JPH07335932A - 光学装置 - Google Patents
光学装置Info
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- JPH07335932A JPH07335932A JP6152884A JP15288494A JPH07335932A JP H07335932 A JPH07335932 A JP H07335932A JP 6152884 A JP6152884 A JP 6152884A JP 15288494 A JP15288494 A JP 15288494A JP H07335932 A JPH07335932 A JP H07335932A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 不要光の侵入を抑え光電流を抑制できる光学
装置を提供すること。 【構成】 本発明は、受光素子や発光素子を備えた光電
変換部２と電気信号処理部３とが隣接して配置される光
学装置１であり、電気信号処理部３の配線領域の側周囲
に側方から回路領域へ向かう光を遮断するための側部遮
光膜１５を設けたものである。また、上部遮光膜１４お
よび側部遮光膜１５を導電性材料から構成するととも
に、配線領域に設けられる配線と兼用としたり、側部遮
光膜１５を上部遮光膜１４と一体で設けたり、側部遮光
膜１５を導電性材料から構成して回路領域の回路に対す
る電源電位またはグランド電位にした光学装置１でもあ
る。
装置を提供すること。 【構成】 本発明は、受光素子や発光素子を備えた光電
変換部２と電気信号処理部３とが隣接して配置される光
学装置１であり、電気信号処理部３の配線領域の側周囲
に側方から回路領域へ向かう光を遮断するための側部遮
光膜１５を設けたものである。また、上部遮光膜１４お
よび側部遮光膜１５を導電性材料から構成するととも
に、配線領域に設けられる配線と兼用としたり、側部遮
光膜１５を上部遮光膜１４と一体で設けたり、側部遮光
膜１５を導電性材料から構成して回路領域の回路に対す
る電源電位またはグランド電位にした光学装置１でもあ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光電変換部と電気信号
処理部とが隣接して配置された光学装置に関するもので
ある。
処理部とが隣接して配置された光学装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】赤外線リモートコントローラの受光装置
では、赤外線信号を受けて所定の電気信号に変換するた
めの受光素子と、受光素子にて変換された電気信号を処
理するための電気信号処理部とを備えており、これらが
例えば同一基板上に形成されて一つの受光モジュールと
なっている。
では、赤外線信号を受けて所定の電気信号に変換するた
めの受光素子と、受光素子にて変換された電気信号を処
理するための電気信号処理部とを備えており、これらが
例えば同一基板上に形成されて一つの受光モジュールと
なっている。
【０００３】また、コマンダーである発光装置では、命
令に応じた電気信号を生成する電気信号処理部と、この
生成された電気信号に基づき所定の赤外線信号を出力す
る発光素子とを備えており、これらが隣接配置されて一
つのパッケージとなっている。
令に応じた電気信号を生成する電気信号処理部と、この
生成された電気信号に基づき所定の赤外線信号を出力す
る発光素子とを備えており、これらが隣接配置されて一
つのパッケージとなっている。
【０００４】近年では、受光装置および発光装置から成
る光学装置の小型化を図る観点から、受光素子部や発光
素子部から成る光電変換部と、電気信号処理部とを同一
基板上に形成して樹脂封止するものが考えられている。
図５は、従来の光学装置の例を説明する図で、（ａ）は
平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ部拡大断面図である。
る光学装置の小型化を図る観点から、受光素子部や発光
素子部から成る光電変換部と、電気信号処理部とを同一
基板上に形成して樹脂封止するものが考えられている。
図５は、従来の光学装置の例を説明する図で、（ａ）は
平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ部拡大断面図である。
【０００５】すなわち、この光学装置１は光電変換部２
と電気信号処理部３とが同一の基板１０上に隣接して形
成されたものであり、図示しない透光性樹脂にて一体封
止されている。電気信号処理部３は、所定の回路領域を
構成するため基板１０上に形成されたエピタキシャル層
１１と、エピタキシャル層１１上に設けられた一層目配
線１２ａおよび二層目配線１２ｂから成る配線層１２と
を備えている。
と電気信号処理部３とが同一の基板１０上に隣接して形
成されたものであり、図示しない透光性樹脂にて一体封
止されている。電気信号処理部３は、所定の回路領域を
構成するため基板１０上に形成されたエピタキシャル層
１１と、エピタキシャル層１１上に設けられた一層目配
線１２ａおよび二層目配線１２ｂから成る配線層１２と
を備えている。
【０００６】この電気信号処理部３は光電変換部２と隣
接して配置されているため、光電変換部２の封止材料と
同一の透光性樹脂（図示せず）にて封止されている。こ
のため、回路領域に不要な光が入射して誤動作を起こす
恐れがあり、これを防止するために回路領域上に上部遮
光膜１４が設けられている。上部遮光膜１４は、例えば
二層目配線１２ｂと兼用となっており、回路領域上方の
ほぼ全体を覆う状態で設けられている。
接して配置されているため、光電変換部２の封止材料と
同一の透光性樹脂（図示せず）にて封止されている。こ
のため、回路領域に不要な光が入射して誤動作を起こす
恐れがあり、これを防止するために回路領域上に上部遮
光膜１４が設けられている。上部遮光膜１４は、例えば
二層目配線１２ｂと兼用となっており、回路領域上方の
ほぼ全体を覆う状態で設けられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな光学装置には次のような問題がある。すなわち、図
５（ｂ）に示すように、回路領域であるエピタキシャル
層１１の上方には二層目配線１２ｂと兼用の上部遮光膜
１４が設けられているため、上方からの光は上部遮光膜
１４にて遮断される。ところが、側方からの光は酸化シ
リコン膜や窒化シリコン膜等の透光性の高い絶縁層１３
を通過して内部の回路領域まで達してしまう（図５
（ｂ）中の矢印参照）。
うな光学装置には次のような問題がある。すなわち、図
５（ｂ）に示すように、回路領域であるエピタキシャル
層１１の上方には二層目配線１２ｂと兼用の上部遮光膜
１４が設けられているため、上方からの光は上部遮光膜
１４にて遮断される。ところが、側方からの光は酸化シ
リコン膜や窒化シリコン膜等の透光性の高い絶縁層１３
を通過して内部の回路領域まで達してしまう（図５
（ｂ）中の矢印参照）。
【０００８】つまり、受光装置の場合には不要な外光が
側方から侵入し、また発光装置では自ら発光した光が回
り込んで側方から侵入し、回路領域内に侵入光に基づく
光電流が流れるようになってしまう。この光電流が電気
信号の処理における誤動作を起こす原因となっている。
従来では、この光電流に対抗するため回路領域内を流れ
る電流値を高めに設定するようにして光電流による影響
を抑えようとしているが、これによって消費電流が増加
するとともに、必要となる容量も大きくなって光学装置
全体の面積増加を招くことになる。
側方から侵入し、また発光装置では自ら発光した光が回
り込んで側方から侵入し、回路領域内に侵入光に基づく
光電流が流れるようになってしまう。この光電流が電気
信号の処理における誤動作を起こす原因となっている。
従来では、この光電流に対抗するため回路領域内を流れ
る電流値を高めに設定するようにして光電流による影響
を抑えようとしているが、これによって消費電流が増加
するとともに、必要となる容量も大きくなって光学装置
全体の面積増加を招くことになる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような課
題を解決するために成された光学装置である。すなわ
ち、本発明の光学装置は、基板に設けられた回路領域、
回路領域上に設けられる配線領域および回路領域へ向か
う光を遮断する上部遮光膜から構成される電気信号処理
部と、電気信号処理部に隣接して配置される光電変換部
とを備えており、配線領域の側周囲に配線領域の側方か
ら回路領域へ向かう光を遮断するための側部遮光膜を設
けたものである。
題を解決するために成された光学装置である。すなわ
ち、本発明の光学装置は、基板に設けられた回路領域、
回路領域上に設けられる配線領域および回路領域へ向か
う光を遮断する上部遮光膜から構成される電気信号処理
部と、電気信号処理部に隣接して配置される光電変換部
とを備えており、配線領域の側周囲に配線領域の側方か
ら回路領域へ向かう光を遮断するための側部遮光膜を設
けたものである。
【００１０】また、本発明の光学装置は、上部遮光膜お
よび側部遮光膜を導電性材料から構成するとともに、配
線領域に設けられる配線と兼用としたものでもある。ま
た、側部遮光膜を上部遮光膜と一体で設けたり、側部遮
光膜を導電性材料から構成して回路領域の回路に対する
電源電位またはグランド電位にした光学装置でもある。
よび側部遮光膜を導電性材料から構成するとともに、配
線領域に設けられる配線と兼用としたものでもある。ま
た、側部遮光膜を上部遮光膜と一体で設けたり、側部遮
光膜を導電性材料から構成して回路領域の回路に対する
電源電位またはグランド電位にした光学装置でもある。
【００１１】さらに、光電変換部が、受けた光を所定の
電気信号に変換する受光素子を備えていたり、所定の電
気信号に基づき光を出射する発光素子を備えている光学
装置でもある。
電気信号に変換する受光素子を備えていたり、所定の電
気信号に基づき光を出射する発光素子を備えている光学
装置でもある。
【００１２】
【作用】本発明では、上部遮光膜にて回路領域の上方か
ら内部へ入り込もうとする光を遮断できるとともに、配
線領域の側周囲に設けた側部遮光膜により側方から内部
に入り込もうとする光をも遮断できるようになる。この
ため、回路領域に不要な光が侵入しないため光電流が流
れなくなり、回路の誤動作が無くなる。しかも、これに
ともない回路の電流値を下げることができるようにな
る。
ら内部へ入り込もうとする光を遮断できるとともに、配
線領域の側周囲に設けた側部遮光膜により側方から内部
に入り込もうとする光をも遮断できるようになる。この
ため、回路領域に不要な光が侵入しないため光電流が流
れなくなり、回路の誤動作が無くなる。しかも、これに
ともない回路の電流値を下げることができるようにな
る。
【００１３】また、上部遮光膜および側部遮光膜を導電
性材料から構成し、配線領域の配線と兼用することで各
遮光膜を配線と同一工程にて製造できるようになる。さ
らに、側部遮光膜を上部遮光膜と一体にすることで両遮
光膜を同一工程で製造できるようになる。
性材料から構成し、配線領域の配線と兼用することで各
遮光膜を配線と同一工程にて製造できるようになる。さ
らに、側部遮光膜を上部遮光膜と一体にすることで両遮
光膜を同一工程で製造できるようになる。
【００１４】また、導電性材料から成る側部遮光膜を回
路領域の回路に対する電源電位またはグランド電位にす
ることで、回路領域に対する遮光とともに電磁的なシー
ルドも行うことができるようになる。
路領域の回路に対する電源電位またはグランド電位にす
ることで、回路領域に対する遮光とともに電磁的なシー
ルドも行うことができるようになる。
【００１５】
【実施例】以下に、本発明の光学装置の実施例を図に基
づいて説明する。図１は本発明の光学装置を説明する図
で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ部拡大断面図
である。また、図２は本発明の適応例を説明する模式断
面図で、（ａ）は受光装置、（ｂ）は発光装置の場合を
示している。図１（ａ）に示すように、この光学装置１
は、主として光電変換部２と電気信号処理部３とが同一
の基板１０（図１（ｂ）参照）上に隣接して配置され、
図示しない透光性の樹脂にて一体封止されるものであ
る。
づいて説明する。図１は本発明の光学装置を説明する図
で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ部拡大断面図
である。また、図２は本発明の適応例を説明する模式断
面図で、（ａ）は受光装置、（ｂ）は発光装置の場合を
示している。図１（ａ）に示すように、この光学装置１
は、主として光電変換部２と電気信号処理部３とが同一
の基板１０（図１（ｂ）参照）上に隣接して配置され、
図示しない透光性の樹脂にて一体封止されるものであ
る。
【００１６】なお、光学装置１は、光電変換部２および
電気信号処理部３をシリコン等の同一材料基板上に設け
たモノリシック状となっていても、また各々チップ状に
形成した光電変換部２および電気信号処理部３を実装用
の同一基板上に配置したマルチチップ状となっていても
どちらでもよい。
電気信号処理部３をシリコン等の同一材料基板上に設け
たモノリシック状となっていても、また各々チップ状に
形成した光電変換部２および電気信号処理部３を実装用
の同一基板上に配置したマルチチップ状となっていても
どちらでもよい。
【００１７】例えば、光学装置１を図２（ａ）に示すよ
うな受光装置に適応した場合には、受光素子から成る光
電変換部２としてｐ形のシリコン基板にｎ形エピタキシ
ャル層を形成したｐｎ接合によるフォトダイオードを構
成し、同一材料基板上に電気信号処理部３（図１（ａ）
参照）を形成する。これを透光性樹脂から成るパッケー
ジ５にて封止し、一体型のレンズ５１を介して光を集光
するようにする。
うな受光装置に適応した場合には、受光素子から成る光
電変換部２としてｐ形のシリコン基板にｎ形エピタキシ
ャル層を形成したｐｎ接合によるフォトダイオードを構
成し、同一材料基板上に電気信号処理部３（図１（ａ）
参照）を形成する。これを透光性樹脂から成るパッケー
ジ５にて封止し、一体型のレンズ５１を介して光を集光
するようにする。
【００１８】また、光学装置１を図２（ｂ）に示すよう
な発光装置に適応した場合には、発光素子から成る光電
変換部２として例えばｐｎ接合による発光ダイオードを
構成して実装用の基板１０ａ上に実装し、この発光ダイ
オードに信号を与えるための電気信号処理部３を同じ基
板１０ａ上に実装する。そして、これらを透光性樹脂か
ら成るパッケージ５にて一体封止して発光装置を構成す
る。
な発光装置に適応した場合には、発光素子から成る光電
変換部２として例えばｐｎ接合による発光ダイオードを
構成して実装用の基板１０ａ上に実装し、この発光ダイ
オードに信号を与えるための電気信号処理部３を同じ基
板１０ａ上に実装する。そして、これらを透光性樹脂か
ら成るパッケージ５にて一体封止して発光装置を構成す
る。
【００１９】いずれの態様の光学装置１であっても、図
１（ｂ）に示すように、その電気信号処理部３は基板１
０上に形成したエピタキシャル層１１によって所定の回
路領域が構成され、その上方にアルミニウム等で形成し
た一層目配線１２ａおよび二層目配線１２ｂから成る配
線層１２が絶縁層１３を介して設けられている。
１（ｂ）に示すように、その電気信号処理部３は基板１
０上に形成したエピタキシャル層１１によって所定の回
路領域が構成され、その上方にアルミニウム等で形成し
た一層目配線１２ａおよび二層目配線１２ｂから成る配
線層１２が絶縁層１３を介して設けられている。
【００２０】この光学装置１の配線層１２のうち二層目
配線１２ｂが上部遮光膜１４と兼用となっており、さら
に配線層１２の外周囲には同様なアルミニウム等で形成
した側部遮光膜１５が設けられている。この側部遮光膜
１５は例えば二層目配線１２ｂである上部遮光膜１４と
同一工程で形成され、絶縁層１３の側端部分を囲う状態
となる。これによって、光学装置１の側方からの光を遮
断して内部の回路に光電流が流れるのを防止できるよう
になる。
配線１２ｂが上部遮光膜１４と兼用となっており、さら
に配線層１２の外周囲には同様なアルミニウム等で形成
した側部遮光膜１５が設けられている。この側部遮光膜
１５は例えば二層目配線１２ｂである上部遮光膜１４と
同一工程で形成され、絶縁層１３の側端部分を囲う状態
となる。これによって、光学装置１の側方からの光を遮
断して内部の回路に光電流が流れるのを防止できるよう
になる。
【００２１】また、上部遮光膜１４を回路領域の回路に
対する電源電位とした場合には、上部遮光膜１４との間
にわずかな隙間を開けて側部遮光膜１５を形成し、側部
遮光膜１５をグランド電位としてもよい。これにより、
上部遮光膜１４のみが形成されている場合に比べて回路
領域に対する電磁シールド効果を高めることができる。
対する電源電位とした場合には、上部遮光膜１４との間
にわずかな隙間を開けて側部遮光膜１５を形成し、側部
遮光膜１５をグランド電位としてもよい。これにより、
上部遮光膜１４のみが形成されている場合に比べて回路
領域に対する電磁シールド効果を高めることができる。
【００２２】さらに、本発明の光学装置１では、上部遮
光膜１４および側部遮光膜１５によって上方および側方
からの外光を遮断でき、回路領域内の回路に流れる光電
流を抑制できるため、回路の電流値として光電流に対抗
できるような大きな電流を流す必要がなくなる。これに
よって、回路の電流値を低くすることができ消費電流の
低減を図ることが可能となる。
光膜１４および側部遮光膜１５によって上方および側方
からの外光を遮断でき、回路領域内の回路に流れる光電
流を抑制できるため、回路の電流値として光電流に対抗
できるような大きな電流を流す必要がなくなる。これに
よって、回路の電流値を低くすることができ消費電流の
低減を図ることが可能となる。
【００２３】次に、本発明の他の例を図３および図４に
基づいて説明する。図３は他の例（その１）を説明する
図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ部拡大断面
図である。すなわち、この光学装置１は、光電変換部２
と電気信号処理部３とが同一基板１０上に隣接して形成
されている点で図１に示す光学装置１と同様であるが、
上部遮光膜１４と側部遮光膜１５とが一体である点で相
違する。
基づいて説明する。図３は他の例（その１）を説明する
図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ部拡大断面
図である。すなわち、この光学装置１は、光電変換部２
と電気信号処理部３とが同一基板１０上に隣接して形成
されている点で図１に示す光学装置１と同様であるが、
上部遮光膜１４と側部遮光膜１５とが一体である点で相
違する。
【００２４】電気信号処理部３の配線層１２は、例えば
一層目配線１２ａと二層目配線１２ｂとから構成され、
この二層目配線１２ｂが上部遮光膜１４および側部遮光
膜１５と兼用となっている。つまり、二層目配線１２ｂ
の形成とともに上部遮光膜１４および側部遮光膜１５を
一体的に形成する。これによって、二層目配線１２ｂ、
上部遮光膜１４および側部遮光膜１５を同一工程にて形
成できるようになる。
一層目配線１２ａと二層目配線１２ｂとから構成され、
この二層目配線１２ｂが上部遮光膜１４および側部遮光
膜１５と兼用となっている。つまり、二層目配線１２ｂ
の形成とともに上部遮光膜１４および側部遮光膜１５を
一体的に形成する。これによって、二層目配線１２ｂ、
上部遮光膜１４および側部遮光膜１５を同一工程にて形
成できるようになる。
【００２５】この光学装置１では、上部遮光膜１４にて
光学装置１の上方からの光を遮断し、側部遮光膜１５に
て側方からの光を遮断することができる。これによっ
て、回路領域の回路内に流れる光電流を抑制できるよう
になり、電気信号処理部３の誤動作を防止できる。
光学装置１の上方からの光を遮断し、側部遮光膜１５に
て側方からの光を遮断することができる。これによっ
て、回路領域の回路内に流れる光電流を抑制できるよう
になり、電気信号処理部３の誤動作を防止できる。
【００２６】また、アルミニウム等の導電性材料にて上
部遮光膜１４および側部遮光膜１５を一体に形成し、こ
れを回路に対する電源電位またはグランド電位とするこ
とにより回路領域に対する電磁シールド効果を持たせる
こともでき、さらに外乱に強い光学装置１となる。
部遮光膜１４および側部遮光膜１５を一体に形成し、こ
れを回路に対する電源電位またはグランド電位とするこ
とにより回路領域に対する電磁シールド効果を持たせる
こともでき、さらに外乱に強い光学装置１となる。
【００２７】図４は本発明の他の例（その２）を説明す
る図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ部拡大断
面図である。この光学装置１は、光電変換部２と電気信
号処理部３とが同一基板１０上に隣接して形成されてい
る点および上部遮光膜１４と側部遮光膜１５とが一体と
なっている点で図３に示す光学装置１と同様であるが、
側部遮光膜１５’が設けられている点で相違する。
る図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ部拡大断
面図である。この光学装置１は、光電変換部２と電気信
号処理部３とが同一基板１０上に隣接して形成されてい
る点および上部遮光膜１４と側部遮光膜１５とが一体と
なっている点で図３に示す光学装置１と同様であるが、
側部遮光膜１５’が設けられている点で相違する。
【００２８】すなわち、電気信号処理部３の配線層１２
のうち二層目配線１２ｂが上部遮光膜１４および側部遮
光膜１５と兼用となっており、同一工程にて形成される
ようになっている。また、側部遮光膜１５’は一層目配
線１２ａと同一工程にて形成されるようになっており、
側部遮光膜１５とエピタキシャル層１１との間での遮光
を行う状態に配置されている。
のうち二層目配線１２ｂが上部遮光膜１４および側部遮
光膜１５と兼用となっており、同一工程にて形成される
ようになっている。また、側部遮光膜１５’は一層目配
線１２ａと同一工程にて形成されるようになっており、
側部遮光膜１５とエピタキシャル層１１との間での遮光
を行う状態に配置されている。
【００２９】つまり、この２つの側部遮光膜１５、１
５’によって光学装置１の側方からの光（特に、図中真
横からの光）が直接内部に入射するのを完全に妨ぐこと
ができるようになり、光電流の大幅な抑制を図ることが
可能となる。また、側部遮光膜１５を回路に対する電源
電位とし、側部遮光膜１５’をグランド電位とすること
で回路領域に対する電磁シールド効果を持たせることも
可能となる。
５’によって光学装置１の側方からの光（特に、図中真
横からの光）が直接内部に入射するのを完全に妨ぐこと
ができるようになり、光電流の大幅な抑制を図ることが
可能となる。また、側部遮光膜１５を回路に対する電源
電位とし、側部遮光膜１５’をグランド電位とすること
で回路領域に対する電磁シールド効果を持たせることも
可能となる。
【００３０】なお、本実施例で説明したいずれの例にお
いても、上部遮光膜１４および側部遮光膜１５を二層目
配線１２ｂと兼用にしないで独立に設けてもよい。ま
た、上部遮光膜１４および側部遮光膜１５、１５’とし
てアルミニウム以外にも所定の光を遮断できる材質で、
しかも絶縁層１３に被着できるものであれば何でも適応
可能である。
いても、上部遮光膜１４および側部遮光膜１５を二層目
配線１２ｂと兼用にしないで独立に設けてもよい。ま
た、上部遮光膜１４および側部遮光膜１５、１５’とし
てアルミニウム以外にも所定の光を遮断できる材質で、
しかも絶縁層１３に被着できるものであれば何でも適応
可能である。
【００３１】さらに、本実施例では、光学装置１として
光電変換部２に受光素子を備えた場合と、発光素子を備
えた場合とを例として示したが、光電変換部２に受光素
子および発光素子の両方を備えた受発光装置（例えば、
双方向通信の可能なリモートコマンダー等）の場合であ
っても同様である。
光電変換部２に受光素子を備えた場合と、発光素子を備
えた場合とを例として示したが、光電変換部２に受光素
子および発光素子の両方を備えた受発光装置（例えば、
双方向通信の可能なリモートコマンダー等）の場合であ
っても同様である。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光学装置
によれば次のような効果がある。すなわち、本発明の光
学装置では、上方からの光を遮断する上部遮光膜ととも
に側方からの光を遮断する側部遮光膜を備えているた
め、不要な光が電気信号処理部に侵入しなくなり、光電
流による回路の誤動作発生を抑制することが可能とな
る。
によれば次のような効果がある。すなわち、本発明の光
学装置では、上方からの光を遮断する上部遮光膜ととも
に側方からの光を遮断する側部遮光膜を備えているた
め、不要な光が電気信号処理部に侵入しなくなり、光電
流による回路の誤動作発生を抑制することが可能とな
る。
【００３３】さらに、光電流の発生を抑制できるため回
路に流す電流値を大きくして対抗する必要がなくなり、
消費電流の低減を図ることが可能となる。これにともな
い、回路構成を微細化でき光学装置の小型化を図ること
が可能となる。また、側部遮光膜を回路に対する電源電
位にしたりグランド電位にすることで電磁シールド効果
を持たせることができ、光学装置の動作信頼性をさらに
向上させることが可能となる。
路に流す電流値を大きくして対抗する必要がなくなり、
消費電流の低減を図ることが可能となる。これにともな
い、回路構成を微細化でき光学装置の小型化を図ること
が可能となる。また、側部遮光膜を回路に対する電源電
位にしたりグランド電位にすることで電磁シールド効果
を持たせることができ、光学装置の動作信頼性をさらに
向上させることが可能となる。
【図１】本発明の光学装置を説明する図で、（ａ）は平
面図、（ｂ）は（ａ）のＡ部拡大断面図である。
面図、（ｂ）は（ａ）のＡ部拡大断面図である。
【図２】本発明の光学装置の適応例を説明する模式断面
図で、（ａ）は受光装置、（ｂ）は発光装置である。
図で、（ａ）は受光装置、（ｂ）は発光装置である。
【図３】他の例（その１）を説明する図で、（ａ）は平
面図、（ｂ）は（ａ）のＢ部拡大断面図である。
面図、（ｂ）は（ａ）のＢ部拡大断面図である。
【図４】他の例（その２）を説明する図で、（ａ）は平
面図、（ｂ）は（ａ）のＣ部拡大断面図である。
面図、（ｂ）は（ａ）のＣ部拡大断面図である。
【図５】従来例を説明する図で、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のＤ部拡大断面図である。
（ｂ）は（ａ）のＤ部拡大断面図である。
１ 光学装置 ２ 光電変換部 ３ 電気信号処理部 １０ 基板 １１ エピタキシャル層 １２ 配線部 １２ａ 一層目配線 １２ｂ 二層目
配線 １３ 絶縁層 １４ 上部遮光
膜 １５ 側部遮光膜
配線 １３ 絶縁層 １４ 上部遮光
膜 １５ 側部遮光膜
Claims (6)
- 【請求項１】 基板に設けられた回路領域、該回路領域
上に設けられる配線領域および該回路領域へ向かう光を
遮断する上部遮光膜から構成される電気信号処理部と、
該電気信号処理部に隣接して配置される光電変換部とを
備えた光学装置であって、 前記配線領域の側周囲には該配線領域の側方から前記回
路領域へ向かう光を遮断するための側部遮光膜が設けら
れていることを特徴とする光学装置。 - 【請求項２】 前記上部遮光膜および前記側部遮光膜は
導電性材料から成り、かつ前記配線領域に設けられる配
線と兼用となっていることを特徴とする請求項１記載の
光学装置。 - 【請求項３】 前記側部遮光膜は前記上部遮光膜と一体
で設けられていることを特徴とする請求項１または請求
項２記載の光学装置。 - 【請求項４】 前記側部遮光膜は導電性材料から成り、
かつ前記回路領域の回路に対する電源電位またはグラン
ド電位であることを特徴とする請求項１から請求項３の
うちいずれか一つに記載の光学装置。 - 【請求項５】 前記光電変換部は、受けた光を所定の電
気信号に変換する受光素子を備えていることを特徴とす
る請求項１から請求項４のうちいずれか一つに記載の光
学装置。 - 【請求項６】 前記光電変換部は、所定の電気信号に基
づき光を出射する発光素子を備えていることを特徴とす
る請求項１から請求項４のうちいずれか一つに記載の光
学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6152884A JPH07335932A (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | 光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6152884A JPH07335932A (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | 光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07335932A true JPH07335932A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=15550232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6152884A Pending JPH07335932A (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | 光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07335932A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008143211A1 (ja) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | 表示装置 |
| WO2008143213A1 (ja) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | 表示装置 |
| US8309901B2 (en) | 2007-05-18 | 2012-11-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device adjusting luminance of display based at least on detections by ambient light sensors |
-
1994
- 1994-06-10 JP JP6152884A patent/JPH07335932A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008143211A1 (ja) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | 表示装置 |
| WO2008143213A1 (ja) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | 表示装置 |
| EP2149914A4 (en) * | 2007-05-18 | 2011-04-20 | Sharp Kk | DISPLAY DEVICE |
| US8309901B2 (en) | 2007-05-18 | 2012-11-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device adjusting luminance of display based at least on detections by ambient light sensors |
| JP5073741B2 (ja) * | 2007-05-18 | 2012-11-14 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| US8368676B2 (en) | 2007-05-18 | 2013-02-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device with light shield |
| JP5225985B2 (ja) * | 2007-05-18 | 2013-07-03 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
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