JPH07329424A

JPH07329424A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH07329424A
Application number: JP6319205A
Authority: JP
Inventors: Noriyoshi Nanba; 憲良南波; Shigeru Asami; 茂浅見; Akihiko Kuroiwa; 顕彦黒岩; Shiro Nakagawa; 士郎中川
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1994-11-29
Filing date: 1994-11-29
Publication date: 1995-12-19
Anticipated expiration: 2012-08-13
Also published as: JP2640219B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【構成】基体上に、下記一般式で示される光吸収色素
を含有する記録層を有する光記録媒体。｛上記一般式において、φ^＋およびψは、それぞれ、イ
ンドレニン環残基、ベンゾインドレニン環残基またはジ
ベンゾインドレニン環残基を表わす。ただし、φ^＋およ
びψがともに４，５−ベンゾインドレニン環残基となる
ことはない。Ｌは、モノまたはジカルボシアニン色素を
形成するための連結基を表わす。Ｘ⁻は陰イオンを表わ
す。ｍは０または１の整数である。｝【効果】きわめて感度の高い書き込みを行うことがで
きる。また、きわめて良好な形状のピットを形成するこ
とができ、しかも、塗膜性が良好であり、基体をとおし
ての反射率がきわめて高いので、読み出しのＳ／Ｎ比や
Ｃ／Ｎ比もきわめて高い光記録媒体を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光記録媒体、特にヒー
トモードの光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】光記録媒体は、媒体と書き込みないし読
み出しヘッドが非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化
しないという特徴をもち、このため種々の光記録媒体の
開発研究が行われている。

【０００３】このような光記録媒体のうち、暗室による
画像処理が不要である等の点で、ヒートモード光記録媒
体の開発が活発になっている。

【０００４】このヒートモードの光記録媒体は、記録光
を熱として利用する光記録媒体であり、その１例とし
て、レーザー等の記録光で媒体の一部を融解、除去等し
て、ピットと称される小穴を形成して書き込みを行い、
このピットにより情報を記録し、このピットを読み出し
光で検出して読み出しを行うものがある。

【０００５】そして、このようなピット形成型の媒体の
１例として、基体上に、光吸収色素を塗設ないし蒸着し
て記録層を形成し、色素を昇温、融解させてピットを形
成するものが知られている。

【０００６】このようなヒートモードの光記録媒体に書
き込みを行うための記録光および読み出し光としては、
書き込みおよび読み出し装置を小型なものとするため
に、７５０〜８３０nmの発振波長の半導体レーザーや発
光ダイオード等の長波長記録光を用いることが好まし
い。

【０００７】ところで、長波長光に吸収をもつ色素の一
つとして、シアニン色素やジチオール錯体などがある。

【０００８】しかし、シアニン色素のうち、代表的に用
いられるチアゾール環、ベンゾチアゾール環、ナフトチ
アゾール環、ベンゾセレナゾール環、ベンゾオキサゾー
ル環などをビニレン鎖の両端に有するものでは、塗布溶
媒に対する溶解度が低く、塗膜性が悪く、反射率が低
く、読み出しのＳ／Ｎ比が小さい。また、熱的安定性も
低い。

【０００９】一方、ＰｔないしＮｉジチオール錯体で
は、吸光係数と反射率とが低く、書き込み感度と読み出
しの、反射率が低く、読み出しのＳ／Ｎ比とが小さい。

【００１０】このため、これら通常のシアニン色素やジ
チオール錯体を用いるときには、半導体レーザー用とし
て実用に耐える媒体は実現しない。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明の主たる目的
は、半導体レーザー等の長波長の記録光、読み出し光を
用いる場合、読み込み感度が高く、反射率が高いため読
み出しのＳ／Ｎ比あるいはＣ／Ｎが高く、しかも生保存
性が良好であるなど、すぐれた特性をもち、生産性にす
ぐれた記録層塗膜を有する光記録媒体を提供することに
ある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）の本発明により達成される。（１）基体上に、下記化２で示される光吸収色素を含有
する記録層を有する光記録媒体。

【００１３】

【化２】

【００１４】｛上記化２において、φ⁺ およびψは、そ
れぞれ、インドレニン環残基、ベンゾインドレニン環残
基またはジベンゾインドレニン環残基を表わす。ただ
し、φ⁺ およびψがともに４，５−ベンゾインドレニン
環残基となることはない。Ｌは、モノまたはジカルボシ
アニン色素を形成するための連結基を表わす。Ｘ^- は陰
イオンを表わす。ｍは０または１の整数である。｝

【００１５】なお、この出願の先願である特開昭５８−
１９４５９５号公報には、本発明と同種のインドレニン
系のシアニン色素を記録層に用いる旨が提案されてい
る。

【００１６】しかし、同公報には、インドレニン系のシ
アニン色素を単独で塗布設層することについては開示が
なく、記録層は蒸着膜か、あるいは樹脂成分をバインダ
とする塗布膜から形成されている。この場合、蒸着膜で
は量産性に劣り、またバインダを用いるときには感度等
が低下するという不都合がある。

【００１７】

【具体的構成】以下、本発明の具体的実施例を示し、本
発明をさらに詳細に説明する。

【００１８】本発明によって製造される光記録媒体の記
録層中には、上記化２で示される光吸収色素が含まれ
る。

【００１９】上記化２において、インドレニン環または
ベンゾインドレニン環の残基であるФおよびΨは、Фが
インドレニン核のＮ原子に＋電荷を有し、Ψが中性Ｎ原
子を有するものである。

【００２０】そして、それぞれは同一でも、異なってい
てもよく、種々の置換基が結合することができる。

【００２１】これらのうち、ФおよびΨは同一であるこ
とが好ましく、特に、下記化５〜化８で示されるもので
あることが好ましい。

【００２２】ただし、φおよびψがともに化７の４，５
−インドレニン環残基となることはない。

【００２３】この場合、インドレニン環の２位に付した
電荷記号（・）は、Фでは化３、Ψでは化４となること
を表わす。

【００２４】

【化３】

【００２５】

【化４】

【００２６】

【化５】

【００２７】

【化６】

【００２８】

【化７】

【００２９】

【化８】

【００３０】上記化５〜化８において、Ｒ₁ は、置換ま
たは非置換のアルキル基を表わす。

【００３１】アルキル基の炭素原子数は１〜５であるこ
とが好ましく、また、好ましい置換基としては、スルホ
ン酸基、アルキルカルボキシオキシ基等をあげることが
できる。この他、置換基としては、アルキルアミド基、
アルキルオキシ基、カルボン酸基、水酸基等も可能であ
る。

【００３２】なお、Ｒ₁ は、置換または非置換のアリー
ル基であってもよい。

【００３３】このような場合、後述のｍが０であるとき
には、ФのＲ₁ は−電荷をもつ。

【００３４】またＲ₂ およびＲ₃ は、それぞれ、アルキ
ル基またはフエニル基等のアリール基、好ましくはアル
キル基を表わす。この場合アルキル基は非置換のもので
あり、特に炭素原子数１または２、特に１であることが
好ましい。

【００３５】さらに、Ｒ₄ は置換基を表わすが、アルキ
ル基、アリール基、複素環残基、ハロゲン原子、アルコ
キシ基、アルキルチオ基、アルキルヒドロキシカルボニ
ル基、カルボン酸基等が可能である。

【００３６】そして、ｐは、通常、０〜４の整数であ
り、ｐが２以上のとき複数のＲ₄ は互いに異なってもよ
い。

【００３７】他方、Ｌはカルボシアニン、ジカルボシア
ニン、トリカルボシアニンまたはテトラカルボシアニン
のシアニン色素を形成するための連結基を表わすが、特
に下記化９〜化１５のいずれかであることが好ましい。

【００３８】

【化９】

【００３９】

【化１０】

【００４０】

【化１１】

【００４１】

【化１２】

【００４２】

【化１３】

【００４３】

【化１４】

【００４４】

【化１５】

【００４５】ここに、Ｙは、水素原子または１価の基を
表わす。この場合、１価の基としては、メチル基等の低
級アルキル基、メトキシ基等の低級アルコキシ基、ジメ
チルアミノ基、ジフエニルアミノ基、メチルフエニルア
ミノ基、モルホリノ基、イミダゾリジン基、エトキシカ
ルボニルピペラジン基などのジ置換アミノ基、アセトキ
シ基等のアルキルカルボニルオキシ基、メチルチオ基等
のアルキルチオ基、Ｂｒ、Ｃl 等のハロゲン原子、シア
ノ基、ニトロ基などであることが好ましい。

【００４６】さらに、Ｘ^- は陰イオンであり、その好ま
しい例としては、Ｉ^- 、Ｂｒ^- 、Ｃl Ｏ₄ ^-、ＢＦ₄ ^-、化
１６等を挙げることができる。

【００４７】

【化１６】

【００４８】なお、ｍは０または１であるが、ｍが０で
あるときには、通常、ФのＲ₁ が−電荷をもち、分子内
塩となる。

【００４９】次に、本発明の光吸収色素の具体例の１例
を挙げるが、本発明はこれのみに限定されるものではな
い。

【００５０】

【表１】

【００５１】このような色素は、レーザー研究８（４）
色素レーザー用有機化合物総覧、大有機化学（朝倉書
店）含窒素複素環化合物ＩＰ４３８等に記載されてお
り、公知の方法によって合成することができる。特にヘ
プタメチン系の場合には、ピリジン誘導体の開裂を利用
したいわゆる ZINCK ( DICKMANN ) 反応により、容易に
合成することができる。

【００５２】本発明において、記録層は、このような色
素の塗膜を塗設する。このため量産性にすぐれる。

【００５３】記録層を塗設するには、例えば、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノ
ン等のケトン系、酢酸ブチル、酢酸エチル、カルビトー
ルアセテート、ブチルカルビトールアセテート等のエス
テル系、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のエー
テル系、ジクロロエタン等のハロゲン化アルキルなどの
溶媒を用いて、常法に従い塗設する。

【００５４】なお、記録層を塗設する際に、可塑剤、界
面活性剤、帯電防止剤、滑剤、難燃剤、安定剤、分散剤
等を含有させてもよい。

【００５５】ただし、樹脂成分をバインダ成分として含
有するものではない。樹脂成分を含有すると、感度、反
射率、Ｓ／Ｎ比等の点で不利である。

【００５６】このような記録層を塗設する基体の材質に
は特に制限はなく、各種樹脂、ガラス、セラミックス、
金属等いずれであってもよいが、記録光および再生光に
対して透明なものが好ましい。

【００５７】また、その形状は使用用途に応じ、テー
プ、ディスク、ドラム、ベルト等いずれであってもよ
い。

【００５８】なお、基体は必要に応じ、下地層や蓄熱層
などを有するものであってもよい。

【００５９】また、記録層上には、必要に応じ、透明基
体を用いるときに書き込みおよび読み出しの裏面として
機能する反射層や、各種最上層保護層、ハーフミラー層
などを設けることもできる。

【００６０】ただ、本発明における色素は、それ自体基
体をとおしての反射率がきわめて高いので、このような
下地ないし上層反射層は、通常、用いる必要がない。

【００６１】本発明における媒体は、このような基体の
一面上に上記の記録層を有するものであってもよく、そ
の両面に記録層を有するものであってもよい。また、基
体の一面上に記録層を塗設したものを２つ用い、それら
を記録層が向かいあうようにして、所定の間隔をもって
対向させ、それを密閉したりして、ホコリやキズがつか
ないようにすることもできる。

【００６２】本発明によって製造される媒体は、走行な
いし回転下において、基体裏面側から記録光をパルス上
に照射する。このとき、記録層中の色素が発熱融解し、
ピットが形成される。

【００６３】この場合、７５０〜８５０nmの波長の記録
用半導体レーザー、ダイオードなどを用いたとき、きわ
めて良好な書き込みを行うことができる。

【００６４】このように形成されたピットは、やはり媒
体の走行ないし回転下、上記の波長の読み出し光の反射
光ないし透過光、特に基体をとおしての反射光を検出す
ることにより読み出される。

【００６５】また、記録および読み出し光としては、Ｈ
ｅ−Ｎｅレーザー等を用いることもできる。

【００６６】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。

【００６７】実施例１上記色素No. Ｄ１１重量部を、シクロヘキサノンージ
クロロエタン（１：１）２００重量部に溶解したのち、
直径１５cmのアクリル樹脂ディスク基板上に、０．０４
μm の厚さに塗布設層して、本発明の媒体を得た。

【００６８】また、色系No. Ｄ１にかえ、色系No. Ｄ
２、Ｄ５を用い、上記と同様にして本発明の媒体を得
た。

【００６９】これとは別に比較のため、下記化１７の色
素Ａ〜Ｄを用い、上記と同様にして、比較用の媒体を得
た。

【００７０】

【化１７】

【００７１】さらに、比較のために、特開昭５８−１９
４５９５号公報の記載に準じ、色素No. Ｄ１とニトロセ
ルロースの１：１（重量比）の記録層塗膜を設層した。

【００７２】このようにして作成した媒体につき、これ
を１８００rpm で回転させながら、下記表２に示される
波長のＡl ＧａＡｓ−ＧａＡｓ半導体レーザー記録光を
１μm φに集光し（集光部出力１０mV）、所定周波数
で、基板をとおしてパルス列状に照射した。

【００７３】各媒体につき、基板側から書き込み光のパ
ルス幅を変更して照射し、消光比２．５が得られるパル
ス幅を測定し、その逆数をとって、書き込み感度とし
た。結果を表２に示す。

【００７４】この場合、消光比は、後述の読み出し光の
反射率のピット部における減衰度である。

【００７５】結果を表２に示す。

【００７６】なお、表２には、Ｃ／Ｎと基板をとおして
の反射率が併記される。

【００７７】

【表２】

【００７８】表２に示される結果から、本発明の媒体
は、反射率書き込み感度および読み出しのＣ／Ｎ比がき
わめて高いことがわかる。

【００７９】なお、各媒体につき、書き込み後に暗中に
て、６０℃、相対湿度９０％の条件下で、５００時間保
存したＣ／Ｎ比を測定したところ、本発明の媒体は、比
較用の媒体と比較して、格段と高い保存性を示した。

【００８０】

【発明の効果】本発明によって製造される媒体は、７５
０、７８０、８３０nm等の波長の半導体レーザー、発光
ダイオードを用いて、きわめて感度の高い書き込みを行
うことができる。

【００８１】また、きわめて良好な形状のピットを形成
することができ、しかも、塗膜性が良好であり、基体を
とおしての反射率が他のシアニン色素やＮｉ、Ｐｔジチ
オール錯体と比較してきわめて高いので、読み出しのＳ
／Ｎ比やＣ／Ｎ比もきわめて高い。

【００８２】さらに、熱などに対する安全性が高く、生
保存性が良く、書き込み特性の劣化が少ない。

【００８３】そして、記録層を塗布膜として形成するの
で生産性にすぐれる。しかも、記録層塗膜中にバインダ
ーとしての樹脂成分を必要としないので、感度、反射
率、Ｓ／Ｎ比等が高いものとなる。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成６年１２月２８日

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】発明の詳細な説明

【補正方法】変更

【補正内容】

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【０００２】

【従来の技術】光記録媒体は、媒体と書き込みないし読
み出しヘッドが非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化
しないという特徴をもち、このため種々の光記録媒体の
開発研究が行われている。このような光記録媒体のう
ち、暗室による画像処理が不要である等の点で、ヒート
モード光記録媒体の開発が活発になっている。

【０００３】このヒートモードの光記録媒体は、記録光
を熱として利用する光記録媒体であり、その１例とし
て、レーザー等の記録光で媒体の一部を融解、除去等し
て、ピットと称される小穴を形成して書き込みを行い、
このピットにより情報を記録し、このピットを読み出し
光で検出して読み出しを行うものがある。そして、この
ようなピット形成型の媒体の１例として、基体上に、光
吸収色素を塗設ないし蒸着して記録層を形成し、色素を
昇温、融解させてピットを形成するものが知られてい
る。

【０００４】このようなヒートモードの光記録媒体に書
き込みを行うための記録光および読み出し光としては、
書き込みおよび読み出し装置を小型なものとするため
に、７５０〜８３０ｎｍの発振波長の半導体レーザーや
発光ダイオード等の長波長記録光を用いることが好まし
い。

【０００５】ところで、長波長光に吸収をもつ色素の一
つとして、シアニン色素やジチオール錯体などがある。
しかし、シアニン色素のうち、代表的に用いられるチア
ゾール環、ベンゾチアゾール環、ナフトチアゾール環、
ベンゾセレナゾール環、ベンゾオキサゾール環などをビ
ニレン鎖の両端に有するものでは、塗布溶媒に対する溶
解度が低く、塗膜性が悪く、反射率が低く、読み出しの
Ｓ／Ｎ比が小さい。また、熱的安定性も低い。

【０００６】一方、ＰｔないしＮｉジチオール錯体で
は、吸光係数と反射率とが低く、書き込み感度と読み出
しの、反射率が低く、読み出しのＳ／Ｎ比とが小さい。

【０００７】このため、これら通常のシアニン色素やジ
チオール錯体を用いるときには、半導体レーザー用とし
て実用に耐える媒体は実現しない。

【０００８】

【０００９】

【００１０】

【化２】

【００１１】｛上記化２において、φ^＋およびψは、そ
れぞれ、インドレニン環残基、ベンゾインドレニン環残
基またはジベンゾインドレニン環残基を表わす。ただ
し、φ^＋およびψがともに４，５−ベンゾインドレニン
環残基となることはない。Ｌは、モノまたはジカルボシ
アニン色素を形成するための連結基を表わす。Ｘ⁻は陰
イオンを表わす。ｍは０または１の整数である。｝

【００１２】

【００１３】本発明によって製造される光記録媒体の記
録層中には、上記化２で示される光吸収色素が含まれ
る。

【００１４】上記化２において、インドレニン環または
ベンゾインドレニン環の残基であるΦおよびΨは、Φが
インドレニン核のＮ原子に＋電荷を有し、Ψが中性Ｎ原
子を有するものである。そして、それぞれは同一でも、
異なっていてもよく、種々の置換基が結合することがで
きる。これらのうち、ΦおよびΨは同一であることが好
ましく、特に、下記化５〜化８で示されるものであるこ
とが好ましい。ただし、φおよびψがともに化７の４，
５−インドレニン環残基となることはない。

【００１５】この場合、インドレニン環の２位に付した
電荷記号（・）は、Φでは化３、Ψでは化４となること
を表わす。

【００１６】

【化３】

【００１７】

【化４】

【００１８】

【化５】

【００１９】

【化６】

【００２０】

【化７】

【００２１】

【化８】

【００２２】上記化５〜化８において、Ｒ_１は、置換ま
たは非置換のアルキル基を表わす。アルキル基の炭素原
子数は１〜５であることが好ましく、また、好ましい置
換基としては、スルホン酸基、アルキルカルボキシオキ
シ基等をあげることができる。この他、置換基として
は、アルキルアミド基、アルキルオキシ基、カルボン酸
基、水酸基等も可能である。なお、Ｒ_１は、置換または
非置換のアリール基であってもよい。このような場合、
後述のｍが０であるときには、ΦのＲ_１は−電荷をも
つ。

【００２３】またＲ_２およびＲ_３は、それぞれ、アルキ
ル基またはフエニル基等のアリール基、好ましくはアル
キル基を表わす。この場合アルキル基は非置換のもので
あり、特に炭素原子数１または２、特に１であることが
好ましい。

【００２４】さらに、Ｒ_４は置換基を表わすが、アルキ
ル基、アリール基、複素環残基、ハロゲン原子、アルコ
キシ基、アルキルチオ基、アルキルヒドロキシカルボニ
ル基、カルボン酸基等が可能である。

【００２５】そして、ｐは、通常、０〜４の整数であ
り、ｐが２以上のとき複数のＲ_４は互いに異なってもよ
い。

【００２６】他方、Ｌはカルボシアニン、ジカルボシア
ニンのシアニン色素を形成するための連結基を表わす
が、特に下記化９または化１０のいずれかであることが
好ましい。

【００２７】

【化９】

【００２８】

【化１０】

【００２９】ここに、Ｙは、水素原子または１価の基を
表わす。この場合、１価の基としては、メチル基等の低
級アルキル基、メトキシ基等の低級アルコキシ基、ジメ
チルアミノ基、ジフエニルアミノ基、メチルフエニルア
ミノ基、モルホリノ基、イミダゾリジン基、エトキシカ
ルボニルピペラジン基などのジ置換アミノ基、アセトキ
シ基等のアルキルカルボニルオキシ基、メチルチオ基等
のアルキルチオ基、Ｂｒ、Ｃｌ等のハロゲン原子、シア
ノ基、ニトロ基などであることが好ましい。ただし、こ
れらのうちでは下記のｎ＝１または２の化１１が好まし
い。

【００３０】

【化１１】

【００３１】さらに、Ｘ⁻は陰イオンであり、その好ま
しい例としては、Ｉ⁻、Ｂｒ⁻、Ｃ１０_４ ⁻、Ｂ
Ｆ_４ ⁻、化１２等を挙げることができる。

【００３２】

【化１２】

【００３３】なお、ｍは０または１であるが、ｍが０で
あるときには、通常、ΦのＲ_１が−電荷をもち、分子内
塩となる。

【００３４】次に、本発明の光吸収色素の具体例として
は１，３，３−トリメチル−インドレニンモノカルボシ
アニンアイオダイド１，３，３−トリメチル−インド
レニンモノカルボシアニンパークロレート１，３，３
−トリメチル−インドレニンジカルボシアニンアイオ
ダイド等を挙げることができる。

【００３５】このような色素は、レーザー研究８（４）
色素レーザー用有機化合物総覧、大有機化学（朝倉書
店）含窒素複素環化合物ＩＰ４３８等に記載されてお
り、公知の方法によって合成することができる。

【００３６】本発明において、記録層は、このような色
素の塗膜を塗設する。このため量産性にすぐれる。記録
層を塗設するには、例えば、メチルエチルケトン、メチ
ルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系、
酢酸ブチル、酢酸エチル、カルビトールアセテート、ブ
チルカルビトールアセテート等のエステル系、メチルセ
ロソルブ、エチルセロソルブ等のエーテル系、ジクロロ
エタン等のハロゲン化アルキルなどの溶媒を用いて、常
法に従い塗設する。

【００３７】なお、記録層を塗設する際に、可塑剤、界
面活性剤、帯電防止剤、滑剤、難燃剤、安定剤、分散剤
等を含有させてもよい。ただし、樹脂成分をバインダ成
分として含有するものではない。樹脂成分を含有する
と、感度、反射率、Ｓ／Ｎ比等の点で不利である。

【００３８】このような記録層を塗設する基体の材質に
は特に制限はなく、各種樹脂、ガラス、セラミックス、
金属等いずれであってもよいが、記録光および再生光に
対して透明なものが好ましい。また、その形状は使用用
途に応じ、テープ、ディスク、ドラム、ベルト等いずれ
であってもよい。なお、基体は必要に応じ、下地層や蓄
熱層などを有するものであってもよい。また、記録層上
には、必要に応じ、透明基体を用いるときに書き込みお
よび読み出しの裏面として機能する反射層や、各種最上
層保護層、ハーフミラー層などを設けることもできる。
ただ、本発明における色素は、それ自体基体をとおして
の反射率がきわめて高いので、このような下地ないし上
層反射層は、通常、用いる必要がない。

【００３９】本発明における媒体は、このような基体の
一面上に上記の記録層を有するものであってもよく、そ
の両面に記録層を有するものであってもよい。また、基
体の一面上に記録層を塗設したものを２つ用い、それら
を記録層が向かいあうようにして、所定の間隔をもって
対向させ、それを密閉したりして、ホコリやキズがつか
ないようにすることもできる。

【００４０】本発明によって製造される媒体は、走行な
いし回転下において、基体裏面側から記録光をパルス上
に照射する。このとき、記録層中の色素が発熱融解し、
ピットが形成される。この場合、７５０〜８５０ｎｍの
波長の記録用半導体レーザー、ダイオードなどを用いた
とき、きわめて良好な書き込みを行うことができる。

【００４１】このように形成されたピットは、やはり媒
体の走行ないし回転下、上記の波長の読み出し光の反射
光ないし透過光、特に基体をとおしての反射光を検出す
ることにより読み出される。また、記録および読み出し
光としては、Ｈｅ−Ｎｅレーザー等を用いることもでき
る。

【００４２】

【００４３】実施例１１，３，３−トリメチル−インドレニンモノカルボシア
ニンアイオダイドまたは１，３，３−トリメチル−イ
ンドレニンジカルボシアニンアイオダイド１重量部
を、シクロヘキサノン−ジクロロエタン（１：１）２０
０重量部に溶解したのち、直径１５ｃｍのアクリル樹脂
ディスク基板上に、０．０４μｍの厚さに塗布設層し
て、２種の本発明の媒体を得た。

【００４４】このようにして作成した媒体につき、これ
を１８００ｒｐｍで回転させながら、波長７５０ｎｍの
半導体レーザー記録光を１μｍφに集光し（集光部出力
１０ｍＶ）、所定周波数で、基板をとおしてパルス列状
に照射した。

【００４５】各媒体につき、基板側から書き込み光のパ
ルス幅を変更して照射し、消光比２．５が得られるパル
ス幅を測定し、その逆数をとって、書き込み感度とし
た。この場合、消光比は、後述の読み出し光の反射率の
ピット部における減衰度である。感度はいずれも１×１
０^−２（ｎｓｅｃ）^−１以上であった。

【００４６】また、Ｃ／Ｎと基板をとおしての反射率を
測定したところ、それぞれ５０ｄＢ以上、３０％以上で
あった。

【００４７】これとは別に１−エチルベンゾチアゾールモノカルボンアニンアイ
オダイド１−エチルベンゾチアゾールジカルボンアニンアイオ
ダイド１−エチルベンゾオキサゾールモノカルボンアニンア
イオダイド１−エチルベンゾオキサゾールジカルボンアニンアイ
オダイド等にかえたところＣ／Ｎは４０ｄＢ程度以下、反射率は
１５％以下であった。

【００４８】これらの結果から、本発明の媒体は、反射
率書き込み感度および読み出しのＣ／Ｎ比がきわめて高
いことがわかる。なお、各媒体につき、書き込み後に暗
中にて、６０℃、相対湿度９０％の条件下で、５００時
間保存したＣ／Ｎ比を測定したところ、本発明の媒体
は、比較用の媒体と比較して、格段と高い保存性を示し
た。

【００４９】

【発明の効果】本発明によって製造される媒体は、７５
０、７８０、８３０ｎｍ等の波長の半導体レーザー、発
光ダイオードを用いて、きわめて感度の高い書き込みを
行うことができる。

【００５０】また、きわめて良好な形状のピットを形成
することができ、しかも、塗膜性が良好であり、基体を
とおしての反射率が他のシアニン色素やＮｉ、Ｐｔジチ
オール錯体と比較してきわめて高いので、読み出しのＳ
／Ｎ比やＣ／Ｎ比もきわめて高い。

【００５１】さらに、熱などに対する安全性が高く、生
保存性が良く、書き込み特性の劣化が少ない。

【００５２】そして、記録層を塗布膜として形成するの
で生産性にすぐれる。しかも、記録層塗膜中にバインダ
ーとしての樹脂成分を必要としないので、感度、反射
率、Ｓ／Ｎ比等が高いものとなる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者中川士郎東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基体上に、下記化１で示される光吸収色
素を含有する記録層を有する光記録媒体。【化１】｛上記化１において、 φ⁺ およびψは、それぞれ、インドレニン環残基、ベン
ゾインドレニン環残基またはジベンゾインドレニン環残
基を表わす。ただし、φ⁺ およびψがともに４，５−ベ
ンゾインドレニン環残基となることはない。Ｌは、モノ
またはジカルボシアニン色素を形成するための連結基を
表わす。Ｘ^- は陰イオンを表わす。ｍは０または１の整
数である。｝