JPH0732441B2 - イメージセンサチップの切断方法 - Google Patents
イメージセンサチップの切断方法Info
- Publication number
- JPH0732441B2 JPH0732441B2 JP59118448A JP11844884A JPH0732441B2 JP H0732441 B2 JPH0732441 B2 JP H0732441B2 JP 59118448 A JP59118448 A JP 59118448A JP 11844884 A JP11844884 A JP 11844884A JP H0732441 B2 JPH0732441 B2 JP H0732441B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- cutting
- sensor chip
- chip
- cutting method
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はイメージセンサに関し、特に原稿情報を高速で
かつ高解像度で読み取ることを可能にした長尺状イメー
ジセンサに関するものである。
かつ高解像度で読み取ることを可能にした長尺状イメー
ジセンサに関するものである。
従来例の構成とその問題点 近年、オフィスオートメーション機器の発展にともな
い、ファクシミリ，事務機器やコンピュータの入力端末
用としての各種のイメージセンサ（光学的読み取り装
置）の開発が進められている、光学的読み取り装置を大
きくわけると縮小型と密着型に分けられる。縮小型光学
的読み取り装置では、原稿情報を縮小レンズ系を通して
20mm〜40mm長のイメージセンサ上（CCDイメージセンサ
やMOSイメージセンサ等）に結像して原稿情報を光学的
に読み取っている。この場合、縮小レンズ系を用いるた
め長い光路長（A4サイズでは約50cm）が必要となる。こ
のため装置の小型化，高解像度化，調整の容易性という
点で問題があった。
い、ファクシミリ，事務機器やコンピュータの入力端末
用としての各種のイメージセンサ（光学的読み取り装
置）の開発が進められている、光学的読み取り装置を大
きくわけると縮小型と密着型に分けられる。縮小型光学
的読み取り装置では、原稿情報を縮小レンズ系を通して
20mm〜40mm長のイメージセンサ上（CCDイメージセンサ
やMOSイメージセンサ等）に結像して原稿情報を光学的
に読み取っている。この場合、縮小レンズ系を用いるた
め長い光路長（A4サイズでは約50cm）が必要となる。こ
のため装置の小型化，高解像度化，調整の容易性という
点で問題があった。
この問題の解決法として密着型イメージセンサの開発が
進められている。密着型イメージセンサは1:1で原稿情
報をイメージセンサ上に結像するため、光路長は10〜50
mmですみ、又、全範囲にわたり高解像度が得られるとい
う特徴を有する。しかし、1:1で結像するため原稿長と
同一サイズ（A4なら216mm,A3なら296mm）のイメージセ
ンサが必要となる。
進められている。密着型イメージセンサは1:1で原稿情
報をイメージセンサ上に結像するため、光路長は10〜50
mmですみ、又、全範囲にわたり高解像度が得られるとい
う特徴を有する。しかし、1:1で結像するため原稿長と
同一サイズ（A4なら216mm,A3なら296mm）のイメージセ
ンサが必要となる。
現在、シリコン結晶を用いる場合、センサ長はシリコン
ウエハーサイズで決まり長尺化は困難である。また多チ
ップを千鳥状に配列した長尺化を目指すアプローチもあ
るが、チップのマウント法や各チップからの出力のライ
ン処理やライン処理用のメモリが必要である。
ウエハーサイズで決まり長尺化は困難である。また多チ
ップを千鳥状に配列した長尺化を目指すアプローチもあ
るが、チップのマウント法や各チップからの出力のライ
ン処理やライン処理用のメモリが必要である。
これら結晶を用いる方法に対し、長尺化の容易な薄膜型
としてCdS系やａ−Si系イメージセンサがある。CdS系は
読み取り速度が遅い,a−Si系は高速であるが、実装面で
走査用のLSIとのハイブリッドタイプになり、トータル
コストが高くなるという問題がある。
としてCdS系やａ−Si系イメージセンサがある。CdS系は
読み取り速度が遅い,a−Si系は高速であるが、実装面で
走査用のLSIとのハイブリッドタイプになり、トータル
コストが高くなるという問題がある。
発明の目的 本発明は結晶型のイメージセンサを複数個直線状に高精
度で配列して長尺化し、原稿情報を高速かつ高解像度で
読み取りを可能とするイメージセンサチップの切断方法
を提供することを目的とする。
度で配列して長尺化し、原稿情報を高速かつ高解像度で
読み取りを可能とするイメージセンサチップの切断方法
を提供することを目的とする。
発明の構成 本発明のイメージセンサの切断方法は、イメージセンサ
チップを長尺化するために複数のイメージセンサチップ
を直線状配列を可能にするイメージセンサチップの高精
度切断方法を実施することにより接続部でも、センサピ
ッチを一定の誤差の範囲内にあることを可能にするもの
である。これにより、原稿情報を高速でかつ原稿の全領
域を高解像度で読み取ることが可能になる。
チップを長尺化するために複数のイメージセンサチップ
を直線状配列を可能にするイメージセンサチップの高精
度切断方法を実施することにより接続部でも、センサピ
ッチを一定の誤差の範囲内にあることを可能にするもの
である。これにより、原稿情報を高速でかつ原稿の全領
域を高解像度で読み取ることが可能になる。
実施例の説明 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図はイメージセンサを形成したウエハーをダイシン
グソーを用いて高精度切断したイメージセンサチップの
図を示す。第１図において、１は切断箇所、２は光セン
サアレイ、３は走査回路部、である。直線状配列を可能
にするため、切断箇所近傍まで光センサを配置してい
る。切断の際、チップ両側，すなわち切断箇所１に近い
光センサもしくは素子をチッピングやクラック等で破損
することなく切断する必要がある。
グソーを用いて高精度切断したイメージセンサチップの
図を示す。第１図において、１は切断箇所、２は光セン
サアレイ、３は走査回路部、である。直線状配列を可能
にするため、切断箇所近傍まで光センサを配置してい
る。切断の際、チップ両側，すなわち切断箇所１に近い
光センサもしくは素子をチッピングやクラック等で破損
することなく切断する必要がある。
次にチッピングやクラック等の少ない切断について述べ
る。
る。
又、第２図は酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜等の強
度に富む材料で切断ブレードのガイドを設けた図であ
る。７は酸化シリコン等で設けた切断ブレードのガイド
である。第３図は切断後の図である。このガイドを用い
る方法によって、切断ブレードの振れが少なくなり、チ
ッピングやクラック等の発生は少なく切断面近傍の光セ
ンサや素子を破損することなく高精度切断が可能とな
る。
度に富む材料で切断ブレードのガイドを設けた図であ
る。７は酸化シリコン等で設けた切断ブレードのガイド
である。第３図は切断後の図である。このガイドを用い
る方法によって、切断ブレードの振れが少なくなり、チ
ッピングやクラック等の発生は少なく切断面近傍の光セ
ンサや素子を破損することなく高精度切断が可能とな
る。
以上のような方法で高精度切断されたイメージセンサチ
ップを複数個直線状に配列する方法を説明する。第４図
は上記の方法で高精度に切断されたイメージセンサチッ
プの接続部の図である。イは接続部の左側、ロは接続部
の右側のイメージセンサチップを示す。a,a′は一番端
の光センサの中心からチップ端までの距離、b,b′は各
光センサの間隔、c,c′は光センサの中心から下端XI,
XI′までの距離、d,d′は光センサの中心から上端XII,X
II′までの距離である。ウエハーからの切断の際、上記
の方法で高精度切断しているため、ａ＝ａ′,c＝ｃ′,d
＝ｄ′,b,b′はマスクパターンに依存してｂ＝ｂ′とな
る。解像度16dots/mmの場合、ｂ＝ｂ′＝62.5μｍであ
るから ＝31.25μｍとなるように切断すればイ，ロを接続した
場合、接続部における光センサの間隔はａ＋ａ′＝ｂと
なり、他の光センサ間隔と同一となり、解像の誤差はな
くなる。すなわち図に示す横方向の誤差はなくなる。こ
の接続のようすを第５図に示す。図中のチップ下端、イ
ではXI,ロではXI′を一致させればよい。すなわち副走
査方向の基準となるものにXI,XI′を一致させれば、ｃ
＝ｃ′の関係より副走査方向の配列の誤差はなくなる。
チップ上端XII,XII′で行なう場合においてもｄ＝ｄ′
の関係より、同様に行なうことができる。
ップを複数個直線状に配列する方法を説明する。第４図
は上記の方法で高精度に切断されたイメージセンサチッ
プの接続部の図である。イは接続部の左側、ロは接続部
の右側のイメージセンサチップを示す。a,a′は一番端
の光センサの中心からチップ端までの距離、b,b′は各
光センサの間隔、c,c′は光センサの中心から下端XI,
XI′までの距離、d,d′は光センサの中心から上端XII,X
II′までの距離である。ウエハーからの切断の際、上記
の方法で高精度切断しているため、ａ＝ａ′,c＝ｃ′,d
＝ｄ′,b,b′はマスクパターンに依存してｂ＝ｂ′とな
る。解像度16dots/mmの場合、ｂ＝ｂ′＝62.5μｍであ
るから ＝31.25μｍとなるように切断すればイ，ロを接続した
場合、接続部における光センサの間隔はａ＋ａ′＝ｂと
なり、他の光センサ間隔と同一となり、解像の誤差はな
くなる。すなわち図に示す横方向の誤差はなくなる。こ
の接続のようすを第５図に示す。図中のチップ下端、イ
ではXI,ロではXI′を一致させればよい。すなわち副走
査方向の基準となるものにXI,XI′を一致させれば、ｃ
＝ｃ′の関係より副走査方向の配列の誤差はなくなる。
チップ上端XII,XII′で行なう場合においてもｄ＝ｄ′
の関係より、同様に行なうことができる。
実際にマウントする際のようすを第６図に示すある副走
査方向の基準８に、ｎ個のイメージセンサチップ９を配
置する。これで副走査方向の配列が完了する。次に両端
チップ（図中では、chip1とchip n）に矢印の方向に適
度の力を加えれば、接続部のすき間がなくなり、chip1
からchip nまでの光センサの間隔がすべて同一となる
（16dots/mmの場合は62.5μｍ）これで主走査方向の配
列が完了する。
査方向の基準８に、ｎ個のイメージセンサチップ９を配
置する。これで副走査方向の配列が完了する。次に両端
チップ（図中では、chip1とchip n）に矢印の方向に適
度の力を加えれば、接続部のすき間がなくなり、chip1
からchip nまでの光センサの間隔がすべて同一となる
（16dots/mmの場合は62.5μｍ）これで主走査方向の配
列が完了する。
発明の効果 以上の説明から明らかなように、本発明は、センサチッ
プの切断箇所に沿って強度に富む材料でガイドを設けて
ガイド間の溝に沿って切断することによりチッピングや
クラックの少ない高精度な切断が可能となる。また高精
度切断を施こしたイメージセンサチップを長尺状にする
ため複数個のイメージセンサチップを直線状に配列する
ように構成しているため、光センサ群が直線状に配置さ
れ、同一ラインの読み取りが可能となり、出力信号のラ
イン処理やそのためのメモリが不用となる。また光セン
サ群が直線状に配置されていることから、結像レンズ系
（ロッドレンズアレイ）の中心を用いることが可能とな
り、ライン処理なしで高速で高解像度の読み取りが可能
となる優れた効果が得られる。
プの切断箇所に沿って強度に富む材料でガイドを設けて
ガイド間の溝に沿って切断することによりチッピングや
クラックの少ない高精度な切断が可能となる。また高精
度切断を施こしたイメージセンサチップを長尺状にする
ため複数個のイメージセンサチップを直線状に配列する
ように構成しているため、光センサ群が直線状に配置さ
れ、同一ラインの読み取りが可能となり、出力信号のラ
イン処理やそのためのメモリが不用となる。また光セン
サ群が直線状に配置されていることから、結像レンズ系
（ロッドレンズアレイ）の中心を用いることが可能とな
り、ライン処理なしで高速で高解像度の読み取りが可能
となる優れた効果が得られる。
また各イメージセンサチップは高精度切断をしているた
め、実装の際、基準となる場所に並べ、両側から適切な
力を加えるというきわめて簡単な手法で高精度の配列が
可能となる効果が得られる。
め、実装の際、基準となる場所に並べ、両側から適切な
力を加えるというきわめて簡単な手法で高精度の配列が
可能となる効果が得られる。
本発明は、性能上最も実績のあるシリコン単結晶を用い
て高速で高解像度の密着型イメージセンサを可能にする
ものであり、産業上の効果は大なるものである。
て高速で高解像度の密着型イメージセンサを可能にする
ものであり、産業上の効果は大なるものである。
第１図は高精度切断を施こしたイメージセンサチップを
示す図、第２図は酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜等
の強度に富む材料で切断レードのガイドを設けた図、第
３図は第２図の切断後を示す図、第４図は高精度切断さ
れたイメージセンサチップの接続部を示す図、第５図は
第４図において接続部を示す図、第６図はイメージセン
サチップのマウント状態を示す図である。 １……高精度切断箇所、２……光センサアレイ、３……
走査回路、７……ガイド用材料、８……配列用基準、９
……イメージセンサチップ、５……結晶基板、６……切
断箇所。
示す図、第２図は酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜等
の強度に富む材料で切断レードのガイドを設けた図、第
３図は第２図の切断後を示す図、第４図は高精度切断さ
れたイメージセンサチップの接続部を示す図、第５図は
第４図において接続部を示す図、第６図はイメージセン
サチップのマウント状態を示す図である。 １……高精度切断箇所、２……光センサアレイ、３……
走査回路、７……ガイド用材料、８……配列用基準、９
……イメージセンサチップ、５……結晶基板、６……切
断箇所。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 泰永 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭49−98512（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−77087（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−166741（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−137228（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】複数個のイメージセンサチップを直線状に
配列して長尺化したイメージセンサの各センサチップの
切断に際し、切断箇所に沿って酸化シリコン膜または窒
化シリコン膜などの強度に富む材料からなるガイドを設
け、前記ガイド間の溝に沿って切断するイメージセンサ
チップの切断方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59118448A JPH0732441B2 (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | イメージセンサチップの切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59118448A JPH0732441B2 (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | イメージセンサチップの切断方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60261245A JPS60261245A (ja) | 1985-12-24 |
| JPH0732441B2 true JPH0732441B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=14736892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59118448A Expired - Lifetime JPH0732441B2 (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | イメージセンサチップの切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732441B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0763087B2 (ja) * | 1986-01-29 | 1995-07-05 | 富士ゼロックス株式会社 | イメ−ジセンサの製造方法 |
| JP2832600B2 (ja) * | 1987-04-27 | 1998-12-09 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 密着型イメージセンサ |
| US5696626A (en) * | 1995-10-12 | 1997-12-09 | Xerox Corporation | Photosensitive silicon chip having a ridge near an end photosite |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4998512A (ja) * | 1973-01-22 | 1974-09-18 | ||
| JPS5477087A (en) * | 1977-12-01 | 1979-06-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Production of photo sensor array |
-
1984
- 1984-06-08 JP JP59118448A patent/JPH0732441B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60261245A (ja) | 1985-12-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |