JPS5992581A - 光結合半導体装置 - Google Patents
光結合半導体装置Info
- Publication number
- JPS5992581A JPS5992581A JP57203138A JP20313882A JPS5992581A JP S5992581 A JPS5992581 A JP S5992581A JP 57203138 A JP57203138 A JP 57203138A JP 20313882 A JP20313882 A JP 20313882A JP S5992581 A JPS5992581 A JP S5992581A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- type
- light
- light receiving
- receiving element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は光結合半導体装置に関するものである。
〈従来技術〉
光結合半導体装置、例えば発光・受光素子を７つのパッ
ケージに封止したホトカプラにおいて、発光・受光素子
間に急峻なパルスを印加すると、受光素子が誤動作する
ことはよく知られている。
ケージに封止したホトカプラにおいて、発光・受光素子
間に急峻なパルスを印加すると、受光素子が誤動作する
ことはよく知られている。
第１図は、ホトカプラ／において、発光素子−と受光素
子３間に急峻なパルスＶｐ （傾きｄｖ／ｄｔ）が印加
されたときの様子を示すもので、このようなパルスの印
加により受光素子３が誤動作する。
子３間に急峻なパルスＶｐ （傾きｄｖ／ｄｔ）が印加
されたときの様子を示すもので、このようなパルスの印
加により受光素子３が誤動作する。
これは、発光素子−と受光素子３間に容量による静電カ
ップリングが存在することによる。従来、これを防止す
るため、発光素子−と受光素子３間に導電性のメツシュ
を入れたり、受光素子３の表面に導電性透明フィルムを
付加していた。
ップリングが存在することによる。従来、これを防止す
るため、発光素子−と受光素子３間に導電性のメツシュ
を入れたり、受光素子３の表面に導電性透明フィルムを
付加していた。
ところで、受光素子として、ホトダイオードと増幅、信
号処理用のバイポーラＩＣ（集積回路）を一体化した光
学的ＩＣでは、静電カップリングによる受光素子への影
響はホトダイオード部において特に大きい。第一図は上
記光学的ＩＣのホトダイオード部の構成を示す断面図で
ある。ホトダイオードは、Ｐ型基板ダ及びＰ 型アイソ
レーション領域ｊと、Ｎ型エピタキシャル層２のＰ−Ｎ
接合部より形成されている。
号処理用のバイポーラＩＣ（集積回路）を一体化した光
学的ＩＣでは、静電カップリングによる受光素子への影
響はホトダイオード部において特に大きい。第一図は上
記光学的ＩＣのホトダイオード部の構成を示す断面図で
ある。ホトダイオードは、Ｐ型基板ダ及びＰ 型アイソ
レーション領域ｊと、Ｎ型エピタキシャル層２のＰ−Ｎ
接合部より形成されている。
この場合、エピタキシャル層Ｚは発光素子に面している
ため、発光素子との間で容量をもつ。この容量を通して
発光素子と静電カップリングしており、発光・受光素子
間に急峻なパルスが印加されると、バイポーラＩＣ部で
信号が増幅、処理され誤動作を起こす。
ため、発光素子との間で容量をもつ。この容量を通して
発光素子と静電カップリングしており、発光・受光素子
間に急峻なパルスが印加されると、バイポーラＩＣ部で
信号が増幅、処理され誤動作を起こす。
なお、ホトダイオードのアイソレーション領域ｊも同様
に発光素子との間で静電カップリングされる。しかし、
このアイソレーション領域ｊは、光学的ＩＣ全体のグラ
ンド側となる、あるいは、バイポーラＩＣ部のグランド
部と接続されるためほとんど影響はない。
に発光素子との間で静電カップリングされる。しかし、
このアイソレーション領域ｊは、光学的ＩＣ全体のグラ
ンド側となる、あるいは、バイポーラＩＣ部のグランド
部と接続されるためほとんど影響はない。
的
ドの面積に依存する。しかし、このような光学＼ＩＣに
おいて、バイポーラＩＣ部に入力される信号の大きさは
ホトダイオードの面積に比例するため、ホトダイオード
の面積はあまり小さくできない。
おいて、バイポーラＩＣ部に入力される信号の大きさは
ホトダイオードの面積に比例するため、ホトダイオード
の面積はあまり小さくできない。
〈発明の目的〉
本発明は受光素子のＰ−Ｎ接合部の構造に改良を加え、
発光・受光素子間の静電カップリングの影響を低減した
ものである。
発光・受光素子間の静電カップリングの影響を低減した
ものである。
〈実施例〉
以下第３図に従って本発明の一実施例を示す。
第３図はホトカプラにおいて、ホトダイオードと増幅、
信号処理用のバイポーラＩｃを一体化した光学的ＩＣの
ホトダイオード部の構造を示す断面図である。
信号処理用のバイポーラＩｃを一体化した光学的ＩＣの
ホトダイオード部の構造を示す断面図である。
Ｐ型基板／／及びＰ 型アイソレーション領域／、、２
とＮ型エピタキシャル層／３とで形成されるホトダイオ
ードと、このホトダイオードと並列接続されるように、
前記Ｐ＋型アイソレーション領するＮ型エピタキシャル
領域／３とにより第２のホトダイオードを形成して構成
される。
とＮ型エピタキシャル層／３とで形成されるホトダイオ
ードと、このホトダイオードと並列接続されるように、
前記Ｐ＋型アイソレーション領するＮ型エピタキシャル
領域／３とにより第２のホトダイオードを形成して構成
される。
この構成によれば、Ｎ型エピタキ′シャル層／３の上面
部において、Ｎ 型コンタクト部（Ｎ型エピタキシャル
層／３の電極取出しｓ） ／、ｓ以外はなる。つまり、
これによって発光・受光素子間の静電カップリングの影
響を低減して、受光素子の誤動作が防止される。また、
この構造はＰ−Ｎ接合が２つ有することとなり、ホトダ
イオードの光に関する感度を増加する上でも有用である
。
部において、Ｎ 型コンタクト部（Ｎ型エピタキシャル
層／３の電極取出しｓ） ／、ｓ以外はなる。つまり、
これによって発光・受光素子間の静電カップリングの影
響を低減して、受光素子の誤動作が防止される。また、
この構造はＰ−Ｎ接合が２つ有することとなり、ホトダ
イオードの光に関する感度を増加する上でも有用である
。
なお、Ｎ コノタクト部／ｊ及びホトダイオード部以外
（バイポーラＩＣ部、トランジスタ、ダイオード、抵抗
等の構成部）も、適宜次に説明するように、多層配線技
術により静電シールドすることが可能である。
（バイポーラＩＣ部、トランジスタ、ダイオード、抵抗
等の構成部）も、適宜次に説明するように、多層配線技
術により静電シールドすることが可能である。
第３図では、反射防止用の５ｉ０２膜／に上に、ポリイ
ミド樹脂、５ｉ０２．リンガラス、窒化膜等の絶縁層／
７を設け、アルミニウム等の金属戦線／♂によりシール
ドしている。金属配線／♂の電位は、グランド電位、電
源電位、又はその他の安定な電位に接続する。もちろん
、電位を浮かしておいても、一定の効果があることはい
うまでもない。
ミド樹脂、５ｉ０２．リンガラス、窒化膜等の絶縁層／
７を設け、アルミニウム等の金属戦線／♂によりシール
ドしている。金属配線／♂の電位は、グランド電位、電
源電位、又はその他の安定な電位に接続する。もちろん
、電位を浮かしておいても、一定の効果があることはい
うまでもない。
以上、受光素子としてホトダイオードと増幅。
信号処理用バイポーラＩＣとを一体化したものについて
説明したが、ホトダイオード部の代りにホトトランジス
タ、ホトサイリスタを形成したものでも同様である。又
、一体化されたものに限らずホトダイオード、ホトトラ
ンジスタ、ホトサイリスタ等と、バイポーラＩｃをＪチ
ップで構成するものでもよい。更に、ホトカプラによら
ず、発光・受光素子を個別に作り、これらを組合わせて
これらの間に光の遮弊物がはいれるようにした構造のホ
トインタラプタにも適用可能である。
説明したが、ホトダイオード部の代りにホトトランジス
タ、ホトサイリスタを形成したものでも同様である。又
、一体化されたものに限らずホトダイオード、ホトトラ
ンジスタ、ホトサイリスタ等と、バイポーラＩｃをＪチ
ップで構成するものでもよい。更に、ホトカプラによら
ず、発光・受光素子を個別に作り、これらを組合わせて
これらの間に光の遮弊物がはいれるようにした構造のホ
トインタラプタにも適用可能である。
〈発明の効果〉
以上のように本発明は、光を受けて光電流を生成するＰ
−Ｎ接合部の構造を改良することにより光に対する感度
を増加させるとともに発光・受光素子間の静電カップリ
ングの影響を低減して、パルス印加による誤動作を防止
できるものであり、実用価値の高い有用な光結合半導体
装置が提供で
−Ｎ接合部の構造を改良することにより光に対する感度
を増加させるとともに発光・受光素子間の静電カップリ
ングの影響を低減して、パルス印加による誤動作を防止
できるものであり、実用価値の高い有用な光結合半導体
装置が提供で
第１図はホトカプラのパルス印加状態を説明する電気回
路図、第２図は従来例における受光素子の要部を示す断
面図、第３図は本発明の一実施例における受光素子の要
部を示す断面図である。
路図、第２図は従来例における受光素子の要部を示す断
面図、第３図は本発明の一実施例における受光素子の要
部を示す断面図である。
Claims (1)
- １ 発光素子と受光素子を相対向して配置する光結合半
導体装置において、光を受けて光電流を生成する受光素
子側のＰ −Ｎ接合部を基板及びアイソレーション領域
とエピタキシャル層により形成するとともに該Ｐ −Ｎ
接合部と電気的に並列関係になるように、前記アイソレ
ーションしてなることを特徴とする光結合半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57203138A JPS5992581A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | 光結合半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57203138A JPS5992581A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | 光結合半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5992581A true JPS5992581A (ja) | 1984-05-28 |
| JPS6329426B2 JPS6329426B2 (ja) | 1988-06-14 |
Family
ID=16469038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57203138A Granted JPS5992581A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | 光結合半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5992581A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0254426U (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-19 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS519590A (ja) * | 1974-07-12 | 1976-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | |
| JPS5234352A (en) * | 1975-09-11 | 1977-03-16 | Allen Bradley Co | Resistor |
| JPS5914180A (ja) * | 1982-07-15 | 1984-01-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 記録再生装置 |
-
1982
- 1982-11-18 JP JP57203138A patent/JPS5992581A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS519590A (ja) * | 1974-07-12 | 1976-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | |
| JPS5234352A (en) * | 1975-09-11 | 1977-03-16 | Allen Bradley Co | Resistor |
| JPS5914180A (ja) * | 1982-07-15 | 1984-01-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 記録再生装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6329426B2 (ja) | 1988-06-14 |
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