JPH0613237B2

JPH0613237B2 - 光記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JPH0613237B2
Application number: JP2195663A
Authority: JP
Inventors: 憲良南波; 茂浅見; 顕彦黒岩; 士郎中川
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1990-07-24
Filing date: 1990-07-24
Publication date: 1994-02-23
Anticipated expiration: 2009-02-23
Also published as: JPH0373386A

Description

【発明の詳細な説明】Ｉ発明の背景技術分野本発明は、光記録媒体、特にヒートモードの光記録媒体
の製造方法に関する。

先行技術光記録媒体は、媒体と書き込みないし読み出しヘッドが
非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化しないという特
徴をもち、このため種々の光記録媒体の開発研究が行わ
れている。

このような光記録媒体のうち、暗室による画像処理が不
要である等の点で、ヒートモード光記録媒体の開発が活
発になっている。

このヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱として利
用する光記録媒体であり、その１例として、レーザー等
の記録光で媒体の一部を融解、除去等して、ピットと称
される小穴を形成して書き込みを行い、このピットによ
り情報を記録し、このピットを読み出し光で検出して読
み出しを行うものがある。

そして、このようなピット形成型の媒体の１例として、
基体上に、光吸収色素を塗設ないし蒸着して記録層を形
成し、色素を昇温、融解させてピットを形成するものが
知られている。

このようなヒートモードの光記録媒体に書き込みを行う
ための記録光および読み出し光としては、書き込みおよ
び読み出し装置を小型なものとするために、７５０〜８
３０ｎｍの発振波長の半導体レーザーや発光ダイオード
等の長波長記録光を用いることが好ましい。

ところで、長波長光に吸収をもつ色素の一つとして、シ
アニン色素やジチオール錯体などがある。

しかし、シアニン色素のうち、代表的に用いられるチア
ゾール環、ベンゾチアゾール環、ナフトチアゾール環、
ベンゾセレナゾール環、ベンゾオキサゾール環などをビ
ニレン鎖の両端に有するものでは、塗布溶媒に対する溶
解度が低く、塗膜性が悪く、反射率が低く、読み出しの
Ｓ／Ｎ比が小さい。また、熱的安定性も低い。

一方、ＰｔないしＮｉジチオール錯体では、吸光係数と
反射率とが低く、書き込み感度と読み出しの、反射率が
低く、読み出しのＳ／Ｎ比とが小さい。

このため、これら通常のシアニン色素やジチオール錯体
を用いるときには、半導体レーザー用として実用に耐え
る媒体は実現しない。

II発明の目的本発明の主たる目的は、半導体レーザー等の長波長の記
録光、読み出し光を用いる場合、読み込み感度が高く、
反射率が高いため読み出しのＳ／Ｎ比あるいはＣ／Ｎが
高く、しかも生保存性が良好であるなど、すぐれた特性
をもち、生産性にすぐれた記録層塗膜を有する光記録媒
体の製造方法を提供することにある。

このような目的は、下記の本発明によって達成される。

（１）基体上に、下記式［Ｉ］で示される光吸収色素を
含有し、樹脂成分を含有しない記録層を塗布することを
特徴とする光記録媒体の製造方法。

式［Ｉ］ φ^＋−Ｌ＝ψ（Ｘ⁻）_ｍ｛上式［Ｉ］において、 φ^＋およびψは、それぞれ、インドレニン環残基、ベン
ゾインドレニン環残基またはジベンゾインドレニン環残
基を表わす。ただし、φ^＋およびψがともに４，５−ベ
ンゾインドレニン環残基となることはない。

Ｌは、シアニン色素を形成するための連結基を表わす。
Ｘ⁻は陰イオンを表わす。

ｍは０または１の整数である。｝なお、この出願の先願である特開昭５８−１９４５９５
号広報には、本発明と同じインドレニン系のシアニン色
素を記録層に用いる旨が提案されている。

しかし、同公報には、インドレニン系のシアニン色素を
単独で塗布設層することについては開示がなく、記録層
は蒸着膜か、あるいは樹脂成分をバインダとする塗布膜
から形成されている。この場合、蒸着膜では量産性に劣
り、またバインダを用いるときには感度等が低下すると
いう不都合がある。

III発明の具体的構成以下、本発明の具体的構成を詳細に説明する。

本発明によって製造される光記録媒体の記録層中には、
上記式［Ｉ］で示される光吸収色素が含まれる。

上記式［Ｉ］において、インドレニン環またはベンゾイ
ンドレニン環の残基であるΦおよびΨは、Φがインドレ
ニン核のＮ原子に＋電荷を有し、Ψが中性Ｎ原子を有す
るものである。

そして、それぞれは同一でも、異なっていてもよく、種
々の置換基が結合することができる。

これらのうち、ΦおよびΨは同一であることが好まし
く、特に、下記式［ＩＩ］〜［Ｖ］で示されるものであ
ることが好ましい。

ただし、φおよびψがともに式［ＩＶ］の４，５−イン
ドレニン環残基となることはない。

この場合、インドレニン環の２位に付した電荷記号
（・）は、Φでは Ψではとなることを表わす。

式［ＩＩ］式［ＩＩＩ］式［ＩＶ］式［Ｖ］上記式［ＩＩ］〜［Ｖ］において、Ｒ₁は、置換または
非置換のアルキル基を表わす。

アルキル基の炭素原子数は１〜５であることが好まし
く、また、好ましい置換基としては、スルホン酸基、ア
ルキルカルボキシオキシ基等をあげることができる。こ
の他、置換基としては、アルキルアミド基、アルキルオ
キシ基、カルボン酸基、水酸基等も可能である。

なお、Ｒ₁は、置換または非置換のアリール基であって
もよい。

このような場合、後述のｍが０であるときには、ΦのＲ
₁は−電荷をもつ。

またＲ₂およびＲ₃は、それぞれ、アルキル基またはフェ
ニル基等のアリール基、好ましくはアルキル基を表わ
す。この場合アルキル基は非置換のものであり、特に炭
素原子数１または２、特に１であることが好ましい。

さらに、Ｒ₄は置換基を表わすが、アルキル基、アリー
ル基、複素環残基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アル
キルチオ基、アルキルヒドロキシカルボニル基、カルボ
ン酸基等が可能である。

そして、ｐは、通常、０〜４の整数であり、ｐが２以上
のとき複数のＲ₄は互いに異なってもよい。

他方、Ｌはカルボシアニン、ジカルボシアニン、トリカ
ルボシアニンまたはテトラカルボシアニン等のシアニン
色素を形成するための連結基を表わすが、特に下記式
［ＶＩ］〜［ＸＩＩ］のいずれかであることが好まし
い。

式［ＶＩ］式［ＶＩＩ］式［ＶＩＩＩ］式［ＩＸ］式［Ｘ］式［ＸＩ］式［ＸＩＩ］ここに、Ｙは、水素原子または１価の基を表わす。この
場合、１価の基としては、メチル基の低級アルキル基、
メトキシ基等の低級アルコキシ基、ジメチルアミノ基、
ジフェニルアミノ基、メチルフェニルアミノ基、モルホ
リノ基、イミダゾリジン基、エトキシカルボニルピペラ
ジン基などのジ置換アミノ基、アセトキシ基等のアルキ
ルカルボニルオキシ基、メチルチオ基等のアルキルチオ
基、Ｂｒ、Ｃｌ等のハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基
などであることが好ましい。

さらに、Ｘ⁻は陰イオンであり、その好ましい例として
は、Ｉ⁻、Ｂｒ⁻、ＣｌＯ₄ ⁻、ＢＦ₄ ⁻、等を挙げることができる。

なお、ｍは０または１であるが、ｍが０であるときに
は、通常、ΦのＲ₁が−電荷をもち、分子内塩となる。

次に、本発明の光吸収色素の具体例の１例を挙げるが、
本発明はこれのみに限定されるものではない。

このような色素は、レーザー研究８（４）色素レーザー
用有機化合物総覧、大有機化学（朝倉書店）含窒素複素
環化合物ＩＰ４３８等に記載されており、公知の方法に
よって合成することができる。特にヘプタメチン系の場
合には、ピリジン誘導体の開裂を利用したいわゆるZINC
K(DICKMANN)反応により、容易に合成することができ
る。

本発明において、記録層は、このような色素の塗膜を塗
設する。このため量産性にすぐれる。

記録層を塗設するには、例えば、メチルエチルケトン、
メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン
系、酢酸ブチル、酢酸エチル、カルビトールアセテー
ト、ブチルカルビトールアセテート等のエステル系、メ
チルセロソルブ、エチルセロソルブ等のエーテル系、ジ
クロロエタン等のハロゲン化アルキルなどの溶媒を用い
て、常法に従い塗設する。

なお、記録層を塗設する際に、可塑剤、界面活性剤、帯
電防止剤、滑剤、難燃剤、安定剤、分散剤等を含有させ
てもよい。

ただし、樹脂成分をバインダ成分として含有するもので
はない。樹脂成分を含有すると、感度、反射率、Ｓ／Ｎ
比等の点で不利である。

このような記録層を塗設する基体の材質には特に制限は
なく、各種樹脂、ガラス、セラミックス、金属等いずれ
であってもよいが、記録光および再生光に対して透明な
ものが好ましい。

また、その形状は使用用途に応じ、テープ、ディスク、
ドラム、ベルト等いずれであってもよい。

なお、基体は必要に応じ、下地層や蓄熱層などを有する
ものであってもよい。

また、記録層上には、必要に応じ、透明基体を用いると
きに書き込みおよび読み出しの裏面として機能する反射
層や、各種最上層保護層、ハーフミラー層などを設ける
こともできる。

ただ、本発明における色素は、それ自体基体をとおして
の反射率がきわめて高いので、このような下地ないし上
層反射層は、通常、用いる必要がない。

本発明における媒体は、このような基体の一面上に上記
の記録層を有するものであってもよく、その両面に記録
層を有するものであってもよい。また、基体の一面上に
記録層を塗設したものを２つ用い、それらを記録層が向
かいあうようにして、所定の間隔をもって対向させ、そ
れを密閉したりして、ホコリやキズがつかないようにす
ることもできる。

IV発明の具体的作用本発明によって製造される媒体は、走行ないし回転下に
おいて、基体裏面側から記録光をパルス上に照射する。
このとき、記録層中の色素が発熱融解し、ピットが形成
される。

この場合、７５０〜８５０ｎｍの波長の記録用半導体レ
ーザー、ダイオードなどを用いたとき、きわめて良好な
書き込みを行うことができる。

このように形成されたピットは、やはり媒体の走行ない
し回転下、上記の波長の読み出し光の反射光ないし透過
光、特に基体をとおしての反射光を検出することにより
読み出される。

また、記録および読み出し光としては、Ｈｅ−Ｎｅレー
ザー等を用いることもできる。

Ｖ発明の具体的効果本発明によって製造される媒体は、７５０、７８０、８
３０ｎｍ等の波長の半導体レーザー、発光ダイオードを
用いて、きわめて感度の高い書き込みを行うことができ
る。

また、きわめて良好な形状のピットを形成することがで
き、しかも、塗膜性が良好であり、基体をとおしての反
射率が他のシアニン色素やＮｉ、Ｐｔジチオール錯体と
比較してきわめて高いので、読み出しのＳ／Ｎ比やＣ／
Ｎ比もきわめて高い。

さらに、熱などに対する安全性が高く、生保存性が良
く、書き込み特性の劣化が少ない。

そして、記録層を塗布膜として形成するので生産性にす
ぐれる。しかも、記録層塗膜中にバインダーとしての樹
脂成分を必要としないので、感度、反射率、Ｓ／Ｎ比等
が高いものとなる。

VI発明の具体的実施例以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。

実施例１．上記色素No.Ｄ１１重量部を、シクロヘキサノン−ジ
クロロエタン（１：１）２００重量部に溶解したのち、
直径１５cmのアクリル樹脂ディスク基板上に、０．０４
μｍの厚さに塗布設層して、本発明の媒体を得た。

また、色系No.Ｄ１にかえ、色系No.Ｄ２、Ｄ５を用い、
上記と同様にして本発明の媒体を得た。

これとは別に比較のため、下記色素Ａ〜Ｄを用い、上記
と同様にして、比較用の媒体を得た。

ＡＢＣＤさらに、比較のために、特開昭５８−１９４５９５号公
報の記載に準じ、色素No.Ｄ１とニトロセルロースの
１：１（重量比）の記録層塗膜を設置した。

このようにして作成した媒体につき、これを１８００rp
mで回転させながら、下記表１に示される波長のＡｌＧ
ａＡｓ−ＧａＡｓ半導体レーザー記録光を１μｍφに集
光し（集光部出力１０mV）、所定周波数で、基板をとお
してパルス列状に照射した。

各媒体につき、基板側から書き込み光のパルス幅を変更
して照射し、消光比２．５が得られるパルス幅を測定
し、その逆数をとって、書き込み感度とした。結果を表
１に示す。

この場合、消光比は、後述の読み出し光の反射率のピッ
ト部における減衰度である。

結果を表１に示す。

なお、表１には、Ｃ／Ｎと、基板をとおしての反射率が
併記される。

表１に示される結果から、本発明の媒体は、反射率書き
込み感度および読み出しのＣ／Ｎ比がきわめて高いこと
がわかる。

なお、各媒体につき、書き込み後に暗中にて、６０℃、
相対湿度９０％の条件下で、５００時間保存したＣ／Ｎ
比を測定したところ、本発明の媒体は、比較用の媒体と
比較して、格段と高い保存性を示した。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者黒岩顕彦東京都中央区日本橋１丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内 (72)発明者中川士郎東京都中央区日本橋１丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内 (56)参考文献特開昭58−194595（ＪＰ，Ａ) 特開昭58−218055（ＪＰ，Ａ) 特開昭55−89359（ＪＰ，Ａ) 特開昭57−74845（ＪＰ，Ａ) 特公昭49−13570（ＪＰ，Ｂ１) 米国特許 3916069（ＵＳ，Ａ)

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基体上に、下記式［Ｉ］で示される光吸収
色素を含有し、樹脂成分を含有しない記録層を塗布する
ことを特徴とする光記録媒体の製造方法。式［Ｉ］ φ^＋−Ｌ＝ψ（Ｘ⁻）_ｍ｛上式［Ｉ］において、 φ^＋およびψは、それぞれ、インドレニン環残基、ベン
ゾインドレニン環残基またはジベンゾインドレニン環残
基を表わす。ただし、φ^＋およびψがともに４，５−ベ
ンゾインドレニン環残基となることはない。Ｌは、シアニン色素を形成するための連結基を表わす。
Ｘ⁻は陰イオンを表わす。ｍは０または１の整数である。｝
【請求項２】前記光記録媒体が、基体裏面側から書き込
みおよび読み出しを行うものである特許請求の範囲第１
項に記載の光記録媒体の製造方法。