JPS60261245A - イメ−ジセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はイメージセンサに関し、特に原稿情報を高速で
かつ高解像度で読み取ることを可能にしだ長尺状イメー
ジセンサに関するものである。

従来例の構成とその問題点 近年、オフィスオートメーション機器の発展にともない
、ファクシミリ、事務機器やコンピュータの入力端末用
としての各種のイメージセ／す（光学的読み取り装置）
の開発が進められている、光学的読み取り装置を大きく
わけると縮小型と密着型に分けられる。縮小型光学的読
み取り装置では、原稿情報を縮小レンズ系を通して２０
ｗｎ〜４０職長のイメージセンサ上（ＣＯＤイメージセ
ンナやＭＯＳイメージセンサ等）に結像して原稿情報を
光学的に読み取っている。この場合、縮小レンズ系を用
いるため光路長（Ａ４サイズでは約５０ｃｍ　）が必要
となる。このため装置の小型化、高解像度化、調整の容
易性という点で問題があった。

この問題の解決法として密着型イメージセンサの開発が
進められている。密着型イメージセンサは１：１で原稿
情報をイメージセンサ上に結像するため、光路長は２〜
ｅｍｍですみ、又、全範囲にわたり高解像度が得られる
という特徴を有する。

しかし、１：１で結像するため原稿長と同一サイズ（Ａ
４なら２１６ｍｍ、Ａ３なら２９６　ｍｍ　）のイメー
ジセンサが必要となる。

現在、シリコン結晶を用いる場合、センサ長はシリコン
ウェハーサイズで決まり長尺化は困難である。また多チ
ップを千鳥状に配列して長尺化を目指すアプローチもあ
るが、チップのマウント法や各チップからの出力のライ
ン処理やライン処理用のメモリが必要である。

これら結晶を用いる方法に対し、長尺化の容易な薄膜型
としてＣｄＳ系やａ−８ｔ系イメージセンサがある。Ｃ
ｄＳ系は読み取り速度が遅い、ａ−Ｓｉ系は高速である
が、実装面で走査用のＬＳＩとのハイブリッドタイプに
なり、トータルコストが高くなるという問題がある。

発明の目的 本発明は高精度切断を施こした結晶型のイメージセンサ
を複数個直線状に高精度で配列して長尺化し、原稿情報
を高速かつ高解像度で読み取りを可能とするイメージセ
ンサを提供すること全目的とする。

発明の構成 本発明のイメージセンサは、高精度切断を施こしたイメ
ージセンサチップ全長尺化するため複数個のイメージセ
ンサチップを直線状配列するように構成したものであり
、かつ、チップ接続部でも、センサピッチを一定の誤差
の範囲内にあることを可能にするものである。これによ
り、原稿情報を高速でかつ原稿の全領域を高解像度で読
み取ることが可能になる。

実施例の説明 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。

第１図はイメージセンサを形成したウエノ・−をダイシ
ングソーを用いて高精度切断したイメージセンサチップ
の図を示す。第１図において、１は切断箇所、２は光セ
ンサアレイ、３は走査回路部、である。直線状配列を可
能にするため、切断箇所近傍１で光センサを配置してい
る。切断の際、チップ両側、すなわち切断箇所１に近い
光センサもしくは素子をチッピングやクランク等で破損
することなく切断する必要がある。

次にチッピングやクラック等の少ない切断について述べ
る。第２図は切断部をアルミニウム等の展性のある材料
で切断箇所を保護した図である。。

４はアルミニウム等の保護材、６は結晶基板、６は切断
箇所である。第３図は切断後の図である。

切断箇所はアルミニウム等の材料で保護されているため
チッピングやクラック等は少なくなる。

又、第４図は酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜等の強
度に富む材料で切断ブレードのガイドを設けた図である
。７は酸化シリコン等で設けた切断ブレードのガイドで
ある。第６図は切断後の図である。このガイドを用いる
方法によって、切断ブレードの振れが少なくなり、チッ
ピングやクラック等の発生は少なく切断面近傍の光セン
サや素子を破損することなく高精度切断が可能となる。

以上のような方法で高精度切断されたイメージセンサチ
ップを複数個直線状に配列する方法を説明する。第６図
は上記の方法で高精度に切断されたイメージセンサチッ
プの接続部の図である。イは接続部の左側、口は接続部
の右側のイメージセンサチップを示す。ａ　、　ａ’は
一番端の光センサの中心からチップ端までの距離、ｂ　
、　ｂ’は各光センサの間隔、Ｃ、Ｃ’は光センサの中
心から下端Ｘｔ。

ｘＩ′までの距離、ｄ　、　ｄ’は光センサの中心から
上端Ｘｕ　、Ｘｕ　’　までの距離である。ウェハーか
らの切断の際、上記の方法で高精度切断しているため、
ａ＝ａ’、　ｃ＝ｃ’、　ｄ＝ｄ’、　ｂ　、　ｂ’は
マスクバターｙＫ依存シテｂ　＝　ｂ’とナル。解像度
１６　ｄｏｔｓ／ｇ−３１，２５μｍとなるように切断
すれば４９口を接続した場合、接続部における光センサ
の間隔はａ　＋　ａ’＝　ｂとなり、他の光センサ間隔
と同一と寿り、解像の誤差はなくなる。すなわち図に示
す精方向の誤差はなくなる。この接続のようすを第７図
に示す。図中のチップ下端、イではＸｌ、口ではｘ、’
　１一致させればよい。すなわち副走査方向の基準とな
るものにＸｔ　、Ｘｔ”　ｋ一致させれば、Ｃ＝Ｃ′の
関係より副走査方向の配列の誤差はなくなる。

チップ上端ｘｌＩ、ｘ■′　で行なう場合においてもｄ
＝ｄ′の関係より、同様に行なうことができる。

実際にマウントする際のようすを第８図に示すある副走
査方向の基準８に、ｎ個のイメージセンサチップ９を配
置する。これで副走査方向の配列が完了する。次に両端
チップ（図中では、ｃｈｉｐｌとｃｈｉｐｎ）に矢印の
方向に適度の力を加えれば、接続部のすき間がなくなり
、ｃｈｉｐ　１からｃｈｉｐｎまでの光センサの間隔が
すべて同一となる（１６ｄｏｔｓ７−　の場合は６２．
５μｍ　）これで主走査方向の配列が完了する。

発明の効果 以上の説明から明らかなように、本発明は高精度切断を
施こしたイメージセンサチップを長尺状にするため複数
個のイメージセンサチップを直線状に配列するように構
成しているだめ、光センサ群が直線状に配置され、同一
ラインの読み取りが可能となり、出力信号のライン処理
やそのためのメモリが不用となる。また光センサ群が直
線状に配置されていることから、結像レンズ系（ロッド
レンズアレイ）の中心を用いることが可能となり、ライ
ク処理なしで高速で高解像度の読み取りが可能となる優
れた効果が得られる。

また各イメージセンサチップは高精度切断をしているた
め、実装の際、基準となる場所に並べ、両側から適度な
力を加えるというきわめて簡単な手法で高精度の配列が
可能となる効果が得られる。

本発明は、性能上量も実績のあるシリコン単結晶を用い
て高速で高解像度の密着型イメージセンサ金可能にする
ものであり、産業上の効果は大なるものである。

プを示す図、第２図は同チップの切断部をアルミニウム
等の展性のある材料で保護した状態を示す図、第３図は
第２図の切断後を示す図、第４図は酸化シリコン膜又は
窒化シリコン膜等の強度に富む材料で切断ブレードのガ
イドを設けた図、第５図は第４図の切断後を示す図、第
６図は高精度切断されたイメージセンサチップの接続部
を示す図、第７図は第６図において接続後を示す図、第
８図はイメージセンサチップのマウント状態を示す図で
ある。

１・・・・・高精度切断箇所、２・・・・・光センサア
レイ、３・・・・・・走査回路、４・・・・・・保護用
材料、７・・・・・・ガイド用材料、８・・・・・・配
列用基準、９・・・・・イメージセンサチップ、６・・
・・・・結晶基板、θ・・・・・・切断箇所。

代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）高精度切断を施こしたイメージセンサチップ全長
   尺化するため、複数個のイメージセンサチップを直線状
   に配列したことを特徴とするイメージセンサ。
2. （２）切断によるチッピングやクラックを少なくするた
   めに、切断箇所を保護して高精度切断を可能にしたこと
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイメージセン
   サ。
3. （３）保礁手段として、アルミニウム等の展性に富む材
   料を用いた特許請求の範囲第２項記載のイメージセンサ
   。
4. （４）切断によるチッピングやクラックを少なくするた
   め切断箇所にガイドを設けて高精度切断を可能にしたこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイメージセ
   ンサ。
5. （５）　ガイド手段として、酸化シリコン膜又は窒化シ
   リコン膜などの強度に富む材料を用いたことを特徴とす
   る特許請求の範囲第４項記載のイメージセンサ。
6. （６）高精度切断を施こした複数個のイメージセンサを
   基準となるガイドに沿って並べ、両側から適度なカケ加
   えて配列することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載のイメージセンサ。