JPH0733006U - マイクロ波回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 接地導体の裏面に配置された高周波回路から
の信号線を前記接地導体及び誘電体基板を同軸線路によ
り貫通してマイクロストリップ線路に接続して成るマイ
クロ波回路において、簡単な構造で、整合の取れたマイ
クロ波集積回路と同軸線路との垂直接続部を実現するこ
とにある。 【構成】 本考案は、接地導体１及び誘電体基板３に透
孔４を設け、該透孔４に管状もしくは棒状の誘電体６を
挿入する点においては前記前者の従来技術と同様である
が、本考案は特に前記誘電体６の軸線に沿って、少なく
とも一方端に平板状ランド部１０を設けた中心導体５
を、前記ランド部１０をマイクロストリップ線路２上に
突設させて挿入し、前記ランド部１０を例えば９０°折
曲させて直接マイクロ波集積回路を構成するマイクロス
トリップ線路２に半田付けして構成したものである。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、例えば金属ケースを形成する接地導体の表面上に、上面にマイクロ ストリップ線路を形成した誘電体基板を装着するとともに、接地導体の裏面に配 置された高周波回路からの信号線を前記接地導体及び誘電体基板を同軸線路によ り貫通してマイクロストリップ線路に接続して成るマイクロ波回路に係り、特に 前記マイクロストリップ線路で形成されたマイクロ波集積回路と同軸線路との間 の垂直接続部の構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】

一般に金属ケース内に配設されたマイクロ波回路と外部回路を高周波接続させ るために、金属ケース壁を貫通させた構造で接続を行わなければならない。 この様な、内部回路と外部回路の接続において良く用いられているのが、前記 したマイクロストリップ線路で形成されたマイクロ波集積回路と同軸線路との垂 直接続である。この時の条件としては接続部での不整合が起こらないようにする 必要がある。

【０００３】 図４は実開昭６１ー１８９６０６号に示される前記マイクロ波集積回路と同軸 線路との垂直接続構造を示し、その構成を簡単に説明する。 平板状の接地導体として機能する金属ケース底部１の上面には、マイクロストリ ップ線路２を使って種々のマイクロ波集積回路が形成されている誘電体基板３が 取り付けてある。

【０００４】 そして、マイクロストリップ線路２の一端側の下面に位置する誘電体基板３に は金属ケース底部１下面まで貫通する透孔２４を設け、該透孔２４に、その中心 に金属リード線２５を持つ誘電体棒２６を挿入すると共に、その外周囲に前記マ イクロストリップ線路２と接触する事なく、金属ケース底部１と電気的接触可能 に接地金属筒２６ａを外挿して構成する。 そして前記金属リード線２５は、誘電体基板３からマイクロストリップ線路２ を貫き、その上端部において半田付けされている。 尚前記誘電体管２６は、例えば金属リード線２５を内導体、そして接地金属筒 ２６ａを介して金属ケース１を外導体とした５０オーム同軸線路となるように構 成されている。

【０００５】 さて前記従来技術においては、金属リード線２５とマイクロストリップ線路２ の半田接合部に円形の半田ランドパターン２７を設ける必要があったが、この半 田ランドパターン２７はマイクロ波帯では並列容量として働くため不整合を生む 原因となっていた。 尚、別異の従来技術として図５に示すよう誘電体基板３に隣接する、金属ケー ス底部１に透孔３４を貫装すると共に、該透孔３４に、その中心に金属リード線 ３５を持つ誘電体棒３６を挿入すると共に、該金属リード線３５をボンディング ワイヤ３８を用いて、誘電体基板３上に形成されたマイクロストリップ線路２に 接続した技術も存在する。 しかし前記従来技術においては、ボンディングワイヤ３８はマイクロ波帯では直 列インダクタンスとして働くため不整合を生む原因となっていた。

【０００６】

【考案が解決しようとする課題】

前記したように、前記いずれの従来技術においてもマイクロ波集積回路と同軸 線路との垂直接続部は、マイクロ波帯では、並列容量または直列インダクタンス 成分を持つため、いずれの場合でも、マイクロ波信号の伝達を阻止する働きを示 し、接続部の不整合の原因となる問題点があった。

【０００７】 本考案はかかる従来技術の欠点に鑑み、簡単な構造で、整合の取れたマイクロ 波集積回路と同軸線路との垂直接続部を実現することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】

本考案は、接地導体１及び誘電体基板３に透孔４を設け、該透孔４に管状もし くは棒状の誘電体６を挿入する点においては前記前者の従来技術と同様であるが 、本考案は特に前記誘電体６の軸線に沿って、少なくとも一方端に平板状ランド 部１０を設けた中心導体５を、前記ランド部１０をマイクロストリップ線路２上 に突設させて挿入し、前記ランド部１０を例えば９０°折曲させて直接マイクロ 波集積回路を構成するマイクロストリップ線路２に半田付けして構成したもので ある。

【０００９】

【作用】

かかる考案によれば、中心導体５の上端に設けられた平板状ランド部１０を直 接マイクロ波集積回路を構成するマイクロストリップ線路２に半田付けするため 、直列インダクタンス成分は生じない。 又、中心導体５の上端に付設された平板状ランド部１０の幅を適宜幅長に設定 することにより、並列容量成分を生じないようにすることが可能となる。このた め、良好な特性を持ち不整合が生じないマイクロ波集積回路と同軸線路との垂直 接続部の形成が可能となる。

【００１０】

【実施例】

以下、図面に基づいて本考案の実施例を例示的に詳しく説明する。 但し、この実施例に記載されている構造部品の寸法、材質、形状、その相対位 置などは特に特例的な記載がない限りは、この考案の範囲をそれのみに限定する 趣旨でなく単なる説明例に過ぎない。 図１及び図２は本考案による実施例で、１は金属ケース底部、３は該金属ケー ス底部１上面に装着された誘電体基板、２はマイクロストリップ線路２で、かか る構成は公知である。 そして金属ケース底部１のマイクロストリップ線路２端に隣接する位置に透孔 ４を穿孔し、該透孔４に誘電体６をきっちり嵌入させる。 そして図３に示すように、上端に平板状ランド部１０を有する金属リード部５ を、誘電体基板３の上面側より誘電体６軸線上に沿って金属ケース１底面に露出 するまで挿設する。

【００１１】 中心導体として機能する金属リード部５は、図３に示すように、棒体状のリー ド線部９の上端を平板状にプレス変形させ、かつ該平板部をリード線部９と直角 に折り曲げることにより、平板状ランド部１０を形成している。この平板状ラン ド部１０の幅は、接続されるマイクロストリップ線路２と整合が取れるような幅 に予め切断しておく。 そして前記平板状ランド部１０をマイクロストリップ線路２に半田部１１で半 田付けすることにより、本考案に係るマイクロ波集積回路と同軸線路との垂直接 続部が構成される。

【００１２】

【考案の効果】

かかる考案によればマイクロ波集積回路と同軸線路との垂直接続部では、マイ クロ波帯で並列容量や直接インダクタンスとして働く部分がないため、簡単な構 成で良好な整合特性を持つマイクロ波集積回路と同軸線路との垂直接続部分の形 成が可能となる。 等の種々の著効を有す。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の実施例に係るマイクロ波回路を示す断
面図

【図２】図１の平面図

【図３】図１に用いる中心導体の外形斜視図

【図４】従来技術に係るマイクロ波回路を示す断面図

【図５】他の従来技術に係るマイクロ波回路を示す断面
図

【符号の説明】

１ 接地導体 ２ マイクロストリップ線路 ３ 誘電体基板 ４ 透孔 ５ 中心導体 ６ 誘電体 ９ リード線部 １０ 平板状ランド部 １１ 半田部

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 平板状の接地導体の表面上に、上面にマ
   イクロストリップ線路を形成した誘電体基板を装着する
   とともに、接地導体の裏面に配置された高周波回路から
   の信号線を前記接地導体及び誘電体基板を貫通してマイ
   クロストリップ線路に接続して成るマイクロ波回路にお
   いて、 接地導体及び誘電体基板に透孔を設け、上記透孔に挿入
   した誘電体の中央軸線上に沿って、少なくとも一方端に
   平板状ランド部を設けた中心導体を貫装し、前記誘電体
   上に突設させた平板状ランド部を直接前記マイクロスト
   リップ線路に半田付けしたことを特徴とするマイクロ波
   回路。