JPH07336009A - 半導体素子の放熱構造 - Google Patents
半導体素子の放熱構造Info
- Publication number
- JPH07336009A JPH07336009A JP12918994A JP12918994A JPH07336009A JP H07336009 A JPH07336009 A JP H07336009A JP 12918994 A JP12918994 A JP 12918994A JP 12918994 A JP12918994 A JP 12918994A JP H07336009 A JPH07336009 A JP H07336009A
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- JP
- Japan
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- heat dissipation
- semiconductor element
- chassis
- heat
- circuit board
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子の放熱をさらに良くするために放
熱スペーサを設け、同スペーサを介しシャーシに放熱す
る放熱構造を提供することを目的とする。 【構成】 プリント基板３に半導体素子（トランジスタ
等）１を載置し、プリント基板面に形成したグランドパ
ターン４と放熱面２を半田付けする。そしてシャーシ６
に設けた突起７の先端に放熱スペーサ８を載置し、シャ
ーシ上面の所定の位置にプリント基板を載置すると共
に、プリント基板に設けた孔５を突起に挿入する。その
結果、半導体素子の放熱板から発する熱は放熱スペーサ
を介しシャーシの突起に伝わり、更にシャーシ全体に伝
導する。一方、半導体素子の放熱面から発する熱はプリ
ント基板面に形成したグランドパターン、プリント基板
を介しシャーシに伝導する。
熱スペーサを設け、同スペーサを介しシャーシに放熱す
る放熱構造を提供することを目的とする。 【構成】 プリント基板３に半導体素子（トランジスタ
等）１を載置し、プリント基板面に形成したグランドパ
ターン４と放熱面２を半田付けする。そしてシャーシ６
に設けた突起７の先端に放熱スペーサ８を載置し、シャ
ーシ上面の所定の位置にプリント基板を載置すると共
に、プリント基板に設けた孔５を突起に挿入する。その
結果、半導体素子の放熱板から発する熱は放熱スペーサ
を介しシャーシの突起に伝わり、更にシャーシ全体に伝
導する。一方、半導体素子の放熱面から発する熱はプリ
ント基板面に形成したグランドパターン、プリント基板
を介しシャーシに伝導する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の発熱をシ
ャーシに放熱する構造に関する。
ャーシに放熱する構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、発熱量の大きい電子部品、例え
ば、トランジスタ、ダイオード、ＩＣ等の部品をプリン
ト基板に実装する場合、図３に示すように、トランジス
タ３０をプリント基板３１に搭載し、プリント基板３１
をシャーシ３２の上部に載置すると共に、トランジスタ
３０をシャーシ３２（または放熱器）の側部にネジ３３
で締結し、トランジスタ３０から発する熱をトランジス
タ３０に側部の放熱板を介しシャーシ３２に伝導してい
た。
ば、トランジスタ、ダイオード、ＩＣ等の部品をプリン
ト基板に実装する場合、図３に示すように、トランジス
タ３０をプリント基板３１に搭載し、プリント基板３１
をシャーシ３２の上部に載置すると共に、トランジスタ
３０をシャーシ３２（または放熱器）の側部にネジ３３
で締結し、トランジスタ３０から発する熱をトランジス
タ３０に側部の放熱板を介しシャーシ３２に伝導してい
た。
【０００３】また、近来、機器の小型化のためにトラン
ジスタ等の表面実装部品を使用し、図４に示すように、
プリント基板３４の両面にグランドパターン３５を形成
し、トランジスタ３６をプリント基板３４に載置すると
共に、トランジスタ３６の放熱板３７をグランドパター
ン３５に半田付けする。そしてプリント基板３４をシャ
ーシ３８（または放熱器）に固着する。一方、プリント
基板３４の上下のパターン間をスルーホール３９で接続
し、トランジスタ３６から発する熱をグランドパターン
３５、スルーホール３９を介し下面のパターンに伝導
し、シャーシ３８に放熱するようにしている。
ジスタ等の表面実装部品を使用し、図４に示すように、
プリント基板３４の両面にグランドパターン３５を形成
し、トランジスタ３６をプリント基板３４に載置すると
共に、トランジスタ３６の放熱板３７をグランドパター
ン３５に半田付けする。そしてプリント基板３４をシャ
ーシ３８（または放熱器）に固着する。一方、プリント
基板３４の上下のパターン間をスルーホール３９で接続
し、トランジスタ３６から発する熱をグランドパターン
３５、スルーホール３９を介し下面のパターンに伝導
し、シャーシ３８に放熱するようにしている。
【０００４】これらの方法では、発熱するトランジスタ
等の半導体部品の放熱板を直接シャーシ３８に接触させ
ることができないため、放熱効率が悪く、また基板が片
面パターンの場合には放熱効果を高めるスルーホール３
９を形成することができないため、放熱効果がその分低
下する問題があった。また上記実装構造においては、発
熱するトランジスタ等の部品の発熱量が増加するに伴い
放熱が不十分になるという問題や、これを解決するため
に放熱を良くするための補助の放熱体をトランジスタ等
に付加し、それがためトランジスタのリード接合部に荷
重がかかりストレスによる破壊が生ずる等の問題があっ
た。
等の半導体部品の放熱板を直接シャーシ３８に接触させ
ることができないため、放熱効率が悪く、また基板が片
面パターンの場合には放熱効果を高めるスルーホール３
９を形成することができないため、放熱効果がその分低
下する問題があった。また上記実装構造においては、発
熱するトランジスタ等の部品の発熱量が増加するに伴い
放熱が不十分になるという問題や、これを解決するため
に放熱を良くするための補助の放熱体をトランジスタ等
に付加し、それがためトランジスタのリード接合部に荷
重がかかりストレスによる破壊が生ずる等の問題があっ
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
問題点に鑑みなされたもので、半導体素子の放熱をさら
に良くするために放熱スペーサを設け、同スペーサを介
しシャーシに放熱する放熱構造を提供することを目的と
する。
問題点に鑑みなされたもので、半導体素子の放熱をさら
に良くするために放熱スペーサを設け、同スペーサを介
しシャーシに放熱する放熱構造を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明では、角型または円形の任意の孔を設けると共
に、上面にグランドパターンを形成したプリント基板
と、前記孔に挿入する為の突起部を設けたシャーシと、
底面に放熱面を備えた半導体素子とで構成され、前記半
導体素子の放熱面を下にして同半導体素子を前記プリン
ト基板に搭載すると共に、前記放熱面とグランドパター
ンを半田付けし、前記シャーシの上面に前記プリント基
板を載置すると共に、シャーシの突起部にシリコングリ
スを塗布して同プリント基板の孔を突起部に挿入したこ
とを特徴とする半導体素子の放熱構造を提供するもので
ある。
に本発明では、角型または円形の任意の孔を設けると共
に、上面にグランドパターンを形成したプリント基板
と、前記孔に挿入する為の突起部を設けたシャーシと、
底面に放熱面を備えた半導体素子とで構成され、前記半
導体素子の放熱面を下にして同半導体素子を前記プリン
ト基板に搭載すると共に、前記放熱面とグランドパター
ンを半田付けし、前記シャーシの上面に前記プリント基
板を載置すると共に、シャーシの突起部にシリコングリ
スを塗布して同プリント基板の孔を突起部に挿入したこ
とを特徴とする半導体素子の放熱構造を提供するもので
ある。
【０００７】
【作用】上記構成によれば、プリント基板に半導体素子
（トランジスタ等）を載置し、プリント基板面に形成し
たグランドパターンと半導体素子の放熱面を半田付けす
る。そしてシャーシに設けた突起部の先端にシリコング
リースを塗布し、シャーシ上面の所定の位置にプリント
基板を載置すると共に、プリント基板に設けた孔を突起
部に挿入する。その結果、半導体素子の放熱面から発す
る熱はシャーシの突起部に伝わり、更にシャーシ全体に
伝導する。一方、半導体素子の放熱面から発する熱はプ
リント基板面に形成したグランドパターン、プリント基
板を介しシャーシに伝導する。
（トランジスタ等）を載置し、プリント基板面に形成し
たグランドパターンと半導体素子の放熱面を半田付けす
る。そしてシャーシに設けた突起部の先端にシリコング
リースを塗布し、シャーシ上面の所定の位置にプリント
基板を載置すると共に、プリント基板に設けた孔を突起
部に挿入する。その結果、半導体素子の放熱面から発す
る熱はシャーシの突起部に伝わり、更にシャーシ全体に
伝導する。一方、半導体素子の放熱面から発する熱はプ
リント基板面に形成したグランドパターン、プリント基
板を介しシャーシに伝導する。
【０００８】
【実施例】本発明の実施例を添付図面を参照して詳細に
説明する。図１に示すように、１はトランジスタ、ダイ
オード、ＩＣ等の半導体素子で、同素子から発する熱を
放熱するための放熱面２が裏面に装着されている。３は
プリント基板で、回路を構成するパターンおよび放熱を
目的としたグランドパターン４がプリント基板３上に形
成されると共に、角または円形の任意の孔５が設けられ
ている。６はシャーシまたは放熱材で、プリント基板３
に形成された孔５に挿入し、熱伝導を行うための突起７
が形成されている。８は放熱スペーサで、孔５の外形に
合わせた角または円形の熱伝導率の高い板材で、同放熱
スペーサ８の両面にシリコングリースを塗布後、前記孔
５に挿入される。
説明する。図１に示すように、１はトランジスタ、ダイ
オード、ＩＣ等の半導体素子で、同素子から発する熱を
放熱するための放熱面２が裏面に装着されている。３は
プリント基板で、回路を構成するパターンおよび放熱を
目的としたグランドパターン４がプリント基板３上に形
成されると共に、角または円形の任意の孔５が設けられ
ている。６はシャーシまたは放熱材で、プリント基板３
に形成された孔５に挿入し、熱伝導を行うための突起７
が形成されている。８は放熱スペーサで、孔５の外形に
合わせた角または円形の熱伝導率の高い板材で、同放熱
スペーサ８の両面にシリコングリースを塗布後、前記孔
５に挿入される。
【０００９】次に、上記構成部品を以下のように組み立
てる。先ず、プリント基板３のグランドパターン４上に
半導体素子１を載置すると共に、半導体素子１裏面に設
けられた放熱面２とグランドパターン４を半田付けする
ことで、放熱面２からの熱が有効にグランドパターン４
に伝わるようにする。次に、シャーシ６の突起７の上部
に、両面にシリコングリースを塗布した放熱スペーサ８
を載置した後に、シャーシ６の所定の位置にプリント基
板３を搭載し、この時、プリント基板３の孔５に放熱ス
ペーサ８を先に入れ、さらに同孔５にシャーシ６の突起
７を挿入し、図示しないがプリント基板３とシャーシ６
を固着する。
てる。先ず、プリント基板３のグランドパターン４上に
半導体素子１を載置すると共に、半導体素子１裏面に設
けられた放熱面２とグランドパターン４を半田付けする
ことで、放熱面２からの熱が有効にグランドパターン４
に伝わるようにする。次に、シャーシ６の突起７の上部
に、両面にシリコングリースを塗布した放熱スペーサ８
を載置した後に、シャーシ６の所定の位置にプリント基
板３を搭載し、この時、プリント基板３の孔５に放熱ス
ペーサ８を先に入れ、さらに同孔５にシャーシ６の突起
７を挿入し、図示しないがプリント基板３とシャーシ６
を固着する。
【００１０】上記構成において、半導体素子１の放熱面
２から発する熱は放熱スペーサ８を介しシャーシ６の突
起７に伝わり、そこからシャーシ全体に伝導し、放熱さ
れる。一方、半導体素子１の放熱面２から発する熱はプ
リント基板３上面に形成したグランドパターン４、プリ
ント基板３を介しシャーシ６全体に伝導し、放熱され
る。他の実施例では、プリント基板３の両面にグランド
パターン４を形成し、プリント基板３の孔５にスルーホ
ール９を形成する。その結果、上記で説明した半導体素
子１の放熱面２から発する熱はプリント基板３上面に形
成したグランドパターン４を経由してスルーホール９そ
して基板３下面のグランドパターン４に伝わり、それか
らシャーシ６全体に伝導し、放熱される。
２から発する熱は放熱スペーサ８を介しシャーシ６の突
起７に伝わり、そこからシャーシ全体に伝導し、放熱さ
れる。一方、半導体素子１の放熱面２から発する熱はプ
リント基板３上面に形成したグランドパターン４、プリ
ント基板３を介しシャーシ６全体に伝導し、放熱され
る。他の実施例では、プリント基板３の両面にグランド
パターン４を形成し、プリント基板３の孔５にスルーホ
ール９を形成する。その結果、上記で説明した半導体素
子１の放熱面２から発する熱はプリント基板３上面に形
成したグランドパターン４を経由してスルーホール９そ
して基板３下面のグランドパターン４に伝わり、それか
らシャーシ６全体に伝導し、放熱される。
【００１１】
【発明の効果】以上のように本発明においては、半導体
素子からの熱を放熱面、放熱スペーサ等を介し直接シャ
ーシに放熱させることができるので、従来の放熱方法よ
り放熱効率が良くなる。
素子からの熱を放熱面、放熱スペーサ等を介し直接シャ
ーシに放熱させることができるので、従来の放熱方法よ
り放熱効率が良くなる。
【図１】本発明の半導体素子の放熱構造の一実施例を示
す外観図で、Ａは正面図、Ｂは側部断面図である。
す外観図で、Ａは正面図、Ｂは側部断面図である。
【図２】本発明の半導体素子の放熱構造の他の実施例を
示す側部断面図である。
示す側部断面図である。
【図３】従来の半導体素子の放熱構造の一実施例を示す
外観図で、Ａは正面一部断面図、Ｂは側部断面図であ
る。
外観図で、Ａは正面一部断面図、Ｂは側部断面図であ
る。
【図４】従来の半導体素子の放熱構造の他の実施例を示
す外観図で、Ａは正面図、Ｂは側部断面図である。
す外観図で、Ａは正面図、Ｂは側部断面図である。
１ 半導体素子 ２ 放熱面 ３ プリント基板 ４ グランドパターン ５ 孔 ６ シャーシ ７ 突起 ８ 放熱スペーサ ９ スルーホール
Claims (3)
- 【請求項１】 角型または円形の任意の孔を設けると共
に、上面にグランドパターンを形成したプリント基板
と、前記孔に挿入する為の突起部を設けたシャーシと、
底面に放熱面を備えた半導体素子とで構成され、前記半
導体素子の放熱面を下にして同半導体素子を前記プリン
ト基板に搭載すると共に、前記放熱面とグランドパター
ンを半田付けし、前記シャーシの上面に前記プリント基
板を載置すると共に、シャーシの突起部にシリコングリ
スを塗布して同プリント基板の孔を突起部に挿入したこ
とを特徴とする半導体素子の放熱構造。 - 【請求項２】 上記突起部の先端に放熱スペーサを載置
すると共に、同放熱スペーサの両面にシリコングリスを
塗布し、上記シャーシの上面に上記プリント基板を載置
したことを特徴とする半導体素子の放熱構造。 - 【請求項３】 上記プリント基板の両面にグランドパタ
ーンを形成し、上記孔にスルーホールを形成し、前記上
下のグランドパターンを接続したことを特徴とする請求
項１記載の半導体素子の放熱構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12918994A JPH07336009A (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | 半導体素子の放熱構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12918994A JPH07336009A (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | 半導体素子の放熱構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07336009A true JPH07336009A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=15003351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12918994A Pending JPH07336009A (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | 半導体素子の放熱構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07336009A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009064866A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Keihin Corp | 放熱構造を有する電子装置 |
| WO2016013362A1 (ja) * | 2014-07-22 | 2016-01-28 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 回路構成体 |
| WO2016013363A1 (ja) * | 2014-07-22 | 2016-01-28 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 回路構成体 |
| JP2016122679A (ja) * | 2014-12-24 | 2016-07-07 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 回路構成体およびその製造方法 |
| JP2017093890A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 株式会社藤商事 | 遊技機 |
| US10840384B2 (en) | 2016-11-09 | 2020-11-17 | Tdk Corporation | Schottky barrier diode and electronic circuit provided with same |
-
1994
- 1994-06-10 JP JP12918994A patent/JPH07336009A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009064866A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Keihin Corp | 放熱構造を有する電子装置 |
| WO2016013362A1 (ja) * | 2014-07-22 | 2016-01-28 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 回路構成体 |
| WO2016013363A1 (ja) * | 2014-07-22 | 2016-01-28 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 回路構成体 |
| JP2016025228A (ja) * | 2014-07-22 | 2016-02-08 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 回路構成体 |
| JP2016025229A (ja) * | 2014-07-22 | 2016-02-08 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 回路構成体 |
| CN106471870A (zh) * | 2014-07-22 | 2017-03-01 | 株式会社自动网络技术研究所 | 电路结构体 |
| CN106471871A (zh) * | 2014-07-22 | 2017-03-01 | 株式会社自动网络技术研究所 | 电路结构体 |
| US9974182B2 (en) | 2014-07-22 | 2018-05-15 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Circuit assembly |
| US10149386B2 (en) | 2014-07-22 | 2018-12-04 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Circuit assembly |
| JP2016122679A (ja) * | 2014-12-24 | 2016-07-07 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 回路構成体およびその製造方法 |
| JP2017093890A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 株式会社藤商事 | 遊技機 |
| US10840384B2 (en) | 2016-11-09 | 2020-11-17 | Tdk Corporation | Schottky barrier diode and electronic circuit provided with same |
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