JPH07336113A

JPH07336113A - 高周波電極及び高周波伝送線路

Info

Publication number: JPH07336113A
Application number: JP6122281A
Authority: JP
Inventors: Yohei Ishikawa; 容平石川; Seiji Hidaka; 青路日高; Tomoyuki Ise; 智之伊勢
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1994-06-03
Filing date: 1994-06-03
Publication date: 1995-12-22

Abstract

(57)【要約】【目的】従来例に比較して簡単な構造で、導体損失を
低減させることができ、しかも発明実施品を小型・軽量
化することができる高周波電極、並びに高周波伝送線
路、高周波共振器、高周波フィルタ、高周波デバイスを
提供する。【構成】Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕなどの電気的導電性を有す
る膜状の導体、又は超電導体からなる導体の膜厚を、使
用周波数の表皮深さの１．１４倍から２．７５倍の範囲
に、好ましくは１．３２倍から１．９２倍の範囲に、最
も好ましくはπ／２倍になるように形成し、これによっ
て、実効的に表皮深さを増大させ、導体損失及び表面抵
抗を従来に比較して大幅に低減した高周波電極と、この
電極を用いて構成した伝送線路、共振器、フィルタ、高
周波デバイスを提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波、準ミリ波
又はミリ波の高周波帯において用いられる高周波電極、
上記高周波電極を用いた高周波伝送線路、上記高周波伝
送線路を用いた高周波共振器、上記高周波共振器を備え
た高周波フィルタ、並びに上記高周波電極を備えた高周
波デバイスに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子部品の小型化が進む中、マイ
クロ波、準ミリ波又はミリ波などの高周波帯においても
高誘電体材料を用いることによって、デバイスの小型化
がなされてきた。デバイスの小型化を行う場合、誘電率
を大きくする一方、相似形として形状を縮小させると、
原理的には体積の立方根に反比例してエネルギー損失が
増大するという問題点があった。

【０００３】高周波デバイスのエネルギー損失は、表皮
効果による導体損失と、誘電体材料による誘電体損失と
に大きく分類することができる。近年の誘電体材料は、
高誘電率なものでも低損失な特性を有する材料が開発実
用化されており、従って、誘電体損失よりも導体損失の
方が回路の無負荷Ｑにおいて支配的である。また、高周
波帯においては、表皮効果によって、導体表面において
高周波電流が集中するために、導体表面に近づくほど表
面抵抗（表皮抵抗ともいう。）が大きくなり、導体損失
（ジュール損失）が大きくなる。ここで、表皮効果と
は、導体の内部では導体の表面から離れるに従って、高
周波電流が指数関数的に減衰するという高周波信号の伝
送に特有の現象である。この電流が流れる導体の薄い領
域を表皮深さと呼び、例えば銅であれば１ＧＨｚのとき
約２．２μｍとなる。しかしながら、従来は、高周波応
用部品の電極に用いられる導体の膜厚は、電極を透過し
て失われる放射損失を回避するために、表皮深さよりも
十分に厚い膜厚で構成されていた。また、金属メッキや
金属の焼き付けの技術により電極を作成する場合の基板
や電極膜の表面粗さなどの問題もあり、電極の厚さを表
皮深さに比べて十分厚くすることが損失を小さくするこ
とに結び付いていた。しかし、最近では鏡面に近い基板
の上に膜厚精度のよい電極を成膜する技術ができはじめ
ており、電極を最適膜厚で構成することが可能になって
きている。

【０００４】この状況を鑑みて、導体損失が効果的に低
減されて高い無負荷Ｑを得ることができる改良された対
称型ストリップライン共振器（以下、従来例の共振器と
いう。）が、特開平４−４３７０３号公報において提案
されている。この従来例の共振器は、誘電体を挟んで所
定距離を隔てて対向位置せしめられた一対の接地導体間
に、ストリップ導体を配した対称型ストリップラインに
よって、共振回路を構成せしめて成る対称型ストリップ
ライン共振器において、上記ストリップ導体を、上記一
対の接地導体間において、該接地導体と平行に複数枚、
上記誘電体を介して互いに所定の間隔を隔てて積層状に
配置せしめたことを特徴としている。

【０００５】そして、当該従来例の共振器を開示した公
報には次のことが開示されている。（ａ）上記各ストリップ導体の厚さは、導体損失を有効
的に抑えるためには、表皮深さの３倍か又はそれよりも
大きな厚さをもって形成することが望ましい。すなわ
ち、ストリップ導体において、マイクロ波帯の高周波電
流が流れる表皮部分を増大せしめて、ストリップ導体に
おける実効断面積を増大させる。（ｂ）一対のストリップ導体の一端側においてスルーホ
ールを介して互いに導通される一方、他端側においても
スルーホールを介して互いに導通される。（ｃ）当該共振器における電界分布は、当該公報の第３
図に示すように、電界は、各ストリップ導体からそれぞ
れ接地導体に向かうように形成される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
（ａ）の構造を有しているために、小型・軽量化するこ
とが困難であって、さらに、上記（ｂ）の構造を有して
いるために、構造が複雑であって安価に製造することが
できず、しかも導体損失の低減率は比較的小さく、無負
荷Ｑも比較的小さいという問題点があった。本発明の目
的は以上の問題点を解決し、従来例に比較して簡単な構
造で、かつ導体損失を大幅に低減させることができ、し
かも発明実施品を小型・軽量化することができる高周波
電極、並びに高周波伝送線路、高周波共振器、高周波フ
ィルタ、高周波デバイスを提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明に係る請求項１記
載の高周波電極は、膜状の導体を備え、上記導体の膜厚
が使用周波数の表皮深さの１．１４倍から２．７５倍の
範囲であることを特徴とする。請求項２記載の高周波電
極は、請求項１記載の高周波電極において上記導体の膜
厚が使用周波数の表皮深さの１．３２倍から１．９２倍
の範囲であることを特徴とする。請求項３記載の高周波
電極は、請求項２記載の高周波電極において上記導体の
膜厚が使用周波数の表皮深さのπ／２倍であることを特
徴とする。請求項４記載の高周波電極は、請求項１、２
又は３記載の高周波電極において上記導体は超電導材料
にてなることを特徴とする。請求項５記載の高周波伝送
線路は、少なくとも１つの導体を備えた高周波伝送線路
であって、上記導体は請求項１、２、３又は４記載の高
周波電極であることを特徴とする。請求項６記載の高周
波伝送線路は、請求項５記載の高周波伝送線路において
上記高周波伝送線路は導波管であることを特徴とする。
請求項７記載の高周波伝送線路は、請求項５記載の高周
波伝送線路において上記高周波伝送線路はマイクロスト
リップ線路であることを特徴とする。請求項８記載の高
周波伝送線路は、請求項５記載の高周波伝送線路におい
て上記高周波伝送線路はストリップ線路であることを特
徴とする。請求項９記載の高周波伝送線路は、請求項５
記載の高周波伝送線路において上記高周波伝送線路は同
軸線路であることを特徴とする。請求項１０記載の高周
波共振器は、所定の寸法を有する、請求項５乃至９のう
ちの１つに記載の高周波伝送線路を備えたことを特徴と
する。請求項１１記載の高周波共振器は、請求項１０記
載の高周波共振器において上記高周波伝送線路は、上記
高周波伝送線路を伝送する信号の管内波長の１／４に等
しい伝送方向の長さを有することを特徴とする。請求項
１２記載の高周波共振器は、請求項１０記載の高周波共
振器において上記高周波伝送線路は、上記高周波伝送線
路を伝送する信号の管内波長の１／２に等しい伝送方向
の長さを有することを特徴とする。請求項１３記載の高
周波フィルタは、所定の長さを有する請求項１０乃至１
２のうちの１つに記載の高周波共振器と、上記高周波共
振器に高周波信号を入力する入力端子と、上記高周波共
振器から高周波信号を出力する出力端子とを備えたこと
を特徴とする。請求項１４記載の高周波帯域除去フィル
タは、一端で高周波信号を入力しかつ他端で上記高周波
信号を出力する伝送線路と、上記伝送線路と結合する請
求項１０乃至１２のうちの１つに記載の高周波共振器と
を備えたことを特徴とする。請求項１５記載の誘電体共
振器は、導体を含む共振器ケースと、上記共振器ケース
内に載置された所定の形状の誘電体とを備えた誘電体共
振器であって、上記導体を請求項１、２、３又は４記載
の高周波電極によって構成したことを特徴とする。請求
項１６記載の高周波フィルタは、請求項１５記載の誘電
体共振器と、上記誘電体共振器に電磁的に結合され、上
記誘電体共振器に高周波信号を入力する入力端子と、上
記誘電体共振器に電磁的に結合され、上記誘電体共振器
から高周波信号を出力する出力端子とを備えたことを特
徴とする。請求項１７記載の高周波デバイスは、電極を
備えて所定の高周波動作を行う高周波デバイスであっ
て、上記電極は、請求項１、２、３又は４記載の高周波
電極を有することを特徴とする。

【０００８】

【作用】本発明に係る高周波電極に高周波信号の電磁波
を入射すると、上記電磁波の一部は上記高周波電極内部
に進み、他は上記高周波電極の表面で反射される。上記
高周波電極の内部へ進んだ電磁波は上記高周波電極の裏
面を一部は透過して他は裏面で反射される。従って、入
射電磁波のうち上記高周波電極で反射される電磁波は上
記高周波電極の表面で反射される電磁波と上記高周波電
極の裏面で反射される電磁波を合わせたものになる。こ
こで本発明に係る高周波電極の膜厚が使用周波数の表皮
深さの１．１４倍から２．７５倍の範囲になるように形
成されているので、上記高周波電極の表面と裏面で反射
される電磁波は強め合って、上記高周波電極の反射係数
は、電極の膜厚が十分大きいときに比べると、大きくな
る。このとき、上記高周波電極の内部の電流密度分布は
上記高周波電極の裏面で反射される電磁波が励起する電
流によって、表皮効果だけを考慮したときのような急激
な減衰はなく緩やかな勾配となる。これによって表皮効
果が緩和されて、表面抵抗が低減される。

【０００９】また、高周波伝送線路においては、上記導
体を上記高周波電極を用いて構成することによって、上
記電極と同様により小さい表面抵抗Ｒ_sを有するので、
当該高周波伝送線路は、従来例に比較して小さい伝送損
失を有する。またさらに、上記高周波共振器において
は、所定の寸法を有する上記高周波伝送線路を備えてい
るので、その伝送損失は従来例に比較して小さく、それ
故、上記高周波共振器は、従来例に比較して大きな無負
荷Ｑを有する。上記誘電体共振器においては、共振器ケ
ースの導体を上記高周波電極によって形成したので、上
記誘電体共振器は、従来例に比較して大きな無負荷Ｑを
有する。また、上記高周波フィルタにおいては、所定の
長さを有し、無負荷Ｑの大きい上記高周波共振器を備え
ているので、上記高周波フィルタは、低損失で優れた選
択度を有する。さらに、上記高周波帯域除去フィルタに
おいては、所定の長さを有し、無負荷Ｑの大きい上記高
周波共振器がトラップ回路として動作するので、上記高
周波帯域除去フィルタは、優れた帯域除去特性を有す
る。またさらに、上記高周波デバイスにおいては、上記
電極は、上記高周波電極を有することにより、上記高周
波デバイスは、従来例に比較して小さい導体損失を有す
る。

【００１０】

【実施例】以下、図面を参照して本発明による実施例に
ついて説明する。なお、添付図面において同一のものに
ついては同一の参照符号を付す。＜第１の実施例＞図１は、本発明に係る第１の実施例で
ある帯域通過フィルタの斜視図である。図１に示すよう
に、表皮深さδ₀のπ／２倍の厚さに形成されたストリ
ップ導体２１と接地導体１１を備えた誘電体基板１０と
によって、１／２波長マイクロストリップ線路型共振器
が構成されている。第１の実施例の帯域通過フィルタ
は、上記１／２波長マイクロストリップ線路型共振器を
備えたことを特徴としている。ここで、表皮深さδ
₀は、１／２波長マイクロストリップ線路型共振器の共
振周波数ｆ₀における角周波数ω₀と真空中の透磁率μ₀
とストリップ導体２１の導電率σを用いて、数１で表さ
れる。

【００１１】

【数１】δ₀＝√(２／ω₀μ₀σ)

【００１２】図１に示すように、裏面全面に接地導体１
１が形成された誘電体基板１０上に、長手方向の長さが
λｇ／２である帯形状のストリップ導体２１が形成され
る。ここで、λｇは管内波長である。これによって、ス
トリップ導体２１と、接地導体１１と、両導体２１，１
１間に挟設された誘電体基板１０とによってＴＥＭモー
ドの１／２波長マイクロストリップ線路型共振器が構成
される。以上のように構成された１／２波長マイクロス
トリップ線路型共振器の共振周波数ｆ₀は、公知のよう
にストリップ導体２２の長手方向の長さと誘電体基板１
０の誘電率と厚さとによって決まる。

【００１３】さらに、誘電体基板１０上に、入力端子用
導体１２が、ストリップ導体２１の長手方向の一端と所
定のギャップｇ１だけ離れかつ電磁的に互いに結合する
ように近接して形成される一方、出力端子用導体１３
が、ストリップ導体２１の長手方向の他端と所定のギャ
ップｇ２だけ離れかつ電磁的に互いに結合するように近
接して形成される。なお、第１の実施例においては、入
力端子用導体１２とストリップ導体２１の一端との結合
と、出力端子用導体１３とストリップ導体２１の他端と
の結合とは、容量結合である。ここで、誘電体基板１０
は、例えばアルミナの単結晶であるサファイアにてな
り、接地導体１１及びストリップ導体２１は、例えばＣ
ｕ、Ａｇ又はＡｕなどの電気的導電性を有する導体にて
なる。

【００１４】以上の様に構成された第１の実施例の帯域
通過フィルタの入力端子用導体１２に上記共振周波数ｆ
₀を有する高周波信号を入力すると、入力端子用電極１
２とストリップ導体２１が電磁的に結合して、上記１／
２波長マイクロストリップ線路型共振器は励振されて共
振状態となる。さらに、ストリップ導体２１と出力端子
用電極１３が電磁的に結合して、上記高周波信号は出力
端子用電極１３から出力される。また共振周波数ｆ₀と
異なる周波数を有する信号が入力端子用導体１２に入力
されると、上記１／２波長マイクロストリップ線路型共
振器の長手方向の両端で反射される上記信号に対応する
電磁波は互いに打ち消し合い、上記１／２波長マイクロ
ストリップ線路型共振器は共振状態にはならない。従っ
て、上記信号は出力端子用電極１３からは出力されな
い。以上のように、第１の実施例の帯域通過フィルタ
は、帯域通過特性を有する。

【００１５】次に１／２波長マイクロストリップ線路型
共振器が最も高いＱを有するストリップ導体２１の最適
膜厚を求める。図２（ａ）は、空気層を含むストリップ
導体２１の厚さ方向の分布定数型等価回路であって、図
２（ａ）に示すように、損失抵抗を含む分布定数回路に
てなる。当該分布定数型等価回路は、ストリップ導体２
１の第１の面において仮想的に設けられる２つの端子Ｔ
１，Ｔ２と、ストリップ導体２１の第２の面において仮
想的に設けられる２つの端子Ｔ３，Ｔ４との間に設けら
れる。ここで、当該分布定数型等価回路の各単位回路
は、厚さ方向と平行な方向に設けられる単位インダクタ
ンスμ₀ｄｘと、それぞれ厚さ方向と垂直な方向に設け
られた単位キャパシタンスε₀ｄｘと単位コンダクタン
スσｄｘとの並列回路とを備え、当該並列回路と上記単
位インダクタンスμ₀ｄｘとが逆Ｌ型に接続されて構成
される。そして、上記分布定数型等価回路は、複数個の
上記単位回路が厚さ方向に縦続に接続されて構成され、
当該等価回路の空気層側の２つの端子Ｔ３，Ｔ４には空
気層のインピーダンスＺ_Lが接続される。ここで、σは
ストリップ導体２１の導電率、ε₀は真空中の誘電率、
μ₀は真空中の透磁率、ｄｘはストリップ導体２１の厚
さ方向の微小長さ、Δξはストリップ導体２１の膜厚、
Ｚ_Lは空気層のインピーダンスである。

【００１６】また、図２（ａ）の等価回路は、図２
（ｂ）の集中定数形等価回路に変換することができる。
当該集中定数型等価回路は、厚さ方向と平行な方向に設
けられた２つの複素インピーダンスＺと、厚さ方向と垂
直な方向に設けられた複素アドミタンスＹとがＴ型に接
続されて構成される。ここで、複素インピーダンスＺ、
複素アドミタンスＹ、空気層のインピーダンスＺ_Lは、
それぞれ数２、数３、数４で表される。また、ストリッ
プ導体２１の膜厚Δξを表皮深さδ₀で割った値をスト
リップ導体２１の規格化導体膜厚ξと定義して、数５の
様に表した。

【００１７】

【数２】Ｚ＝[(１＋ｊ)／σδ₀]・tanh[(１＋ｊ)ξ／２]

【数３】Ｙ＝[σδ₀／(１＋ｊ)]・sinh[(１＋ｊ)ξ]

【数４】Ｚ_L＝√(μ₀／ε₀)

【数５】ξ≡Δξ／δ₀

【００１８】さらに、図２（ｂ）の等価回路を左端から
見たときの表面インピーダンスＺ_Sは、数６で表され
る。ここで、数７に示すように、空気層のインピーダン
スＺ_Lは、複素インピーダンスＺ、及び複素アドミタン
スＹに比べると十分大きいので、図２（ｂ）の等価回路
の右端が解放端であるとする近似を用いることができ、
上記表面インピーダンスＺ_Sは、数８で表される。

【００１９】

【数６】Ｚ_S＝Ｚ＋[Ｙ＋(Ｚ＋Ｚ_L)^-1]^-1

【数７】Ｚ_Lσδ₀＝σδ₀√(μ₀／ε₀)≒∞

【数８】Ｚ_S＝Ｚ＋１／Ｙ

【００２０】さらに、数８で表される表面インピーダン
スＺ_Sに、数２で表される複素インピーダンスＺと複素
アドミタンスＹを代入して整理すると、表面インピーダ
ンスは、数９のように表される。

【００２１】

【数９】Ｚ_S＝[(１＋ｊ)／σδ₀]／[tanh(１＋ｊ)ξ]

【００２２】また、表面インピーダンスＺ_Sは、表面抵
抗Ｒ_Sと表面リアクタンスＸ_Sを用いて、数１０のように
表わすことができる。

【００２３】

【数１０】Ｚ_S＝Ｒ_S＋ｊＸ_S

【００２４】ここで、１／２マイクロストリップ線路型
共振器が最も高いＱを有するのは、上記表面抵抗Ｒ_Sが
最も小さくなるときである。次に表面抵抗Ｒ_Sを求める
ために、数９で表される表面インピーダンスＺ_Sを、実
部と虚部に分けて整理すると、表面抵抗Ｒ_Sと表面リア
クタンスＸ_Sは、それぞれ数１１と数１２の様に表わす
ことができる。

【００２５】

【数１１】Ｒ_S＝(sinh２ξ＋sin２ξ)／[σδ₀(cosh２
ξ−cos２ξ）］

【数１２】Ｘ_Ｓ＝(sinh２ξ−sin２ξ)／[σδ₀(cosh２
ξ−cos２ξ)]

【００２６】図３は、数１１を使用して求めた、表面抵
抗Ｒ_Sにσδ₀を乗じた規格化表面抵抗σδ₀Ｒ_Sと規格化
導体膜厚ξの関係を示したグラフである。図３から明ら
かなように、規格化導体膜厚ξが１と２の間の特定の値
で、規格化表面抵抗σδ₀Ｒ_Sは極値である最小値をと
る。表面抵抗Ｒ_Sが最小になる規格化膜厚ξでは、数１
３に示す表面抵抗Ｒ_Sの規格化導体膜厚ξについての微
分係数∂Ｒ_S／∂ξは０になる。従って、表面抵抗Ｒ_Sが
最小になる規格化膜厚ξを求めるためには、数１３を満
たす規格化導体膜厚ξを求めれば良い。

【００２７】

【数１３】∂Ｒ_S／∂ξ＝−(２sinh２ξ・sin２ξ)／(c
osh２ξ−cos２ξ)²＝０

【００２８】数１３で表される微分係数∂Ｒ_S／∂ξが
０になるときの規格化膜厚ξは、ｎを正の整数として、
数１４で表される。特にｎ＝１のときの規格化膜厚ξ
は、数１５で表され、このとき表面抵抗Ｒ_Sは数１６で
表される最小値Ｒ_Sminになる。

【００２９】

【数１４】ξ＝ｎπ／２，ｎ＝１，２，３，．．．．．

【数１５】ξ＝π／２

【数１６】Ｒ_Smin＝(１／σδ₀)tanh(π／２)≒０．９
１７(１／σδ₀)

【００３０】ここで、数５で定義したようにストリップ
導体２１の規格化膜厚ξは、表皮深さδ₀で規格化され
た値であるので、物理的な長さの次元をもつストリップ
導体２１の膜厚Δξは、数１７で与えられる。

【００３１】

【数１７】 Δξ＝(π／２)δ₀＝(π／２)√[２／(ω₀μ₀σ)]

【００３２】以上の結果と上記図３から明らかなよう
に、規格化導体膜厚ξが増加するに従い、規格化表面抵
抗σδ₀Ｒ_Sは減少して、規格化導体膜厚ξが１．１４の
ときに、規格化表面抵抗σδ₀Ｒ_S１．０になる。さら
に、規格化導体膜厚ξが増加すると、規格化表面抵抗σ
δ₀Ｒ_Sはさらに減少して、規格化導体膜厚ξがπ／２の
とき、規格化表面抵抗σδ₀Ｒ_Sは最小値０．９１７をと
る。この最小値を過ぎると、規格化導体膜厚ξの増加に
伴い、規格化表面抵抗σδ₀Ｒ_Sは増加して、規格化導体
膜厚ξが２．７５のとき、規格化表面抵抗σδ₀Ｒ_Sは再
び１．０になる。規格化膜厚ξが２．７５より大きくな
るに従って、図３において図示はしていないが、規格化
表面抵抗σδ₀Ｒ_Sは１．０近傍で振動しながら１．０に
収束する。

【００３３】以上のように、規格化導体膜厚ξがπ／２
のとき、すなわち、ストリップ導体２１の膜厚Δξが表
皮深さδ₀のπ／２倍のとき、表面抵抗Ｒ_Sは、ストリッ
プ導体２１の膜厚Δξが表皮深さδ₀に比べて十分厚い
ときの表面抵抗Ｒ_Sである１／σδ₀より小さい０．９１
７／σδ₀の最小値になる。これはストリップ導体２１
の膜厚ξが十分厚い時に比べて、表面抵抗Ｒ_Sが８．３
％低減されたことになる。ここで、当該共振器のＱ値が
表面抵抗Ｒ_Sの逆数に比例することを利用して、ストリ
ップ導体２１の膜厚Δξが十分厚いときのＱ値を基準に
したときのＱ上昇率に換算すると、Ｑ上昇率は９．０３
％になる。又これはＱ上昇率の最大値である。従って、
第１の実施例において、ストリップ導体２１は、最も好
ましくは、その膜厚Δξが使用周波数における表皮深さ
δ₀のπ／２倍になるように構成される。これによっ
て、ストリップ導体２１の表面抵抗Ｒ_Sが最小になり、
当該共振器のＱ値は、ストリップ導体２１の膜厚Δξが
表皮深さδ₀に比べて十分厚いときのＱ値に比べると
９．０３％上昇して、最大値をとる。

【００３４】また、Ｑ上昇率がその最大値９．０３％の
９０％以上である規格化導体膜厚ξの範囲は、１．４２
１≦規格化導体膜厚ξ≦１．７５１である。従って、第
１の実施例において、ストリップ導体２１は、より好ま
しくは、その膜厚Δξが使用周波数における表皮深さδ
₀の１．４２１倍から１．７５１倍の範囲になるように
構成してもよい。これによって、ストリップ導体２１の
表面抵抗Ｒ_Sは低減され、Ｑ上昇率は、その最大値９．
０３％の９０％以上を確保できる。

【００３５】さらに、Ｑ上昇率がその最大値９．０３％
の８０％以上である規格化導体膜厚ξの範囲は、１．３
６４≦規格化導体膜厚ξ≦１．８４１である。従って、
第１の実施例において、ストリップ導体２１は、より好
ましくは、その膜厚Δξが使用周波数における表皮深さ
δ₀の１．３６４倍から１．８４１倍の範囲になるよう
に構成してもよい。これによって、ストリップ導体２１
の表面抵抗Ｒ_Sは低減され、Ｑ上昇率は、その最大値
９．０３％の８０％以上を確保できる。

【００３６】またさらに、Ｑ上昇率がその最大値９．０
３％の７０％以上である規格化導体膜厚ξの範囲は、
１．３２≦規格化導体膜厚ξ≦１．９２である。従っ
て、第１の実施例において、ストリップ導体２１は、よ
り好ましくは、その膜厚Δξが使用周波数における表皮
深さδ₀の１．３２倍から１．９２倍の範囲になるよう
に構成してもよい。これによって、ストリップ導体２１
の表面抵抗Ｒ_Sは低減され、Ｑ上昇率は、その最大値
９．０３％の７０％以上を確保できる。

【００３７】さらに、Ｑ上昇率が０よりも大きくなる場
合、すなわち当該共振器のＱ値が、ストリップ導体２１
の膜厚Δξが表皮深さδ₀に比べて十分厚いときの当該
共振器のＱ値に比べて大きくなる場合の規格化導体膜厚
ξの範囲は、１．１４≦規格化導体膜厚ξ≦２．７５で
ある。従って第１の実施例において、ストリップ導体２
１は、好ましくは、膜厚Δξが使用周波数における表皮
深さδ₀の１．１４倍から２．７５倍の範囲になるよう
に構成してもよい。これによって、ストリップ導体２１
の表面抵抗Ｒ_Sは低減されて、Ｑ上昇率は０より大きく
なり、当該共振器のＱ値は、ストリップ導体２１の膜厚
Δξが表皮深さδ₀に比べて十分厚いときの当該共振器
のＱ値に比べて大きくなる。

【００３８】次に、上述のように構成したストリップ導
体２１の表面抵抗Ｒ_Sが低減される理由を、図４を用い
て定性的に説明する。図４は、表皮効果の緩和と表面抵
抗Ｒ_Sの低減を示す、誘電体基板１０の一部と空気層の
一部とを含むストリップ導体２１の断面図である。図４
ではハッチングは省略している。誘電体基板１０を介し
てストリップ導体２１に入射される入射電磁波１０２の
一部は誘電体基板１０とストリップ導体２１の境界を透
過して透過電磁波１０６となり、他は誘電体基板１０と
ストリップ導体２１の境界で反射されて反射電磁波１０
４になる。透過電磁波１０６の一部はストリップ導体２
１と空気層の境界を透過して透過電磁波１０３となり、
他はストリップ導体２１と空気層の境界で反射されて、
反射電磁波１０５になる。従って、入射電磁波のうちス
トリップ導体２１から誘電体基板１０内に反射される電
磁波は、反射電磁波１０４と反射電磁波１０５の合わせ
たものになる。このときストリップ導体２１が表皮深さ
δ₀より薄いと遮蔽効果が小さくなってストリップ導体
２１を透過する透過電磁波１０３の振幅が大きくなり、
放射損失が大きくなる。また、ストリップ導体２１が表
皮深さδ₀に比較して十分大きくなると遮蔽効果は大き
くなるが、透過電磁波１０６のエネルギーの大半がスト
リップ導体２１内部で失われて導体損失が大きくなる。
ストリップ導体２１が適当な厚みを有するときには、反
射電磁波１０４と反射電磁波１０５が誘電体基板１０の
内部で強め合い、その結果反射係数が大きくなる。この
ときのストリップ導体２１内部の誘電体基板１０から空
気層に向かう方向の電流密度分布は、反射電磁波１０５
が励起する電流によって、ストリップ導体２１が十分厚
いときにおける電流分布とは異なり、指数関数的に減衰
することはない。これによって、表皮効果の緩和され
て、表面抵抗Ｒ_Sが低減される。

【００３９】以上の結果より、第１の実施例の帯域通過
フィルタは、膜厚が表皮深さδ₀のπ／２倍であるスト
リップ導体２１を用いて構成された１／２波長マイクロ
ストリップ線路型共振器が高いＱを有するので、小型・
軽量かつ低損失で、優れた選択度を有する。

【００４０】以上の第１の実施例の帯域通過フィルタで
は、ストリップ導体２１のみの膜厚を表皮深さδ₀のπ
／２倍になるように形成したが接地導体１１のみを表皮
深さδ₀のπ／２倍になるように形成してもよい。ある
いはストリップ導体２１と接地導体１１とも、表皮深さ
δ₀のπ／２倍になるように形成してもよい。さらに
は、第１の実施例のストリップ導体２１の上に保護用誘
電体を形成してもよいし、当該帯域通過フィルタ全体を
保護用誘電体で囲むように形成してもよい。

【００４１】以上の第１の実施例においては、ストリッ
プ導体２１を用いた１／２波長マイクロストリップ線路
型共振器を用いたフィルタについて説明しているが、本
発明はこれに限らず、１／４波長マイクロストリップ線
路型共振器を用いたフィルタを構成してもよい。

【００４２】＜第２の実施例＞図５は、本発明に係る第
２の実施例の１／４波長マイクロストリップ線路型帯域
除去フィルタの斜視図である。第２の実施例では、図５
に示すように、裏面全面に接地導体１１が形成された誘
電体基板１０上にストリップ導体４１を形成することに
よってマイクロストリップ線路が形成される。そして、
１／４λｇの長さを有しかつδ₀π／２の膜厚Δξを有
するストリップ導体２１が、マイクロストリップ線路の
ストリップ導体４１に対して、ストリップ導体２１が電
磁的に結合するようにギャップｇ３だけ離れて近接し、
かつ、ストリップ導体２１の長手方向がストリップ導体
４１の長手方向と平行となるように、形成される。これ
によって、ストリップ導体２１と接地導体１１とによっ
て１／４波長マイクロストリップ線路型共振器が構成さ
れる。

【００４３】以上のように構成された回路において、上
記１／４波長マイクロストリップ線路型共振器は、上記
マイクロストリップ線路と電磁的に結合してトラップ回
路として動作する。

【００４４】以上のように構成された１／４波長マイク
ロストリップ線路型帯域除去フィルタ回路は、δ₀π／
２の膜厚Δξを有するストリップ導体２１を備えた１／
４波長マイクロストリップ線路型共振器が、高い無負荷
Ｑを有するので、優れた帯域阻止特性を有する。

【００４５】以上の第２の実施例において、マイクロス
トリップ線路を用いているが、本発明はこれに限らず、
コプレーナ線路、スロット線路又はトリプレート型スト
リップ線路などの伝送線路で構成してもよい。

【００４６】＜変形例＞本発明に係る高周波電極は、例
えば、特開平３−２９２００６号公報に開示されるよう
な、コア誘電体とキャビティとが一体成形されたＴＭモ
ードシングルモード型誘電体共振器においておけるキャ
ビティの外表面に設けた電極膜部分に適用することでき
る。また、ＴＭモード誘電体共振器としては、上記ＴＭ
モードシングルモード型に限らず、例えば特開昭６３−
３１３９０１号公報に開示されるような二重モード型誘
電体共振器（例えば、図２３参照。）に適用することが
できるとともに、さらには、特開昭６１−１５７１０１
号公報に開示されるような三重モード型誘電体共振器に
適用することができる。すなわち、使用モード数を問わ
ず、ＴＭモード誘電体共振器の電極膜部分に、本発明に
係る高周波電極を適用することができる。

【００４７】図６に、変形例の二重モード型誘電体共振
器７５の一例を示す。誘電体の外表面がメタライズされ
た正方筒形状の共振器ケース７７内の中央部に、ケース
７７と一体成形された十字形状の誘電体７６が設けられ
て二重モード型誘電体共振器７５が構成されている。こ
こで、共振器ケース７７の電極は、本発明に係る高周波
電極を用いる。これによって、上記電極の表面抵抗を大
幅に低下させることができるので、当該誘電体共振器の
損失を低下させ無負荷Ｑを増大させることができる。

【００４８】図７に、変形例のＴＭ_01δモード型２段誘
電体帯域通過フィルタ８０の一例を示す。当該帯域通過
フィルタ８０は、以下のように構成される。外周電極８
２を有する円筒形状の誘電体管８１の両端部にそれぞ
れ、入出力用のＳＭＡコネクタ８３，８４が取り付けら
れ、ここで、ＳＭＡコネクタ８３，８４の接地導体は外
周電極８２に接続される一方、ＳＭＡコネクタ８３，８
４の中心導体にはそれぞれ、誘電体管８１内で互いに対
向するモノポールアンテナ８５，８６が接続される。上
記モノポールアンテナ８５，８６間の誘電体管８１内
で、所定の間隔だけ離れて、かつ誘電体管８１の内周面
に内接するリング形状の誘電体支持台８９，９０を介し
て円柱形状の２つの誘電体共振器８７，８８が設けられ
る。当該帯域通過フィルタ８０においても、外周電極８
２は、本発明に係る高周波電極を用いる。これによっ
て、上記外周電極８２の表面抵抗を大幅に低下させるこ
とができるので、当該誘電体フィルタの損失を低下させ
無負荷Ｑを増大させることができる。

【００４９】さらに、以下に示す変形例において、本発
明に係る高周波電極をもちいることにより、電極の表面
抵抗を従来に比較して大幅に低減させ、これによって、
伝送損失を大幅に小さくすることができる。

【００５０】図８は、本発明に係る高周波電極を用いた
マイクロストリップ線路の斜視図である。図８に示すよ
うに、裏面に接地導体１１を備えた誘電体基板１０上に
ストリップ導体２２が形成されてマイクロストリップ線
路が構成される。当該マイクロストリップ線路は、スリ
ップ導体２２及び接地導体１１に本発明に係る高周波電
極を用いていることを特徴としている。なお、ストリッ
プ導体２２のみに高周波電極を用いてもよいし、接地導
体１１のみに高周波電極を用いてもよい。

【００５１】また、図９は、本発明に係る高周波電極を
用いたトリプレート型ストリップ線路の斜視図である。
図９に示すように、両面に接地導体３１ａ，３１ｂを備
えた誘電体基板１０の厚さ方向の中央部に、ストリップ
導体２３が２つの接地導体３１ａ，３１ｂと平行になる
ように形成されてストリップ線路が構成される。当該ス
トリップ線路は、ストリップ導体２３と接地導体３１
ａ，３１ｂに本発明に係る高周波電極を用いていること
を特徴としている。なお、マイクロストリップ導体２３
のみに高周波電極を用いてもよいし、接地導体３１ａ，
３１ｂの少なくとも１つのみに高周波電極を用いてもよ
い。

【００５２】また、図１０は、本発明に係る高周波電極
を用いた対称型コプレーナ線路の斜視図である。図１０
に示すように、誘電体基板１０の一表面にストリップ導
体２４が形成され、さらに上記ストリップ導体２４を挟
むように近接して２つの接地導体３２ａ，３２ｂが形成
されてコプレーナ線路が構成される。当該コプレーナ線
路は、ストリップ導体２４と接地導体３２ａ，３２ｂに
本発明に係る高周波電極を用いていることを特徴として
いる。なお、ストリップ導体２４のみに高周波電極を用
いてもよいし、接地導体３２ａ，３２ｂの少なくとも１
つのみに高周波電極を用いてもよい。

【００５３】また、図１１は、本発明に係る高周波電極
を用いた非対称型コプレーナ線路の斜視図である。図１
１に示すように、誘電体基板１０上にストリップ導体２
５が形成され、上記ストリップ導体２５の片側に近接し
て接地導体３２が形成されてコプレーナ線路が構成され
る。当該コプレーナ線路は、ストリップ導体２５と接地
導体３２に本発明に係る高周波電極を用いていることを
特徴としている。なお、ストリップ導体２５のみに高周
波電極を用いてもよいし、接地導体３２のみに高周波電
極を用いてもよい。

【００５４】また、図１２は、本発明に係る高周波電極
を用いたスロット線路の斜視図である。当該スロット線
路は、図１２に示すように、誘電体基板１０の一表面上
に互いに近接して対向するように接地導体５１ａ，５１
ｂが形成されてスロット線路が構成される。当該スロッ
ト線路は、接地導体５１ａ，５１ｂに本発明に係る高周
波電極を用いていることを特徴としている。なお、接地
導体５１ａ，５１ｂの少なくとも１つのみに高周波電極
を用いてもよい。

【００５５】また、図１３は、本発明に係る高周波電極
を用いたサスペンデッド線路の斜視図である。図１３に
示すように、断面が方形形状である導体管からなる方形
導体管１０１の内部に、ストリップ導体２６を備えた誘
電体基板１０がその側面が上記方形導体管１０１の両側
面と接するように、かつ上下面とは接しないようにかつ
平行に固定されてサスペンデッド線路が構成される。当
該サスペンデッド線路は、ストリップ導体２６に本発明
に係る高周波電極を用いていることを特徴としている。

【００５６】また、図１４は、本発明に係る高周波電極
を用いた誘電体矩形導波管の斜視図である。図１４に示
すように、断面が方形形状である誘電体角柱６１の表面
に接地導体３３が形成されて誘電体矩形導波管が構成さ
れる。当該誘電体矩形導波管は、接地導体３３に本発明
に係る高周波電極を用いていることを特徴としている。

【００５７】また、図１５は、本発明に係る高周波電極
を用いた誘電体リッジ導波管の斜視図である。図１５に
示すように、断面がＨ型である誘電体角柱６２の表面に
接地導体３４が形成されて誘電体リッジ導波管が構成さ
れる。当該誘電体リッジ導波管は、接地導体３４に本発
明に係る高周波電極を用いていることを特徴としてい
る。

【００５８】また、図１６は、本発明に係る高周波電極
を用いたイメージ線路の斜視図である。図１６に示すよ
うに、断面が半円形である誘電体半円柱６３の底面に上
記半円形の直径より十分幅の広い接地導体３５が形成さ
れてイメージ線路が構成される。当該イメージ線路は、
接地導体３５に本発明に係る高周波電極を用いているこ
とを特徴としている。

【００５９】また、図１７は、本発明に係る高周波電極
を用いたＨ線路の斜視図である。当該Ｈ線路は、図１７
に示すように、断面が方形形状である誘電体角柱６４の
上下面にその上面又は下面より十分幅の広い接地導体３
６ａ，３６ｂが形成されてＨ線路が構成される。当該Ｈ
線路は、接地導体３６ａ，３６ｂに本発明に係る高周波
電極を用いていることを特徴としている。接地導体３６
ａ，３６ｂの少なくとも１つのみに高周波電極を用いて
もよい。

【００６０】また、図１８は、本発明に係る高周波電極
を用いた誘電体円形導波管の斜視図である。図１８に示
すように、断面が円形である誘電体円柱６５の円周面に
接地導体３７が形成されて誘電体円形導波管が構成され
る。当該誘電体円形導波管は、接地導体３７に本発明に
係る高周波電極を用いていることを特徴としている。

【００６１】また、図１９は、本発明に係る高周波電極
を用いた同軸線路の斜視図である。図１９に示すよう
に、断面が円環状である誘電体円筒６６の内周面に中心
導体２７と外周面に接地導体３８が形成されて同軸線路
が構成される。当該同軸線路は、中心導体２７と接地導
体３８に本発明に係る高周波電極を用いていることを特
徴としている。中心導体２７のみに本発明に係る高周波
電極を用いてもよいし、接地導体３８のみに本発明に係
る高周波電極を用いてもよい。

【００６２】また、図２０は、本発明に係る高周波電極
を用いた誘電体同軸共振器の斜視図である。図２０に示
すように、断面が円環状であってλｇ／４の長さを有す
る誘電体円筒６７の内周面に中心導体２８が、外周面に
接地導体３９が形成され、かつ誘電体円筒６７の一方の
端面に短絡導体２９が形成されて誘電体同軸共振器が構
成される。当該誘電体同軸共振器は、中心導体２８と接
地導体３９と短絡導体２９に本発明に係る高周波電極を
用いていることを特徴としている。中心導体２８，接地
導体３９，短絡導体２９のうちいずれか１つのみ、又は
いずれか２つに本発明に係る高周波電極を用いてもよ
い。

【００６３】以上の実施例において、接地導体１１及び
ストリップ導体２１などは、例えばＣｕ、Ａｇ又はＡｕ
などの電気的導電性を有する導体にてなるが、本発明は
これに限らず、接地導体１１及びストリップ導体２１な
どの少なくとも１つの材料として以下に示す超電導体
（超伝導体）を用いてもよい。（ａ）Ｎｂ、Ｐｂなどの純金属系超電導材料。（ｂ）Ｎｂ−Ｔｉ合金系、Ｎｂ−Ｚｒ合金系などの合金
系超電導材料。（ｃ）Ｎｂ₃Ｓｎ、Ｖ₃Ｓｉなどの金属間化合物系超電導
材料。（ｄ）以下に一例を示すセラミック系酸化物超電導材料（ｄ−１）例えばＬａ_1.85Ｓｒ_0.15ＣｕＯ₄などのＬａ
_2-xＢａ_xＣｕＯ_4-δ系又はＬａ_2-xＳｒ_xＣｕＯ_4-δ系。（ｄ−２）例えばＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ₇などＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ
_7-δ（酸素欠損量δ＝０〜１）。（ｄ−３）Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系、ここで、当
該Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系超電導材料は、Ｂｉ₂
Ｏ₃、ＳｒＣＯ₃，ＣａＣＯ₃及びＣｕＯの混合された粉
末を８００乃至８７０°Ｃの温度で仮焼した後、８５０
乃至８８０°Ｃの温度の大気中で焼結させて得られる。（ｄ−４）Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系、ここで、当
該Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系超電導材料は、Ｔｌ₂
Ｏ₃、ＣａＯ、ＢａＯ及びＣｕＯの各粉末を混合し成形
した後、１気圧の酸素を含む石英管中に封入し、８８０
°Ｃの温度で３時間加熱することによって主成分Ｔｌ₂
ＣａＢａ₂Ｃｕ₂Ｏ_xの超電導材料が得られる。（ｄ−５）ＥＢＣＯ系、（ｄ−６）ＢＰＳＣＣＯ系。（ｅ）以下に一例を示す有機系超電導材料（ｅ−１）例えば（ＴＭＴＳＦ）₂ＣｌＯ₄などのテトラ
メチルテトラセレナフルバレン（tetramethyltetrasele
nafulvalene：ＴＭＴＳＦ）系超電導材料。（ｅ−２）例えばβ（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ）₂Ｉ₃などのビ
ス（エチレンジチオロ）テトラチアフルバレン（bis(et
hylenedithiolo)tetrathiaful-valene：ＢＥＤＴ−ＴＴ
Ｆ）系超電導材料。（ｅ−３）ｄｍｉｔ系超電導材料。

【００６４】

【発明の効果】本発明に係る高周波電極の膜厚は、使用
周波数の表皮深さの１．１４倍から２．７５倍の範囲
に、好ましくは使用周波数の表皮深さの１．３２倍から
１．９２倍の範囲に、最も好ましくは使用周波数の表皮
深さのπ／２になるように形成されているので、上記高
周波電極の内部の電流密度分布は高周波電極の裏面で反
射される電磁波が励起する電流によって、表皮効果だけ
を考慮したときのような急激な減衰はなく緩やかな勾配
となる。これによって表皮効果が緩和されて、本発明に
係る高周波電極の表面抵抗は従来に比較して大幅に低減
することができる。また、上記高周波電極は、一層で構
成されているので、従来例に比較して安価に製造でき
る。従って本発明の高周波電極を用いて、より小さな伝
送損失を有する高周波伝送線路、極めて大きな無負荷Ｑ
の高周波共振器又は選択度の優れた高周波フィルタ、も
しくは低損失な高周波デバイスを、より小型・軽量化し
て、かつ安価に実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る第１の実施例の帯域通過フィル
タの斜視図である。

【図２】図２は、図１の空気層を含むストリップ導体
２１の厚さ方向の等価回路であって、（ａ）は分布定数
型等価回路であり、（ｂ）は集中定数型等価回路であ
る。

【図３】規格化表面抵抗σδ₀Ｒ_Sと規格化導体膜厚ξ
との関係を表したグラフである。

【図４】表皮効果の緩和と表面抵抗の低減を示す、図
１の誘電体基板１０の一部と空気層の一部とを含むスト
リップ導体２１の断面図である。

【図５】本発明に係る第２の実施例である帯域除去フ
ィルタの斜視図である。

【図６】変形例のＴＭ₁₁₀二重モード型誘電体共振器
の一例を示す斜視図である。

【図７】変形例のＴＭ_01δモード型２段誘電体帯域通
過フィルタの一例を示す縦断面図である。

【図８】本発明に係る高周波電極を用いたマイクロス
トリップ線路の斜視図である。

【図９】本発明に係る高周波電極を用いたトリプレー
ト型ストリップ線路の斜視図である。

【図１０】本発明に係る高周波電極を用いた対称型コ
プレーナ線路の斜視図である。

【図１１】本発明に係る高周波電極を用いた非対称型
コプレーナ線路の斜視図である。

【図１２】本発明に係る高周波電極を用いたスロット
線路の斜視図である。

【図１３】本発明に係る高周波電極を用いたサスペン
デッド線路の斜視図である。

【図１４】本発明に係る高周波電極を用いた誘電体矩
形導波管の斜視図である。

【図１５】本発明に係る高周波電極を用いた誘電体リ
ッジ導波管の斜視図である。

【図１６】本発明に係る高周波電極を用いたイメージ
線路の斜視図である。

【図１７】本発明に係る高周波電極を用いたＨ線路の
斜視図である。

【図１８】本発明に係る高周波電極を用いた誘電体円
形導波管の斜視図である。

【図１９】本発明に係る高周波電極を用いた同軸線路
の斜視図である。

【図２０】本発明に係る高周波電極を用いた誘電体同
軸共振器の斜視図である。

【符号の説明】１０…誘電体基板、２１，２２，２３，２４，２５，２６，４１…ストリッ
プ導体、２７，２８…中心導体、１１，３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂ，３２，３３，
３４，３５，３６ａ，３６ｂ，３７，３８，３９，５１
ａ，５１ｂ…接地導体、１２…入力端子用導体、１３…出力端子用導体、ｇ１，ｇ２，ｇ３…ギャップ、７５…ＴＭ₁₁₀二重モード型誘電体共振器、７６…誘電体、７７…共振器ケース、８０…ＴＭ_01δモード型２段誘電体帯域通過フィルタ、８２…外周電極。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｐ 11/00 ＺＡＡＥＨ０１Ｐ 7/04 ＺＡＡ F20 11/00 ＺＡＡＪ F6-7,20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】膜状の導体を備え、上記導体の膜厚が使
用周波数の表皮深さの１．１４倍から２．７５倍の範囲
であることを特徴とする高周波電極。
【請求項２】上記導体の膜厚が使用周波数の表皮深さ
の１．３２倍から１．９２倍の範囲であることを特徴と
する請求項１記載の高周波電極。
【請求項３】上記導体の膜厚が使用周波数の表皮深さ
のπ／２倍であることを特徴とする請求項２記載の高周
波電極。
【請求項４】上記導体は超電導材料にてなることを特
徴とする請求項１、２又は３記載の高周波電極。
【請求項５】少なくとも１つの導体を備えた高周波伝
送線路であって、上記導体は請求項１、２、３又は４記
載の高周波電極であることを特徴とする高周波伝送線
路。
【請求項６】上記高周波伝送線路は導波管であること
を特徴とする請求項５記載の高周波伝送線路。
【請求項７】上記高周波伝送線路はマイクロストリッ
プ線路であることを特徴とする請求項５記載の高周波伝
送線路。
【請求項８】上記高周波伝送線路はストリップ線路で
あることを特徴とする請求項５記載の高周波伝送線路。
【請求項９】上記高周波伝送線路は同軸線路であるこ
とを特徴とする請求項５記載の高周波伝送線路。
【請求項１０】所定の寸法を有する、請求項５乃至９
のうちの１つに記載の高周波伝送線路を備えたことを特
徴とする高周波共振器。
【請求項１１】上記高周波伝送線路は、上記高周波伝
送線路を伝送する信号の管内波長の１／４に等しい伝送
方向の長さを有することを特徴とする請求項１０記載の
高周波共振器。
【請求項１２】上記高周波伝送線路は、上記高周波伝
送線路を伝送する信号の管内波長の１／２に等しい伝送
方向の長さを有することを特徴とする請求項１０記載の
高周波共振器。
【請求項１３】所定の長さを有する請求項１０乃至１
２のうちの１つに記載の高周波共振器と、上記高周波共振器に高周波信号を入力する入力端子と、上記高周波共振器から高周波信号を出力する出力端子と
を備えたことを特徴とする高周波フィルタ。
【請求項１４】一端で高周波信号を入力しかつ他端で
上記高周波信号を出力する伝送線路と、上記伝送線路と結合する請求項１０乃至１２のうちの１
つに記載の高周波共振器とを備えたことを特徴とする高
周波帯域除去フィルタ。
【請求項１５】導体を含む共振器ケースと、上記共振
器ケース内に載置された所定の形状の誘電体とを備えた
誘電体共振器であって、上記導体を請求項１、２、３又は４記載の高周波電極に
よって構成したことを特徴とする誘電体共振器。
【請求項１６】請求項１５記載の誘電体共振器と、上記誘電体共振器に電磁的に結合され、上記誘電体共振
器に高周波信号を入力する入力端子と、上記誘電体共振器に電磁的に結合され、上記誘電体共振
器から高周波信号を出力する出力端子とを備えたことを
特徴とする高周波フィルタ。
【請求項１７】電極を備えて所定の高周波動作を行う
高周波デバイスであって、上記電極は、請求項１、２、３又は４記載の高周波電極
を有することを特徴とする高周波デバイス。