電子輸送材料を併用する場合には、結着樹脂１００
重量部に対して、電子輸送材料は５〜１００重量部、と
くに１０〜８０重量部の割合で用いるのが好ましい。さ
らに正孔輸送材料と電子輸送材料の総量は、結着樹脂１
００重量部に対して２０〜５００重量部、とくに３０〜
２００重量部が好ましい。

【００６６】単層型感光体にあっては、導電性基体と感
光層との間に、また積層型感光体にあっては、導電性基
体と電荷発生層との間や、導電性基体と電荷輸送層との
間、または電荷発生層と電荷輸送層との間に、感光体の
特性を阻害しない範囲でバリア層（下引き層）が形成さ
れていてもよく、感光体の表面には、保護層が形成され
ていてもよい。

【００６７】上記各層が形成される導電性基体として
は、導電性を有する種々の材料を使用することができ、
たとえばアルミニウム、銅、スズ、白金、銀、鉄、バナ
ジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニ
ッケル、パラジウム、インジウム、ステンレス鋼、真鍮
等の金属単体や、上記金属が蒸着またはラミネートされ
たプラスチック材料、ヨウ化アルミニウム、酸化スズ、
酸化インジウム等で被覆されたガラス等が例示される。

【００６８】導電性基体はシート状、ドラム状等のいず
れであってもよく、基体自体が導電性を有するか、ある
いは基体の表面が導電性を有していればよい。また、導
電性基体は、使用に際して、充分な機械的強度を有する
ものが好ましい。上記各層を、塗布の方法により形成す
る場合には、前記例示の電荷発生材料、電荷輸送材料、
結着樹脂等を、適当な溶剤とともに、公知の方法、たと
えば、ロールミル、ボールミル、アトライタ、ペイント
シェーカーあるいは超音波分散器等を用いて分散混合し
て塗布液を調整し、これを公知の手段により塗布、乾燥
すればよい。

【００６９】塗布液をつくるための溶剤としては、種々
の有機溶剤が使用可能で、たとえばメタノール、エタノ
ール、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール
類、ｎ−ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン、等の脂
肪族系炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳
香族炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩
化炭素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、ジメ
チルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル等のエーテル類、アセト
ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン
類、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類、ジメチル
ホルムアルデヒド、ジメチルホルムアミド、ジメチルス
ルホキシド等があげられる。これらの溶剤は１種又は２
種以上を混合して用いることができる。

【００７０】さらに、電荷輸送材料や電荷発生材料の分
散性、感光層表面の平滑性をよくするために界面活性
剤、レベリング剤等を使用してもよい。

【００７１】

【実施例】以下、合成例、実施例および比較例をあげて
本発明を説明する。 合成例１ Ｎ，Ｎ′−ジアセチル−３，３′−ジメチルベンジジン
１４．８ｇと、３，４−ジメチルヨードベンゼン２３．
２ｇとを、１３．８ｇの炭酸カリウムおよび１ｇの銅粉
とともに、１５０mlのニトロベンゼン中に加え、強く攪
拌しつつ、この反応系に窒素ガスを吹き込みながら２４
時間還流させた。反応中に生成する水分は、ニトロベン
ゼンと共沸させて反応系外へ取り出した。

【００７２】反応液を冷却後、無機物をろ別し、さらに
水蒸気蒸留によってニトロベンゼンを留去した残渣を、
１０％塩酸とともに１００mlのテトラヒドロフラン中に
加え、２時間還流して脱アセチル化させ、Ｎ，Ｎ′−ビ
ス（３，４−ジメチルフェニル）−３，３′−ジメチル
ベンジジンを得た。このＮ，Ｎ′−ビス（３，４−ジメ
チルフェニル）−３，３′−ジメチルベンジジン１０．
５ｇと、４−ｎ−ブチルヨードベンゼン１３．０ｇと
を、１３．８ｇの炭酸カリウムおよび１ｇの銅粉ととも
に、１５０mlのニトロベンゼン中に加え、強く攪拌しつ
つ、この反応系に窒素ガスを吹き込みながら２４時間、
還流させた。反応中に生成する水分は、先の場合と同様
に、ニトロベンゼンと共沸させて反応系外へ取り出し
た。

【００７３】反応液を冷却後、無機物をろ別し、さらに
水蒸気蒸留によってニトロベンゼンを留去した残渣をシ
クロヘキサンに溶解し、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィーによって分離精製し、シクロヘキサンを留去して
白色沈澱を得た。この白色沈澱を、ｎ−ヘキサンを用い
て再結晶させて、目的物である、前記式(1-a) で表され
るＮ，Ｎ′−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−Ｎ，
Ｎ′−ビス（４−ｎ−ブチルフェニル）−３，３′−ジ
メチルベンジジンを得た。収量は８．７ｇ（収率２７．
３％）であった。

【００７４】生成物の赤外線分光分析の結果を図１に示
す。 元素分析結果 計算値（％） Ｃ：８７．６５ Ｈ：８．２６ Ｎ：
４．０９ 実測値（％） Ｃ：８７．６０ Ｈ：８．２４ Ｎ：
４．１４ 融点：１８０．６℃ 合成例２ ３，４−ジメチルヨードベンゼンに代えて、２，４−ジ
メチルヨードベンゼン２３．２ｇを使用し、かつ４−ｎ
−ブチルヨードベンゼンに代えて４−イソプロピルヨー
ドベンゼン１２．３ｇを使用したほかは、合成例１と同
様にして、前記式(1-b) で表されるＮ，Ｎ′−ビス
（２，４−ジメチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（４−
イソプロピルフェニル）−３，３′−ジメチルベンジジ
ンを得た。収量は８．４ｇ（収率２７．２％）であっ
た。

【００７５】生成物の赤外線分光分析の結果を図２に示
す。 元素分析結果 計算値（％） Ｃ：８７．７４ Ｈ：７．９９ Ｎ：
４．２６ 実測値（％） Ｃ：８７．７０ Ｈ：７．９７ Ｎ：
４．３１ 融点：１８２．６℃ 合成例３ 適当な出発原料を用いて合成例１と同様にして、前記式
(1-c) で表される化合物を得た。 融点：１８１．９℃ 合成例４ ４，４′−ジヨードビフェニル２０．３ｇと、ｐ−イソ
プロピルアセトアニリド２１．３ｇとを、１３．８ｇの
炭酸カリウム、および１ｇの銅粉とともに、１５０mlの
ニトロベンゼン中に加え、強く攪拌しつつ、この反応系
に窒素ガスを吹き込みながら２４時間、還流させた。反
応中に生成する水分は、ニトロベンゼンと共沸させて反
応系外へ取り出した。

【００７６】反応液を冷却後、無機物をろ別し、さらに
水蒸気蒸留によってニトロベンゼンを留去した残渣を、
１０％塩酸とともに１００mlのテトラヒドロフラン中に
加えて２時間還流し、Ｎ，Ｎ′−ビス（４−イソプロピ
ルフェニル）ベンジジンを得た。つぎに、このＮ，Ｎ′
−ビス（４−イソプロピルフェニル）ベンジジン１０．
５ｇと、２，４−ジメチルヨードベンゼン１１．６ｇと
を、１３．８ｇの炭酸カリウムおよび１ｇの銅粉ととも
に、１５０mlのニトロベンゼン中に加え、強く攪拌しつ
つ、この反応系に窒素ガスを吹き込みながら２４時間還
流させた。反応中に生成する水分は、前記と同様に、ニ
トロベンゼンと共沸させて反応系外へ取り出した。

【００７７】つぎに反応液を冷却後、無機物をろ別し、
さらに水蒸気蒸留によってニトロベンゼンを留去した残
渣をシクロヘキサンに溶解し、シリカゲルカラムクロマ
トグラフィーによって分離精製し、シクロヘキサンを留
去して白色沈澱を得た。そしてこの白色沈澱を、ｎ−ヘ
キサンを用いて再結晶させて、前記式(1-d) で表される
Ｎ，Ｎ′−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−Ｎ，
Ｎ′−ビス（４−イソプロピルフェニル）ベンジジンを
得た。収量は８．３ｇ( 収率２９．０％) であった。

【００７８】生成物の赤外分光分析の結果を図３に示
す。 元素分析結果 計算値（％） Ｃ：８７．８４ Ｈ：７．７１ Ｎ：
４．４５ 実測値（％） Ｃ：８７．８３ Ｈ：７．６６ Ｎ：
４．５０ 融点：１８７．６℃ 合成例５および６ 適当な出発原料を用いて合成例４と同様にして、前記式
(1-e) および(1-f) で表される化合物をそれぞれ得た。

【００７９】式(1-e) の化合物の融点：１８５．４℃ 式(1-f) の化合物の融点：１８３．９℃ 合成例７ Ｎ，Ｎ′−ジアセチル−３，３′−ジメチルベンジジン
１４．８ｇと、２，４−ジメチルヨードベンゼン２３．
２ｇとを、実施例１と同様にして反応させてＮ，Ｎ′−
ビス（２，４−ジメチルフェニル）−３，３′−ジメチ
ルベンジジンを得た。このＮ，Ｎ′−ビス（２，４−ジ
メチルフェニル）−３，３′−ジメチルベンジジン１
０．５ｇに、４−エチル−４′−ヨードビフェニル１
５．４ｇを実施例１と同様にして反応させ、前記式(1-
g) で表されるＮ，Ｎ′−ビス（２，４−ジメチルフェ
ニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（４′−エチルビフェニル−４
−イル）−３，３′−ジメチルベンジジンを得た。収量
は７．８ｇ（収率２１．３％）であった。

【００８０】生成物の赤外分光分析の結果を図４に示
す。 元素分析結果 計算値（％） Ｃ：８９．１７ Ｈ：７．２４ Ｎ：
３．５９ 実測値（％） Ｃ：８８．９８ Ｈ：７．２２ Ｎ：
３．７８ 融点：２０４．４℃ 合成例８ ２，４−ジメチルヨードベンゼンに代えて、３，４−ジ
メチルヨードベンゼン２３．２ｇを使用したほかは、合
成例７と同様にして、前記式(1-h) で表されるＮ，Ｎ′
−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス
（４′−エチルビフェニル−４−イル）−３，３′−ジ
メチルベンジジンを得た。収量は７．９ｇ（収率２２．
１％）であった。

【００８１】生成物の赤外分光分析の結果を図５に示
す。 元素分析結果 計算値（％） Ｃ：８９．１７ Ｈ：７．２４ Ｎ：
３．５９ 実測値（％） Ｃ：８８．９４ Ｈ：７．２１ Ｎ：
３．８３ 融点：２３６．３℃ 合成例９および１０ 適当な出発原料を用いて合成例７と同様にして、前記式
(1-i) および(1-j) で表される化合物をそれぞれ得た。

【００８２】式(1-i) の化合物の融点：２１８．４℃ 式(1-j) の化合物の融点：２３７．２℃ 実施例１〜１０、比較例１〜７ （デジタル光源用単層型感光体）電荷発生材料としての
Ｘ型メタルフリーフタロシアニン５重量部、正孔輸送材
料（ＨＴＭ）としてのベンジジン誘導体５０重量部、電
子輸送材料としての式(12)：

【００８３】

【化３２】

【００８４】で表される３，５−ジメチル−３′，５′
−ジ−tert−ブチルジフェノキノン３０重量部、ならび
に結着樹脂としてのポリカーボネート１００重量部を８
００重量部のテトラヒドロフランとともに、ボールミル
にて５０時間混合分散させて、単層型感光層用の塗布液
を作成した。この塗布液をアルミニウム素管上にディッ
プコート法にて塗布し、１００℃で６０分間、熱風乾燥
して、膜厚１５〜２０μｍの単層型感光層を有するデジ
タル光源用の単層型感光体を製造した。

【００８５】実施例１〜１０で使用したベンジジン誘導
体は、表１中に、前記した化合物番号を用いて示した。
また比較例１〜７で使用した符合(13)〜(19)で表される
各ベンジジン誘導体は、下記の化合物である。

【００８６】

【化３３】

【００８７】

【化３４】

【００８８】

【化３５】

【００８９】各比較例で使用したベンジジン誘導体(13)
〜(19)の融点を以下に示す。 ( 化合物番号 ) ( 融点) (13) １７１．０℃ (14) １９５．２℃ (15) ２０１．２℃ (16) １９４．３℃ (17) １９３．５℃ (18) １７０．１℃ (19) １３５．６℃ 上記各実施例および比較例で得た単層型感光体につい
て、以下の試験を行い、その特性を評価した。

【００９０】初期電気特性試験（Ｉ） ジェンテック（ＧＥＮＴＥＣ）社製のドラム感度試験機
を用いて感光体の表面に印加電圧を加え、その表面を＋
７００Ｖに帯電させた。そして、露光光源であるハロゲ
ンランプの白色光からバンドパスフィルターを用いて取
り出した、波長７８０nm（半値幅２０nm）、光強度１６
μＷ／ｃｍ² の単色光を感光体の表面に照射（照射時間
８０ｍｓｅｃ．）して、上記表面電位が１／２つまり＋
３５０Ｖになるのに要した時間を測定し、半減露光量Ｅ
_1/2 （μＪ／ｃｍ² ）を算出した。また露光開始から３
３０ｍｓｅｃ．経過した時点での表面電位を、露光後電
位Ｖ_L （Ｖ）として測定した。

【００９１】ガラス転移温度測定 感光体から感光層を約５ｍｇはぎ取り、それを専用アル
ミニウムパンに入れてシールして測定サンプルを作製し
た。そして、このサンプルを、示差走査熱量測定装置
（理学電機社製の型番ＤＳＣ８２３０Ｄ）を用いて、下
記の条件で測定を行い、測定結果から、ＪＩＳ Ｋ ７
１２１「プラスチックの転移温度測定方法」に則って、
補外ガラス転移開始温度（Ｔig）を求めた。

【００９２】雰囲気ガス：空気 昇温速度：２０℃／分高温耐性試験 感光体を普通紙ファクシミリ（三田工業社製の型番ＬＤ
Ｃ−６５０）のイメージングユニットに装着し、当該感
光体表面に、１．５ｇ／ｍｍの線圧力で、クリーニング
ブレードを常時圧接した状態で、５０℃の雰囲気温度
下、１０日間保管した後、感光層の表面状態を万能表面
形状測定器（小坂研究所製の型番ＳＥ−３Ｈ）を用いて
測定して、凹みの最大の深さを記録した。なお下記表
中、凹みの欄に＜０．３μｍとあるのは、凹みのない通
常の感光体の表面粗さが約０．５μｍ前後であることか
ら、全く凹みが観察されなかったことを示している。

【００９３】以上の結果を表１に示す。

【００９４】

【表１】

【００９５】表から明らかなように、従来のベンジジン
誘導体を用いた各比較例の感光体は、補外ガラス転移開
始温度（Ｔig）が低く、かつ高温耐性試験で大きな凹み
が観察されたことから、耐久性、耐熱性が不十分であっ
た。これに対し、各実施例の感光体はいずれも半減露光
量Ｅ_1/2 （μＪ／ｃｍ² ）が小さく、かつ露光後電位Ｖ
_L （Ｖ）が低いことに加えて、比較例と比べて補外ガラ
ス転移開始温度（Ｔig）が高く、かつ高温耐性試験で凹
みが観察されなかった。このことから、各実施例の感光
体は耐久性、耐熱性にすぐれたものであることがわか
る。 実施例１１〜４０、比較例８〜３１ （アナログ光源用単層型感光体）電荷発生材料（ＣＧ
Ｍ）として、下記式：

【００９６】

【化３６】

【００９７】で表されるいずれかのアゾ顔料５重量部、
正孔輸送材料（ＨＴＭ）としてベンジジン誘導体７０重
量部、電子輸送材料として前記式(12)で表される３，５
−ジメチル−３′，５′−ジ−tert−ブチルジフェノキ
ノン２０重量部、ならびに結着樹脂としてポリカーボネ
ート１００重量部を、８００重量部のテトラヒドロフラ
ンとともに、ボールミルにて５０時間混合分散させて、
単層型感光層用の塗布液を作成した。この塗布液をアル
ミニウム素管上にディップコート法にて塗布し、１００
℃で６０分間熱風乾燥して、膜厚１５〜２０μｍの単層
型感光層を有するアナログ光源用の単層型感光体を製造
した。

【００９８】実施例、比較例で使用したベンジジン誘導
体は前記した化合物番号を用いて示した。得られた各単
層型感光体について、以下の初期電気特性試験（ＩＩ）
を行い、その特性を評価した。初期電気特性試験（II） ジェンテック（ＧＥＮＴＥＣ）社製のドラム感度試験機
を用いて、感光体の表面に印加電圧を加えて、その表面
を＋７００Ｖに帯電させた。そして、露光光源であるハ
ロゲンランプの白色光（光強度１４７μＷ／ｃｍ² ）を
感光体の表面に照射（照射時間５０ｍｓｅｃ．）して、
上記表面電位が１／２つまり＋３５０Ｖになるのに要し
た時間を測定し、半減露光量Ｅ_1/2 （μＪ／ｃｍ² ）を
算出した。また露光開始から３３０ｍｓｅｃ．経過した
時点での表面電位を、露光後電位Ｖ_L （Ｖ）として測定
した。

【００９９】以上の結果を表２〜表４に示す。なお、表
４には、前記と同様にして測定したガラス転移温度およ
び高温耐性の試験結果も併せて示す。

【０１００】

【表２】

【０１０１】

【表３】

【０１０２】

【表４】

【０１０３】これらの表から明らかなように、各実施例
の感光体はいずれも半減露光量Ｅ_{1/ 2} （μＪ／ｃｍ² ）
が小さく、かつ露光後電位Ｖ_L （Ｖ）が低いことから、
感度特性にすぐれたものであった。また、表４から、実
施例の感光体は比較例と比べて補外ガラス転移開始温度
（Ｔig）が高く、かつ高温耐性試験で凹みが観察されな
かったことから、耐久性、耐熱性にすぐれたものである
ことがわかる。 実施例４１〜４６ （デジタル光源用積層型感光体）電荷発生材料としての
Ｘ型メタルフリーフタロシアニン２重量部と、結着樹脂
としてのポリビニルブチラール１重量部とを、１２０重
量部のジクロロメタンとともに、ボールミルにて混合分
散させて、電荷発生層用の塗布液を作成した。この塗布
液をアルミニウム素管上にディップコート法にて塗布
し、１００℃で６０分間熱風乾燥して、膜厚０．５μｍ
の電荷発生層を形成した。

【０１０４】つぎに、正孔輸送材料としてのベンジジン
誘導体８０重量部と、結着樹脂としてのポリカーボネー
ト１００重量部とを、８００重量部のベンゼンととも
に、ボールミルにて混合分散させて、電荷輸送層用の塗
布液を作成した。そしてこの塗布液を上記電荷発生層上
にディップコート法にて塗布し、９０℃で６０分間熱風
乾燥して、膜厚１５μｍの電荷輸送層を形成して、デジ
タル光源用の積層型感光体を製造した。

【０１０５】得られた各積層型感光体について、下記の
初期電気特性試験(III) を行い、その特性を評価した。初期電気特性試験(III) ジェンテック（ＧＥＮＴＥＣ）社製のドラム感度試験機
を用いて、両実施例の感光体の表面に印加電圧を加え
て、その表面を−７００Ｖに帯電させた。そして、露光
光源であるハロゲンランプの白色光からバンドパスフィ
ルターを用いて取り出した、波長７８０nm（半値幅２０
nm）、光強度１６μＷ／ｃｍ² の単色光を感光体の表面
に照射（照射時間８０ｍｓｅｃ．）して、上記表面電位
が１／２つまり−３５０Ｖになるのに要した時間を測定
し、半減露光量Ｅ_1/2 （μＪ／ｃｍ ² ）を算出した。ま
た露光開始から３３０ｍｓｅｃ．経過した時点での表面
電位を、露光後電位Ｖ_L （Ｖ）として測定した。

【０１０６】試験結果を表５に示す。

【０１０７】

【表５】

【０１０８】表５から明らかなように、各実施例の感光
体はいずれも、半減露光量Ｅ_1/2 （μＪ／ｃｍ² ）が小
さく、かつ露光後電位Ｖ_L （Ｖ）が低いことから、感度
特性にすぐれたものであった。 合成例１１ ３，３′−ジメチルベンジジンの１０．６ｇと２，４−
ジメチルヨードベンゼンの４６．４ｇとを、２７．６ｇ
の炭酸カリウムおよび２ｇの銅粉とともに、１５０mlの
ニトロベンゼン中に加え、強く攪拌しつつ、この反応系
に窒素ガスを吹き込みながら２４時間還流させた。反応
中に生成する水分は、ニトロベンゼンと共沸させて反応
系外へ取り出した。

【０１０９】反応液を冷却後、無機物をろ別し、さらに
水蒸気蒸留によってニトロベンゼンを留去した残渣をシ
クロヘキサンに溶解し、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィーによって分離精製し、シクロヘキサンを留去して
白色沈澱を得た。そしてこの白色沈澱を、ｎ−ヘキサン
を用いて再結晶させて、前記式(2-a) で表されるＮ，
Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２，４−ジメチルフェニ
ル）−３，３′−ジメチルベンジジンを得た。収量は１
３．２４ｇ（収率４２．１％）であった。

【０１１０】生成物の赤外分光分析の結果を図６に示
す。 元素分析結果 計算値（％） Ｃ：８７．８５ Ｈ：７．６９ Ｎ：
４．４５ 実測値（％） Ｃ：８７．７６ Ｈ：７．８１ Ｎ：
４．４３ 融点：２３９．９℃ 合成例１２〜１６ 適当な出発原料を用いて合成例１１と同様にして、前記
式(2-b) および(2-f)で表される化合物をそれぞれ得
た。

【０１１１】各ベンジジン誘導体の融点を以下に示す。 ( 化合物番号 ) ( 融点) (2-b) ２１０．３℃ (2-c) ２０１．４℃ (2-d) ２１７．８℃ (2-e) ２１０．０℃ (2-f) １９９．２℃ 実施例４７〜４９、比較例３２〜３７ （デジタル用感光体）正孔輸送材料（ＨＴＭ）として、
表６に化合物番号で示すベンジジン誘導体を用いたほか
は、実施例１と同様にして膜厚１５〜２０μｍの単層型
感光層を有するデジタル用の電子写真感光体を製造し
た。比較例３２〜３７で使用した符号(20)〜(25)のベン
ジジン誘導体は、下記の化合物である。

【０１１２】

【化３７】

【０１１３】

【化３８】

【０１１４】

【化３９】

【０１１５】 各ベンジジン誘導体(20)〜(25)の融点を以下に示す。 ( 化合物番号 ) ( 融点) (20) ２２０．１℃ (21) ２１９．７℃ (22) ２０４．２℃ (23) １９５．９℃ (24) ２０３．３℃ (25) ２０１．０℃ 電子写真感光体について、実施例１と同様にして初期電
気特性試験（Ｉ）、ガラス転移温度および高温耐性試験
を測定した。その結果を表６に示す。また、比較のた
め、符号(13)で表されるベンジジン誘導体を用いた感光
体についての試験結果も併せて示す。

【０１１６】

【表６】

【０１１７】実施例５０〜５８、比較例３８〜５５ （アナログ光源用感光体）正孔輸送剤として表７、表８
に記載のベンジジン誘導体を用いたほかは、実施例１１
と同様にしてアナログ光源用単層型感光体を製造した。
得られた電子写真感光体について、実施例１１と同じ初
期電気特性試験（II）を行い、その特性を評価した。そ
の結果を表７、表８に示す。また、比較のため、符号(1
3)で表されるベンジジン誘導体を用いた感光体について
の試験結果も併せて示す。

【０１１８】

【表７】

【０１１９】

【表８】

【０１２０】合成例１７ Ｎ，Ｎ′−ジアセチル−３，３′，５，５′−テトラメ
チルベンジジンの１６．１ｇと、ｐ−ヨードトルエンの
２１．８ｇとを、１３．８ｇの炭酸カリウムおよび１ｇ
の銅粉とともに、１５０mlのニトロベンゼン中に加え、
強く攪拌しつつ、この反応系に窒素ガスを吹き込みなが
ら２４時間還流させた。反応中に生成する水分は、ニト
ロベンゼンと共沸させて反応系外へ取り出した。

【０１２１】つぎに反応液を冷却後、無機物をろ別し、
さらに水蒸気蒸留によってニトロベンゼンを留去した残
渣を、１０％塩酸とともに１００mlのテトラヒドロフラ
ン中に加えて２時間、還流して脱アセチル化させて、
Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メチルフェニル）−３，３′，５，
５′−テトラメチルベンジジンを得た。つぎに、この
Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メチルフェニル）−３，３′，５，
５′−テトラメチルベンジジンの１０．３ｇと、４−te
rt−ブチルヨードベンゼンの１３．０ｇとを、１３．８
ｇの炭酸カリウムおよび１ｇの銅粉とともに、１５０ml
のニトロベンゼン中に加え、強く攪拌しつつ、この反応
系に窒素ガスを吹き込みながら２４時間、還流させた。
反応中に生成する水分は、先の場合と同様に、ニトロベ
ンゼンと共沸させて反応系外へ取り出した。

【０１２２】反応液を冷却後、無機物をろ別し、さらに
水蒸気蒸留によってニトロベンゼンを留去した残渣をシ
クロヘキサンに溶解し、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィーによって分離精製し、シクロヘキサンを留去して
白色沈澱を得た。そしてこの白色沈澱を、ｎ−ヘキサン
を用いて再結晶させて、目的物である、前記式(3-b)で
表されるＮ，Ｎ′−ジ（４−メチルフェニル）−Ｎ，
Ｎ′−ジ（４−tert−ブチルフェニル）−３，３′，
５，５′−テトラメチルベンジジンを得た。収量は６．
７１ｇ（収率３９．２％）であった。

【０１２３】生成物の赤外分光分析の結果を図７に示
す。 元素分析結果 計算値（％） Ｃ：８７．６７ Ｈ：８．２４ Ｎ：
４．０９ 実測値（％） Ｃ：８７．６０ Ｈ：８．２０ Ｎ：
４．２０ 融点：２７６．０℃ 合成例１８ ｐ−ヨードトルエンに代えて４−メチルヨードベンゼン
を、かつ４−tert−ブチルヨードベンゼンに代えて４−
エチル−４′−ヨードビフェニルをそれぞれ同モル量で
使用したほかは、合成例１７と同様にして前記式(3-e)
で表されるＮ，Ｎ′−ビス（４−メチルフェニル）−
Ｎ，Ｎ′−ビス（４′−エチルビフェニル−４−イル）
−３，５，３′，５′−テトラメチルベンジジンを得
た。収量は９．２ｇ（収率２５．０％）であった。

【０１２４】生成物の赤外分光分析の結果を図８に示
す。 元素分析結果 計算値（％） Ｃ：８９．１７ Ｈ：７．２４ Ｎ：
３．５９ 実測値（％） Ｃ：８９．１０ Ｈ：７．１９ Ｎ：
３．６１ 融点：１８１．６℃ 合成例１９〜２２ 適当な出発原料を用いて、合成例１７と同様にして式(3
-a) 、(3-c) 、(3-d)、(3-f) の各ベンジジン誘導体を
得た。

【０１２５】 ( 化合物番号 ) ( 融点) (3-a) ２８０．５℃ (3-c) ２７７．３℃ (3-d) １９８．７℃ (3-f) ２００．７℃ 実施例５９〜６４、比較例５６〜５７ （デジタル用単層型感光体）正孔輸送材料（ＨＴＭ）と
して、表９に示すベンジジン誘導体を用いたほかは、実
施例１と同様にして膜厚１５〜２０μｍの単層型感光層
を有するデジタル用の電子写真感光体を製造した。

【０１２６】実施例で使用したベンジジン誘導体は、表
９中に各具体例の化合物番号を用いて示した。また、比
較例５６、５７で使用した符号(26)、(27)のベンジジン
誘導体は、下記の化合物である。

【０１２７】

【化４０】

【０１２８】各ベンジジン誘導体(26)、(27)の融点を以
下に示す。 ( 化合物番号 ) ( 融点) (26) ２２４．１℃ (27) ３０１．５℃ 各実施例、比較例の電子写真感光体について、実施例１
と同様にして初期電気特性試験（Ｉ）、ガラス電位温度
測定および高温耐性試験を測定した。その結果を表９に
示す。また、比較のため、符号(13)、(18)で表されるベ
ンジジン誘導体を用いた各感光体についての試験結果も
併せて示す。

【０１２９】

【表９】

【０１３０】実施例６５〜８２、比較例５８〜６３ （アナログ光源用感光体）正孔輸送剤（ＨＴＭ）として
表１０、表１１に記載のベンジジン誘導体を用いたほか
は、実施例１１と同様にしてアナログ光源用単層型感光
体を製造した。各実施例、比較例の電子写真感光体につ
いて、実施例１１と同じ初期電気特性試験（II）を行
い、その特性を評価した。その結果を表１０、表１１に
示す。また、比較のため、符号(13)、(18)で表されるベ
ンジジン誘導体を用いた各感光体についての試験結果も
併せて示す。

【０１３１】

【表１０】

【０１３２】

【表１１】

【０１３３】実施例８３〜８４ （デジタル光源用積層型感光体）正孔輸送材料（ＨＴ
Ｍ）として表１２に示すものを使用したほかは、実施例
４１と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造
した。得られた各積層型感光体について、実施例４１と
同様にして初期電気特性試験(III) を行い、その特性を
評価した。その試験結果を表１２に示す。

【０１３４】

【表１２】

【０１３５】合成例２３ Ｎ，Ｎ′−ジアセチル−２，５，２′，５′−テトラメ
チルベンジジン１６．１ｇと、４−メチルヨードベンゼ
ン２１．８ｇとを、合成例１と同様にして反応させて、
Ｎ，Ｎ′−ビス（４−メチルフェニル）−２，５，
２′，５′−テトラメチルベンジジンを得た。さらに、
このＮ，Ｎ′−ビス（４−メチルフェニル）−２，５，
２′，５′−テトラメチルベンジジン１２．０ｇと、４
−tert−ブチルヨードベンゼン１３．０ｇとを、合成例
１と同様にして反応させて、式(4-a)で表されるＮ，
Ｎ′−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス
（４−tert−ブチルフェニル）−２，５，２′，５′−
テトラメチルベンジジンを得た。収量は９．０ｇ（収率
２７．１％）であった。

【０１３６】生成物の赤外分光分析の結果を図９に示
す。 元素分析結果 計算値（％） Ｃ：８７．６５ Ｈ：８．２６ Ｎ：
４．０９ 実測値（％） Ｃ：８７．６１ Ｈ：８．１９ Ｎ：
４．１９ 融点：１８０．９℃ 合成例２４ 適当な出発原料を用いて、式(4-b) で表されるベンジジ
ン誘導体を得た。

【０１３７】融点：１９１．５℃ 実施例８５および８６ （デジタル光源用単層型感光体）正孔輸送材料（ＨＴ
Ｍ）として表１３に化合物番号で示すベンジジン誘導体
を使用したほかは実施例１と同様にしてデジタル光源用
単層型感光体を製造した。

【０１３８】各単層型感光体について、前記した初期電
気特性試験（Ｉ）、ガラス電位温度測定および高温耐性
試験を行い、その特性を評価した。その結果を表１３に
示す。また、比較例として符号(13)、(18)、(26)のベン
ジジン誘導体をそれぞれ用いた感光体についての試験結
果も併せて示す。

【０１３９】

【表１３】

【０１４０】実施例８７〜９２ （アナログ光源用感光体）正孔輸送材料（ＨＴＭ）とし
て表１４に記載のベンジジン誘導体を用いたほかは、実
施例１１と同様にしてアナログ光源用単層型感光体を製
造した。各実施例、比較例の電子写真感光体について、
実施例１１と同じ初期電気特性試験（II）を行い、その
特性を評価した。その結果を表１４に示す。なお、比較
のため、正孔輸送材料として式(13)、(18)、(26)の各ベ
ンジジン誘導体を使用した感光体の試験結果も併せて示
す。

【０１４１】

【表１４】

【０１４２】実施例９３，９４ （デジタル光源用積層型感光体）正孔輸送材料（ＨＴ
Ｍ）として表１５に示すものを使用したほかは、実施例
４１と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造
した。得られた各積層型感光体について、実施例４１と
同様にして初期電気特性試験(III) を行い、その特性を
評価した。その試験結果を表１５に示す。

【０１４３】

【表１５】

【０１４４】合成例２５ ３，３′−ジメチルベンジジン１０．６ｇと、４−エチ
ル−４′−ヨードビフェニル３３．９ｇとを、２７．６
ｇの炭酸カリウムおよび２ｇの銅粉とともに、１５０ml
のニトロベンゼン中に加え、強く攪拌しつつ、この反応
系に窒素ガスを吹き込みながら２４時間還流させた。反
応中に生成する水分は、ニトロベンゼンと共沸させて反
応系外へ取り出した。

【０１４５】反応液を冷却後、無機物をろ別し、さらに
水蒸気蒸留によってニトロベンゼンを留去した残渣をシ
クロヘキサンに溶解し、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィーによって分離精製し、シクロヘキサンを留去して
白色沈澱を得た。そしてこの白色沈澱を、ｎ−ヘキサン
を用いて再結晶させて、前記式(5-b) で表されるＮ，
Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（４′−エチルビフェニル
−４−イル）−３，３′−ジメチルベンジジンを得た。
収量は１４．７ｇ（収率３１．５％）であった。

【０１４６】 生成物の赤外分光分析の結果を図１０に示す。 元素分析結果 計算値（％） Ｃ：９０．０７ Ｈ：６．９３ Ｎ：
３．００ 実測値（％） Ｃ：８９．９８ Ｈ：６．９１ Ｎ：
３．０１ 融点：２７０．４℃ 合成例２６，２７ 適当な出発原料を用いて、式(5-a) 、(5-c) で表される
ベンジジン誘導体を得た。

【０１４７】 ( 化合物番号 ) ( 融点) (5-a) ２０３．３℃ (5-c) ２８１．３℃ 実施例９５〜９７ （デジタル光源用単層型感光体）正孔輸送材料（ＨＴ
Ｍ）として表１６に化合物番号で示すベンジジン誘導体
を使用したほかは実施例１と同様にしてデジタル光源用
単層型感光体を製造した。

【０１４８】上記各実施例の単層型感光体について、前
記した初期電気特性試験（Ｉ）、ガラス電位温度測定お
よび高温耐性試験を行い、その特性を評価した。その結
果を表１６に示す。また、比較のため、符号(13)、(1
8)、(19)のベンジジン誘導体をそれぞれ用いた感光体に
ついての試験結果も併せて示す。

【０１４９】

【表１６】

【０１５０】実施例９８〜１０６ （アナログ光源用感光体）正孔輸送材料（ＨＴＭ）とし
て表１７に記載のベンジジン誘導体を用いたほかは、実
施例１１と同様にしてアナログ光源用単層型感光体を製
造した。各実施例、比較例の電子写真感光体について、
実施例１１と同じ初期電気特性試験（II）を行い、その
特性を評価した。その結果を表１７に示す。なお、比較
のため、式(13)、(18)、(19)の各ベンジジン誘導体を用
いた感光体の試験結果も併せて示す。

【０１５１】

【表１７】

【０１５２】実施例１０７，１０８ （デジタル光源用積層型感光体）正孔輸送材料（ＨＴ
Ｍ）として表１８に示すものを使用したほかは、実施例
４１と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造
した。得られた各積層型感光体について、実施例４１と
同様にして初期電気特性試験(III) を行い、その特性を
評価した。その試験結果を表１８に示す。

【０１５３】

【表１８】

【０１５４】合成例２８ Ｎ，Ｎ′−ジアセチル−３，３′−ジメチルベンジジン
１４．９ｇと、パラヨードベンゼン２１．８ｇとを合成
例１と同様にして反応させ、Ｎ，Ｎ′−ジｐ−トリル−
３，３′−ジメチルベンジジンを得た。さらに、この
Ｎ，Ｎ′−ジｐ−トリル−３，３′−ジメチルベンジジ
ン１２．０ｇと、４−エチル−４′−ヨードビフェニル
１５．４ｇとを、合成例１と同様にして反応させ、Ｎ，
Ｎ′−ジ−ｐ−トリル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４′−エチルビ
フェニル−４−イル）−３，３′−ジメチルベンジジン
（以下、6-c という) を得た。収量は８．８２ｇ（収率
２３．７％）であった。

【０１５５】上記化合物6-c の赤外分光分析の結果を図
11に示す。 元素分析結果 計算値（％） Ｃ：８９．３２ Ｈ：６．９６ Ｎ：
３．７２ 実測値（％） Ｃ：８８．９９ Ｈ：６．９０ Ｎ：
３．９０ 融点：１３５．６℃ 合成例２９ ４−エチル−４′−ヨードビフェニルに代えて、４−ヨ
ードビフェニルを使用したほかは、合成例２８と同様に
してＮ，Ｎ′−ジ−ｐ−トリル−Ｎ，Ｎ′−ジ（ビフェ
ニル−４−イル）−３，３′−ジメチルベンジジン（以
下、6-a という) を得た。

【０１５６】融点：１８１．５℃ 合成例３０ ４−エチル−４′−ヨードビフェニルに代えて、４−メ
チル−４′−ヨードビフェニルを使用したほかは、合成
例２８と同様にしてＮ，Ｎ′−ジ−ｐ−トリル−Ｎ，
Ｎ′−ジ（４−メチルビフェニル−４′−イル）−３，
３′−ジメチルベンジジン（以下、6-ｂという) を得
た。

【０１５７】融点：１６８．３℃ 実施例１０９〜１１１ （デジタル光源用単層型感光体）正孔輸送材料（ＨＴ
Ｍ）として表１９に示すベンジジン誘導体を使用したほ
かは実施例１と同様にしてデジタル光源用単層型感光体
を製造した。得られた各感光体について、前記した初期
電気特性試験（Ｉ）を行い、その特性を評価した。その
結果を表１９に示す。また、比較のため、式(13)、(18)
のベンジジン誘導体を用いた感光体についての試験結果
も併せて示す。

【０１５８】

【表１９】

【０１５９】実施例１１２〜１２０ （アナログ光源用単層型感光体）正孔輸送剤（ＨＴＭ）
として表２０に記載のベンジジン誘導体を用いたほか
は、実施例１１と同様にしてアナログ光源用単層型感光
体を製造した。各実施例、比較例の電子写真感光体につ
いて、実施例１１と同じ初期電気特性試験（II）を行
い、その特性を評価した。その結果を表２０に示す。ま
た、比較のため、符号(13)、(18)のベンジジン誘導体を
それぞれ用いた感光体についての試験結果を併せて示
す。

【０１６０】

【表２０】

【０１６１】

【発明の効果】本発明のベンジジン誘導体は、高い正孔
輸送能を維持しつつ、結着樹脂に対する相溶性にもすぐ
れており、しかも従来のベンジジン誘導体に比べて融点
が高いので、結着樹脂中に分散させた際に、膜のガラス
転移温度を従来より高くして、膜の耐久性、耐熱性等を
向上させることができる。従って、本発明のベンジジン
誘導体は、たとえば太陽電池、エレクトロルミネッセン
ス素子、電子写真感光体等において、正孔輸送材料とし
て好適に使用することができる。

【０１６２】また本発明の電子写真感光体は、高感度で
かつ耐久性、耐熱性にすぐれている。

【図面の簡単な説明】

【図１】合成例１のベンジジン誘導体の赤外分光分析結
果を示すグラフである。

【図２】合成例２のベンジジン誘導体の赤外分光分析結
果を示すグラフである。

【図３】合成例４のベンジジン誘導体の赤外分光分析結
果を示すグラフである。

【図４】合成例７のベンジジン誘導体の赤外分光分析結
果を示すグラフである。

【図５】合成例８のベンジジン誘導体の赤外分光分析結
果を示すグラフである。

【図６】合成例１１のベンジジン誘導体の赤外分光分析
結果を示すグラフである。

【図７】合成例１７のベンジジン誘導体の赤外分光分析
結果を示すグラフである。

【図８】合成例１８のベンジジン誘導体の赤外分光分析
結果を示すグラフである。

【図９】合成例２３のベンジジン誘導体の赤外分光分析
結果を示すグラフである。

【図１０】合成例２５のベンジジン誘導体の赤外分光分
析結果を示すグラフである。

【図１１】合成例２８のベンジジン誘導体の赤外分光分
析結果を示すグラフである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｇ 5/06 ３１２ Ｈ０１Ｌ 51/00 31/04 // Ｃ０９Ｋ 11/06 Ｚ 9280−4Ｈ (31)優先権主張番号 特願平5−257209 (32)優先日 平５(1993)10月14日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平5−304437 (32)優先日 平５(1993)12月３日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平5−304438 (32)優先日 平５(1993)12月３日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平6−70422 (32)優先日 平６(1994)４月８日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平6−70423 (32)優先日 平６(1994)４月８日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平6−70424 (32)優先日 平６(1994)４月８日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平6−70425 (32)優先日 平６(1994)４月８日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平6−70426 (32)優先日 平６(1994)４月８日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平6−70427 (32)優先日 平６(1994)４月８日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 深見 季之 大阪府大阪市中央区玉造１丁目２番28号 三田工業株式会社内 (72)発明者 中森 英雄 大阪府大阪市中央区玉造１丁目２番28号 三田工業株式会社内 (72)発明者 角井 幹男 大阪府大阪市中央区玉造１丁目２番28号 三田工業株式会社内 (72)発明者 斎藤 栄 大阪府大阪市中央区玉造１丁目２番28号 三田工業株式会社内 (72)発明者 塩見 宏 大阪府大阪市中央区玉造１丁目２番28号 三田工業株式会社内 (72)発明者 住田 圭介 大阪府大阪市中央区玉造１丁目２番28号 三田工業株式会社内 (72)発明者 内田 真紀 大阪府大阪市中央区玉造１丁目２番28号 三田工業株式会社内

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一般式(1) ： 【化１】 （式中、Ｒ¹ ，Ｒ² は同一または異なって水素原子また
   はアルキル基を示し、Ｒ ³ およびＲ⁴ は同一または異な
   ってアルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示
   し、Ｒ⁵ およびＲ⁶ は同一または異なって炭素数３〜５
   のアルキル基または置換基を有することのあるアリール
   基を示す。ｍおよびｎは同一または異なって２または３
   を示す。）で表されるベンジジン誘導体。
2. 【請求項２】一般式(1')： 【化２】 （式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、Ｒ⁵ 、ｍおよびｎは
   請求項１と同じである。）で表される請求項１記載のベ
   ンジジン誘導体。
3. 【請求項３】一般式(2) ： 【化３】 （式中、Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ ，Ｒ⁹ ，Ｒ¹⁰，Ｒ¹¹，Ｒ¹²，Ｒ¹³，
   Ｒ¹⁴，Ｒ¹⁵およびＲ¹⁶は同一または異なってアルキル
   基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示す。）で表さ
   れるベンジジン誘導体。
4. 【請求項４】一般式(3) ： 【化４】 （式中、Ｒ¹⁷，Ｒ¹⁸，Ｒ¹⁹およびＲ²⁰は同一または異な
   ってアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｒ²¹および
   Ｒ²²は同一または異なって水素原子、アルキル基、アル
   コキシ基またはハロゲン原子を示し、Ｒ²³およびＲ²⁴は
   同一または異なって水素原子、アルキル基または置換基
   を有することのあるアリール基を示す。）で表されるベ
   ンジジン誘導体。
5. 【請求項５】一般式(3') ： 【化５】 （式中、Ｒ¹⁷，Ｒ¹⁸，Ｒ¹⁹およびＲ²⁰は請求項４と同
   じ、Ｒ²⁵およびＲ²⁶は同一または異なって水素原子また
   はアルキル基を示し、Ｒ²⁷およびＲ²⁸は同一または異な
   って炭素数が３〜５のアルキル基または置換基を有する
   ことのあるアリール基を示す。）で表される請求項４記
   載のベンジジン誘導体。
6. 【請求項６】一般式(4) ： 【化６】 （式中、Ｒ²⁹，Ｒ³⁰，Ｒ³¹およびＲ³²は同一または異な
   ってアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｒ³³および
   Ｒ³⁴は同一または異なってアルキル基、アルコキシ基ま
   たはハロゲン原子を示し、Ｒ³⁵およびＲ³⁶は同一または
   異なって炭素数が３〜５のアルキル基を示す。）で表さ
   れるベンジジン誘導体。
7. 【請求項７】一般式(5) ： 【化７】 （式中、Ｒ³⁷，Ｒ³⁸，Ｒ³⁹およびＲ⁴⁰は同一または異な
   って水素原子またはアルキル基を示し、Ｒ⁴¹およびＲ⁴²
   は同一または異なってアルキル基を示す。）で表される
   ベンジジン誘導体。
8. 【請求項８】導電性基体上に、請求項１記載の一般式
   (1) で表されるベンジジン誘導体を含有する感光層を備
   えたことを特徴とする電子写真感光体。
9. 【請求項９】前記ベンジジン誘導体が請求項２記載の一
   般式(1′) で表される請求項８記載の電子写真感光体。
10. 【請求項１０】導電性基体上に、請求項３記載の一般式
    (2) で表されるベンジジン誘導体を含有する感光層を備
    えたことを特徴とする電子写真感光体。
11. 【請求項１１】導電性基体上に、請求項４記載の一般式
    (3) で表されるベンジジン誘導体を含有する感光層を備
    えたことを特徴とする電子写真感光体。
12. 【請求項１２】前記ベンジジン誘導体が請求項５記載の
    一般式(3') で表される請求項１１記載の電子写真感光
    体。
13. 【請求項１３】導電性基体上に、請求項６記載の一般式
    (4) で表されるベンジジン誘導体を含有する感光層を備
    えたことを特徴とする電子写真感光体。
14. 【請求項１４】導電性基体上に、請求項７記載の一般式
    (5) で表されるベンジジン誘導体を含有する感光層を備
    えたことを特徴とする電子写真感光体。
15. 【請求項１５】導電性基体上に単層の感光層を設けた電
    子写真感光体において、前記単層の感光層が、電荷発生
    材料とともに、下記一般式(6) で表されるベンジジン誘
    導体を含有したことを特徴とする、正帯電型の電子写真
    感光体。 【化８】 （式中、Ｒ⁴³，Ｒ⁴⁴，Ｒ⁴⁵，Ｒ⁴⁶，Ｒ⁴⁷およびＲ⁴⁸は同
    一または異なって水素原子、アルキル基、アルコキシ基
    またはハロゲン原子を示す。）