JPH07330783A - リン酸エステル誘導体の製造方法 - Google Patents
リン酸エステル誘導体の製造方法Info
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- JPH07330783A JPH07330783A JP12663794A JP12663794A JPH07330783A JP H07330783 A JPH07330783 A JP H07330783A JP 12663794 A JP12663794 A JP 12663794A JP 12663794 A JP12663794 A JP 12663794A JP H07330783 A JPH07330783 A JP H07330783A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 アルケノールと２−クロロ−２−オキソ−
１，３，２−ジオキサホスホランとの反応に、脱塩化水
素剤としての三級アミンを使用しないで、リン脂質の極
性部と類似の構造を有するアルケニルホスフェート誘導
体を得る。 【構成】 アルケノールと２−クロロ−２−オキソ−
１，３，２−ジオキサホスホランとを反応させる際、反
応系に不活性ガスを導入して、生成する塩化水素を系外
に排出しながら反応を行い、アルケニルホスフェート中
間体を得、この中間体とアミンとを反応させ、アルケニ
ルホスフェート誘導体を得る。 【効果】 三級アミン塩酸塩を除去するための濾過操作
等が省略できるので、最終生成物の収率、純度を著しく
低下させる水分の混入を防止でき、これにより最終生成
物をワンポット反応により高収率かつ高純度で製造でき
る。
１，３，２−ジオキサホスホランとの反応に、脱塩化水
素剤としての三級アミンを使用しないで、リン脂質の極
性部と類似の構造を有するアルケニルホスフェート誘導
体を得る。 【構成】 アルケノールと２−クロロ−２−オキソ−
１，３，２−ジオキサホスホランとを反応させる際、反
応系に不活性ガスを導入して、生成する塩化水素を系外
に排出しながら反応を行い、アルケニルホスフェート中
間体を得、この中間体とアミンとを反応させ、アルケニ
ルホスフェート誘導体を得る。 【効果】 三級アミン塩酸塩を除去するための濾過操作
等が省略できるので、最終生成物の収率、純度を著しく
低下させる水分の混入を防止でき、これにより最終生成
物をワンポット反応により高収率かつ高純度で製造でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、片末端に二重結合を有
するリン酸エステル誘導体の製造方法に関するものであ
る。
するリン酸エステル誘導体の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】リン脂質は生体膜を構成する成分等とし
て知られている。このリン脂質の一種であるホスファチ
ジルコリンは、極性部にホスホリルコリン基をもった長
鎖アルキルカルボン酸グリセリンエステルである。近
年、このリン脂質の極性部を真似たリン脂質類似化合物
の合成が試みられている。
て知られている。このリン脂質の一種であるホスファチ
ジルコリンは、極性部にホスホリルコリン基をもった長
鎖アルキルカルボン酸グリセリンエステルである。近
年、このリン脂質の極性部を真似たリン脂質類似化合物
の合成が試みられている。
【０００３】例えば、片末端に二重結合を有するホスホ
リルコリン誘導体の製造方法として、次のような製造方
法がある。まずベンゼン等の溶媒中でジメチルアミノア
ルコールを金属ナトリウムでそのアミノアルコールナト
リウム塩として活性化させ、次にオキシ塩化リンの塩素
にメタノールとアリルアルコールとを反応させたものを
滴下し、得られた生成物から遠心分離により副生した金
属塩を分離し、その後室温で４週間放置することによ
り、６０％の収率でジメチルアミノ基を４級化し、コリ
ン骨格を生成させている（J. Org. Chem., 48, 5214-52
21, 1983）。
リルコリン誘導体の製造方法として、次のような製造方
法がある。まずベンゼン等の溶媒中でジメチルアミノア
ルコールを金属ナトリウムでそのアミノアルコールナト
リウム塩として活性化させ、次にオキシ塩化リンの塩素
にメタノールとアリルアルコールとを反応させたものを
滴下し、得られた生成物から遠心分離により副生した金
属塩を分離し、その後室温で４週間放置することによ
り、６０％の収率でジメチルアミノ基を４級化し、コリ
ン骨格を生成させている（J. Org. Chem., 48, 5214-52
21, 1983）。
【０００４】しかし、上記方法では金属ナトリウムやベ
ンゼンを使用するため、爆発の危険があるという問題点
がある。また反応に伴い塩化ナトリウムが副生し、収率
も良くないため、精製が複雑になるという問題点があ
る。さらに４級化のための転移に４週間の時間が必要で
あり、方法全体が煩雑で長期間になるという問題点もあ
る。これらの理由から、上記方法は工業的には向いてい
ない。
ンゼンを使用するため、爆発の危険があるという問題点
がある。また反応に伴い塩化ナトリウムが副生し、収率
も良くないため、精製が複雑になるという問題点があ
る。さらに４級化のための転移に４週間の時間が必要で
あり、方法全体が煩雑で長期間になるという問題点もあ
る。これらの理由から、上記方法は工業的には向いてい
ない。
【０００５】また、一般式〔４〕で表される片末端に二
重結合を有するホスホリルコリン誘導体の製造方法とし
て、２−クロロ−２−オキソ−１，３，２−ジオキサホ
スホランを、脱塩化水素剤としての第三級アミンの存在
下で、片末端に二重結合を持つアルコールと反応させて
一般式〔２〕で表される中間体を得、さらにこの中間体
に第三級アミンを反応させる方法がある（特開昭６３−
２２２１８３号）。
重結合を有するホスホリルコリン誘導体の製造方法とし
て、２−クロロ−２−オキソ−１，３，２−ジオキサホ
スホランを、脱塩化水素剤としての第三級アミンの存在
下で、片末端に二重結合を持つアルコールと反応させて
一般式〔２〕で表される中間体を得、さらにこの中間体
に第三級アミンを反応させる方法がある（特開昭６３−
２２２１８３号）。
【０００６】この従来法は２−クロロ−２−オキソ−
１，３，２−ジオキサホスホランと片末端に二重結合を
持つアルコールとの反応過程において、脱塩化水素剤と
して三級アミン、主にトリエチルアミンを用いているた
め、トリエチルアミン塩酸塩等のアミン塩酸塩の生成が
避けられず、これを除く処理が不可欠となる。ところが
アミン塩酸塩とホスホリルコリン誘導体とは性質が極め
て類似するため完全な分離は工業的には難しいという問
題点がある。そしてアミン塩酸塩とホスホリルコリン誘
導体とが混在した系においてホスホリルコリン誘導体の
重合反応を行うと、分子量が延びないため溶出等のおそ
れがあり、このため重合体を生体材料に利用する場合に
は問題がある。また、中間体は水分、湿気に対して極め
て不安定であるので、中間体を含む反応液からアミン塩
酸塩を濾過等の湿気の混入する操作を行って除去するこ
とは、特に実用化スケールにおいて収率、純度が低下す
るという問題点がある。
１，３，２−ジオキサホスホランと片末端に二重結合を
持つアルコールとの反応過程において、脱塩化水素剤と
して三級アミン、主にトリエチルアミンを用いているた
め、トリエチルアミン塩酸塩等のアミン塩酸塩の生成が
避けられず、これを除く処理が不可欠となる。ところが
アミン塩酸塩とホスホリルコリン誘導体とは性質が極め
て類似するため完全な分離は工業的には難しいという問
題点がある。そしてアミン塩酸塩とホスホリルコリン誘
導体とが混在した系においてホスホリルコリン誘導体の
重合反応を行うと、分子量が延びないため溶出等のおそ
れがあり、このため重合体を生体材料に利用する場合に
は問題がある。また、中間体は水分、湿気に対して極め
て不安定であるので、中間体を含む反応液からアミン塩
酸塩を濾過等の湿気の混入する操作を行って除去するこ
とは、特に実用化スケールにおいて収率、純度が低下す
るという問題点がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題点を解決するため、脱塩化水素剤としての三級アミ
ンを用いないで、中間体となる一般式〔２〕のリン酸エ
ステル誘導体を製造でき、これによって三級アミン塩酸
塩の除去のための濾過操作等を省略することができ、か
つワンポット反応で一般式〔４〕のリン酸エステル誘導
体を製造することができ、最終生成物の収率、純度を著
しく低下させる水分の混入を防ぐことができる片末端に
二重結合を有するリン酸エステル誘導体の製造方法を提
案することである。
問題点を解決するため、脱塩化水素剤としての三級アミ
ンを用いないで、中間体となる一般式〔２〕のリン酸エ
ステル誘導体を製造でき、これによって三級アミン塩酸
塩の除去のための濾過操作等を省略することができ、か
つワンポット反応で一般式〔４〕のリン酸エステル誘導
体を製造することができ、最終生成物の収率、純度を著
しく低下させる水分の混入を防ぐことができる片末端に
二重結合を有するリン酸エステル誘導体の製造方法を提
案することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は次の片末端に二
重結合を有するリン酸エステル誘導体の製造方法であ
る。 （１）一般式〔１〕
重結合を有するリン酸エステル誘導体の製造方法であ
る。 （１）一般式〔１〕
【化７】 〔式中、Ｒ1は水素原子またはメチル基、Ａは二価の有
機基、ｍは０または１を示す。〕で表わされる化合物
と、２−クロロ−２−オキソ−１，３，２−ジオキサホ
スホランとを、反応系に不活性ガスを導入して、生成す
る塩化水素を系外に排出しながら反応させて、一般式
〔２〕
機基、ｍは０または１を示す。〕で表わされる化合物
と、２−クロロ−２−オキソ−１，３，２−ジオキサホ
スホランとを、反応系に不活性ガスを導入して、生成す
る塩化水素を系外に排出しながら反応させて、一般式
〔２〕
【化８】 〔式中、Ｒ1、Ａおよびｍは一般式〔１〕と同じものを
示す。〕で表される片末端に二重結合を有するリン酸エ
ステル誘導体を製造することを特徴とするリン酸エステ
ル誘導体の製造方法。 （２）前記一般式〔１〕で表される化合物と、２−クロ
ロ−２−オキソ−１，３，２−ジオキサホスホランと
を、反応系に不活性ガスを導入して、生成する塩化水素
を系外に排出しながら反応させて、前記一般式〔２〕で
表される化合物を製造し、さらに一般式〔３〕
示す。〕で表される片末端に二重結合を有するリン酸エ
ステル誘導体を製造することを特徴とするリン酸エステ
ル誘導体の製造方法。 （２）前記一般式〔１〕で表される化合物と、２−クロ
ロ−２−オキソ−１，３，２−ジオキサホスホランと
を、反応系に不活性ガスを導入して、生成する塩化水素
を系外に排出しながら反応させて、前記一般式〔２〕で
表される化合物を製造し、さらに一般式〔３〕
【化９】 〔式中、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ水素原子または炭素
数１〜４のアルキル基を示し、これらのアルキル基はそ
れぞれ同一でも異なっていてもよく、また相互に連結し
て環を形成していてもよい。〕で表わされるアミンを反
応させ、一般式〔４〕
数１〜４のアルキル基を示し、これらのアルキル基はそ
れぞれ同一でも異なっていてもよく、また相互に連結し
て環を形成していてもよい。〕で表わされるアミンを反
応させ、一般式〔４〕
【化１０】 〔式中、Ｒ1〜Ｒ4、Ａおよびｍは一般式〔１〕または
〔３〕と同じものを示す。〕で表わされる片末端に二重
結合を有するリン酸エステル誘導体を製造することを特
徴とするリン酸エステル誘導体の製造方法。
〔３〕と同じものを示す。〕で表わされる片末端に二重
結合を有するリン酸エステル誘導体を製造することを特
徴とするリン酸エステル誘導体の製造方法。
【０００９】一般式〔１〕においてＡで表される二価の
有機基としては、脂肪族炭化水素基、環脂式炭化水素
基、芳香族炭化水素基または複素環式炭化水素基などの
炭素数１〜２０の有機基があげられる。二価の有機基の
具体的なものとしては、メチレン基、エチレン基、メチ
ルメチレン基、プロピレン基、トリメチレン基、ジメチ
ルメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、
ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、デカメチレン基
等の直鎖または分岐アルキレン基；シクロブチレン基、
シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、ビシクロヘ
キシレン基、フェニレン基、ナフチレン基、フランジイ
ル基、ピリジンジイル基、キノリンジイル基、イソチア
ゾールジイル基等の遊離原子価がいずれも環原子にある
有機基；このような有機基に前記アルキレン基が結合
し、遊離原子価の少なくとも１つが側鎖にあるベンジレ
ン基等の有機基などがあげられる。
有機基としては、脂肪族炭化水素基、環脂式炭化水素
基、芳香族炭化水素基または複素環式炭化水素基などの
炭素数１〜２０の有機基があげられる。二価の有機基の
具体的なものとしては、メチレン基、エチレン基、メチ
ルメチレン基、プロピレン基、トリメチレン基、ジメチ
ルメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、
ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、デカメチレン基
等の直鎖または分岐アルキレン基；シクロブチレン基、
シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、ビシクロヘ
キシレン基、フェニレン基、ナフチレン基、フランジイ
ル基、ピリジンジイル基、キノリンジイル基、イソチア
ゾールジイル基等の遊離原子価がいずれも環原子にある
有機基；このような有機基に前記アルキレン基が結合
し、遊離原子価の少なくとも１つが側鎖にあるベンジレ
ン基等の有機基などがあげられる。
【００１０】一般式〔１〕で表される化合物の具体的な
ものとしては、次のものなどがあげられる。
ものとしては、次のものなどがあげられる。
【化１１】
【００１１】本発明においては、前記一般式〔１〕の化
合物と、２−クロロ−２−オキソ−１，３，２−ジオキ
サホスホランとを反応させて一般式〔２〕で示される中
間体を製造する際、反応系に不活性ガスを導入して、生
成する塩化水素を系外に排出しながら反応を行う。上記
の反応は次の反応式〔５〕で表される。なお一般式
〔１〕の化合物と反応させる２−クロロ−２−オキソ−
１，３，２−ジオキサホスホランは、Chemistry and In
dustry, Oct. 20, (1962), p1828記載のR. S. Edmundso
nの方法により製造することができる。
合物と、２−クロロ−２−オキソ−１，３，２−ジオキ
サホスホランとを反応させて一般式〔２〕で示される中
間体を製造する際、反応系に不活性ガスを導入して、生
成する塩化水素を系外に排出しながら反応を行う。上記
の反応は次の反応式〔５〕で表される。なお一般式
〔１〕の化合物と反応させる２−クロロ−２−オキソ−
１，３，２−ジオキサホスホランは、Chemistry and In
dustry, Oct. 20, (1962), p1828記載のR. S. Edmundso
nの方法により製造することができる。
【００１２】
【化１２】 〔式中、Ｒ1、Ａおよびｍは前記と同じものを示す。〕
【００１３】反応の際使用される溶媒としては、前記両
反応成分を溶解する溶媒を用いるのが好ましく、例えば
クロロホルム、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、ジ
エチルエーテルなどが使用できる。反応は一般式〔１〕
の化合物の溶媒溶液を−５０〜＋２０℃、好ましくは−
２０〜０℃に冷却した状態で、攪拌しながら２−クロロ
−２−オキソ−１，３，２−ジオキサホスホランを３０
分間〜１時間かけて滴下し、滴下後は常温で攪拌を続け
て反応させる方法が好ましい。両反応成分のモル比は、
一般式〔１〕の化合物１モルに対して２−クロロ−２−
オキソ−１，３，２−ジオキサホスホラン０．８〜２．
５モル、好ましくは１．０〜１．８モル、さらに好まし
くは１．０〜１．１モルを滴下するのが適当である。
反応成分を溶解する溶媒を用いるのが好ましく、例えば
クロロホルム、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、ジ
エチルエーテルなどが使用できる。反応は一般式〔１〕
の化合物の溶媒溶液を−５０〜＋２０℃、好ましくは−
２０〜０℃に冷却した状態で、攪拌しながら２−クロロ
−２−オキソ−１，３，２−ジオキサホスホランを３０
分間〜１時間かけて滴下し、滴下後は常温で攪拌を続け
て反応させる方法が好ましい。両反応成分のモル比は、
一般式〔１〕の化合物１モルに対して２−クロロ−２−
オキソ−１，３，２−ジオキサホスホラン０．８〜２．
５モル、好ましくは１．０〜１．８モル、さらに好まし
くは１．０〜１．１モルを滴下するのが適当である。
【００１４】塩化水素の除去は、反応物に他の不要な反
応を引き起こすことのない不活性ガスを、脱水処理を十
分に施して反応系に通気することによって行う。このよ
うな不活性ガスとしては、例えば窒素、アルゴンガスな
どがあげられる。不活性ガスの吹込量は生成する塩化水
素の排出に必要かつ十分な量であり、一般的には原料の
一般式〔１〕の化合物１モルあたり０．５〜１０ ｌｉ
ｔｅｒ／ｍｉｎ、好ましくは１〜５ ｌｉｔｅｒ／ｍｉ
ｎとするのが適当である。
応を引き起こすことのない不活性ガスを、脱水処理を十
分に施して反応系に通気することによって行う。このよ
うな不活性ガスとしては、例えば窒素、アルゴンガスな
どがあげられる。不活性ガスの吹込量は生成する塩化水
素の排出に必要かつ十分な量であり、一般的には原料の
一般式〔１〕の化合物１モルあたり０．５〜１０ ｌｉ
ｔｅｒ／ｍｉｎ、好ましくは１〜５ ｌｉｔｅｒ／ｍｉ
ｎとするのが適当である。
【００１５】使用する溶媒によっては、不活性ガスと共
に系外に散出する溶媒もあるが、このような場合は新た
な溶媒を補充するか、または散出溶媒を一旦トラップし
て回収補充することによって、溶媒量を一定に保持する
のが望ましい。反応の進行は系外に散出されるガス中の
塩化水素の有無によって知ることができ、塩化水素の流
出が無くなるか、あるいは流出量が一定値以下になった
ときに反応を停止させるのが望ましい。
に系外に散出する溶媒もあるが、このような場合は新た
な溶媒を補充するか、または散出溶媒を一旦トラップし
て回収補充することによって、溶媒量を一定に保持する
のが望ましい。反応の進行は系外に散出されるガス中の
塩化水素の有無によって知ることができ、塩化水素の流
出が無くなるか、あるいは流出量が一定値以下になった
ときに反応を停止させるのが望ましい。
【００１６】以上の反応により中間体である前記一般式
〔２〕で表される片末端に二重結合を有するリン酸エス
テル誘導体が生成する。反応終了後、溶媒および溶媒中
に溶け込んだ塩化水素を除くために、溶媒を留去するこ
とが望ましいが、反応がほぼ定量的に進行し、かつ塩化
水素も反応系中にほとんど残存しないときには、そのま
ま次の反応に進んでも特に問題はない。塩化水素の除去
が不十分であると、次の反応においてアミン塩酸塩とな
って析出するので、塩化水素はほぼ完全に除去しておく
ことが望ましい。
〔２〕で表される片末端に二重結合を有するリン酸エス
テル誘導体が生成する。反応終了後、溶媒および溶媒中
に溶け込んだ塩化水素を除くために、溶媒を留去するこ
とが望ましいが、反応がほぼ定量的に進行し、かつ塩化
水素も反応系中にほとんど残存しないときには、そのま
ま次の反応に進んでも特に問題はない。塩化水素の除去
が不十分であると、次の反応においてアミン塩酸塩とな
って析出するので、塩化水素はほぼ完全に除去しておく
ことが望ましい。
【００１７】前記一般式〔４〕で表される最終生成物
は、上記の反応により得られた一般式〔２〕で表される
中間体と前記一般式〔３〕で表されるアミンとを反応さ
せることにより製造される。この反応は次の反応式
〔６〕により表される。
は、上記の反応により得られた一般式〔２〕で表される
中間体と前記一般式〔３〕で表されるアミンとを反応さ
せることにより製造される。この反応は次の反応式
〔６〕により表される。
【００１８】
【化１３】 〔式中、Ｒ1〜Ｒ4、Ａおよびｍは前記と同じものを示
す。〕
す。〕
【００１９】一般式〔３〕におけるＲ2〜Ｒ4で示される
炭素数１〜４のアルキル基としてはメチル基、エチル
基、プロピル基、ｎ−ブチル基またはイソブチル基など
があげられる。Ｒ2〜Ｒ4はそれぞれ同一であっても、異
なっていてもよく、また相互に連結して環を形成してい
てもよい。一般式〔３〕で表されるアミンとしては、ア
ンモニアまたは一級ないし三級アミンのいずれでもよ
い。一級ないし三級アミンとしてはトリメチルアミン、
トリエチルアミンなどがあげられる。
炭素数１〜４のアルキル基としてはメチル基、エチル
基、プロピル基、ｎ−ブチル基またはイソブチル基など
があげられる。Ｒ2〜Ｒ4はそれぞれ同一であっても、異
なっていてもよく、また相互に連結して環を形成してい
てもよい。一般式〔３〕で表されるアミンとしては、ア
ンモニアまたは一級ないし三級アミンのいずれでもよ
い。一級ないし三級アミンとしてはトリメチルアミン、
トリエチルアミンなどがあげられる。
【００２０】一般式〔２〕で表される中間体と一般式
〔３〕で表されるアミンとの反応仕込みモル比は、中間
体１モルに対してアミン１モル以上、好ましくは１．５
〜３モルとするのが望ましい。反応に用いる溶媒として
は、両反応成分を溶解する溶媒を用いるのが好ましく、
例えばアセトニトリル、テトラヒドロフラン、アセト
ン、クロロホルム、アルコール等があげられる。
〔３〕で表されるアミンとの反応仕込みモル比は、中間
体１モルに対してアミン１モル以上、好ましくは１．５
〜３モルとするのが望ましい。反応に用いる溶媒として
は、両反応成分を溶解する溶媒を用いるのが好ましく、
例えばアセトニトリル、テトラヒドロフラン、アセト
ン、クロロホルム、アルコール等があげられる。
【００２１】反応は両成分を混合し、常温〜６０℃程度
の温度で、攪拌または振とうさせ数時間ないし数十時間
反応させる。ここでアセトニトリル、テトラヒドロフラ
ン、アセトンなど、生成化合物である一般式〔４〕の最
終生成物が不溶の溶媒を用いると、生成する最終生成物
は反応の進行とともに析出して結晶化する。最終生成物
を溶解する溶媒を用いる場合でも、反応終了後、反応液
を大量の不溶性溶媒、例えばアセトン中に加えることに
よって、最終生成物を析出させることができ、これによ
り精製が可能である。
の温度で、攪拌または振とうさせ数時間ないし数十時間
反応させる。ここでアセトニトリル、テトラヒドロフラ
ン、アセトンなど、生成化合物である一般式〔４〕の最
終生成物が不溶の溶媒を用いると、生成する最終生成物
は反応の進行とともに析出して結晶化する。最終生成物
を溶解する溶媒を用いる場合でも、反応終了後、反応液
を大量の不溶性溶媒、例えばアセトン中に加えることに
よって、最終生成物を析出させることができ、これによ
り精製が可能である。
【００２２】以上の一般式〔２〕で表される中間体の製
造工程、および一般式〔４〕で表される最終生成物の製
造工程の二工程は別々に行ってもよく、連続して行って
もよい。これらの場合、反応溶媒として一般式〔１〕の
化合物、２−クロロ−２−オキソ−１，３，２−ジオキ
サホスホラン、一般式〔２〕の中間体、および一般式
〔３〕のアミンを可溶で、かつ一般式〔４〕の最終生成
物に対して難溶の溶媒、例えばテトラヒドロフラン、ジ
エチルエーテルなどを統一して用いることにより、一連
の反応をワンポットで行うことが可能である。もちろん
最終生成物に対しても可溶の溶媒を用いる場合でも連続
反応は可能であり、この場合最終段階で不溶性溶媒によ
り結晶を析出させることができる。
造工程、および一般式〔４〕で表される最終生成物の製
造工程の二工程は別々に行ってもよく、連続して行って
もよい。これらの場合、反応溶媒として一般式〔１〕の
化合物、２−クロロ−２−オキソ−１，３，２−ジオキ
サホスホラン、一般式〔２〕の中間体、および一般式
〔３〕のアミンを可溶で、かつ一般式〔４〕の最終生成
物に対して難溶の溶媒、例えばテトラヒドロフラン、ジ
エチルエーテルなどを統一して用いることにより、一連
の反応をワンポットで行うことが可能である。もちろん
最終生成物に対しても可溶の溶媒を用いる場合でも連続
反応は可能であり、この場合最終段階で不溶性溶媒によ
り結晶を析出させることができる。
【００２３】
【発明の効果】本発明の一般式〔２〕で表されるリン酸
エステル誘導体の製造方法によれば、生成する塩化水素
を不活性ガスの導入により系外に排出するようにしたた
め、従来の三級アミンを用いることなく塩化水素を除去
することができ、これにより三級アミン塩酸塩除去のた
めの濾過操作等を省略できるとともに、得られる中間体
への水分の混入を少なくすることができる。
エステル誘導体の製造方法によれば、生成する塩化水素
を不活性ガスの導入により系外に排出するようにしたた
め、従来の三級アミンを用いることなく塩化水素を除去
することができ、これにより三級アミン塩酸塩除去のた
めの濾過操作等を省略できるとともに、得られる中間体
への水分の混入を少なくすることができる。
【００２４】本発明の一般式〔４〕で表されるリン酸エ
ステル誘導体の製造方法によれば、上記により得られた
中間体をアミンと反応させるため、水分含量の少ない状
態で反応を行って、高純度の最終生成物を高収率で製造
できるとともに、三級アミン塩酸塩除去の操作が不要と
なるため全体の反応を連続してワンポット反応で効率よ
く行うことができる。
ステル誘導体の製造方法によれば、上記により得られた
中間体をアミンと反応させるため、水分含量の少ない状
態で反応を行って、高純度の最終生成物を高収率で製造
できるとともに、三級アミン塩酸塩除去の操作が不要と
なるため全体の反応を連続してワンポット反応で効率よ
く行うことができる。
【００２５】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。 実施例１ 窒素ガス吹き込み口、滴下ロートおよびマグネチックス
ターラを備えた３００ｍｌの三つ口フラスコに２−プロ
ペン−１−オール８．７１ｇ（０．１５ｍｏｌ）と脱水
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１００ｍｌを仕込み、こ
のフラスコをドライアイス／メタノールで−５℃に冷却
し、窒素ガスを吹き込みながら２−クロロ−２−オキソ
−１，３，２−ジオキサホスホラン２０．８ｇ（０．１
５ｍｏｌ）を滴下した。塩化水素ガスが反応系から出な
くなるまで４８時間、室温で反応させた。反応後エバポ
レータで溶媒その他を留去し、中間体としての２−プロ
ペニル−２−オキソ−１，３，２−ジオキサホスホラン
を含む無色粘稠物２０．８ｇを得た。
ターラを備えた３００ｍｌの三つ口フラスコに２−プロ
ペン−１−オール８．７１ｇ（０．１５ｍｏｌ）と脱水
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１００ｍｌを仕込み、こ
のフラスコをドライアイス／メタノールで−５℃に冷却
し、窒素ガスを吹き込みながら２−クロロ−２−オキソ
−１，３，２−ジオキサホスホラン２０．８ｇ（０．１
５ｍｏｌ）を滴下した。塩化水素ガスが反応系から出な
くなるまで４８時間、室温で反応させた。反応後エバポ
レータで溶媒その他を留去し、中間体としての２−プロ
ペニル−２−オキソ−１，３，２−ジオキサホスホラン
を含む無色粘稠物２０．８ｇを得た。
【００２６】得られた無色粘稠物を再び脱水テトラヒド
ロフラン５０ｍｌに溶解し、密栓付の耐圧容器に移し
た。脱水テトラヒドロフラン５０ｍｌに溶解させたトリ
メチルアミン１６．９ｇ（０．３０ｍｏｌ）を素速く加
えて密栓し、４０℃で２４時間振とうした。生成した結
晶をドライボックス中で濾過し、脱水テトラヒドロフラ
ンで洗浄した後乾燥し、最終生成物としての２−プロペ
ニル−ホスホリルコリンの白色結晶２０．８ｇ（収率６
２．２％）を得た。
ロフラン５０ｍｌに溶解し、密栓付の耐圧容器に移し
た。脱水テトラヒドロフラン５０ｍｌに溶解させたトリ
メチルアミン１６．９ｇ（０．３０ｍｏｌ）を素速く加
えて密栓し、４０℃で２４時間振とうした。生成した結
晶をドライボックス中で濾過し、脱水テトラヒドロフラ
ンで洗浄した後乾燥し、最終生成物としての２−プロペ
ニル−ホスホリルコリンの白色結晶２０．８ｇ（収率６
２．２％）を得た。
【００２７】実施例２ 窒素ガス吹き込み口、滴下ロートおよびマグネチックス
ターラを備えた３００ｍｌの三つ口フラスコに９−デセ
ン−１−オール２３．４ｇ（０．１５ｍｏｌ）と脱水テ
トラヒドロフラン１００ｍｌを仕込み、このフラスコを
ドライアイス／メタノールで−５℃に冷却し、窒素ガス
を吹き込みながら２−クロロ−２−オキソ−１，３，２
−ジオキサホスホラン２０．８ｇ（０．１５ｍｏｌ）を
滴下した。塩化水素ガスが反応系から出なくなるまで１
〜２日間、室温で反応させた。反応後エバポレータで溶
媒その他を留去し、中間体としての９−デセニル−２−
オキソ−１，３，２−ジオキサホスホランを含む無色粘
稠物３１．２ｇを得た。
ターラを備えた３００ｍｌの三つ口フラスコに９−デセ
ン−１−オール２３．４ｇ（０．１５ｍｏｌ）と脱水テ
トラヒドロフラン１００ｍｌを仕込み、このフラスコを
ドライアイス／メタノールで−５℃に冷却し、窒素ガス
を吹き込みながら２−クロロ−２−オキソ−１，３，２
−ジオキサホスホラン２０．８ｇ（０．１５ｍｏｌ）を
滴下した。塩化水素ガスが反応系から出なくなるまで１
〜２日間、室温で反応させた。反応後エバポレータで溶
媒その他を留去し、中間体としての９−デセニル−２−
オキソ−１，３，２−ジオキサホスホランを含む無色粘
稠物３１．２ｇを得た。
【００２８】得られた無色粘稠物を再び脱水テトラヒド
ロフラン５０ｍｌに溶解し、密栓付の耐圧容器に移し
た。脱水テトラヒドロフラン５０ｍｌに溶解させたトリ
メチルアミン１６．９ｇ（０．３０ｍｏｌ）を素速く加
えて密栓し、５℃で２４時間振とうした。生成した結晶
をドライボックス中で濾過し、脱水テトラヒドロフラン
で洗浄した後乾燥し、最終生成物としての９−デセニル
−ホスホリルコリンの白色結晶３１．２ｇ（収率６４．
７％）を得た。
ロフラン５０ｍｌに溶解し、密栓付の耐圧容器に移し
た。脱水テトラヒドロフラン５０ｍｌに溶解させたトリ
メチルアミン１６．９ｇ（０．３０ｍｏｌ）を素速く加
えて密栓し、５℃で２４時間振とうした。生成した結晶
をドライボックス中で濾過し、脱水テトラヒドロフラン
で洗浄した後乾燥し、最終生成物としての９−デセニル
−ホスホリルコリンの白色結晶３１．２ｇ（収率６４．
７％）を得た。
【００２９】比較例１ 窒素ガス吹き込み口、滴下ロートおよびマグネチックス
ターラを備えた３００ｍｌの三つ口フラスコに２−プロ
ペン−１−オール８．７１ｇ（０．１５ｍｏｌ）と脱水
テトラヒドロフラン１００ｍｌを仕込み、このフラスコ
をドライアイス／メタノールで−５℃に冷却し、窒素ガ
スを吹き込みながら２−クロロ−２−オキソ−１，３，
２−ジオキサホスホラン２０．８ｇ（０．１５ｍｏｌ）
を滴下した。その後、トリエチルアミン８．８８ｇ
（０．１５ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２０ｍｌに希
釈した溶液を脱塩化水素剤として滴下した。滴下終了
後、反応温度を室温に戻し、反応を４時間進めた。反応
後エバポレータで溶媒その他を留去し、アミン塩酸塩を
濾別した。濾液をテトラヒドロフラン５０ｍｌに溶解
し、密栓付の耐圧容器に移した。脱水テトラヒドロフラ
ン５０ｍｌに溶解させたトリメチルアミン１６．９ｇ
（０．３０ｍｏｌ）を素速く加えて密栓し、４０℃で２
４時間振とうした。生成した結晶をドライボックス中で
濾過し、脱水テトラヒドロフランで洗浄した後乾燥し、
白色結晶１６．４ｇ（収率４９．６％）を得たが、収率
は実施例１に比べて低いものであった。
ターラを備えた３００ｍｌの三つ口フラスコに２−プロ
ペン−１−オール８．７１ｇ（０．１５ｍｏｌ）と脱水
テトラヒドロフラン１００ｍｌを仕込み、このフラスコ
をドライアイス／メタノールで−５℃に冷却し、窒素ガ
スを吹き込みながら２−クロロ−２−オキソ−１，３，
２−ジオキサホスホラン２０．８ｇ（０．１５ｍｏｌ）
を滴下した。その後、トリエチルアミン８．８８ｇ
（０．１５ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２０ｍｌに希
釈した溶液を脱塩化水素剤として滴下した。滴下終了
後、反応温度を室温に戻し、反応を４時間進めた。反応
後エバポレータで溶媒その他を留去し、アミン塩酸塩を
濾別した。濾液をテトラヒドロフラン５０ｍｌに溶解
し、密栓付の耐圧容器に移した。脱水テトラヒドロフラ
ン５０ｍｌに溶解させたトリメチルアミン１６．９ｇ
（０．３０ｍｏｌ）を素速く加えて密栓し、４０℃で２
４時間振とうした。生成した結晶をドライボックス中で
濾過し、脱水テトラヒドロフランで洗浄した後乾燥し、
白色結晶１６．４ｇ（収率４９．６％）を得たが、収率
は実施例１に比べて低いものであった。
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式〔１〕 【化１】 〔式中、Ｒ1は水素原子またはメチル基、Ａは二価の有
機基、ｍは０または１を示す。〕で表わされる化合物
と、 ２−クロロ−２−オキソ−１，３，２−ジオキサホスホ
ランとを、 反応系に不活性ガスを導入して、生成する塩化水素を系
外に排出しながら反応させて、 一般式〔２〕 【化２】 〔式中、Ｒ1、Ａおよびｍは一般式〔１〕と同じものを
示す。〕で表される片末端に二重結合を有するリン酸エ
ステル誘導体を製造することを特徴とするリン酸エステ
ル誘導体の製造方法。 - 【請求項２】 一般式〔１〕 【化３】 〔式中、Ｒ1は水素原子またはメチル基、Ａは二価の有
機基、ｍは０または１を示す。〕で表わされる化合物
と、 ２−クロロ−２−オキソ−１，３，２−ジオキサホスホ
ランとを、 反応系に不活性ガスを導入して、生成する塩化水素を系
外に排出しながら反応させて、 一般式〔２〕 【化４】 〔式中、Ｒ1、Ａおよびｍは一般式〔１〕と同じものを
示す。〕で表わされる化合物を製造し、さらに一般式
〔３〕 【化５】 〔式中、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ水素原子または炭素
数１〜４のアルキル基を示し、これらのアルキル基はそ
れぞれ同一でも異なっていてもよく、また相互に連結し
て環を形成していてもよい。〕で表わされるアミンを反
応させ、 一般式〔４〕 【化６】 〔式中、Ｒ1〜Ｒ4、Ａおよびｍは一般式〔１〕または
〔３〕と同じものを示す。〕で表わされる片末端に二重
結合を有するリン酸エステル誘導体を製造することを特
徴とするリン酸エステル誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12663794A JPH07330783A (ja) | 1994-06-08 | 1994-06-08 | リン酸エステル誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12663794A JPH07330783A (ja) | 1994-06-08 | 1994-06-08 | リン酸エステル誘導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07330783A true JPH07330783A (ja) | 1995-12-19 |
Family
ID=14940131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12663794A Pending JPH07330783A (ja) | 1994-06-08 | 1994-06-08 | リン酸エステル誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07330783A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011064897A1 (ja) * | 2009-11-26 | 2011-06-03 | 帝人化成株式会社 | ビスベンゾオキサジノン化合物 |
| JP2014091803A (ja) * | 2012-11-06 | 2014-05-19 | Nof Corp | ホスホリルコリン基含有（メタ）アクリレート化合物、その製造方法、及びその重合体 |
| CN111808137A (zh) * | 2020-07-14 | 2020-10-23 | 江苏华盛锂电材料股份有限公司 | 磷酸乙烯烃酯制备方法、磷酸乙烯烃酯及应用 |
-
1994
- 1994-06-08 JP JP12663794A patent/JPH07330783A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011064897A1 (ja) * | 2009-11-26 | 2011-06-03 | 帝人化成株式会社 | ビスベンゾオキサジノン化合物 |
| JP2014091803A (ja) * | 2012-11-06 | 2014-05-19 | Nof Corp | ホスホリルコリン基含有（メタ）アクリレート化合物、その製造方法、及びその重合体 |
| CN111808137A (zh) * | 2020-07-14 | 2020-10-23 | 江苏华盛锂电材料股份有限公司 | 磷酸乙烯烃酯制备方法、磷酸乙烯烃酯及应用 |
| CN111808137B (zh) * | 2020-07-14 | 2023-08-01 | 江苏华盛锂电材料股份有限公司 | 磷酸乙烯烃酯制备方法 |
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