JPH0736188A - 感光性レジスト組成物およびパターン形成方法 - Google Patents
感光性レジスト組成物およびパターン形成方法Info
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- JPH0736188A JPH0736188A JP5178903A JP17890393A JPH0736188A JP H0736188 A JPH0736188 A JP H0736188A JP 5178903 A JP5178903 A JP 5178903A JP 17890393 A JP17890393 A JP 17890393A JP H0736188 A JPH0736188 A JP H0736188A
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- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 感光性レジスト組成物およびパターン形成方
法に関し、ＫｒＦエキシマレーザーに適したＳｉ含有ポ
ジ型感光性レジスト組成物を提供する。 【構成】 下記の化学構造を有する樹脂と光酸発生剤に
よって構成する。 【化１】
法に関し、ＫｒＦエキシマレーザーに適したＳｉ含有ポ
ジ型感光性レジスト組成物を提供する。 【構成】 下記の化学構造を有する樹脂と光酸発生剤に
よって構成する。 【化１】
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置等の製造工
程、特に、超微細加工工程で用いる感光性レジスト組成
物およびそれを用いたパターン形成方法に関する。
程、特に、超微細加工工程で用いる感光性レジスト組成
物およびそれを用いたパターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程における超微細加
工には感光性レジスト組成物が用いられるが、近年の集
積回路装置の高集積化にともなう基板段差の増大に対処
するため、従来の単層レジスト法から、段差の影響を受
けにくい多層（２層、３層）レジスト法に用いる感光性
レジスト組成物が開発されてきている。
工には感光性レジスト組成物が用いられるが、近年の集
積回路装置の高集積化にともなう基板段差の増大に対処
するため、従来の単層レジスト法から、段差の影響を受
けにくい多層（２層、３層）レジスト法に用いる感光性
レジスト組成物が開発されてきている。
【０００３】２層レジスト法の上層レジスト被膜の特性
として、感光性、解像度等通常の感光性レジスト組成物
に要求される特性の他に、酸素プラズマエッチングによ
って下層のレジスト被膜をエッチングするため、酸素プ
ラズマ耐性が要求される。
として、感光性、解像度等通常の感光性レジスト組成物
に要求される特性の他に、酸素プラズマエッチングによ
って下層のレジスト被膜をエッチングするため、酸素プ
ラズマ耐性が要求される。
【０００４】感光性レジスト被膜に酸素プラズマ耐性を
もたせるために、従来は、主にＳｉを含有した樹脂（ポ
リシロキサン系、ポリシラン系、ポリアクリレート系）
を主成分とした組成物が開発されてきた。
もたせるために、従来は、主にＳｉを含有した樹脂（ポ
リシロキサン系、ポリシラン系、ポリアクリレート系）
を主成分とした組成物が開発されてきた。
【０００５】これらの加工性レジスト組成物に対する露
光線源は、従来、主にＧ線、Ｉ線、Ｄｅｅｐ ＵＶ、電
子線であったが、最近ＫｒＦエキシマレーザーを光源と
するリソグラフィーが注目され、光酸発生剤と酸によっ
て脱離する基を有する樹脂からなる化学増倍型レジスト
の開発が盛んになってきた。
光線源は、従来、主にＧ線、Ｉ線、Ｄｅｅｐ ＵＶ、電
子線であったが、最近ＫｒＦエキシマレーザーを光源と
するリソグラフィーが注目され、光酸発生剤と酸によっ
て脱離する基を有する樹脂からなる化学増倍型レジスト
の開発が盛んになってきた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】Ｓｉを含有するＫｒＦ
エキシマレーザー用化学増倍型感光性レジスト組成物と
しては、ＮＴＴからＣＳＮＲが発表されている等いくつ
かの発表はあるが（ＳＰＩＥ １９９２，１６７２−０
６参照）、いまだ開発途上にあるといえる。
エキシマレーザー用化学増倍型感光性レジスト組成物と
しては、ＮＴＴからＣＳＮＲが発表されている等いくつ
かの発表はあるが（ＳＰＩＥ １９９２，１６７２−０
６参照）、いまだ開発途上にあるといえる。
【０００７】また、従来発表されているＫｒＦエキシマ
レーザー用化学増倍型感光性レジスト組成物は全てシロ
キサンベースのネガ型感光性レジスト組成物であり、ポ
ジ型感光性レジスト組成物はいまだ発表されていない。
本発明は、ＫｒＦエキシマレーザーに適したＳｉ含有ポ
ジ型感光性レジスト組成物を提供することを目的とす
る。
レーザー用化学増倍型感光性レジスト組成物は全てシロ
キサンベースのネガ型感光性レジスト組成物であり、ポ
ジ型感光性レジスト組成物はいまだ発表されていない。
本発明は、ＫｒＦエキシマレーザーに適したＳｉ含有ポ
ジ型感光性レジスト組成物を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる第１の感
光性レジスト組成物においては、下記の化学構造を有す
る樹脂と光酸発生剤よりなる構成を採用した。
光性レジスト組成物においては、下記の化学構造を有す
る樹脂と光酸発生剤よりなる構成を採用した。
【化６】
【０００９】また、本発明にかかる第２の感光性レジス
ト組成物においては、下記の化学構造を有する樹脂と光
酸発生剤よりなる構成を採用した。
ト組成物においては、下記の化学構造を有する樹脂と光
酸発生剤よりなる構成を採用した。
【化７】
【００１０】また、本発明にかかる第３の感光性レジス
ト組成物においては、下記のいずれかの化学構造を有す
る樹脂と光酸発生剤よりなる構成を採用した。
ト組成物においては、下記のいずれかの化学構造を有す
る樹脂と光酸発生剤よりなる構成を採用した。
【化８】
【化９】
【００１１】また、本発明にかかるパターン形成方法に
おいては、被加工物の上に、上記の本発明にかかる第１
の感光性レジスト組成物、第２の感光性レジスト組成
物、第３の感光性レジスト組成物を塗布して感光性レジ
スト被膜を形成し、該感光性レジスト被膜を露光し、ア
ルカリ現像液によって現像することによってポジ型パタ
ーニングを行う工程を採用した。
おいては、被加工物の上に、上記の本発明にかかる第１
の感光性レジスト組成物、第２の感光性レジスト組成
物、第３の感光性レジスト組成物を塗布して感光性レジ
スト被膜を形成し、該感光性レジスト被膜を露光し、ア
ルカリ現像液によって現像することによってポジ型パタ
ーニングを行う工程を採用した。
【００１２】
【作用】本発明にかかる第１の感光性レジスト組成物に
おいては、感光性レジスト被膜の露光部は酸触媒で二重
結合が開き、水酸基が付加して極性が変わり、アルカリ
現像液に対して可溶性になる。また、第２の感光性レジ
スト組成物においては、感光性レジスト被膜の露光部は
酸で（Ａ）の脱離基が脱離し、アルカリ現像液に対して
可溶性になる。また、第３の感光性レジスト組成物にお
いては、酸で脱離基が脱離し、アルカリ現像液に対して
可溶性になる。したがって、感光性レジスト被膜の露光
部がアルカリ現像液で溶解除去され、ポジ型レジストと
して働く。
おいては、感光性レジスト被膜の露光部は酸触媒で二重
結合が開き、水酸基が付加して極性が変わり、アルカリ
現像液に対して可溶性になる。また、第２の感光性レジ
スト組成物においては、感光性レジスト被膜の露光部は
酸で（Ａ）の脱離基が脱離し、アルカリ現像液に対して
可溶性になる。また、第３の感光性レジスト組成物にお
いては、酸で脱離基が脱離し、アルカリ現像液に対して
可溶性になる。したがって、感光性レジスト被膜の露光
部がアルカリ現像液で溶解除去され、ポジ型レジストと
して働く。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 （第１実施例）この実施例の感光性レジスト組成物にお
いては、下記の化学構造の樹脂と光酸発生剤からなる組
成物を用いることを特徴とする。
いては、下記の化学構造の樹脂と光酸発生剤からなる組
成物を用いることを特徴とする。
【化１０】
【００１４】さらに具体的にいうと、上記の樹脂である
ポリ（１−トリメチルシリル−１−プロピン）に光酸発
生剤であるトリフェニルスルフォニウムヘキサフルオロ
アンチモネート（ＴＰＳＳｂＦ6 ）を樹脂の１５ｗｔ％
加え、１０ｗｔ％のトルエン溶液とした。
ポリ（１−トリメチルシリル−１−プロピン）に光酸発
生剤であるトリフェニルスルフォニウムヘキサフルオロ
アンチモネート（ＴＰＳＳｂＦ6 ）を樹脂の１５ｗｔ％
加え、１０ｗｔ％のトルエン溶液とした。
【００１５】そして、被加工物であるＳｉウェーハの上
に、下層レジストとしてノボラック系レジストを塗布し
２００℃でハードベークして２μｍ厚としたものを用意
し、その上に、上記のこの実施例の溶液をスピンコート
し、プリベークして、０．３μｍ厚とした。
に、下層レジストとしてノボラック系レジストを塗布し
２００℃でハードベークして２μｍ厚としたものを用意
し、その上に、上記のこの実施例の溶液をスピンコート
し、プリベークして、０．３μｍ厚とした。
【００１６】これをＫｒＦエキシマレーザー（ＮＡ＝
０．４５）で露光し、露光後１分間で９０℃に昇温し、
６０秒間ベークした。これをアルカリ現像液であるトリ
メチルアンモニウムハライド（ＴＭＡＨ）（２．３８
％）によって１分間現像したところ、０．３μｍのライ
ンアンドスペース（Ｌ＆Ｓ）を解像することができた。
０．４５）で露光し、露光後１分間で９０℃に昇温し、
６０秒間ベークした。これをアルカリ現像液であるトリ
メチルアンモニウムハライド（ＴＭＡＨ）（２．３８
％）によって１分間現像したところ、０．３μｍのライ
ンアンドスペース（Ｌ＆Ｓ）を解像することができた。
【００１７】このようにして得られたレジストパターン
をマスクにしてＯ2 ＲＩＥで下層のノボラック系レジス
ト被膜をドライエッチングしたところ、２μｍの膜厚の
この下層のレジスト被膜にパターンを転写することがで
きた。
をマスクにしてＯ2 ＲＩＥで下層のノボラック系レジス
ト被膜をドライエッチングしたところ、２μｍの膜厚の
この下層のレジスト被膜にパターンを転写することがで
きた。
【００１８】上記の他、樹脂として、下記のものを用い
ても、同様の効果を示した。 （１）ポリ（４，４，７，７−テトラメチル１、４、７
−ジシラオクチン）
ても、同様の効果を示した。 （１）ポリ（４，４，７，７−テトラメチル１、４、７
−ジシラオクチン）
【化１１】 （２）ポリ（４，４，６，６−テトラメチル−４，６−
ジシラヘプチン）
ジシラヘプチン）
【化１２】 （３）ポリ（１−ジエトキシメトキシシリルプロピレ
ン）
ン）
【化１３】
【００１９】また、光酸発生剤に以下のものを用いた場
合にも同様の効果が得られた。 （１）トリス（２，３−ジプロモプロピル）イソシアヌ
レート
合にも同様の効果が得られた。 （１）トリス（２，３−ジプロモプロピル）イソシアヌ
レート
【化１４】 （２）ジ（３，５−ジプロモ−４−ヒドロキシ）スルフ
ォニウム
ォニウム
【化１５】 （３）ベンゾイントシレート
【化１６】 （４）トリフェニルスルフォニウムトリフレート
【化１７】 （５）ピロガロールトリメシレート
【化１８】 （６）２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−Ｓ−
トリアシン
トリアシン
【化１９】 （７）Ｐ−トルエンスルフォン酸フェニル
【化２０】 （８）トリフェニルスルフォンヘキサフルオロアンチモ
ネート
ネート
【化２１】
【００２０】（第２実施例）この実施例の感光性レジス
ト組成物においては、下記の化学構造の樹脂と光酸発生
剤からなる組成物を用いることを特徴とする。
ト組成物においては、下記の化学構造の樹脂と光酸発生
剤からなる組成物を用いることを特徴とする。
【化２２】
【００２１】さらに具体的にいうと、アリルトリメチル
シランとマレイミドをモル比で１．２：１に混合し、５
ｍｏｌ／ｌ（モル／リットル）の１，４−ジオキサン溶
液とした。これに樹脂の２ｍｏｌ／ｌのＡｌＢＮを加
え、８０℃で攪拌しながら、４時間保った。その後反応
物を大量のｎ−ヘキサン中に加え沈澱物を濾別、乾燥
し、アリルトリメチルシラン−マレイミド共重合体を得
た。
シランとマレイミドをモル比で１．２：１に混合し、５
ｍｏｌ／ｌ（モル／リットル）の１，４−ジオキサン溶
液とした。これに樹脂の２ｍｏｌ／ｌのＡｌＢＮを加
え、８０℃で攪拌しながら、４時間保った。その後反応
物を大量のｎ−ヘキサン中に加え沈澱物を濾別、乾燥
し、アリルトリメチルシラン−マレイミド共重合体を得
た。
【００２２】これを、乾燥したＴＨＦに溶かし、カリウ
ムｔｅｒｔ−ブトキサイドを１．２倍量（ｍｏｌ）加
え、５℃で４０分攪拌し、その後ジ−ｔｅｒｔ−ブチル
ジカーボネートを加えて３０℃で４時間攪拌した。この
反応系を大量のメタルールに加え沈澱物を濾過し、アリ
ルトリメチルシラン−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルマ
レイイミド−マレイイミドの５０：４５：５の下記の共
重合体を得た。
ムｔｅｒｔ−ブトキサイドを１．２倍量（ｍｏｌ）加
え、５℃で４０分攪拌し、その後ジ−ｔｅｒｔ−ブチル
ジカーボネートを加えて３０℃で４時間攪拌した。この
反応系を大量のメタルールに加え沈澱物を濾過し、アリ
ルトリメチルシラン−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルマ
レイイミド−マレイイミドの５０：４５：５の下記の共
重合体を得た。
【化２３】
【００２３】このようにして得た樹脂に光酸発生剤であ
るトリフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモ
ネート（ＴＰＳＳｂＦ6 ）を樹脂の１５ｗｔ％加え、１
０ｗｔ％のシクロヘキサノン溶液とした。
るトリフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモ
ネート（ＴＰＳＳｂＦ6 ）を樹脂の１５ｗｔ％加え、１
０ｗｔ％のシクロヘキサノン溶液とした。
【００２４】そして、Ｓｉウェーハの上にノボラック系
レジストを塗布し２００℃でハードベークして２μｍ厚
としたものを用意し、その上に上記のこの実施例の溶液
をスピンコート、プリベークして、０．３μｍ厚とし
た。
レジストを塗布し２００℃でハードベークして２μｍ厚
としたものを用意し、その上に上記のこの実施例の溶液
をスピンコート、プリベークして、０．３μｍ厚とし
た。
【００２５】これをＫｒＦエキシマレーザー（ＮＡ＝
０．４５）で露光、露光後１分で９０℃昇温して６０秒
間ベークした。これをアルカリ現像液で１分間現像した
ところ、０．３μｍのラインアンドスペース（Ｌ＆Ｓ）
を解像することができた。
０．４５）で露光、露光後１分で９０℃昇温して６０秒
間ベークした。これをアルカリ現像液で１分間現像した
ところ、０．３μｍのラインアンドスペース（Ｌ＆Ｓ）
を解像することができた。
【００２６】このようにして得られたレジストパターン
をマスクにして、Ｏ2 ＲＩＥで下層のノボラック系レジ
ストをエッチングしたところ、２μｍ厚の下層ノボラッ
ク系レジストにパターンを転写することができた。
をマスクにして、Ｏ2 ＲＩＥで下層のノボラック系レジ
ストをエッチングしたところ、２μｍ厚の下層ノボラッ
ク系レジストにパターンを転写することができた。
【００２７】また、アリルトリメチルシランとジメチル
ベンジルマレイミドとジメチルｔｅｒｔ−ブチルシリル
マレイミドをモル比で６：４：１に混合し、５ｍｏｌ／
ｌの１，４−ジオキサン溶液とした。
ベンジルマレイミドとジメチルｔｅｒｔ−ブチルシリル
マレイミドをモル比で６：４：１に混合し、５ｍｏｌ／
ｌの１，４−ジオキサン溶液とした。
【００２８】これに樹脂の２ｍｏｌ／ｌのＡＩＢＮを加
え、８０℃で攪拌しながら２時間保った後、反応物を大
量のメタノールに加え沈澱物を濾別、乾燥し、アリルト
リメチルシラン−ジメチルベンジルマレイミド−ジメチ
ルｔｅｒｔ−ブチルシリルマレイミドの５０：４０：１
０の下記の共重合体を得た。
え、８０℃で攪拌しながら２時間保った後、反応物を大
量のメタノールに加え沈澱物を濾別、乾燥し、アリルト
リメチルシラン−ジメチルベンジルマレイミド−ジメチ
ルｔｅｒｔ−ブチルシリルマレイミドの５０：４０：１
０の下記の共重合体を得た。
【化２４】 このようにして得た樹脂を用いて前記と同様の工程を施
したところ、０．３μｍのラインアンドスペース（Ｌ＆
Ｓ）を解像することができた。
したところ、０．３μｍのラインアンドスペース（Ｌ＆
Ｓ）を解像することができた。
【００２９】このようにして得られたレジストパターン
をマスクにして、Ｏ2 ＲＩＥで下層のノボラック系レジ
ストをエッチングしたところ、２μｍ厚の下層のノボラ
ック系レジストにパターンを転写することができた。
をマスクにして、Ｏ2 ＲＩＥで下層のノボラック系レジ
ストをエッチングしたところ、２μｍ厚の下層のノボラ
ック系レジストにパターンを転写することができた。
【００３０】この実施例においては、酸によって脱離す
る基を、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカル
ボニル基、テトラヒドロピラニル基、ジメチルベンジル
基とすることができる。
る基を、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカル
ボニル基、テトラヒドロピラニル基、ジメチルベンジル
基とすることができる。
【００３１】この実施例においても、第１実施例と同様
に、光酸発生剤として以下のものを用いた場合にも同様
の効果を得た。 （１）トリス（２，３−ジプロモプロピル）イソシアヌ
レート （２）ジ（３，５−ジプロモ−４−ヒドロキシ）スルフ
ォニウム （３）ベンゾイントシレート （４）トリフェニルスルフォニウムトリフレート （５）ピロガロールトリメシレート （６）２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−Ｓ−
トリアシン （７）Ｐ−トルエンスルフォン酸フェニル （８）トリフェニルスルフォンヘキサフルオロアンチモ
ネート
に、光酸発生剤として以下のものを用いた場合にも同様
の効果を得た。 （１）トリス（２，３−ジプロモプロピル）イソシアヌ
レート （２）ジ（３，５−ジプロモ−４−ヒドロキシ）スルフ
ォニウム （３）ベンゾイントシレート （４）トリフェニルスルフォニウムトリフレート （５）ピロガロールトリメシレート （６）２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−Ｓ−
トリアシン （７）Ｐ−トルエンスルフォン酸フェニル （８）トリフェニルスルフォンヘキサフルオロアンチモ
ネート
【００３２】（第３実施例）この実施例の感光性レジス
ト組成物においては、下記のいずれかの化学構造の樹脂
と光酸発生剤からなる組成物を用いることを特徴とす
る。
ト組成物においては、下記のいずれかの化学構造の樹脂
と光酸発生剤からなる組成物を用いることを特徴とす
る。
【化２５】
【化２６】
【００３３】さらに具体的にいうと、ジトリメチルシリ
ルメチルイタコネートとジジメチルベンジルイタコネー
トをモル比で６：４に混合し、５ｍｏｌ／ｌのトルエン
溶液とした。
ルメチルイタコネートとジジメチルベンジルイタコネー
トをモル比で６：４に混合し、５ｍｏｌ／ｌのトルエン
溶液とした。
【００３４】これに樹脂の２ｍｏｌ／ｌのＡｌＢＮを加
え、８０℃で攪拌しながら、６時間保った。その後反応
物を大量のメタノール中に加え沈澱物を濾別、乾燥し、
下記のジトリメチルシリルメチルイタコネート−ジメチ
ルベンジルイタコネート共重合体（６：４）を得た。
え、８０℃で攪拌しながら、６時間保った。その後反応
物を大量のメタノール中に加え沈澱物を濾別、乾燥し、
下記のジトリメチルシリルメチルイタコネート−ジメチ
ルベンジルイタコネート共重合体（６：４）を得た。
【化２７】
【００３５】このようにして得られた樹脂に光酸発生剤
であるトリフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアン
チモネート（ＴＰＳＳｂＦ6 ）をポリマーの１５ｗｔ％
加え、１２ｗｔ％のシクロヘキサノン溶液とした。
であるトリフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアン
チモネート（ＴＰＳＳｂＦ6 ）をポリマーの１５ｗｔ％
加え、１２ｗｔ％のシクロヘキサノン溶液とした。
【００３６】そして、Ｓｉウェーハの上にノボラック系
レジストを塗布し２００℃でハードベークして２μｍ厚
としたものを用意し、その上にこの溶液をスピンコー
ト、プリベークして、０．３μｍ厚とした。
レジストを塗布し２００℃でハードベークして２μｍ厚
としたものを用意し、その上にこの溶液をスピンコー
ト、プリベークして、０．３μｍ厚とした。
【００３７】これをＫｒＦエキシマレーザー（ＮＡ＝
０．４５）で露光、露光後１分間で９０℃昇温して６０
秒間ベークした。これをアルカリ現像液で１分間現像し
たところ、０．３μｍのラインアンドスペース（Ｌ＆
Ｓ）を解像することができた。
０．４５）で露光、露光後１分間で９０℃昇温して６０
秒間ベークした。これをアルカリ現像液で１分間現像し
たところ、０．３μｍのラインアンドスペース（Ｌ＆
Ｓ）を解像することができた。
【００３８】このようにして得られたレジストパターン
をマスクにして、Ｏ2 ＲＩＥで下層のノボラック系レジ
ストをエッチングしたところ、２μｍ厚の下層のノボラ
ック系レジストにパターンを転写することができた。
をマスクにして、Ｏ2 ＲＩＥで下層のノボラック系レジ
ストをエッチングしたところ、２μｍ厚の下層のノボラ
ック系レジストにパターンを転写することができた。
【００３９】また、ジトリメチルシリルメチルイタコネ
ートとジ−ｔｅｒｔ−ブチルイタコネートをモル比で
６：４に混合し、５ｍｏｌ／ｌのトルエン溶液とした。
これに樹脂の２ｍｏｌ／ｌのＡｌＢＮを加え、８０℃で
攪拌しながら、５時間保った後、反応物を大量のメタノ
ール中に加え沈澱物を濾別、乾燥し、下記のジトリメチ
ルシリルメチルイタコネート−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルイ
タコネート共重合体（６：４）を得た。
ートとジ−ｔｅｒｔ−ブチルイタコネートをモル比で
６：４に混合し、５ｍｏｌ／ｌのトルエン溶液とした。
これに樹脂の２ｍｏｌ／ｌのＡｌＢＮを加え、８０℃で
攪拌しながら、５時間保った後、反応物を大量のメタノ
ール中に加え沈澱物を濾別、乾燥し、下記のジトリメチ
ルシリルメチルイタコネート−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルイ
タコネート共重合体（６：４）を得た。
【化２８】
【００４０】このようにして得た樹脂を用いて前記と同
様の工程を施したところ、０．３μｍのラインアンドス
ペース（Ｌ＆Ｓ）を解像することができた。このように
して得られたレジストパターンをマスクにして、Ｏ2 Ｒ
ＩＥで下層のノボラック系レジストをエッチングしたと
ころ、下層２μｍ厚の下層のノボラック系レジストにパ
ターンを転写することができた。
様の工程を施したところ、０．３μｍのラインアンドス
ペース（Ｌ＆Ｓ）を解像することができた。このように
して得られたレジストパターンをマスクにして、Ｏ2 Ｒ
ＩＥで下層のノボラック系レジストをエッチングしたと
ころ、下層２μｍ厚の下層のノボラック系レジストにパ
ターンを転写することができた。
【００４１】この実施例においては、酸によって脱離す
る基を、ｔｅｒｔ−ブチル基、ジメチルベンジル基、テ
トラヒドロピラニル基等とすることができる。
る基を、ｔｅｒｔ−ブチル基、ジメチルベンジル基、テ
トラヒドロピラニル基等とすることができる。
【００４２】この実施例においても、第１実施例、第２
実施例と同様に、光酸発生剤として以下のものを用いた
場合にも同様の効果を得た。 （１）トリス（２，３−ジプロモプロピル）イソシアヌ
レート （２）ジ（３，５−ジプロモ−４−ヒドロキシ）スルフ
ォニウム （３）ベンゾイントシレート （４）トリフェニルスルフォニウムトリフレート （５）ピロガロールトリメシレート （６）２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−Ｓ−
トリアシン （７）Ｐ−トルエンスルフォン酸フェニル （８）トリフェニルスルフォンヘキサフルオロアンチモ
ネート
実施例と同様に、光酸発生剤として以下のものを用いた
場合にも同様の効果を得た。 （１）トリス（２，３−ジプロモプロピル）イソシアヌ
レート （２）ジ（３，５−ジプロモ−４−ヒドロキシ）スルフ
ォニウム （３）ベンゾイントシレート （４）トリフェニルスルフォニウムトリフレート （５）ピロガロールトリメシレート （６）２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−Ｓ−
トリアシン （７）Ｐ−トルエンスルフォン酸フェニル （８）トリフェニルスルフォンヘキサフルオロアンチモ
ネート
【００４３】本発明にかかる第１の感光性レジスト組成
物、第２の感光性レジスト組成物、あるいは第３の感光
性レジスト組成物は、従来知られているように、被加工
物の上に塗布して感光性レジスト被膜を形成し、この感
光性レジスト被膜を露光し、アルカリ現像液によって現
像することによってポジ型パターニングを行うことがで
きる。
物、第２の感光性レジスト組成物、あるいは第３の感光
性レジスト組成物は、従来知られているように、被加工
物の上に塗布して感光性レジスト被膜を形成し、この感
光性レジスト被膜を露光し、アルカリ現像液によって現
像することによってポジ型パターニングを行うことがで
きる。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
水性アルカリで現像でき、膨潤のない、ＫｒＦエキシマ
レーザー用Ｓｉ含有ポジ型感光性レジスト組成物を提供
することができ、近年開発が進んでいる段差が大きい超
高集積回路装置の製造に寄与するところが大きい。
水性アルカリで現像でき、膨潤のない、ＫｒＦエキシマ
レーザー用Ｓｉ含有ポジ型感光性レジスト組成物を提供
することができ、近年開発が進んでいる段差が大きい超
高集積回路装置の製造に寄与するところが大きい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｄ 7352−4Ｍ
Claims (14)
- 【請求項１】 下記の化学構造を有する樹脂と光酸発生
剤よりなる感光性レジスト組成物。 【化１】 - 【請求項２】 Ｒ2 が−Ｓｉ（ＣＨ3 ）3 であることを
特徴とする請求項１に記載された感光性レジスト組成
物。 - 【請求項３】 Ｒ2 が−Ｓｉ（ＣＨ3 ）3 ＣＨ2 Ｓｉ
（ＣＨ3 ）3 であることを特徴とする請求項１に記載さ
れた感光性レジスト組成物。 - 【請求項４】 Ｒ2 が下記の化学構造を有することを特
徴とする請求項１に記載された感光性レジスト組成物。 【化２】 - 【請求項５】 下記の化学構造を有する樹脂と光酸発生
剤よりなる感光性レジスト組成物。 【化３】 - 【請求項６】 酸によって脱離する基が、ｔｅｒｔ−ブ
チル基であることを特徴とする請求項５に記載された感
光性レジスト組成物。 - 【請求項７】 酸によって脱離する基が、ｔｅｒｔ−ブ
トキシカルボニル基であることを特徴とする請求項５に
記載された感光性レジスト組成物。 - 【請求項８】 酸によって脱離する基が、テトラヒドロ
ピラニル基であることを特徴とする請求項５に記載され
た感光性レジスト組成物。 - 【請求項９】 酸によって脱離する基が、ジメチルベン
ジル基であることを特徴とする請求項５に記載された感
光性レジスト組成物。 - 【請求項１０】 下記のいずれかの化学構造を有する樹
脂と光酸発生剤よりなる感光性レジスト組成物。 【化４】 【化５】 - 【請求項１１】 酸によって脱離する基が、ｔｅｒｔ−
ブチル基であることを特徴とする請求項１０に記載され
た感光性レジスト組成物。 - 【請求項１２】 酸によって脱離する基が、ジメチルベ
ンジル基であることを特徴とする請求項１０に記載され
た感光性レジスト組成物。 - 【請求項１３】 酸によって脱離する基が、テトラヒド
ロピラニル基であることを特徴とする請求項１０に記載
された感光性レジスト組成物。 - 【請求項１４】 被加工物の上に請求項１から請求項１
４までのいずれか１項に記載された感光性レジスト組成
物を塗布して感光性レジスト被膜を形成し、該感光性レ
ジスト被膜を露光し、アルカリ現像液によって現像する
ことによってポジ型パターニングを行うことを特徴とす
るパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17890393A JP3316601B2 (ja) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | ポジ型化学増幅レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17890393A JP3316601B2 (ja) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | ポジ型化学増幅レジスト組成物 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001368472A Division JP3479937B2 (ja) | 2001-12-03 | 2001-12-03 | 感光性レジスト組成物及びパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0736188A true JPH0736188A (ja) | 1995-02-07 |
| JP3316601B2 JP3316601B2 (ja) | 2002-08-19 |
Family
ID=16056706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17890393A Expired - Fee Related JP3316601B2 (ja) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | ポジ型化学増幅レジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3316601B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6994945B2 (en) * | 2001-03-01 | 2006-02-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon-containing polymer, resist composition and patterning process |
-
1993
- 1993-07-20 JP JP17890393A patent/JP3316601B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6994945B2 (en) * | 2001-03-01 | 2006-02-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon-containing polymer, resist composition and patterning process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3316601B2 (ja) | 2002-08-19 |
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