JPH073597B2 - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体の製造方法Info
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- JPH073597B2 JPH073597B2 JP60130894A JP13089485A JPH073597B2 JP H073597 B2 JPH073597 B2 JP H073597B2 JP 60130894 A JP60130894 A JP 60130894A JP 13089485 A JP13089485 A JP 13089485A JP H073597 B2 JPH073597 B2 JP H073597B2
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- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は電子写真感光体の製造方法に関し、特にアモ
ルファス・シリコン感光体表面保護層の表面処理に関す
る。
ルファス・シリコン感光体表面保護層の表面処理に関す
る。
（従来の技術） アモルファス・シリコン（以下ａ−Si:Hという）感光体
は、Se系感光体に比べて、長波長まで高感度、高硬度、
高耐熱性、その他の優れた特性を有しているので、補修
不要の複写機や高速プリンタ、その他の機器に応用が期
待されている。
は、Se系感光体に比べて、長波長まで高感度、高硬度、
高耐熱性、その他の優れた特性を有しているので、補修
不要の複写機や高速プリンタ、その他の機器に応用が期
待されている。
従来の電子写真感光体は、例えば特開昭57−115556号公
報に開示されているように、導電性の支持体上にａ−S
i:Hの感光層を20〜30μｍ堆積させ、その上に表面電位
保持のために表面保護層として、バンドギャップが広く
且つ硬度が高いa-SixC1-x等を堆積させた構造をとって
いる。このようなa-SixC1-x等の表面保護層を有する電
子写真感光体は、この表面保護層により表面電位の安定
を保護すると共に、その疎水効果によって耐湿度性を改
善することができるものである。
報に開示されているように、導電性の支持体上にａ−S
i:Hの感光層を20〜30μｍ堆積させ、その上に表面電位
保持のために表面保護層として、バンドギャップが広く
且つ硬度が高いa-SixC1-x等を堆積させた構造をとって
いる。このようなa-SixC1-x等の表面保護層を有する電
子写真感光体は、この表面保護層により表面電位の安定
を保護すると共に、その疎水効果によって耐湿度性を改
善することができるものである。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、このような電子写真感光体であっても、
繰り返し行なわれるコロナ帯電の電子写真プロセスによ
って、表面保護層の疎水効果が低下したり、表面抵抗が
下がることにより、印字品質及び耐湿度性が劣化すると
いう問題点があった。
繰り返し行なわれるコロナ帯電の電子写真プロセスによ
って、表面保護層の疎水効果が低下したり、表面抵抗が
下がることにより、印字品質及び耐湿度性が劣化すると
いう問題点があった。
この発明の目的は、前述した従来の電子写真感光体が有
する問題点に鑑み、コロナ帯電の電子写真プロセスを繰
り返し行っても、印字品質及び耐湿度性に劣化を来たす
ことがない電子写真感光体を提供することにある。
する問題点に鑑み、コロナ帯電の電子写真プロセスを繰
り返し行っても、印字品質及び耐湿度性に劣化を来たす
ことがない電子写真感光体を提供することにある。
（問題点を解決するための手段） この発明は、前述の問題点を解決するために、支持体上
にアモルファス・シリコンを主成分とする感光体層を積
層し、この感光体層上にアモルファス・カーボンからな
る表面保護層を積層し、しかる後フッ素を含んだガスで
プラズマ放電処理するものである。
にアモルファス・シリコンを主成分とする感光体層を積
層し、この感光体層上にアモルファス・カーボンからな
る表面保護層を積層し、しかる後フッ素を含んだガスで
プラズマ放電処理するものである。
（作用） 以上説明したような、本発明の電子写真感光体の製造方
法によれば、その表面処理としてフッ素を含んだガスで
プラズマ放電処理しているので、感光層上に積層された
アモルファス・カーボンからなる表面保護層の表面及び
当該層の表面近傍中にCF、CF2等の官能基が形成され、
これにより電子写真感光体表面の疎水性が大巾に改善さ
れ且つ電子写真プロセス時に発生するオゾンの照射によ
る疎水性の劣化を小さく抑え、耐環境性の良い電子写真
感光体を得ることができる。
法によれば、その表面処理としてフッ素を含んだガスで
プラズマ放電処理しているので、感光層上に積層された
アモルファス・カーボンからなる表面保護層の表面及び
当該層の表面近傍中にCF、CF2等の官能基が形成され、
これにより電子写真感光体表面の疎水性が大巾に改善さ
れ且つ電子写真プロセス時に発生するオゾンの照射によ
る疎水性の劣化を小さく抑え、耐環境性の良い電子写真
感光体を得ることができる。
（実施例） 第１図（Ａ）は、この発明の実施例を説明するための電
子写真感光体の断面図、第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）に
示した電子写真感光体の製造に用いた装置の断面図であ
る。以下、第１図（Ａ）及び第１図（Ｂ）を用いて、こ
の発明の実施例について説明する。
子写真感光体の断面図、第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）に
示した電子写真感光体の製造に用いた装置の断面図であ
る。以下、第１図（Ａ）及び第１図（Ｂ）を用いて、こ
の発明の実施例について説明する。
第１図（Ａ）において、１は導電性の支持体、２はa-S
i:H層、３はa-C:H層、第１図（Ｂ）において、10は円筒
状の反応容器、11はその軸心付近に設けた支持体加熱用
のヒータ、１は第１図（Ａ）に示されているこのヒータ
の周囲を回転するように取り付けられ膜成長が行なわれ
る円筒状の支持体、12は支持体１を回転駆動するための
モータ、13は反応室と連通する穴を有し内部にそれぞれ
ガス導入口14及び排気口15が形成されている外部電極、
16はガス導入口14と結合し、反応室内に流量調整器を介
して原料ガス17を供給するためのガス導入管、18は排気
口15と結合し反応室の反応済みの不要なガスを排気する
ための排気管、19は反応室内の混合ガス圧を制御するた
めの自動圧力制御装置、20はメカニカルブースターポン
プ、21は油回転ポンプ、22はマッチングボックス、23は
高周波電源である。
i:H層、３はa-C:H層、第１図（Ｂ）において、10は円筒
状の反応容器、11はその軸心付近に設けた支持体加熱用
のヒータ、１は第１図（Ａ）に示されているこのヒータ
の周囲を回転するように取り付けられ膜成長が行なわれ
る円筒状の支持体、12は支持体１を回転駆動するための
モータ、13は反応室と連通する穴を有し内部にそれぞれ
ガス導入口14及び排気口15が形成されている外部電極、
16はガス導入口14と結合し、反応室内に流量調整器を介
して原料ガス17を供給するためのガス導入管、18は排気
口15と結合し反応室の反応済みの不要なガスを排気する
ための排気管、19は反応室内の混合ガス圧を制御するた
めの自動圧力制御装置、20はメカニカルブースターポン
プ、21は油回転ポンプ、22はマッチングボックス、23は
高周波電源である。
まず両ポンプ20,21で排気しながら、ヒータ11によって
支持体１を200℃〜300℃の範囲の温度にする。この状態
で、シリコンを含むガス（SiH4，Si2H6，SiCl4，SiF4等
から選ばれた一種又は二種以上のガス）を種原料とし、
これに種々のドーパントガス（O2，N2，N2O，CnHm，P
H3，B2H6等から選ばれた一種又は二種以上のガス）を添
加して、H2，He，Ar等の一般に用いられているキャリア
ガスを用い反応容器10内に導入し、所定の流量・気圧と
し、適当な高周波電力でグロー放電分解することにより
a-Si:H層２を積層する。
支持体１を200℃〜300℃の範囲の温度にする。この状態
で、シリコンを含むガス（SiH4，Si2H6，SiCl4，SiF4等
から選ばれた一種又は二種以上のガス）を種原料とし、
これに種々のドーパントガス（O2，N2，N2O，CnHm，P
H3，B2H6等から選ばれた一種又は二種以上のガス）を添
加して、H2，He，Ar等の一般に用いられているキャリア
ガスを用い反応容器10内に導入し、所定の流量・気圧と
し、適当な高周波電力でグロー放電分解することにより
a-Si:H層２を積層する。
次にa-C:H層３を積層するために、反応容器10内のガス
を排気した後、原料ガスである炭化水素ガス（CnHm,n,m
は整数）を導入して所定の圧力とした後、高周波電力を
印加し、グロー放電分解により所定の膜厚のa-C:H層３
を積層する。
を排気した後、原料ガスである炭化水素ガス（CnHm,n,m
は整数）を導入して所定の圧力とした後、高周波電力を
印加し、グロー放電分解により所定の膜厚のa-C:H層３
を積層する。
a-C:H層の積層後、反応容器10内のガスを排気し、CF4ガ
スを0.01Torr〜10Torrの気圧となるように導入し、高周
波電力密度0.01W/cm2〜1W/cm2の高周波電力を１分〜１
時間印加してプラズマ処理を行う。このプラズマ処理に
よりa-C:H層３の表面及びこの層の表面近傍中には、官
能基であるCFn（ｎ＝1,2,3）形成される。このプラズマ
処理によるCFnの形成は、１分程度の時間でも行われる
がより長時間の方がa-C:H層３の深くまで行われ良い。
しかし、a-C:H層３もこのプラズマ処理によってわずか
ながらエッチングされるので、必要以上に長時間処理す
ると、a-C:H層３が薄くなり好ましくない。
スを0.01Torr〜10Torrの気圧となるように導入し、高周
波電力密度0.01W/cm2〜1W/cm2の高周波電力を１分〜１
時間印加してプラズマ処理を行う。このプラズマ処理に
よりa-C:H層３の表面及びこの層の表面近傍中には、官
能基であるCFn（ｎ＝1,2,3）形成される。このプラズマ
処理によるCFnの形成は、１分程度の時間でも行われる
がより長時間の方がa-C:H層３の深くまで行われ良い。
しかし、a-C:H層３もこのプラズマ処理によってわずか
ながらエッチングされるので、必要以上に長時間処理す
ると、a-C:H層３が薄くなり好ましくない。
次に、このようなプラズマ処理の疎水化効果を第２図に
示す。縦軸はa-C:H表面に0.01ccの水滴を静かに落とし
たときの水滴の直径を表わし、表面の疎水性の尺度とな
る。すなわち直径が小さい程疎水性が大きい。横軸に
は、紫外光とそれにより発生したオゾンの照射時間を示
す。
示す。縦軸はa-C:H表面に0.01ccの水滴を静かに落とし
たときの水滴の直径を表わし、表面の疎水性の尺度とな
る。すなわち直径が小さい程疎水性が大きい。横軸に
は、紫外光とそれにより発生したオゾンの照射時間を示
す。
第２図から明らかなように、CF4プラズマ処理した後
は、水滴の径が減少し、疎水性が改善されること、また
紫外線及びオゾン照射に対しても疎水性劣下の速度が非
常に遅くなることがわかる。
は、水滴の径が減少し、疎水性が改善されること、また
紫外線及びオゾン照射に対しても疎水性劣下の速度が非
常に遅くなることがわかる。
この効果は、プラズマ処理により分解したフッ素原子が
表面の水素原子と置き換わり、疎水性の非常に強い官能
基のCFn（ｎ＝1,2,3）が出きるためであると考えられ
る。従って、プラズマ処理に用いるガスとしてはフッ素
を含んだガスであれば良く、CF4の他にもF2，C2F6，CHF
3，SF6，NF3，CHClF2等も用いることができる。
表面の水素原子と置き換わり、疎水性の非常に強い官能
基のCFn（ｎ＝1,2,3）が出きるためであると考えられ
る。従って、プラズマ処理に用いるガスとしてはフッ素
を含んだガスであれば良く、CF4の他にもF2，C2F6，CHF
3，SF6，NF3，CHClF2等も用いることができる。
前述した実施例では、a-Si:H層２及びa-C:H層３をグロ
ー放電分解により形成したが、このa-C:H層３を水素雰
囲気中で固体カーボンをターゲットとして用いた反応性
スパッタリング法で形成しても良いし、或いは蒸着法で
形成することも出来る。これらの方法で形成されたa-S
i:H層及びa-C:H層もその特性においてグロー放電分解法
で形成されたa-Si:H層２及びa-C:H層３と何等変わると
ころがない。
ー放電分解により形成したが、このa-C:H層３を水素雰
囲気中で固体カーボンをターゲットとして用いた反応性
スパッタリング法で形成しても良いし、或いは蒸着法で
形成することも出来る。これらの方法で形成されたa-S
i:H層及びa-C:H層もその特性においてグロー放電分解法
で形成されたa-Si:H層２及びa-C:H層３と何等変わると
ころがない。
（発明の効果） 以上、詳細に説明したように、本発明の電子写真感光体
の製造方法によれば、a-C:Hからなる表面保護層の表面
処理をフッ素を含んだガスでプラズマ放電処理すること
により行ない、これにより電子写真感光体表面の疎水性
が大巾に改善され且つ電子写真プロセス時に発生するオ
ゾンの照射による疎水性の劣化を小さく抑え、耐環境性
の良い電子写真感光体を得ることができる。
の製造方法によれば、a-C:Hからなる表面保護層の表面
処理をフッ素を含んだガスでプラズマ放電処理すること
により行ない、これにより電子写真感光体表面の疎水性
が大巾に改善され且つ電子写真プロセス時に発生するオ
ゾンの照射による疎水性の劣化を小さく抑え、耐環境性
の良い電子写真感光体を得ることができる。
第１図（Ａ）は、この発明の実施例を説明するための、
電子写真感光体の断面図、第１図（Ｂ）は、第１図
（Ａ）に示した電子写真感光体の製造に用いた装置の断
面図、第２図は、本発明の実施例による効果を説明する
ための図である。 １…支持体、２…a-Si:H層、３…a-C:H層、10…反応容
器、11…ヒータ、12…モータ、13…外部電極、14…ガス
導入口、15…排気口、16…ガス導入管、17…原料ガス、
18…排気管、19…自動圧力制御装置、20…メカニカルブ
ースタ、21…油回転ポンプ、22…マッチングボックス、
23…高周波電源。
電子写真感光体の断面図、第１図（Ｂ）は、第１図
（Ａ）に示した電子写真感光体の製造に用いた装置の断
面図、第２図は、本発明の実施例による効果を説明する
ための図である。 １…支持体、２…a-Si:H層、３…a-C:H層、10…反応容
器、11…ヒータ、12…モータ、13…外部電極、14…ガス
導入口、15…排気口、16…ガス導入管、17…原料ガス、
18…排気管、19…自動圧力制御装置、20…メカニカルブ
ースタ、21…油回転ポンプ、22…マッチングボックス、
23…高周波電源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−61761（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−59367（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−144751（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】支持体上にアモルファス・シリコンを主成
分とする感光層を積層する工程と、 当該感光層上にアモルファス・カーボンからなる表面保
護層を積層する工程と、 しかる後フッ素を含んだガスでプラズマ放電処理する工
程とを備えてなることを特徴とする電子写真感光体の製
造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60130894A JPH073597B2 (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 電子写真感光体の製造方法 |
| US06/787,367 US4664999A (en) | 1984-10-16 | 1985-10-15 | Method of making electrophotographic member with a-Si photoconductive layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60130894A JPH073597B2 (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 電子写真感光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61289354A JPS61289354A (ja) | 1986-12-19 |
| JPH073597B2 true JPH073597B2 (ja) | 1995-01-18 |
Family
ID=15045198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60130894A Expired - Lifetime JPH073597B2 (ja) | 1984-10-16 | 1985-06-18 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH073597B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002207305A (ja) * | 2001-01-05 | 2002-07-26 | Kyocera Corp | 感光体およびその製法ならびにこの感光体を搭載した画像形成装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1083091A (ja) * | 1996-09-06 | 1998-03-31 | Canon Inc | 電子写真感光体及びその製造方法 |
| JPH112912A (ja) | 1997-04-14 | 1999-01-06 | Canon Inc | 光受容部材、該光受容部材を有する像形成装置及び該光受容部材を用いた像形成方法 |
| US6406824B1 (en) | 1998-11-27 | 2002-06-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member and electrophotographic apparatus having the photosensitive member |
| DE60309253T2 (de) | 2002-08-09 | 2007-05-24 | Canon K.K. | Elektrophotographisches lichtempfindliches element |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6013065A (ja) * | 1983-07-01 | 1985-01-23 | Stanley Electric Co Ltd | 固体表面の撥水性処理方法 |
| JPS6059367A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-04-05 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 調整した無定形ケイ素を含む電子写真装置 |
| JPS6061761A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS6067950A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-18 | Minolta Camera Co Ltd | 感光体 |
| JPS60102244A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-06 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 高加工度型鍛造装置 |
-
1985
- 1985-06-18 JP JP60130894A patent/JPH073597B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002207305A (ja) * | 2001-01-05 | 2002-07-26 | Kyocera Corp | 感光体およびその製法ならびにこの感光体を搭載した画像形成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61289354A (ja) | 1986-12-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |